JP2004082285A - 太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄膜太陽電池素子の高効率化に好適な光閉じ込め効果を有する基板を高スループット且つ低コストで形成することによって、高効率で低コストな太陽電池素子を可能とすることを目的とする。
【解決手段】大きさの異なる2種以上の砥粒からなる混合砥粒を用いて太陽電池素子用ガラス基板表面にサンドブラスト処理を施す。
【選択図】図2
【解決手段】大きさの異なる2種以上の砥粒からなる混合砥粒を用いて太陽電池素子用ガラス基板表面にサンドブラスト処理を施す。
【選択図】図2
Description
【0001】
【発明の属する分野】
本発明は、太陽電池素子用基板の粗面化方法に関するものである。
【0002】
【従来技術およびその課題】
微結晶(μc−Si)太陽電池素子においては、ガラスなどの基板上に電極を形成し、この上にSi層を順次積層して素子を形成する。このとき、a−Si太陽電池素子と異なり、光吸収係数の小さいμc−Si膜を活性層としたμc−Si太陽電池素子において入射光を効率良く吸収させるためには、光閉じ込め構造の形成が極めて重要である。
【0003】
この光閉じ込め構造を得るための1手段として、素子構造に凹凸構造を導入する方法が用いられている。
【0004】
例として、基板上に透明層(ZnO)を形成後、酢酸溶液中に浸漬及び電解処理を施すことにより透明層に凹凸を形成する方法(例えば、特開平6−140649号等を参照)や、導電性酸化物微粒子を分散媒体中に分散されたコーティング液を基板上に塗布し、硬化させることにより、ヘーズが2〜48%である透明導電膜を形成する方法(例えば、特開平10−12059号等を参照)が知られている。しかしながら、これらの方法ではいずれも透明層を形成する必要があるため、コスト及びスループットの面において問題が残る。
【0005】
また、ガラス基板上に平均粒径0.1〜1.0μmの絶縁性微粒子薄膜を形成して基板上に凹凸を形成する方法(特開平11−274536号等を参照)や、複数のV溝に超音波振動を与え、遊離砥粒を含むスラリーを供給しつつ、基板表面に押し付けて凹凸構造を形成する(特開平6−350114号等を参照)方法等もあるが、これらの方法では好適な凹凸形状を得ることが困難で、上層に形成するμc−Si膜の品質を低下させる事態を誘発していた。
【0006】
一般的なサンドブラスト処理の例として、ガラス基板に直接凹凸を形成する(特開平7−122764号、特開平9−199745等を参照)方法等があるが、砥粒のが大きいため、形成される凹凸形状のアスペクト比が大きくなり、凹凸に急峻な斜面が形成されるので素子においてはリークを誘発する要因となっていた。
【0007】
また、粒径の大きな砥粒でサンドブラスト処理を行った後に粒径の小さな砥粒でサンドブラスト処理を行って凹凸を形成する(特開平10−70294号等を参照)方法等もあるが、この方法においては好適な凹凸が得られなかった。
【0008】
すなわち、粒径が相互に異なる砥粒を順次サンドブラストした従来技術では表面に小さな凹凸を有する大きな凹凸(急峻な凹凸)が形成される影響で、基板上に形成される上層に欠陥が生じ易いという問題があり、さらに、凹凸に急峻な斜面があるのでリークを誘発する場合があった。
【0009】
また、各々の砥粒に対して別の装置が必要となり、コスト面に問題があるだけでなく、サンドブラスト処理に時間を要するため、スループット上の問題もあった。
【0010】
本発明では、以上の諸方法の問題点を解消し、薄膜太陽電池素子の高効率化に好適な光閉じ込め効果を有する基板を高スループット且つ低コストで形成することによって、高効率で低コストな太陽電池素子を可能とすることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項1の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法は、粒径が互いに異なる2種以上の砥粒からなる混合砥粒を用いて太陽電池素子用ガラス基板表面にサンドブラスト処理を施すことを特徴とする。
【0012】
粒径が互いに異なる砥粒を順次サンドブラストした従来技術では表面に小さな凹凸を有する大きな凹凸(急峻な凹凸)が形成されるのに対して、かかる粗面化方法によれば、上記従来技術における小さな凹凸と大きな凹凸の中間程度の大きさの凹凸が平均的に形成され、しかも、より鈍角化することができる。
【0013】
したがって、基板上に形成される上層の欠陥を少なくし、且つリークを少なくすることから高性能な太陽電池素子特性が得られる。
【0014】
さらに、サンドブラストが一回で済むので高スループットが実現する。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態をサブストレート型μc−Si太陽電池素子を例に詳細に説明する。
図1に示す太陽電池素子S1は、ガラス基板1上に、Ti、Ni、W、Mo、Cu、Ag、Alのうち、少なくとも1種からなる金属膜、あるいはそのシリサイド膜、あるいはその窒化膜で形成される裏面電極2、p+〜p++型あるいは+〜n++の非単結晶Si下地層3、非単結晶Si下地層3と同一導電型もしくはi型のμc−Si光活性層4、n型あるいはp型の非単結晶Si層5、及び受光面電極層を兼ねた導電性の反射防止膜6を順次積層して成る。同図中の7は反射防止膜6の上面に形成された表取り出し電極であり、8は裏面電極2上に形成された裏取り出し電極である。
このような薄膜太陽電池素子の製造にあたって、まず、ガラス基板にサンドブラスト処理を行う。本発明では、この際、粒径が互いに異なる2種以上の砥粒を混合した混合砥粒を用いることを特徴とする。
【0016】
粒径が互いに異なる砥粒を順次サンドブラストした従来技術では表面に小さな凹凸を有する大きな凹凸(急峻な凹凸)が形成されるのに比べて、この粗面化方法によれば、上記従来技術における小さな凹凸と大きな凹凸の中間程度の大きさの凹凸が平均的に形成され、しかも、凹凸の斜面を急峻ではなくすることができる。
【0017】
したがって、基板上に形成される上層の欠陥を少なくし、且つリークを少なくすることから高性能な太陽電池素子特性が得られる。
【0018】
さらに、サンドブラストが一回で済むので高スループットが実現する。
この粗面化方法の好適な態様を以下に説明する。
サンドブラスト処理において、#2000〜#4000のAl2O3と#1200〜#2000のSiCを混合した砥粒をエアー圧力0.01〜0.1MPa、テーブルスキャン速度50mm/秒で投射する。このようにの異なる砥粒を混合して処理を施すことにより、一種類の砥粒でサンドブラスト処理を施す場合より好適な凹凸を形成することができる。
#2000〜#4000のAl2O3と#1200〜#2000のSiCを混合して混合砥粒とすると、粒径の小さな砥粒が硬度が小さいAl2O3からなるので凹凸に急峻な斜面が形成され難く、粒径の大きな砥粒が硬度が大きいSiCからなるので凹凸の大きさを平均化する効果が一層大きくなる。
【0019】
このように、上記砥粒の材質の組み合わせとしては、粒径の小さな砥粒が硬度が小さい材質からなり、粒径の大きな砥粒が硬度が大きい材質からなることが好ましい。具体的には、Al2O3、SiC、ZrO2、SiO2のうちから選択することができる。なお、砥粒の材質は異種であっても同種であっても良い。
とくに混合砥粒に含まれる#2000〜4000の砥粒の#1200〜#2000の砥粒に対する重量比が1〜4の範囲にある場合、より均一で好適な凹凸形状を得ることができる。
これに対して、前記重量比が1未満となり#1200〜#2000の砥粒の方が多くなる場合、あるいは#1200以下の砥粒を用いる場合、形成される凹凸のピッチが大きくなり、光閉じ込めの効果が小さくなるおそれがある。
また、前記重量比が4を超える場合には形成される凹凸のピッチが小さくなり、光閉じ込めの効果が減少するおそれがある。
#4000以上の砥粒を用いた場合、形成される凹凸のピッチが小さくなり、好適なものが得られないだけでなく、砥粒がサンドブラスト装置内を循環しにくくなるため、砥粒のコストが問題となる。
【0020】
サンドブラスト処理後に必要に応じてフッ酸溶液で処理を施してもよい。フッ酸溶液で処理を施すことによってマイクロクラック等の構造欠陥を溶解除去するとともに、リークの要因となる凹部の残存鋭尖箇所をエッチングで丸め、さらに鈍角化することができる。
【0021】
たとえば、フッ酸溶液濃度を10重量%として1分間浸漬処理を施すと、凹凸形状のピッチは0.5〜1.5μm程度の範囲のものが得られる。この凹凸形状のピッチはフッ酸処理の濃度と時間を変化させることにより0.1〜5μm程度の範囲内で制御が可能である。
【0022】
この凹凸は高い光閉じこめ効果を有するとともに、凹凸に急斜面部が存在しないため素子にリークを生じさせない好適な形状である。
また、エッチング残さの除去を目的として、上記フッ酸溶液処理の前後の少なくとも一方は純水中等で超音波洗浄を行うことが望ましい。
また、スループットをより向上させるために、フッ酸溶液処理中に超音波振動を与えることにより、エッチングと残さ除去を同時に行ってもよい。
【0023】
図2は上記粗面処理後のガラス基板のSEM(走査電子顕微鏡:Scanning Electron Microscope)写真像を示す。
【0024】
図2より、形成された凹凸のピッチが1μm以下の比較的均一なものであって、本発明の粗面化方法が好適であることが判る。
次に、裏面電極2を電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の真空製膜法によりシート抵抗が1Ω/□程度以下となるような適当な膜厚に堆積する。具体的には、Ti膜を0.1μm成膜し、この上にAg膜を1μm成膜し、さらにTi膜を0.1μm成膜することで、シート抵抗0.1Ω/□以下のものとすることができる。なお、前記Ti及びAg膜は後工程で問題がない限り他の金属等に置き換えてもよい。
次に、1×1019/cm3程度の高濃度にドープされたp型あるいはn型の非単結晶Si下地層3を前記裏面電極2上に形成する。
具体的には、プラズマCVD法、スパッタリング法等の薄膜形成技術にて膜厚0.1μm以下で膜形成する。この後、結晶化促進及びドーパント活性化率向上を図る目的で熱処理を行ってもよい。
次に、前記非単結晶Si層3上にこれと同一導電型もしくはi型の微結晶Si層4を、CVD法等によって厚さ1μm〜10μm程度に形成する。
次に、微結晶Si層4上にSi下地層3とは反対の導電型の非晶質、非単結晶もしくは微結晶を含む非単結晶Si層5をプラズマCVD法やスパッタ法等の真空製膜法により厚さ0.1μm以下に形成する。
次に、非単結晶Si層5上に、ITOやSnO2等の導電性、あるいは窒化Si膜や酸化Si膜等の絶縁性の反射防止膜6を、プラズマCVD法やスパッタ法等の真空製膜法を用いて60〜100nm程度の膜厚で製膜する。
次に、反射防止膜6上に表取り出し電極7を、真空製膜技術、プリント及び焼成技術、さらにメッキ技術等を用いて形成する。なお、絶縁性の反射防止膜を非単結晶Si層5上に成膜した場合は、バッファードフッ酸等の適当な薬液によるエッチング技術によって表取り出し電極7を形成する領域の絶縁性反射防止膜を除去して非単結晶Si層5を露出させ、ここに表取り出し電極7を接触させるように形成すればよい。
また、裏取り出し電極8についても、裏面電極2上に真空製膜技術、プリント及び焼成技術、さらにメッキ技術等を用いて形成することができる。
以上の方法よって作製された太陽電池素子およびフラットなガラス基板を用いて作製した比較例の太陽電池素子の分光感度特性を図3に示す。
本方法において作製された基板を用いた素子は長波長領域における感度が比較例に比べて大きく向上しており、光閉じこめ構造により素子特性向上したことが実証された。
以上、本発明の実施形態例を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものでなく、発明の目的を逸脱しない限り任意のものとすることができる。
例えば、上記実施形態では、シングル構造のサブストレート型太陽電池素子に本基板を用いた例を説明したが、多層型(タンデム型)太陽電池素子に本発明の方法を用いてもよい。
【0025】
【発明の効果】
以上のように、請求項1の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法によれば、粒径が互いに異なる2種以上の砥粒からなる混合砥粒を用いて太陽電池素子用ガラス基板表面にサンドブラスト処理を施すことから、粒径の互いに異なる砥粒を順次サンドブラストした従来技術では表面に小さな凹凸を有する大きな凹凸(急峻な凹凸)が形成されるのに比べて、上記従来技術における小さな凹凸と大きな凹凸の中間程度の大きさの凹凸が平均的に形成され、しかも、凹凸に急峻な斜面がないようにすることができる。これにより、基板上に形成される上層の欠陥を少なくし、且つリークを少なくすることから高性能な太陽電池素子特性が得られる。さらに、サンドブラストが一回で済むので高スループットが実現する。すなわち本発明によれば、好適な光閉じこめ構造を有する高効率な太陽電池素子を高スループットで形成することができる。
【0026】
また、請求項2の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法によれば、前記混合砥粒が#2000〜#4000砥粒と#1200〜#2000の砥粒を含むことから、凹凸ピッチを適正とし、より高い光閉じ込め効率変換を実現するとともに、サンドブラスト装置内での砥粒の循環が良く砥粒のコストを抑えることができる。
【0027】
また、請求項3の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法によれば、前記#2000〜#4000の砥粒の#1200〜#2000の砥粒に対する重量比が1〜4であることから、凹凸ピッチを適正とし、より高い光閉じ込め効率を実現することができる。
【0028】
また、請求項4の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法によれば、前記#2000〜#4000の砥粒がAl2O3からなり、前記#1200〜#2000の砥粒がSiCからなることから、粒径の小さな砥粒が硬度が小さいAl2O3からなるので凹凸に急峻な斜面が形成され難く、粒径の大きな砥粒が硬度が大きいSiCからなるので凹凸の大きさを平均化する効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の太陽電池素子ガラス基板の粗面化方法を用いて作製したサブストレート型μc−Si太陽電池素子の層構成図である。
【図2】本発明の太陽電池素子ガラス基板の表面性状を示すSEM写真像である。
【図3】本発明の太陽電池素子ガラス基板の粗面化方法を用いて作製したサブストレート型μc−Si太陽電池素子および基板の粗面化を行なっていない比較例の太陽電池素子の分光感度を示す線図である。
【符号の説明】
1 基板
2 表面電極
3 非単結晶Si下地層
4 結晶質Si光活性層
5 非単結晶Si層
6 反射防止膜
7 表取り出し電極
8 裏取り出し電極
【発明の属する分野】
本発明は、太陽電池素子用基板の粗面化方法に関するものである。
【0002】
【従来技術およびその課題】
微結晶(μc−Si)太陽電池素子においては、ガラスなどの基板上に電極を形成し、この上にSi層を順次積層して素子を形成する。このとき、a−Si太陽電池素子と異なり、光吸収係数の小さいμc−Si膜を活性層としたμc−Si太陽電池素子において入射光を効率良く吸収させるためには、光閉じ込め構造の形成が極めて重要である。
【0003】
この光閉じ込め構造を得るための1手段として、素子構造に凹凸構造を導入する方法が用いられている。
【0004】
例として、基板上に透明層(ZnO)を形成後、酢酸溶液中に浸漬及び電解処理を施すことにより透明層に凹凸を形成する方法(例えば、特開平6−140649号等を参照)や、導電性酸化物微粒子を分散媒体中に分散されたコーティング液を基板上に塗布し、硬化させることにより、ヘーズが2〜48%である透明導電膜を形成する方法(例えば、特開平10−12059号等を参照)が知られている。しかしながら、これらの方法ではいずれも透明層を形成する必要があるため、コスト及びスループットの面において問題が残る。
【0005】
また、ガラス基板上に平均粒径0.1〜1.0μmの絶縁性微粒子薄膜を形成して基板上に凹凸を形成する方法(特開平11−274536号等を参照)や、複数のV溝に超音波振動を与え、遊離砥粒を含むスラリーを供給しつつ、基板表面に押し付けて凹凸構造を形成する(特開平6−350114号等を参照)方法等もあるが、これらの方法では好適な凹凸形状を得ることが困難で、上層に形成するμc−Si膜の品質を低下させる事態を誘発していた。
【0006】
一般的なサンドブラスト処理の例として、ガラス基板に直接凹凸を形成する(特開平7−122764号、特開平9−199745等を参照)方法等があるが、砥粒のが大きいため、形成される凹凸形状のアスペクト比が大きくなり、凹凸に急峻な斜面が形成されるので素子においてはリークを誘発する要因となっていた。
【0007】
また、粒径の大きな砥粒でサンドブラスト処理を行った後に粒径の小さな砥粒でサンドブラスト処理を行って凹凸を形成する(特開平10−70294号等を参照)方法等もあるが、この方法においては好適な凹凸が得られなかった。
【0008】
すなわち、粒径が相互に異なる砥粒を順次サンドブラストした従来技術では表面に小さな凹凸を有する大きな凹凸(急峻な凹凸)が形成される影響で、基板上に形成される上層に欠陥が生じ易いという問題があり、さらに、凹凸に急峻な斜面があるのでリークを誘発する場合があった。
【0009】
また、各々の砥粒に対して別の装置が必要となり、コスト面に問題があるだけでなく、サンドブラスト処理に時間を要するため、スループット上の問題もあった。
【0010】
本発明では、以上の諸方法の問題点を解消し、薄膜太陽電池素子の高効率化に好適な光閉じ込め効果を有する基板を高スループット且つ低コストで形成することによって、高効率で低コストな太陽電池素子を可能とすることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項1の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法は、粒径が互いに異なる2種以上の砥粒からなる混合砥粒を用いて太陽電池素子用ガラス基板表面にサンドブラスト処理を施すことを特徴とする。
【0012】
粒径が互いに異なる砥粒を順次サンドブラストした従来技術では表面に小さな凹凸を有する大きな凹凸(急峻な凹凸)が形成されるのに対して、かかる粗面化方法によれば、上記従来技術における小さな凹凸と大きな凹凸の中間程度の大きさの凹凸が平均的に形成され、しかも、より鈍角化することができる。
【0013】
したがって、基板上に形成される上層の欠陥を少なくし、且つリークを少なくすることから高性能な太陽電池素子特性が得られる。
【0014】
さらに、サンドブラストが一回で済むので高スループットが実現する。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態をサブストレート型μc−Si太陽電池素子を例に詳細に説明する。
図1に示す太陽電池素子S1は、ガラス基板1上に、Ti、Ni、W、Mo、Cu、Ag、Alのうち、少なくとも1種からなる金属膜、あるいはそのシリサイド膜、あるいはその窒化膜で形成される裏面電極2、p+〜p++型あるいは+〜n++の非単結晶Si下地層3、非単結晶Si下地層3と同一導電型もしくはi型のμc−Si光活性層4、n型あるいはp型の非単結晶Si層5、及び受光面電極層を兼ねた導電性の反射防止膜6を順次積層して成る。同図中の7は反射防止膜6の上面に形成された表取り出し電極であり、8は裏面電極2上に形成された裏取り出し電極である。
このような薄膜太陽電池素子の製造にあたって、まず、ガラス基板にサンドブラスト処理を行う。本発明では、この際、粒径が互いに異なる2種以上の砥粒を混合した混合砥粒を用いることを特徴とする。
【0016】
粒径が互いに異なる砥粒を順次サンドブラストした従来技術では表面に小さな凹凸を有する大きな凹凸(急峻な凹凸)が形成されるのに比べて、この粗面化方法によれば、上記従来技術における小さな凹凸と大きな凹凸の中間程度の大きさの凹凸が平均的に形成され、しかも、凹凸の斜面を急峻ではなくすることができる。
【0017】
したがって、基板上に形成される上層の欠陥を少なくし、且つリークを少なくすることから高性能な太陽電池素子特性が得られる。
【0018】
さらに、サンドブラストが一回で済むので高スループットが実現する。
この粗面化方法の好適な態様を以下に説明する。
サンドブラスト処理において、#2000〜#4000のAl2O3と#1200〜#2000のSiCを混合した砥粒をエアー圧力0.01〜0.1MPa、テーブルスキャン速度50mm/秒で投射する。このようにの異なる砥粒を混合して処理を施すことにより、一種類の砥粒でサンドブラスト処理を施す場合より好適な凹凸を形成することができる。
#2000〜#4000のAl2O3と#1200〜#2000のSiCを混合して混合砥粒とすると、粒径の小さな砥粒が硬度が小さいAl2O3からなるので凹凸に急峻な斜面が形成され難く、粒径の大きな砥粒が硬度が大きいSiCからなるので凹凸の大きさを平均化する効果が一層大きくなる。
【0019】
このように、上記砥粒の材質の組み合わせとしては、粒径の小さな砥粒が硬度が小さい材質からなり、粒径の大きな砥粒が硬度が大きい材質からなることが好ましい。具体的には、Al2O3、SiC、ZrO2、SiO2のうちから選択することができる。なお、砥粒の材質は異種であっても同種であっても良い。
とくに混合砥粒に含まれる#2000〜4000の砥粒の#1200〜#2000の砥粒に対する重量比が1〜4の範囲にある場合、より均一で好適な凹凸形状を得ることができる。
これに対して、前記重量比が1未満となり#1200〜#2000の砥粒の方が多くなる場合、あるいは#1200以下の砥粒を用いる場合、形成される凹凸のピッチが大きくなり、光閉じ込めの効果が小さくなるおそれがある。
また、前記重量比が4を超える場合には形成される凹凸のピッチが小さくなり、光閉じ込めの効果が減少するおそれがある。
#4000以上の砥粒を用いた場合、形成される凹凸のピッチが小さくなり、好適なものが得られないだけでなく、砥粒がサンドブラスト装置内を循環しにくくなるため、砥粒のコストが問題となる。
【0020】
サンドブラスト処理後に必要に応じてフッ酸溶液で処理を施してもよい。フッ酸溶液で処理を施すことによってマイクロクラック等の構造欠陥を溶解除去するとともに、リークの要因となる凹部の残存鋭尖箇所をエッチングで丸め、さらに鈍角化することができる。
【0021】
たとえば、フッ酸溶液濃度を10重量%として1分間浸漬処理を施すと、凹凸形状のピッチは0.5〜1.5μm程度の範囲のものが得られる。この凹凸形状のピッチはフッ酸処理の濃度と時間を変化させることにより0.1〜5μm程度の範囲内で制御が可能である。
【0022】
この凹凸は高い光閉じこめ効果を有するとともに、凹凸に急斜面部が存在しないため素子にリークを生じさせない好適な形状である。
また、エッチング残さの除去を目的として、上記フッ酸溶液処理の前後の少なくとも一方は純水中等で超音波洗浄を行うことが望ましい。
また、スループットをより向上させるために、フッ酸溶液処理中に超音波振動を与えることにより、エッチングと残さ除去を同時に行ってもよい。
【0023】
図2は上記粗面処理後のガラス基板のSEM(走査電子顕微鏡:Scanning Electron Microscope)写真像を示す。
【0024】
図2より、形成された凹凸のピッチが1μm以下の比較的均一なものであって、本発明の粗面化方法が好適であることが判る。
次に、裏面電極2を電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の真空製膜法によりシート抵抗が1Ω/□程度以下となるような適当な膜厚に堆積する。具体的には、Ti膜を0.1μm成膜し、この上にAg膜を1μm成膜し、さらにTi膜を0.1μm成膜することで、シート抵抗0.1Ω/□以下のものとすることができる。なお、前記Ti及びAg膜は後工程で問題がない限り他の金属等に置き換えてもよい。
次に、1×1019/cm3程度の高濃度にドープされたp型あるいはn型の非単結晶Si下地層3を前記裏面電極2上に形成する。
具体的には、プラズマCVD法、スパッタリング法等の薄膜形成技術にて膜厚0.1μm以下で膜形成する。この後、結晶化促進及びドーパント活性化率向上を図る目的で熱処理を行ってもよい。
次に、前記非単結晶Si層3上にこれと同一導電型もしくはi型の微結晶Si層4を、CVD法等によって厚さ1μm〜10μm程度に形成する。
次に、微結晶Si層4上にSi下地層3とは反対の導電型の非晶質、非単結晶もしくは微結晶を含む非単結晶Si層5をプラズマCVD法やスパッタ法等の真空製膜法により厚さ0.1μm以下に形成する。
次に、非単結晶Si層5上に、ITOやSnO2等の導電性、あるいは窒化Si膜や酸化Si膜等の絶縁性の反射防止膜6を、プラズマCVD法やスパッタ法等の真空製膜法を用いて60〜100nm程度の膜厚で製膜する。
次に、反射防止膜6上に表取り出し電極7を、真空製膜技術、プリント及び焼成技術、さらにメッキ技術等を用いて形成する。なお、絶縁性の反射防止膜を非単結晶Si層5上に成膜した場合は、バッファードフッ酸等の適当な薬液によるエッチング技術によって表取り出し電極7を形成する領域の絶縁性反射防止膜を除去して非単結晶Si層5を露出させ、ここに表取り出し電極7を接触させるように形成すればよい。
また、裏取り出し電極8についても、裏面電極2上に真空製膜技術、プリント及び焼成技術、さらにメッキ技術等を用いて形成することができる。
以上の方法よって作製された太陽電池素子およびフラットなガラス基板を用いて作製した比較例の太陽電池素子の分光感度特性を図3に示す。
本方法において作製された基板を用いた素子は長波長領域における感度が比較例に比べて大きく向上しており、光閉じこめ構造により素子特性向上したことが実証された。
以上、本発明の実施形態例を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものでなく、発明の目的を逸脱しない限り任意のものとすることができる。
例えば、上記実施形態では、シングル構造のサブストレート型太陽電池素子に本基板を用いた例を説明したが、多層型(タンデム型)太陽電池素子に本発明の方法を用いてもよい。
【0025】
【発明の効果】
以上のように、請求項1の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法によれば、粒径が互いに異なる2種以上の砥粒からなる混合砥粒を用いて太陽電池素子用ガラス基板表面にサンドブラスト処理を施すことから、粒径の互いに異なる砥粒を順次サンドブラストした従来技術では表面に小さな凹凸を有する大きな凹凸(急峻な凹凸)が形成されるのに比べて、上記従来技術における小さな凹凸と大きな凹凸の中間程度の大きさの凹凸が平均的に形成され、しかも、凹凸に急峻な斜面がないようにすることができる。これにより、基板上に形成される上層の欠陥を少なくし、且つリークを少なくすることから高性能な太陽電池素子特性が得られる。さらに、サンドブラストが一回で済むので高スループットが実現する。すなわち本発明によれば、好適な光閉じこめ構造を有する高効率な太陽電池素子を高スループットで形成することができる。
【0026】
また、請求項2の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法によれば、前記混合砥粒が#2000〜#4000砥粒と#1200〜#2000の砥粒を含むことから、凹凸ピッチを適正とし、より高い光閉じ込め効率変換を実現するとともに、サンドブラスト装置内での砥粒の循環が良く砥粒のコストを抑えることができる。
【0027】
また、請求項3の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法によれば、前記#2000〜#4000の砥粒の#1200〜#2000の砥粒に対する重量比が1〜4であることから、凹凸ピッチを適正とし、より高い光閉じ込め効率を実現することができる。
【0028】
また、請求項4の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法によれば、前記#2000〜#4000の砥粒がAl2O3からなり、前記#1200〜#2000の砥粒がSiCからなることから、粒径の小さな砥粒が硬度が小さいAl2O3からなるので凹凸に急峻な斜面が形成され難く、粒径の大きな砥粒が硬度が大きいSiCからなるので凹凸の大きさを平均化する効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の太陽電池素子ガラス基板の粗面化方法を用いて作製したサブストレート型μc−Si太陽電池素子の層構成図である。
【図2】本発明の太陽電池素子ガラス基板の表面性状を示すSEM写真像である。
【図3】本発明の太陽電池素子ガラス基板の粗面化方法を用いて作製したサブストレート型μc−Si太陽電池素子および基板の粗面化を行なっていない比較例の太陽電池素子の分光感度を示す線図である。
【符号の説明】
1 基板
2 表面電極
3 非単結晶Si下地層
4 結晶質Si光活性層
5 非単結晶Si層
6 反射防止膜
7 表取り出し電極
8 裏取り出し電極
Claims (4)
- 粒径が互いに異なる2種以上の砥粒からなる混合砥粒を用いて太陽電池素子用ガラス基板表面にサンドブラスト処理を施すことを特徴とする太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法。
- 前記混合砥粒は#2000〜#4000の砥粒と#1200〜#2000の砥粒を含むことを特徴とする請求項1記載の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法。
- 前記#2000〜#4000の砥粒の#1200〜#2000の砥粒に対する重量比が1〜4であることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法。
- 前記#2000〜#4000の砥粒がAl2O3からなり、前記#1200〜#2000の砥粒がSiCからなることを特徴とする請求項2乃至3記載の太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002247675A JP2004082285A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | 太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002247675A JP2004082285A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | 太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004082285A true JP2004082285A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=32055264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002247675A Pending JP2004082285A (ja) | 2002-08-27 | 2002-08-27 | 太陽電池素子用ガラス基板の粗面化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004082285A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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