JPH02177464A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH02177464A
JPH02177464A JP33112188A JP33112188A JPH02177464A JP H02177464 A JPH02177464 A JP H02177464A JP 33112188 A JP33112188 A JP 33112188A JP 33112188 A JP33112188 A JP 33112188A JP H02177464 A JPH02177464 A JP H02177464A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
outer leads
external leads
resin
sealed semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33112188A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadanobu Sato
佐藤 定信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止半導体装置に関し、特に高精度を必要
とする外部リード間のリーク電流を低減する樹脂封止半
導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置は、第3図に示すように、外
部リード2間の封止樹脂21の面が平坦であるので、外
部リード2間の絶縁部表面に距離が短かく、長時間使用
による外部リード2間のリーク電流増加を抑えることは
出来ず、使用環境をコントロールする等で対処していた
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置では、外部リード間のリーク
電流増加対策に対処出来ず、使用上での制限が大きく、
一般に、広く用いられることは出来ないという欠点があ
る。
また、従来の半導体装置で外部リード間のリーク電流増
加対策をしようとすれば、外部リード間距離を十分に離
す必要があり、パッケージが大型となる等の欠点もある
本発明の目的は、使用上の制限がなく、広く用いられる
ことが出来る小型の半導体装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、樹脂封止半導体装置において、外部リード間
の絶縁部表面に凹部と凸部とのいずれか一方が設けられ
ている。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の第1の実施例の側面図である。
第1の実施例は、第1図に示すように、樹脂封止半導体
装置の外部リード2間の封止樹脂1表面に凹部3を設け
ている。
このように、凹部3を設けることにより、外部リード2
間の絶縁部である封止樹脂1の表面に沿う距離を長くす
ることができ、外部リード2間のリーク電流が生じにく
くなる。
第2図は本発明の第2の実施例の側面図であ条・ 第2の実施例は、第2図に示すように、樹脂封止半導体
装置の外部リード2間の封止樹脂11表面に凸部4を設
けている。
このように、凸部4を設けることによっても第1の実施
例と同様に、外部リード2間の絶縁部である封止樹脂1
1の表面に沿う距離を長くすることができ、外部リード
2間のリーク電流が生じにく(なる。
上記の実施例は、樹脂封止半導体装置について説明した
が、セラミック封止等の半導体装置においてもセラミッ
クパッケージ成形時に、リード間に対応する位置に、あ
らかじめ凹部または凸部を設けることにより、外部リー
ド間のリーク電流が一層生じにくくなる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体装置の外部リード
間の絶縁部に凹部たは凸部を設けることにより、外部リ
ード間のリーク電流が生じにくくなるという効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の側面図、第2図は本発
明の第2の実施例の側面図、第3図は従来の樹脂封止半
導体装置の一例の側面図である。 1.11.21・・・封止樹脂、2・・・外部リード、
3・・・凹部、4・・・凸部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 樹脂封止半導体装置において、外部リード間の絶縁部表
    面に凹部と凸部とのいずれか一方を設けたことを特徴と
    する樹脂封止半導体装置。
JP33112188A 1988-12-28 1988-12-28 半導体装置 Pending JPH02177464A (ja)

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JP33112188A JPH02177464A (ja) 1988-12-28 1988-12-28 半導体装置

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JPH02177464A true JPH02177464A (ja) 1990-07-10

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JP33112188A Pending JPH02177464A (ja) 1988-12-28 1988-12-28 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5621619A (en) * 1990-10-25 1997-04-15 Cts Corporation All ceramic surface mount sip and dip networks having spacers and solder barriers

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