JPS5931062A - サイリスタ - Google Patents
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- JPS5931062A JPS5931062A JP57141456A JP14145682A JPS5931062A JP S5931062 A JPS5931062 A JP S5931062A JP 57141456 A JP57141456 A JP 57141456A JP 14145682 A JP14145682 A JP 14145682A JP S5931062 A JPS5931062 A JP S5931062A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/926—Elongated lead extending axially through another elongated lead
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- Die Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はサイリスタに係り、特にそのエレメントとパ
ッケージとの位置合わせ機構に関するものである。
ッケージとの位置合わせ機構に関するものである。
以下、光トリガサイリスタを例にとり説明する。
第１図は従来の光トリガサイリスタの一例を示す断面図
である。
である。
図において、（ｌ）は第１の主面の中央部にトリガ部で
ある光トリガ用の受光部（１ａ）を有する光トリガサイ
リスタのエレメント、（２１はエレメント（１）の熱膨
張係数に近供した熱膨張係数を廟する金属材料からなり
ニレメン） ｆｉｌの第２の主面が第１の主面に固着さ
れた金属補強円板である。（３）はエレメント（１）の
第１の主面部に受光部（１ａ）を取り囲んで形成された
電極に加圧接触させられる第１の電極体、（４）は金属
補強円板（２）の第２の工面に加圧接触させられる第２
の電極体、（６）はアルミナセラミックスなどからなり
エレメント（ｌ）、金属補強円板（２）および両電極体
（３＋、ｆ４１を取シ囲む」：うに設けられ金属補強円
板（２）の外径よりわずかに大きい内径を有し金属補強
円板（２）を位置決める絶縁筒体、（６）および（７）
はともにリング状の金属板からなりそれぞれ絶縁筒体（
６）の第１および第２の端面に気密に固着され内周面が
雷、棒体Ｉｌｌ 、 （４１の外周面に気密に固着され
た第１および第２の７ランジ、（８）は第１の電極体（
３）のニレメン） ｆｔｌ側の端面部にその外周面から
その径方向に受光部（１ａ）を越えるように設けられ受
光部（１ａ）の大西さより大良い溝幅を有する横溝、（
９）は絶縁筒体（６）の横溝（８）に対応する部分に設
けられた貫通孔、（１０）は光透過率の大きいガラス棒
状体からなり第１の端部が絶縁筒体（５）の軸心部に位
置して受光５（ｌａ）に近接し第２の端部が横溝（８）
および貫通孔（９）内を通って絶縁筒体（５）の外部へ
出るように第２の端部側外周面が貫通孔（９）の内壁面
に気密に封着され外部からのトリガ用の光信号を受光部
（１ａ）へ導＜トリガ信号ガイドであるライトガイドで
ある。
ある光トリガ用の受光部（１ａ）を有する光トリガサイ
リスタのエレメント、（２１はエレメント（１）の熱膨
張係数に近供した熱膨張係数を廟する金属材料からなり
ニレメン） ｆｉｌの第２の主面が第１の主面に固着さ
れた金属補強円板である。（３）はエレメント（１）の
第１の主面部に受光部（１ａ）を取り囲んで形成された
電極に加圧接触させられる第１の電極体、（４）は金属
補強円板（２）の第２の工面に加圧接触させられる第２
の電極体、（６）はアルミナセラミックスなどからなり
エレメント（ｌ）、金属補強円板（２）および両電極体
（３＋、ｆ４１を取シ囲む」：うに設けられ金属補強円
板（２）の外径よりわずかに大きい内径を有し金属補強
円板（２）を位置決める絶縁筒体、（６）および（７）
はともにリング状の金属板からなりそれぞれ絶縁筒体（
６）の第１および第２の端面に気密に固着され内周面が
雷、棒体Ｉｌｌ 、 （４１の外周面に気密に固着され
た第１および第２の７ランジ、（８）は第１の電極体（
３）のニレメン） ｆｔｌ側の端面部にその外周面から
その径方向に受光部（１ａ）を越えるように設けられ受
光部（１ａ）の大西さより大良い溝幅を有する横溝、（
９）は絶縁筒体（６）の横溝（８）に対応する部分に設
けられた貫通孔、（１０）は光透過率の大きいガラス棒
状体からなり第１の端部が絶縁筒体（５）の軸心部に位
置して受光５（ｌａ）に近接し第２の端部が横溝（８）
および貫通孔（９）内を通って絶縁筒体（５）の外部へ
出るように第２の端部側外周面が貫通孔（９）の内壁面
に気密に封着され外部からのトリガ用の光信号を受光部
（１ａ）へ導＜トリガ信号ガイドであるライトガイドで
ある。
ところで、この従来例では、ライトガイド（圃の第１の
端部が絶縁筒体＋６１の軸心部に位置するようにライト
ガイド（１０）の第２の端部側外周面が絶縁筒体（５）
の貫通孔（９）の内壁面に封着されており、金属補強円
板（２）が絶縁筒体（５）内に挿入されて位置決めされ
るようになっている。従って、ライトガイド（ｌＯ）の
第１の端部と金属補強円板（２）の第１の主面に固着さ
れたエレメント（１）の受光部（ｌａ）とがともに絶縁
筒体（５）の軸心上に位置するようにするためには、金
属補強円板（２）の第１の主面にその中心を通る法線上
に受光部（ｌａ）の中心が位置するようにニレメン）
ｆｉｌを固着する必要がある。しかし、金属補強円板（
２）の第１の工面の中心を通る法線上に受光部（ｌａ）
の中心を位置させて金属補強円板（２）の第１の工面に
エレメントｆｉ＋を固着することは極めて困難な作業で
あるので、受光部（１ａ）の中心が金属補強円板（２）
の第１の主面の中心を通る法線に対して位置ずれするこ
とがある。このような受光部（１ａ）の位置ずれができ
ると、ライトガイド（１０１の第１の端部と受光部（１
ａ）の中心との間に位置ずれが生じ、この位置ずれによ
って、ライトガイド（ｌＯ）の第１の端部から受光部（
ｌａ）への光信号の伝達量が減って、光トリガ感度が低
下する。
端部が絶縁筒体＋６１の軸心部に位置するようにライト
ガイド（１０）の第２の端部側外周面が絶縁筒体（５）
の貫通孔（９）の内壁面に封着されており、金属補強円
板（２）が絶縁筒体（５）内に挿入されて位置決めされ
るようになっている。従って、ライトガイド（ｌＯ）の
第１の端部と金属補強円板（２）の第１の主面に固着さ
れたエレメント（１）の受光部（ｌａ）とがともに絶縁
筒体（５）の軸心上に位置するようにするためには、金
属補強円板（２）の第１の主面にその中心を通る法線上
に受光部（ｌａ）の中心が位置するようにニレメン）
ｆｉｌを固着する必要がある。しかし、金属補強円板（
２）の第１の工面の中心を通る法線上に受光部（ｌａ）
の中心を位置させて金属補強円板（２）の第１の工面に
エレメントｆｉ＋を固着することは極めて困難な作業で
あるので、受光部（１ａ）の中心が金属補強円板（２）
の第１の主面の中心を通る法線に対して位置ずれするこ
とがある。このような受光部（１ａ）の位置ずれができ
ると、ライトガイド（１０１の第１の端部と受光部（１
ａ）の中心との間に位置ずれが生じ、この位置ずれによ
って、ライトガイド（ｌＯ）の第１の端部から受光部（
ｌａ）への光信号の伝達量が減って、光トリガ感度が低
下する。
この発明は、上述の点に鑑みてなされたもので、サイリ
スタのエレメントのトリガ用信号を受信するトリガ部と
これに当接または近接するトリガ信号ガイドの先端部と
の間の位置ずれができないような機構にすることによっ
て、トリガ感度の低下のないサイリスタを提供すること
を目的とする。
スタのエレメントのトリガ用信号を受信するトリガ部と
これに当接または近接するトリガ信号ガイドの先端部と
の間の位置ずれができないような機構にすることによっ
て、トリガ感度の低下のないサイリスタを提供すること
を目的とする。
第２図はこの発明の一実施例の光トリガサイリスタを示
す断面図である。
す断面図である。
図において、第１図に示した従来例の符号と同一符号は
同等部分を示す。なお、この実施例では、絶縁筒体（６
）の内径が金属補強円板（２）の外径より大きく設定さ
れており、金属補強円板（２）が絶縁筒体（５）内をそ
の軸線と直角方向に多少移動できるようになっている。
同等部分を示す。なお、この実施例では、絶縁筒体（６
）の内径が金属補強円板（２）の外径より大きく設定さ
れており、金属補強円板（２）が絶縁筒体（５）内をそ
の軸線と直角方向に多少移動できるようになっている。
（２ａ）は第５図に平面図を示すように、金属補強円板
（２）のエレメント（１）が固着されていない周辺部の
互いに１２０度の角度間隔をおいた３箇所に受光部（１
ａ）の中心との間の距離が所定値ｔになるように切削加
工された切削面、（１１０ま絶縁板からなり、第３図に
一点鎖線で図示するように、一方の主面が絶縁筒体（５
）の内周面の切削面（２ａ）に対応する部分に接着され
他方の主面と絶縁筒体（５）の軸心との間の距離が切削
面（２ａ）と受光部（ｌａ、）の中心との間の距離ｔよ
りわずかに大きくなるように設定され金属補強円板（２
）を切削面（２ａ）によって位置決める位置決め体であ
る。
（２）のエレメント（１）が固着されていない周辺部の
互いに１２０度の角度間隔をおいた３箇所に受光部（１
ａ）の中心との間の距離が所定値ｔになるように切削加
工された切削面、（１１０ま絶縁板からなり、第３図に
一点鎖線で図示するように、一方の主面が絶縁筒体（５
）の内周面の切削面（２ａ）に対応する部分に接着され
他方の主面と絶縁筒体（５）の軸心との間の距離が切削
面（２ａ）と受光部（ｌａ、）の中心との間の距離ｔよ
りわずかに大きくなるように設定され金属補強円板（２
）を切削面（２ａ）によって位置決める位置決め体であ
る。
この実施例では、金属補強円板（２）の切削面（２ａ）
が位置決め体（１１）と対向するように金属補強円板（
２）を絶縁筒体（５）内にはめ込むと、ニレメン） ＋
１１の受光部（ｌａ）の中心を絶縁筒体（６）の軸心に
位置させることができる。従って、ライトガイド（ＩＯ
）の光信号（５）に固足されているので、ライトガイド
（ｌＯ）の第１の端部と受光部（１ａ）との間に位置ず
れが生ずることがないから、光トリガ感度が低下するこ
とがない。
が位置決め体（１１）と対向するように金属補強円板（
２）を絶縁筒体（５）内にはめ込むと、ニレメン） ＋
１１の受光部（ｌａ）の中心を絶縁筒体（６）の軸心に
位置させることができる。従って、ライトガイド（ＩＯ
）の光信号（５）に固足されているので、ライトガイド
（ｌＯ）の第１の端部と受光部（１ａ）との間に位置ず
れが生ずることがないから、光トリガ感度が低下するこ
とがない。
この実施例では、切削面（２８）を金属補強円板でもよ
く、１だ金属補強円板（２）の周縁部にその全周にわた
る切削面を設けてもよい。捷だ、この実施例で（１１位
置沢め体（１１）を絶縁筒体（５）の内周面に接着しｌ
とが、必ずしもこれは絶縁筒体（５）の内周面に接着す
る必要がなく、位置決め体（１１）を絶縁筒体（５）と
一体にしてもよく、また、位置決め体（川を切削面（２
ａ）と絶縁筒体（５）の内周面との間へ挿入するように
してもよい。更に、この実施例では、絶縁板からなる位
置決め体（ｌｌ）を用いたが、必ずしもこれは絶縁板か
らなる位置決め体（Ｉｌｌに限定する必要がなく、金属
板からなる位置決め体を用いてもよく、また、位置決め
体（ｌｌ）の形状も、必ずしも板状体である必要がなく
、絶縁筒体（５）の内周面の半径と切削面（２ａ）の受
光部（ｌａ）の中心との間の距離ｌとの差より最も厚い
部分の厚さがわずかに小さい厚さを有する形状のもので
あればよい。
く、１だ金属補強円板（２）の周縁部にその全周にわた
る切削面を設けてもよい。捷だ、この実施例で（１１位
置沢め体（１１）を絶縁筒体（５）の内周面に接着しｌ
とが、必ずしもこれは絶縁筒体（５）の内周面に接着す
る必要がなく、位置決め体（１１）を絶縁筒体（５）と
一体にしてもよく、また、位置決め体（川を切削面（２
ａ）と絶縁筒体（５）の内周面との間へ挿入するように
してもよい。更に、この実施例では、絶縁板からなる位
置決め体（ｌｌ）を用いたが、必ずしもこれは絶縁板か
らなる位置決め体（Ｉｌｌに限定する必要がなく、金属
板からなる位置決め体を用いてもよく、また、位置決め
体（ｌｌ）の形状も、必ずしも板状体である必要がなく
、絶縁筒体（５）の内周面の半径と切削面（２ａ）の受
光部（ｌａ）の中心との間の距離ｌとの差より最も厚い
部分の厚さがわずかに小さい厚さを有する形状のもので
あればよい。
なお、これまで、光トリガサイリスタを例にとり述べた
が、この発明はこれに限らず、一方の主面中火部にゲー
トｉｔ極を有し他方の主面が金属補強円板に固着された
サイリスタのエレメントを備えたその他のサイリスタに
も適用することができる。
が、この発明はこれに限らず、一方の主面中火部にゲー
トｉｔ極を有し他方の主面が金属補強円板に固着された
サイリスタのエレメントを備えたその他のサイリスタに
も適用することができる。
以上、説明したように、この発明のサイリスタ３箇所に
または全周にわたって上記エレメントのトリガ部の中心
との間の距離が所定値になるように切削された切削面を
設け、絶縁筒体の内周面の半径と上記切削面および上記
トリガ部の中心間の上記距離との差より最も厚い部分の
厚さがわずかに小さい埋さを有する位置決め体を上記絶
縁筒体の内周面と」二配切削面との間に介在させて上記
金属補強円板を上記絶縁筒体内に位置決めしたので、上
記エレメントの上記トリガ部を上記絶縁筒体の軸心部に
位置させることができる。従って、上記トリガ部ヘトリ
ガ用信号を導くトリガ信号ガイドの先端部が上記絶縁筒
体の軸心部に位置し７ているので、上記トリガ信号ガイ
ドの先端部と上記トリガ部との間に位置ずれが生ずるこ
とがないから、トリガ感度が低下することがない。
または全周にわたって上記エレメントのトリガ部の中心
との間の距離が所定値になるように切削された切削面を
設け、絶縁筒体の内周面の半径と上記切削面および上記
トリガ部の中心間の上記距離との差より最も厚い部分の
厚さがわずかに小さい埋さを有する位置決め体を上記絶
縁筒体の内周面と」二配切削面との間に介在させて上記
金属補強円板を上記絶縁筒体内に位置決めしたので、上
記エレメントの上記トリガ部を上記絶縁筒体の軸心部に
位置させることができる。従って、上記トリガ部ヘトリ
ガ用信号を導くトリガ信号ガイドの先端部が上記絶縁筒
体の軸心部に位置し７ているので、上記トリガ信号ガイ
ドの先端部と上記トリガ部との間に位置ずれが生ずるこ
とがないから、トリガ感度が低下することがない。
第１図は従来の光トリガサイリスタの一例を示す断面図
、第２図はこの発明の一実施例の光トリガサイリスタを
示す断面図、第３図は上記実施例のエレメントが固着さ
れた金属補強円板を示す半面図である。 図において、（ｌ）は光トリガサイリスタのエレメント
（サイリスタのエレメント）、（ｌａ）は受光部（トリ
ガ部） 、［２＋は金属補強円板、（２ａ）は切削面、
（３）は第１の電極体、（４）は第２の電極体、（５）
は絶縁筒体、（８）は横溝、（Ｉｌｌ）はライトガイド
（トリガ信号ガイド）、（ｎｎま位置決め体である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 信 −（外１名）
、第２図はこの発明の一実施例の光トリガサイリスタを
示す断面図、第３図は上記実施例のエレメントが固着さ
れた金属補強円板を示す半面図である。 図において、（ｌ）は光トリガサイリスタのエレメント
（サイリスタのエレメント）、（ｌａ）は受光部（トリ
ガ部） 、［２＋は金属補強円板、（２ａ）は切削面、
（３）は第１の電極体、（４）は第２の電極体、（５）
は絶縁筒体、（８）は横溝、（Ｉｌｌ）はライトガイド
（トリガ信号ガイド）、（ｎｎま位置決め体である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 信 −（外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉ＋ 一方の主面中央部にトリガ用信号を受信する
トリガ部を有するサイリスタのエレメント、このエレメ
ントの熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有する金属材
料がらなり上記エレメントの他方の主面が第１の主面に
固着された金属補強円板、上記エレメントの主面部に上
記トリガ部を取り囲んで形成された電極に加圧接触させ
られる第１の電極体、上記金属補強円板の第２の主面に
加圧接触させられる第２の電極体、上記エレメントと上
記第１および第２の電極とを取り囲み両端面と上記第１
および第２の電極体との間がそれぞれ気密に封着された
絶縁筒体、上記第１の電極体の上記エレメント側の端面
部にその外周面からその径方向に上記トリガ部に対応す
る部分を越えるように設けられ上記トリガ部より大きい
溝幅を有する横溝、および棒状体からなり一方の端部が
上記絶縁筒体の軸心部に位置して上記トリガ部に尚接ま
たは近接し他方の端部側が上記横溝を通り上記絶縁筒体
を貫通しこれに気密に封着されトリガ用信号を上記トリ
ガ部へ導くトリ力信号ガイドを備えたおいた少なくとも
３箇所にまたは全周にわたって上記エレメントのトリガ
部の中心との間の距離が所定値になるように切削された
切削面を設け、上記絶縁筒体の内周面の半径と上記切削
面および上記トリガ部の中心間の上記距離との差より最
も厚い部分の厚さがわずかに小さい厚さを有する位置決
め体を上記絶縁筒体の内周面と上記切削面との間に介在
させて上記金属補強円板を上記絶縁筒体内に位置決めし
たことを特徴とするサイリスタ。 （２）トリガ信号ガイドがライトガイドであり、トリガ
部が受光部であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のサイリスタ。 （３）トリガ信号ガイドがゲートリードであり、トリガ
部がゲート電極であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のサイリスタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57141456A JPS5931062A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | サイリスタ |
| US06/521,510 US4797727A (en) | 1982-08-12 | 1983-08-08 | Thyristor with aligned trigger guide |
| DE19833329302 DE3329302A1 (de) | 1982-08-12 | 1983-08-12 | Thyristor mit abgeglichener triggerfuehrung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57141456A JPS5931062A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | サイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931062A true JPS5931062A (ja) | 1984-02-18 |
Family
ID=15292320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57141456A Pending JPS5931062A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | サイリスタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4797727A (ja) |
| JP (1) | JPS5931062A (ja) |
| DE (1) | DE3329302A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE19627426A1 (de) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Asea Brown Boveri | Lichtzündbarer Leistungshalbleiter sowie Verfahren zum Zusammenbauen eines solchen lichtzündbaren Leistungshalbleiters |
| DE102017211016B3 (de) * | 2017-06-29 | 2018-10-11 | Bruker Biospin Ag | NMR-Probenkopf mit mehrteiligem Insert-Unterteil |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4131905A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-26 | Electric Power Research Institute, Inc. | Light-triggered thyristor and package therefore |
| US4368481A (en) * | 1979-06-19 | 1983-01-11 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Light-driven semiconductor device |
| JPS5788770A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Hitachi Ltd | Photo semiconductor device |
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- 1982-08-12 JP JP57141456A patent/JPS5931062A/ja active Pending
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- 1983-08-12 DE DE19833329302 patent/DE3329302A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE3329302A1 (de) | 1984-02-23 |
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