JPH02172892A - 単結晶育成方法 - Google Patents
単結晶育成方法Info
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- JPH02172892A JPH02172892A JP32520288A JP32520288A JPH02172892A JP H02172892 A JPH02172892 A JP H02172892A JP 32520288 A JP32520288 A JP 32520288A JP 32520288 A JP32520288 A JP 32520288A JP H02172892 A JPH02172892 A JP H02172892A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、非線形光学結晶p−BaB2O4単結晶の
育成方法の改良に関する。
育成方法の改良に関する。
(従来の技術)
p−BaB2O4単結晶は従来フラックス法により育成
されていた。つまりBaB2O4以外の組成の酸化物融
体中にBaB2O4を溶解し、これを徐冷することによ
ってp相の単結晶を晶出させるという方法が取られてい
た。この場合、自然に核を生成させる方法と、種子結晶
を用いて育成する方法のいづれも用いられてきたが、フ
ラックスとして用いる酸化物はいづれにも共通している
。例えば、この結晶を開発した中国の文献ではフラック
スとしてNa2B2O4,Na2O,Na2CO3など
を用いている。(物理学報、第39巻第4期、1981
年4月561−564ページ)またこれらの他にBaC
l2.BaF2などが用いられた例もある。(ジャーナ
ルオブクリスタルグロウス1986年79巻963−9
69ページ) (発明が解決しようとする問題点) 従来のフラックス育成法ではまず大形の単結晶を得るこ
とが困難であった。例えば自然核生成法では通常数ミリ
メートル角程度のものが最大であった。そのため原料融
液上部に置いた種結晶棒または種結晶板を太らせてい<
TSSG法などが試みられるようになった。しかしフ
ラックスからの育成は原理的に融体のごくわずかの量比
しか単結晶化できないばかりか育成速度が通常引上育成
の百分の一以下と極めて小であることと、フランクスの
成分が育成結晶の中に不純物として大量に混入し結晶品
質を阻害するという欠点があり、p−BaB2O4結晶
育成でも問題であった。本発明はこうした従来のフラッ
クス法のもつ欠点をすべて解決するためになされたもの
である。
されていた。つまりBaB2O4以外の組成の酸化物融
体中にBaB2O4を溶解し、これを徐冷することによ
ってp相の単結晶を晶出させるという方法が取られてい
た。この場合、自然に核を生成させる方法と、種子結晶
を用いて育成する方法のいづれも用いられてきたが、フ
ラックスとして用いる酸化物はいづれにも共通している
。例えば、この結晶を開発した中国の文献ではフラック
スとしてNa2B2O4,Na2O,Na2CO3など
を用いている。(物理学報、第39巻第4期、1981
年4月561−564ページ)またこれらの他にBaC
l2.BaF2などが用いられた例もある。(ジャーナ
ルオブクリスタルグロウス1986年79巻963−9
69ページ) (発明が解決しようとする問題点) 従来のフラックス育成法ではまず大形の単結晶を得るこ
とが困難であった。例えば自然核生成法では通常数ミリ
メートル角程度のものが最大であった。そのため原料融
液上部に置いた種結晶棒または種結晶板を太らせてい<
TSSG法などが試みられるようになった。しかしフ
ラックスからの育成は原理的に融体のごくわずかの量比
しか単結晶化できないばかりか育成速度が通常引上育成
の百分の一以下と極めて小であることと、フランクスの
成分が育成結晶の中に不純物として大量に混入し結晶品
質を阻害するという欠点があり、p−BaB2O4結晶
育成でも問題であった。本発明はこうした従来のフラッ
クス法のもつ欠点をすべて解決するためになされたもの
である。
(問題点を解決するための手段)
本発明の方法は、フラックスを全く含まないバノウムボ
レイトの融体から直接、種子結晶を用いて単結晶の引上
育成を行なうものである。
レイトの融体から直接、種子結晶を用いて単結晶の引上
育成を行なうものである。
この方法を行なうにはまづ、原料としてp−BaB2O
4の結晶構造をもつ結晶塊または結晶粉粉を用意しなけ
ればならない。これは実施例で述べるようにBaOとB
2O3の反応などにより得ることが出来る。この原料を
、過熱することなく坩堝内に除徐に溶解し、種子結晶を
用いて通常の引上を行なえばよい。
4の結晶構造をもつ結晶塊または結晶粉粉を用意しなけ
ればならない。これは実施例で述べるようにBaOとB
2O3の反応などにより得ることが出来る。この原料を
、過熱することなく坩堝内に除徐に溶解し、種子結晶を
用いて通常の引上を行なえばよい。
この場合、融体上部の温度勾配を急勾配にすることが望
ましい。たとえば融液面上方約1cmまでは300°C
/cm以上にすることが望ましい。
ましい。たとえば融液面上方約1cmまでは300°C
/cm以上にすることが望ましい。
(作用)
バリウムボレイトには高温型(α相)と低温型(T3相
)とがあり、光高調波発生等の非線形光学効果を示すの
は、低温型つまりp型のみである。本発明はこのD型を
得ることを目的としている。第1図はBaB2O4とN
a2Oの二元系平衡状態図として一般的に知られたもの
であるが、この図の左端のBaB2O4結晶のところを
みるとT1(約1100°C)からT2(900°C近
辺)まではα相、それ以下T3(750°C近辺)まで
かり相になることがわかる。従ってBaB2O4組成の
融液からはp−BaB2O4結晶は晶出しないことにな
る。このため従来はフラックスを加えて融点を下げ、例
えば第1図ではNa2Oを加えてp相が初品となるよう
にしていた。つまり第1図のAからBまでの組成範囲と
T2からTまでの温度範囲を利用して結晶成長を行なっ
てきた。
)とがあり、光高調波発生等の非線形光学効果を示すの
は、低温型つまりp型のみである。本発明はこのD型を
得ることを目的としている。第1図はBaB2O4とN
a2Oの二元系平衡状態図として一般的に知られたもの
であるが、この図の左端のBaB2O4結晶のところを
みるとT1(約1100°C)からT2(900°C近
辺)まではα相、それ以下T3(750°C近辺)まで
かり相になることがわかる。従ってBaB2O4組成の
融液からはp−BaB2O4結晶は晶出しないことにな
る。このため従来はフラックスを加えて融点を下げ、例
えば第1図ではNa2Oを加えてp相が初品となるよう
にしていた。つまり第1図のAからBまでの組成範囲と
T2からTまでの温度範囲を利用して結晶成長を行なっ
てきた。
しかし、本発明者は以下に述べる二つの条件が満たされ
るとき、融液の過冷却効果によって、BaB2O4組成
の融液から直接p相の単結晶が晶出することを見出だし
た。その条件とは(1)最初の融液はp−BaB2O4
を融解したものであって、過熱されていないものである
こと、(2)融液が過冷却状態から凝固するにふされし
い温度環境のもとに置かれていること、である。
るとき、融液の過冷却効果によって、BaB2O4組成
の融液から直接p相の単結晶が晶出することを見出だし
た。その条件とは(1)最初の融液はp−BaB2O4
を融解したものであって、過熱されていないものである
こと、(2)融液が過冷却状態から凝固するにふされし
い温度環境のもとに置かれていること、である。
これらの条件は炉の構造を考慮することにより、引上法
においても実現可能なことが多くの実験の結果かられか
った。本発明はこの実験事実に基づくものである。
においても実現可能なことが多くの実験の結果かられか
った。本発明はこの実験事実に基づくものである。
(実施例)
原料となるp−BaB2O4はつぎのようにして製作し
た。純度99.9995%のBaCO3と純度99.9
999%のH3B03粉末をモル比で1:2に合計50
0グラム秤取し、乾燥空気中で、乳鉢を用いて混合した
。これを白金坩堝に移し、電気炉で毎時50’Cの昇温
速度で1250°Cまで加熱し、3時間定温に保った後
毎時10°Cの降温速度で1000°Cまで下げ、その
後炉から取り出し放冷した。出来上がった固化物はX線
粉末法の測定でp相であることを確認した。
た。純度99.9995%のBaCO3と純度99.9
999%のH3B03粉末をモル比で1:2に合計50
0グラム秤取し、乾燥空気中で、乳鉢を用いて混合した
。これを白金坩堝に移し、電気炉で毎時50’Cの昇温
速度で1250°Cまで加熱し、3時間定温に保った後
毎時10°Cの降温速度で1000°Cまで下げ、その
後炉から取り出し放冷した。出来上がった固化物はX線
粉末法の測定でp相であることを確認した。
次にこの固化物を直径40mm、深さ40mmの白金製
の坩堝に熔解充填し、通常の単結晶引上装置で、空気中
で引上育成を行なった。坩堝上部はアルミナ耐火物で保
)話し、融体直上1cmまでの温度勾配は約600°C
/amであった。種子は13−BaB2O4のC軸棒、
回転数毎分15回転、引上速度毎時0.3mmで、15
時間の育成で、直径約8mm、直胴部長約10mmの透
明単結晶を得た。X線検査でp相であることが確認され
た。さらに、この結晶を育成方向に垂直に切断し厚さ5
mmの板状に光学研磨を施し、波長1.06pmのNd
:YAGレーザ光(CW、5W)を透過させたところ、
板を二十数度傾けたところで、第二高調波の緑色光(波
長(153pm)を肉眼で確認することが出来た。
の坩堝に熔解充填し、通常の単結晶引上装置で、空気中
で引上育成を行なった。坩堝上部はアルミナ耐火物で保
)話し、融体直上1cmまでの温度勾配は約600°C
/amであった。種子は13−BaB2O4のC軸棒、
回転数毎分15回転、引上速度毎時0.3mmで、15
時間の育成で、直径約8mm、直胴部長約10mmの透
明単結晶を得た。X線検査でp相であることが確認され
た。さらに、この結晶を育成方向に垂直に切断し厚さ5
mmの板状に光学研磨を施し、波長1.06pmのNd
:YAGレーザ光(CW、5W)を透過させたところ、
板を二十数度傾けたところで、第二高調波の緑色光(波
長(153pm)を肉眼で確認することが出来た。
(発明の効果)
本発明によれば、従来のフラックス育成方法に比べて著
しく短時間で不純物混入のない良質のり−BaB2o4
を得ることが出来る。
しく短時間で不純物混入のない良質のり−BaB2o4
を得ることが出来る。
第1図は本発明の詳細な説明するための、BaB2O4
−Na2O二元系平衡状図である。
−Na2O二元系平衡状図である。
Claims (1)
- 坩堝内の熔融原料から種子結晶を用いて単結晶を引上育
成する引上法によりβ−BaB_2O_4(ベータ・バ
リウムボレイト)単結晶を育成する際、坩堝への充填原
料として、β−BaB_2O_4の結晶構造を有する結
晶塊ないしは結晶粉のみを用い、フラックスを使用しな
いことを特徴とする単結晶育成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32520288A JP2647940B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 単結晶育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32520288A JP2647940B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 単結晶育成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02172892A true JPH02172892A (ja) | 1990-07-04 |
JP2647940B2 JP2647940B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=18174162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32520288A Expired - Fee Related JP2647940B2 (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 単結晶育成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2647940B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0664994A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-03-08 | Nec Corp | ベータバリウムボレイト単結晶の育成方法 |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP32520288A patent/JP2647940B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0664994A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-03-08 | Nec Corp | ベータバリウムボレイト単結晶の育成方法 |
US5454345A (en) * | 1992-06-18 | 1995-10-03 | Nec Corporation | Method of growing single crystal of β-barium borate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2647940B2 (ja) | 1997-08-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |