JPH02172258A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH02172258A JPH02172258A JP32580788A JP32580788A JPH02172258A JP H02172258 A JPH02172258 A JP H02172258A JP 32580788 A JP32580788 A JP 32580788A JP 32580788 A JP32580788 A JP 32580788A JP H02172258 A JPH02172258 A JP H02172258A
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- JP
- Japan
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- wiring
- cell
- layer
- circuit
- layer wiring
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に回路変更に対処し
易くした半導体集積回路に関する。
易くした半導体集積回路に関する。
従来の半導体集積回路は、特開昭57−190343号
公報に記載のように予め予備の回路素子を配置しておき
、該予備回路相互間を配線させるもので、回路変更時に
、その予備回路及び配線パターンを利用するものである
。以下詳細について第1図を用いて説明する。
公報に記載のように予め予備の回路素子を配置しておき
、該予備回路相互間を配線させるもので、回路変更時に
、その予備回路及び配線パターンを利用するものである
。以下詳細について第1図を用いて説明する。
第1図において、半導体チップ1には、行列上に複数の
小さな回路素子(以下、「セル」という)が配列されて
いる。セルはトランジスタ、抵抗。
小さな回路素子(以下、「セル」という)が配列されて
いる。セルはトランジスタ、抵抗。
コンデンサ等の基本回路素子を1個あるいは複数個組み
合わせたものである。また、セル2の各々の大きさや種
類は必ずしも一様ではない。
合わせたものである。また、セル2の各々の大きさや種
類は必ずしも一様ではない。
セル2には、信号の出入り口となるセル端子3゜4が複
数個設けられており、これらは拡散層に存在する。セル
2が位置する領域には、セル2同志を配線する為の配線
領域9が格子上に設けられている。
数個設けられており、これらは拡散層に存在する。セル
2が位置する領域には、セル2同志を配線する為の配線
領域9が格子上に設けられている。
配線領域9は、横方向配線用の第1層配線8と。
セル端子3,4に接続をする縦方向用の拡散層配線6を
有しており、第1N配線8と拡散層配線6とはスルーホ
ール7で接続されている。さらに、第1暦配線8は、縦
方向用第2層配線10にスルーホール11を用いて接続
されている。
有しており、第1N配線8と拡散層配線6とはスルーホ
ール7で接続されている。さらに、第1暦配線8は、縦
方向用第2層配線10にスルーホール11を用いて接続
されている。
このようなチップ上に配列したセルを相互に接続し、目
的の論理回路を実現するスタンダードセル方式LSIに
おいては、予め予備セル5をチップ上に配置しておくこ
とで、回路変更を予備回路とその配線パターンで行なっ
ていた。しかし1本方法では、拡散層配線6αのみを用
いてセル端子。
的の論理回路を実現するスタンダードセル方式LSIに
おいては、予め予備セル5をチップ上に配置しておくこ
とで、回路変更を予備回路とその配線パターンで行なっ
ていた。しかし1本方法では、拡散層配線6αのみを用
いてセル端子。
3α〜3e間を接続した部分については回路変更は困難
となる。つまり回路変更をすると、拡散層配線6αの変
更が必要となり、拡散層の作り直しが発生する為、LS
I作成期間及び費用は多大なものとなる。
となる。つまり回路変更をすると、拡散層配線6αの変
更が必要となり、拡散層の作り直しが発生する為、LS
I作成期間及び費用は多大なものとなる。
LSIはその製作工程面から見ると、大きく分けて、拡
散工程と配線工程とに分けることが出来る。拡散工程で
は、所望の論理回路を構成する為に予め設けられた標準
的なセルを組合わせて、論理規模に応じて複数配列し、
ウェハの拡散を行なう。次に、配線工程で前記セル間の
相互配線用マスクを作成し、前記拡散工程を終了したチ
ップ上に配線用パターンを形成する。
散工程と配線工程とに分けることが出来る。拡散工程で
は、所望の論理回路を構成する為に予め設けられた標準
的なセルを組合わせて、論理規模に応じて複数配列し、
ウェハの拡散を行なう。次に、配線工程で前記セル間の
相互配線用マスクを作成し、前記拡散工程を終了したチ
ップ上に配線用パターンを形成する。
LSIの製作上問題となるのは、以下の点である。すな
わち、LSIは論理規模が大きいため、その開発期間中
あるいはそれ以降の時点における回路変更が避けがたい
ものであるという点である。
わち、LSIは論理規模が大きいため、その開発期間中
あるいはそれ以降の時点における回路変更が避けがたい
ものであるという点である。
また一方では5製作時の歩留まりの関係から、例えば、
配線工程に移ったLSIに対して、やむを得ない回路変
更が必要となった場合、その変更が、たとえ1個のセル
端子上のスルーホール追加であっても、拡散層の変更が
必要となることがあった。
配線工程に移ったLSIに対して、やむを得ない回路変
更が必要となった場合、その変更が、たとえ1個のセル
端子上のスルーホール追加であっても、拡散層の変更が
必要となることがあった。
従って、I2作工程を前記拡散工程に戻ってやり直さな
ければならず、結果としてLSIの開発工数の増大をも
たらすという問題があった。
ければならず、結果としてLSIの開発工数の増大をも
たらすという問題があった。
上記目的を達成するために、半導体チップ上に配列した
多数の回路素子を相互に接続したLSIにおいて、全て
のセル端子間の配線に、例外無く金属層を含ませること
としたものである。
多数の回路素子を相互に接続したLSIにおいて、全て
のセル端子間の配線に、例外無く金属層を含ませること
としたものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第2図は本発明の一実施例であるLSIの構成の概要を
示すものであり、第1図と同じ構成要素には同じ符号を
付している。
示すものであり、第1図と同じ構成要素には同じ符号を
付している。
本実施例に示したLSIと第1図に示したLSIとの相
異は、本実施例のLSIにおいては、セル2へのセル端
子3σと、セル2のセル端子31が、同一拡散層配線で
接続されない位置にセル端子3α、3eを配置している
点である。つまり、チップ上のX方向の座標位置がセル
端子3α。
異は、本実施例のLSIにおいては、セル2へのセル端
子3σと、セル2のセル端子31が、同一拡散層配線で
接続されない位置にセル端子3α、3eを配置している
点である。つまり、チップ上のX方向の座標位置がセル
端子3α。
3bで不一致であればよい。あるいは、配線パターンは
冗長となるがX方向座標位置が一致していても第1層配
線パターンを必ず作成する方法も容易に考えられる。い
ずれにしても、拡散層のみの配線を作らないことである
。すなわち、全ての配線はそのどこかに必ず第2M配線
あるいは第1層配線を引き出し可能な点を含む。
冗長となるがX方向座標位置が一致していても第1層配
線パターンを必ず作成する方法も容易に考えられる。い
ずれにしても、拡散層のみの配線を作らないことである
。すなわち、全ての配線はそのどこかに必ず第2M配線
あるいは第1層配線を引き出し可能な点を含む。
本実施例においては、LSIについて上述の如く配線中
に必ず金属層配線を含んでいるため、回路変更について
変更作業が前記配線工程のやり直しだけで済ませること
が可能となり、結果としてLSIの開発期間を大幅に短
縮することができる。
に必ず金属層配線を含んでいるため、回路変更について
変更作業が前記配線工程のやり直しだけで済ませること
が可能となり、結果としてLSIの開発期間を大幅に短
縮することができる。
上記実施例においては、配線領域9に形成される配線層
数を2Mとしたが、これは3M以上としても差支えない
。
数を2Mとしたが、これは3M以上としても差支えない
。
また本発明は特にスタンダードセル方式により設計され
るLSIに特に有効であるが、必ずしもこれに限るもの
ではない。
るLSIに特に有効であるが、必ずしもこれに限るもの
ではない。
以上述べた如く1本発明によれば、LSI製作時に予備
の配線を設けて、全てのセルに対して配線層の変更のみ
で接続するようにしたので、製作の途中で回路変更が生
じた場合でも、配線工程のやり直しのみで回路変更がで
きるので、開発工数の増大を抑えることができる。
の配線を設けて、全てのセルに対して配線層の変更のみ
で接続するようにしたので、製作の途中で回路変更が生
じた場合でも、配線工程のやり直しのみで回路変更がで
きるので、開発工数の増大を抑えることができる。
第1図は従来のLSIの構成の概要を示す図、第2図は
本発明の一実施例を示すLSIの構成を示す図である。 1・・・半導体チップ、 2.2α・・・セル。 3〜4及び3α〜3b・・・セル端子、5・・・予備回
路素子。 6,6(L・・・拡散層配線、 7.11・・・スルーホール、 8.8α・・・第1N配線、 9・・配線領域。 1o・・第2層配線。
本発明の一実施例を示すLSIの構成を示す図である。 1・・・半導体チップ、 2.2α・・・セル。 3〜4及び3α〜3b・・・セル端子、5・・・予備回
路素子。 6,6(L・・・拡散層配線、 7.11・・・スルーホール、 8.8α・・・第1N配線、 9・・配線領域。 1o・・第2層配線。
Claims (1)
- 1、半導体チップ上に配列した多数の回路素子を相互に
接続した半導体集積回路において、回路素子相互間の接
続が、拡散層のみの配線パターンで構成されない様に、
少なくとも配線パターンの一部が金属層と接続している
か、予備の金属層の配線パターンを設けることを特徴と
する半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32580788A JPH02172258A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32580788A JPH02172258A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02172258A true JPH02172258A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18180820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32580788A Pending JPH02172258A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02172258A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5321584A (en) * | 1976-08-12 | 1978-02-28 | Toshiba Corp | Wiring system of semiconductor device |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP32580788A patent/JPH02172258A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5321584A (en) * | 1976-08-12 | 1978-02-28 | Toshiba Corp | Wiring system of semiconductor device |
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