JPH02168455A

JPH02168455A - 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH02168455A
Application number: JP24496589A
Authority: JP
Inventors: Satoru Kikitsu; 哲喜々津; ▲あし▼田　純夫; Sumio Ashida; Katsutaro Ichihara; 勝太郎市原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-09-30
Filing date: 1989-09-22
Publication date: 1990-06-28
Anticipated expiration: 2014-04-26
Also published as: JP2886199B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は光磁気記録方法に関し、更に詳しくは記録の重
ね書き（オーバライド）機能を有する光磁気記録方法に
関する。

（従来の技術）ＴｂＦｅ　、　ＴｂＣｏ　、　ＴｂＦｅＣｏ　、　Ｇｄ
ＴｂＦｅ　、　ＧｄＴｂＰｅＣｏ等に代表される希土類
−遷移金属非晶質合金（ａ−ＲＥ−ＴＭ）の薄膜は、膜
面に垂直な方向に磁化容品軸を有し、熱的に磁気特性が
変化する。光磁気記録はａ−ＲＥ−ＴＩ膜のこのような
特性を利用したもので、ａ−ＲＥ−ＴＭからなる記録層
へレーザーを照射し、保磁力を外部磁界以下に減少させ
て微小反転磁区を形成もしくは消滅させて情報の記録／
消去を行い、極力−回転等の磁気光学効果を利用して情
報の再生を行なう技術である。かかる光磁気記録は光記
録に共通する非接触アクセス性、媒体の可換性、高記録
密度性等の利点を有する反面、磁気記録に比べてオーバ
ーライドがしにくいという短所を有している。

光磁気記録におけるオーバーライド技術として種々のも
のが提案されているが、最も注目されている技術のひと
つとして光変調方式で、単一ビームで動作するもの（１
ビーム法）がある。かかる技術は、例えば、特開昭６２
−１７５９４８号公報に記載されているように記録再生
層と記録補助層を有する光磁気記録媒体に予め初期補助
磁界を印加し、記録補助層の磁化を所定の向きに揃えて
おいた後、パルス状に変調されたビームを照射し、ビー
ムの強度が高いレベルの時にいずれか一方の磁化方向の
ビットを形成させ、低レベルの時に他方のピットを形成
させるものである。しかし、記録再生層と記録補助層は
交換結合２層膜となっており、制御が困難な交換結合力
を、温度とともに変化する各層の保磁力に対して特殊な
大小関係を持つように制御しかければならず、媒体の製
造が困難である。また、オーバーライドする前に記録補
助層の磁化をある一定の方向にそろえなければならず、
数ＫＯｅを印加できる大型の初期磁化用磁石が必要であ
るといった技術的難点がある。

一方、特開昭６２−１５４３４７号公報に開示される技
術においては、記録層と補償点を有するバイアス層とを
熱絶縁機能を有する非磁性層を介して積層した媒体に関
するものである。この技術においては、記録時と消去時
でバイアス層の温度が異なるように媒体構造を設計し、
かつその異なる２つの温度でバイアス層の飽和磁化Ｍｓ
の向きが異なるようにバイアス層の媒体設計を行う必要
があシ、製作が困難である。

（発明が解決しようとする課題）光磁気記録におけるオーバーライド技術として光変調１
ビーム法が有望視されているが、制御が困難で、複雑な
ため、実用に適した光磁気記録方法は得られていない。

本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、
光変調方式で１ビームパワー変調オーツ（−ライトの可
能な光磁気記録方法を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）本発明は、記録層とバイアス層が静磁的結合が主となる
よう積層された光磁気記録媒体に対して、第１のパワー
レベルと第２のパワーレベルに変調されたレーザー光を
照射して光磁気記録を行う方法において、前記光磁気記
録媒体は、記録層の磁化反転温度をＴｒ、第１のパワー
レベル及び第２のパワーレベルのレーザー光照射により
記録層及びバイアス層が昇温する温度を各々Ｔｔ、Ｔ倉
としたとき、これらがＴｒ＞ＴｓンＴｒ・なる関係を満
たし、Ｔｌ及びＴｒからＴｒｙで冷却されたときバイア
ス層から記録層側へ漏洩する漏洩磁界を各々ＨＩ１１及
びａａ、。

ＴＩ及びＴ、からＴｒまで冷却されたときの記録層の自
己漏洩磁界をそれぞれＨＳ１及びＨＳ１、Ｔｒでの記録
層の保持力をＨｃＲ（Ｔｒ）とすると、Ｔ、からＴｒに
冷却されたときＨｃｍ（Ｔｒ）鮒８ｍ−Ｈ＠ｌ　　なる
関係を満たし、Ｔ、からＴｒＫ冷却されたときＭＣＩ（
Ｔｒ）≦ＨＳ１＋Ｈｅ−ＨＳ１なる関係を満たし、光磁
気記録媒体に第１のパワーレベルのレーザ光を照射した
後Ｔ１からＴｒまで冷却された時、レーザー光照射領賊
の磁化の向きは記録層の自己漏洩磁界により決定され、
第２のパワーレベルのレーザー光を照射した後ＴＲから
Ｔｒまで冷却された時、レーザー光照射領域の磁化の向
きはバイアス層から記録層へ漏洩する漏洩磁界により決
定されることを特徴とする光磁気記録方法である。

また、本発明は、記録層とバイアス層が静磁的結合が主
となるよう積層された光磁気記録媒体に対して、第１の
パワーレベルと第２のパワーレベルに変調されたレーザ
ー光を照射すゐ光磁気記録を行う方法において、記録層
の磁化反転温度をＴｒｍ、バイアス層の磁化反転温度を
Ｔｒ＠、第１のパワーレベル及び第２のパワーレベルの
レーザー光照射により記録層及びバイアス層が昇温する
温度を各々’Ｉ’、、’ｒ、としたとき、これらがＴｒ
Ｂ＞Ｔ１＞Ｔ２≧Ｔｒｌなる関係を満たし、Ｔ、及びＴ
ｒからＴｒまで冷却されたときバイアス層から記録層側
へ漏洩する漏洩磁界を各々ＨＢｍ及びＨＳ２、Ｔ、及び
Ｔ、からＴｒまで冷却されたときの記録層の自己漏洩磁
界をそれぞれＨＳ１及びＨＳ１、Ｔｒでの記録層の保持
力をＨｃＲ（Ｔｒ）　　とすると、Ｔ１からＴｒに冷却
されたときＨｃＲ（Ｔｒ）≦ＨＳ１　−ＨＳ２なる関係
を満たし、Ｔ３からに、に冷却すれタトきＨｅ　ｔ　（
Ｔｒ　）＜ＨＳ１　−ＨＳ１なる関係を満たし、Ｔ宜か
らＴｒに冷却されたときＨｅ政（Ｔｒ）＜ＨＳ２　−Ｈ
Ｓ１　　なる関係を満たし、Ｔｒｔにおいてバイアス層
から記録層への漏洩磁界と記録層の自己漏洩磁界の向き
が異なることを特徴とする光磁気記録方法である。

本発明では光磁気記録媒体に対し、外部磁界Ｈｅを記録
層の自己漏洩磁界ＨＳ１及びＨＳ１の方向に、ＨｃＲ（
Ｔｒ）≦ＨＳ１　＋Ｈｅ−ＨａＩ、　　かツＨｃ　ｗ　
（Ｔ　ｒ　）　＜Ｈａ。

−Ｈ３，−Ｈｅを満たすように印加してもよい。すなわ
ち、自己漏洩磁界が弱い場合、自己漏洩磁界の方向に外
部磁界を引加することで、効率的にオーバーライドを行
なうことができる。

また、光磁気記録媒体に対し、外部磁界Ｈｅをバイアス
層から記録層側へ漏洩する漏洩磁界Ｈ１１１及び）（ｓ
ｆｆｉの方向に、ＨｃＲ（Ｔｒ）≦ＨＳ１　−ＨＳ２−
ＨｅかつＨｃＲ　（Ｔｒ）≦Ｈ＠、−）−Ｈｅ−ＨＳ１
を満たすように印加してもよい。

ここで、磁化反転温度とは、記録層の保磁力Ｈｃが漏洩
磁界などによってその部位に印加されている磁界よシも
小さく、反転磁区が形成される条件が満たされる温度の
ことである。

本発明ではバイアス層は磁化反転しないほうが好ましく
、バイアス層が磁化反転しないための条件としては、バ
イアス層の保磁力をＨｃＲ、バイアス層の自己漏洩磁界
と記録層からバイアス層側へ漏洩する漏洩磁界のベクト
ル和の膜面に垂直な成分をＨｅとすると、常にＨｃＲ）
Ｈｅなる関係を満たすことである。

バイアス層が充分大きい漏洩磁界を供給できるようにす
るには、バイアス層が補償温度Ｔｃｏｍｐを持ち、Ｔｒ
ｅ）Ｔｃｏｍｐ　　なる関係を満たしている方がよシ好
ましい。また、記録層が自己漏洩磁界で容易に反転でき
るためには、ＴｒＲ近傍に記録層がキュリー温度を持ち
、かつ補償温度（’ｌ’ｃｏｍｐ＊　　と略す）を持た
ないか、または、Ｔｃｏｍｐ費を持っていてもＴｒ　＊
　（Ｔｃｏｍｐ　＊である方がより好ましい。

バイアス層からの漏洩磁界Ｈａ　、　、　Ｈｍ　２　　
及び記録層の自己漏洩磁界ＨＳ１　、ＨＳ１　　をＴｌ
−４ＴｒｌとＴｌ　４Ｔｒｌとで効果的に変化させるた
めには、ＴｌからＴｒｌＫ降温してきたときの温度分布
の半値＠Ｔ　ＨＷｌとＴ３からＴｒ費に降温してきたと
きの温度分布の半値幅ＴＨＷ怠との間にＴＨＷ、　／Ｔ
ＨＷＩ＞　２なる関係が６つ九方がより好ましい。

記録層も補償温度を有していても有していなくてもよい
。記録層がＴｒ近傍にキュリー温度を有する場合には、
常温とキュリー温度との間に補償温度Ｔｃｏｍｐ　ｍ　
が存在しないことが好ましい。また、この間にＴｃｏｍ
ｐ費　が存在している場合には、　Ｔｒｅ：）Ｔｃｏｍ
ｐ諺　　の関係を満たすことが好ましい。

バイアス層からの漏洩磁界ＨＳ１、Ｈａ！、及び記録層
の自己漏洩磁界ＨＳ１　、ＨＳ１　　を、効果的に変化
させるためには、温度をＴＩからＴｒｌに降下させた場
合におけるビーム照射部分の温度分布曲線の半値幅Ｔｓ
ｗ、と、Ｔ、からＴｒｗに降下させた場合におけるビー
ム照射部分の温度分曲線の半値幅ＴＨＷ、との間に、Ｔ
ｏｗ、　／　ＴＨ％　：）　２なる関係があることが好
ましい。

必要に応じて、記録層から自己漏洩磁界ＨＳ１及びＨＳ
１を補助する目的で、自己漏洩磁界ＨＳ２及びＨＳ１の
方向に、Ｈｅ費（Ｔｒｅ）≦ＨＳ１　−１−Ｈｅ、　−
ＨＳ２　。

Ｈｃｗ（Ｔｒｅ）≦Ｈｓ＊−（ＨＳ１　＋　Ｈｅ１）を
満たす外部磁界Ｈｅ、を付加することもできる。また、
バイアス層４からの漏洩磁界ＨＳ２及びＨ８！を補助す
る目的で、漏洩磁界Ｈ１ｔ、及びＨ＠、の方向に、Ｈｃ
Ｒ（Ｔｒｍ）≦Ｈ’１（Ｈ１１１＋Ｈｅ５）、ＨｃＲ（
Ｔｒｅ）≦ＨＩＳｘ　＋　Ｈｅ、−Ｈ８１を満たす外部
磁界Ｈｅｌ付加することもできる。外部磁界の印加は、
媒体にレーザビームが照射されている間常に行ってもよ
いし、媒体温度が記録層の磁化反転温度Ｔｒｌになった
ときに行ってもよい。

なお、ＨＳ１　−ＨＳ２　　が充分に大きくない場合に
は、記録層は小さい磁界変化で、再生信号にＣ／Ｎ差を
発生させることができることが好ましい。このような材
料としては、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ合金が知られている（第
１１回日本応用磁気学会、学術講演概要集（１９８７，
１１）Ｐ２７６）。通常）（ａｌ−ＨＢ２≦２００００
が達成しやすいので、記録層２としては、１５００６以
下の磁界変化でＣ／Ｎが飽和レベルまで達する材料を用
いることが好ましい。

記録層２が一般式（Ｇ　ｄｘＤＹ　Ｈｘ　）ｙ　Ｆｅｌ
　Ｍ　（ただし、ｘ、ｙは原子チで表わされ、夫々０（
Ｘ（１００゜１３＜ｙ（３５の範囲内である）で表わさ
れる合金で形成されている場合には、再生信号の立上シ
が急峻であり、上述のような条件を満たすことができる
。従って、記録層２をこのような材料で形成することに
より、との発明に示す漏洩磁界を利用した情報・消去が
極めて行い易くなる。

本発明の光磁気記録媒体は記録層及びバイアス層が静磁
的作用が主の結合作用を及ぼすよう積層される。

記録層の磁化反転は他層からの交換結合力によって行う
のではなく、両層からの漏洩磁界と必要であれば外部か
ら印加される磁界とによって行われるので記録層とバイ
アス層は交換結合力を作用し合わないように積層され、
もし交換結合力が作用している場合でも交換結合力はバ
イアス磁界に比べて充分に小さな値にするのが良い。意
図的に交換結合力の介在を防止するには記録層とバイア
ス層の間に中間層を設ければ良い。

記録層とバイアス層の間に中間層を設ける場合には、中
間層の膜厚は格別に限定されるものではなく、材料毎に
再生時のカーエンハンスメント、レーザービームの吸収
効率等を考慮し適宜決定すればよいが、２０００Ａ以下
が適当である。交換結合力をなくす目的からは数人でよ
く、バイアス層が記録層に充分大きな漏洩磁界を感じさ
せる程度に薄く、また、レーザー照射時にバイアス層が
充分にＴ、まで加熱される程度に薄いことが好ましい。

このような点から５Ａ〜５００Ａがよシ好ましい膜厚で
ある。またバイアス層を再生信号には最初から寄与せず
レーザー照射による熱だけ伝播してくればよいので、中
間層は、不透明でも構わない。

バイアス層の膜厚は、記録層に充分大きな漏洩磁界を印
加できる程度に厚く、またレーザー照射時に充分子１ま
で加熱され得る程度に薄いのが好ましく、２５０入〜５
０００＾、よシ好ましくは１０００ｉ〜３０００＾とす
るのが良い。記録層の膜厚は、記録層自身に充分大きい
漏洩磁界を印加できる程度に厚いほうが好ましく、レー
ザー照射時に充分子１まで加熱でき、かつバイアス層も
充分に加熱される程度に薄いことが好ましい。従って１
００λ〜５ｏｏｏＸ、よりも好ましくは１５０Ａ〜ｘｓ
ｏｏＡとするのが良い。記録層とバイアス層の膜厚は、
１００Ａ未満では充分な垂直磁気異方性を有する膜がス
パッタ法等では得られにくい。

（作用）本発明の光磁気記録方法は静磁的に結合するように記録
層とバイアス層が積層された光磁気記録媒体にレーザー
ビームを照射し１ビームパワー変調オーバーライドを実
現するものである。

第１〜第５図を用いて本発明の光磁気記録方式を説明す
る。第１図は本発明による光磁気記録方式の記録媒体の
好ましい実施態様の構成断面であり、１は基板、２は光
磁気記録層、３は中間層、４はバイアス層、５は保護層
である。第２図はこの光磁気記録媒体の記録層及びバイ
アス層の保磁力Ｈｃと飽和磁化Ｍｓの温度特性を示した
ものである。

第２図において、Ｔａは保持温度、Ｔｃｏｍｐはバイア
ス層の補償温度、Ｔｃは記録層のキュリー温度、ＴＩは
第一のパワーレベルによって選択される記録媒体の温度
である。なお、第二のパワーレベルによって選択される
記録媒体の温度Ｔ、及び記録層の磁化反転温度ＴｒはＴ
ｃとほぼ同じである。第３、第４、第５図は第一、第二
のパワーレベルによって行われる情報の記録、消去動作
時の記録層２とバイアス層４の磁化の向き及び分布を示
したものである。磁化の向きを示す図において縦の線は
反転磁区ができた状態を意味する。

バイアス層に作用するバイアス層自身からの漏洩磁界ベ
クトルをＨＳ１バイアス層に作用する記録層からの漏洩
磁界ベクトルを七バイアス層の保磁力をＨｃＲとすると
、バイアス層には、常にＩＨｓ−）−ＨＬ　ｌ　（Ｈｅ
　ａが成シ立っておシ、磁化反転は起こらない。また、
外部より印加磁界Ｈｅを与える場合にバイアス層に磁化
反転は起こらない。

第１のパワーレベルによって行われる記録動作を第３図
に従って説明する。初期状態として（ａ）の様に記録層
２とバイアス層４の磁化をそろえる。

これに第一のパワーレベルのレーザービームを照射する
と記録媒体の温度がＴ、まで上昇し、（ｂ）のような磁
化状態になる。レーザーの照射が終シ、記録媒体が冷却
されてＴｒになると（Ｃ）のような磁化状態になる。こ
のときの記録層２のバイアス層４の磁化分布は媒体の熱
拡散のため（ｅ）に示すようにブロード罠なっていて、
バイアス層からの漏洩磁界は記録層の磁化反転を妨げる
程大きくならず、記録層は記録層から記録層自身へ印加
される自己漏洩磁界によって磁化反転しくｃ’）のよう
に反転磁区ができる。この磁化状態が保たれたまま常温
まで冷却されていき、（ｄ）に示すような記録状態とな
る。

この記録状態に第二のパワーレベルのレーザービームを
照射して行なわれる消去動作について第４図にしたがっ
て説明する。第二のパワーレベルのレーザービームの照
射によって記録媒体はＴＩまで温度が上昇する。ＴＩは
Ｔｒにほとんど等しいからこの温度で磁化反転が行なわ
れるが、そのときのバイアス層の磁化Ｍｓの分布は（ｄ
）に示すように第３図（ｅ）のときよシも熱の拡散が少
ない分だけシャープになシ漏洩磁界は記録層を再磁化反
転させるに十分な大きさになる。その結果、反転磁区は
消滅し、常温において（Ｃ）に示すような消去状態とな
る。

反転磁区ができていない部分に第二のパワーレベルのレ
ーザビームを照射したときの動作を第５図圧したがって
説明する。第４図の場合と同じようにＴｓまで温度が上
昇し九ときのバイアス層の磁化分布は（ｄ）に示すよう
にシャープで漏洩磁界が大きいため記録層においては反
転磁区が形成される条件が満たされない。従って常温に
壕で冷めたときは（Ｃ）に示すように消去状態のままで
ある。

以上の３つの動作を組み合わせることによってダイレク
トオーバーライドが実現できる。即ち、第二のパワーレ
ベルに、記録信号にしたがって変調された第一のパワー
レベルを重畳することによって、以前そこに記録されて
いた情報に関係なく１回の動作で新しい情報を記録する
ことができるのである。

いちど消去状態になると、その後何度Ｔ８まで上昇さ°
せても上記の過程がくシ返されるだけで特開昭６２−８
０８４６号公報に開示されるｆｌｉｐ−ｆｌｏｐ記録媒
体のような消去動作の前にいちど記録を読んで消去パワ
ーを加えるかどうかの判定を行う必要はない。

・以上の記録、消去重ね書き動作において、反転磁区の
形成、再磁化反転時のバイアス層の温度は同一であシ、
その磁化の向きは同一であるので、特開昭６２−１５４
３４７号公報と記録方法、記録媒体ともに異なる。

バイアス層からの漏洩磁界も記録層の自己漏洩磁界も外
部磁界によって補助することが可能である。外部磁界を
印加する場合には、レーザービームが照射されている間
、常に外部磁界を印加しても、あるいは、媒体温度が記
録層の磁化反転温度Ｔｒ　になったときに外部磁界を印
加しても良い。

Ｔ、とＴ３は通常の半導体レーザーの照射（最大１５ｍ
Ｗ程度）パワーの範囲で選択ができる程度であればよい
。

以上が本実施例の原理的な説明である。このように本発
明では、既記録内容の如何にかかわらず、高レベルのレ
ーザービームにより「記録状態」が、低レベルのレーザ
ービームにより「消去状態」が形成される。すなわち、
新たに記録すべき情報信号に応じて高レベルと低レベル
間で強度変調されたレーザービームを照射することによ
って、高速オーバーライドが実現される。このため従来
のノ（イアス層を有する光磁気記録媒体で高速オー／Ｓ
　−ライトを行なう場合に必要とした、既記録の磁区を
検出するためのレーザービームを必要とせず、１へラド
・１ビ一ム方式の簡易な構成で高速オーバーライドが可
能となり、消去マージンも十分に確保される。

さらに、記録及び消去時に外部印加磁界Ｈｅｘを付与す
る場合でも、その磁界の向き及び強度は記録時と消去時
とで等しくてよく、また磁界強度そのものも数百０ｅ程
度と小さくて済むので、装置が小型となり、光学ヘッド
内のサーボ用電磁駆動系への悪影響という問題も回避さ
れる。

また、再生レーザーノ（ワーはＴ２以下の温度上昇をも
たらすパワーであれば良い。

光磁気記録媒体構造に関しては、（１）制御の難かしい
交換結合作用を用いなくともよい。（量）記録層とバイ
アス層の間の温度の特殊な大小関係を必要としないとい
う理由で媒体構造の設計の自由度が大きく、また、製作
も容易である。また、光磁気記録媒体材料に関しては、
補償温度、キュリー温度等の磁気特性の制限が少なく、
選択の自由度が大きいといった優位性を有している。

（実施例）以下、本発明の詳細な説明する。

１）実施例−１１，２■厚の石英基板に１１０６ｎ厚の５ｉ−Ｈの下地
層、２５ｎｍのＴｂ３（１ｇ　（Ｆｅ０．９１１ＣＯＯ
，０１１）６９．４記録層、２　Ｑ　ｎｍ　（Ｄ　５ｉ
−Ｎ中間層、２００ｎｍ厚の（ＧｄＯ！５ＴｂＯ，７５
）２２．７　Ｃ０ｊ７．３バイアス層、ｌＱＱｎｍ厚ｏ
８ｉ−Ｎ保護層を几Ｆスパッタ法により成膜して第６図
に示す構造の光磁気記録媒体を作成した。記録層はキュ
リー温度が１６３℃、常温の保磁力が６ＫＯｅ。

常温の磁化は１５　Ｑ　ｅｍｕ／ｃｃであった。ノ（イ
アス層は補償温度が１４０℃、常温での保磁力が３．５
ＫＯｅ　、常温の磁化は２００　ｅｍｕ／ｃｃでアラた
。この記録媒体に波長８３０１１ｍの半導体レーザーを
用い、線速１４ｍ１ｓｅｃで記録・消去試験を行なった
ところ、５ｍＷ・ｌ　Ｑ　Ｑ　ｎ　Ｓｅｅパルス照射で
記録した信号を、３．５ｍＷの連続照射によって消去で
きた。

Ｉ）実施例−２５，２５インチφのトラッキンググループつきガラス基
板に１４９℃ｍ厚の８１−Ｎ　　Ｏ下地層、２５ｎｍ厚
Ｑ）　Ｔｂ２．　（Ｆｅ、、、Ｃｏ。、、　）、、　　
記録層、２Ｑｎｍの５ｌ−Ｎ中間層、１５０℃１ｍ厚の
（ＧｄＤ、２ＳＴｂｒ１．１６　）２１７００７７．３
バイアス層、ｉｏｏｎｍ厚の５ｉ−Ｎ保護層をＲＦスパ
ッタ法により成膜して第６図に示す構造の光磁気記録媒
体を作成した。記録層はキュリー温度が１８０℃、補償
温度が１１０℃、常温の保磁力が７．３　ＫＯｅ、常温
の磁化は１７０　ｅｍｕ／ｃｃ　テあった。バイアス層
は補償温度が１３０℃、常温の保磁力が４ＫＯｅ、常温
の磁化は１８０　ｅｍｕ／ｃｃであった。以上の構成で
線速１０ｍ／ｓｅｃで記録パワー８田Ｗ１消去パワー４
．５　ｍＷで、外部磁界をバイアス層からの漏洩磁界の
方向に２０００ｅ印加してＩ　ＭＨｚと２ＭＨｚの記録
信号間のオーバーライドを実現した。

＋＋＋）実施例−３５，２５インチφのトラッキンググループつきガラス基
板に１００１１ｍ厚の８ｌ−ＮＯ下地層、２５ｎｍ厚ノ
Ｔｂ２８　（ＦｅＱＪｌ！”０．１１１　＞１２記録層
、５　Ｑ　ｎ　ｍ　Ｑ：）８！−Ｎ中間層、１５０℃ｍ
厚ノ（”０．２１１Ｔｂ（Ｌ７Ｓ　）ｌＪＬ４　”ａｌ
、６バイアス層、ｌＱＱｎｍ厚の５ｌ−Ｎ保護層をＲＦ
スパッタ法により成膜して第６図に示す構造の光磁気記
録媒体を作成した。記録層はキュリー温度が１８０℃、
補償温度が１１０℃、常温の保磁力が７、３　ＫＯｅ　
、常温の磁化は１７０ｅｍｕ／ｃｃであった。

バイアス層は常温の保磁力が２−４　ＫＯｅ　、常温の
磁化は１８Ｑｅｍｕ／ｃｃで補償温度を常温から４００
℃の間に持たない。以上の構成で線速１０ｍ／ｓｅｃで
記録パワーＩＱｍＷ、消去パ’７−６．５　ｍＷで、外
部磁界をバイアス層からの漏洩磁界の方向に４０００８
印加して１−と２ＭＨｚの記録信号間のオーバーライド
を実現した。

ｔｖ）　実施例−４１，２−厚の石英基板にｉ　ｏ　ｏ　ｎｍ厚の５ｉ−Ｎ
下地層、２５ｎｍ厚ノＴｂ２８　（ＦｅＯＪｌｌ　”０
．１５　）？！記録層、２゜ｎｍ厚の５ｉ−Ｎ中間層、
２００℃ｍ厚のＴｂ２□Ｃ０７，バイアス層、１１００
ｎ厚の５ｉ−Ｎ保護層をこの順に成膜した光磁気記録媒
体に、スポット径１．３５μｍ、パワーｆ３　ｍＷ、パ
ルスａｓｏｎｓｅｃのパルスレーザを照射した際の照射
部分の温度分布を数値計算により求めた。レーザビーム
照射直後で、中心温度が２１６℃になり、温度がピーク
値のｅ　倍になる領域の半径σは５８０１’１ｍと算出
された。

一方、同じスポット径で、パワー１４．６ｍＷ、パルス
幅５０１　ｓｅｃのレーザビームを照射後３０秒経過後
、中心温度はやはり２１６℃と算出されたが、σは７５
０℃１ｍと算出され、ブロードな温度分布になることが
確認された。

上記夫々の場合について、ビーム照射スポット中心で、
かつ記録層の厚さ中心においてのバイアス層からの漏洩
磁界へを数値計算により求めた結果、夫々５４３０ｅと
４５４０ｅ　　となり、８９０ｅのＨＢ差を発生できる
ことが確認された。すなわち、この発明の原理に基づい
て、情報の記録・消去を行えることができることが確認
された。

Ｖ）実施例−５Ｅｘａｍｐｌｅ　４と同一の光磁気記録媒体テＥｘａｍ
ｐｌｅ４と同様にして求められた２種類のビーム照射部
分の温度分布について、ビーム照射スポット中心で、バ
イアス層から記録層に向って、夫々ＩＺ５ｎｍ　、６１
５℃ｍ、ｌｌ１５ｎｍの距離の位置において、各々Ｅｘ
ａｍｐｌｅ　４と同様にしてＨ，差を計算した。

これらの距離は、記録層の厚さを２５ｎｍとした場合に
、中間層の厚みをＯｎｍ、５０ｎｆｎ％　　１１００ｎ
にした場合に相当する。これらの距離におけるＨ６差は
、夫々、１０００ｅ、６９０ｅ、５２０ｅであった。

ｖｔ）　　実施例−６バイアス層の厚み以外Ｅｘａｍｐｌｅ　４と同一の光磁
気記録媒体で、バイアス層の厚みを変化させ、Ｅｘａｍ
ｐｌｅ　４と同様にして求められた２種類のビー・ム照
射部分の温度分布について、ビーム照射スポット中心で
、かう記録層の厚さ中心におけるＨ１差を算出した。バ
イアス層の厚さを、夫々５Ｑｎｍ、ｌＱＱｎｍ、４ＱＱ
ｎｍ、としたところ、各厚さに対応する残差は夫／ｒ３
２０ｅ、５２０ｅ、１０６０ｅ　　となった。

ｖｌｌ）実施例−７５，２５インチφのトラッキンググループ付ガラス基板
に１１００ｒ１厚の５ｉ−Ｎ下地層、２５ｎｍ厚の（Ｇ
ｄ０４Ｔｂ（１５）ＩｓＦｅ１＋５　　記録層、ｌＱｎ
ｍ厚の５ｉ−Ｎ中間層、４ＱＱｎｍ厚のＴ　ｂ２２　Ｃ
ｏｙ、　”　イア　ス層、１００ｎｍ厚の５ｔ−Ｎ保護
膜をこの順に、ＲＦスパッタリングにより成膜して、Ｆ
ｉｇ、２に示す構造を有する光磁気記録媒体を作成した
。

記録層は、±５００８の磁界で、Ｃ／ＮがＯｄＢから４
８ｄＢ−！で変化した。計算によると、バイアス層は、
レーザビーム照射スポット中心で１１００ｅのＨ，差を
発生させることが確認された。

記録層からの漏洩磁界の方向に７０００８の外部磁界を
印加しつつ、線速１０ｍ／ｓｅｃで、記録パワー９ｍＷ
、消去パワー４．５ｍＷとして、１ビームパワー変調に
よるオーバーライド試験を行った。この試験では、１Ｍ
Ｈｚの記録信号で記録された媒体に、２Ｍ１ｈの新しい
記録信号を記録した。その結果、従前の１ＭＨｚの情報
は消去され、新しい２■（２の情報のみが記録されてい
た。すなわち、１ビームオーバーライドが可能であるこ
とが確認された。

〔発明の効果〕

本発明の光磁記録方法によれば作成が容易な光磁気記録
媒体を用いて、１ビームパワー変調によって高速オーバ
ーライド機能を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体の好ましい実施態様の
構成断面、第２図は第１図を構成する光磁気記録媒体の
熱磁気特性、第３図は第一のパワーレベルの照射時の記
録層とバイアス層の磁化の向きの温度変化、第４図、第
５図は第二のパワーレベルの照射時の記録層とバイアス
層の磁化の向きの温度変化、第６図は本発明の光磁気記
録媒体の好ましい実施態様の構成断面である。１・・・基板、２・・・記録層、３・・・中間層、４・
・・バイアス層、５・・・保護層、６・・・下地層。代理人　弁理士　　則　近　憲　佑同　　　　　　　松　　山　　光　２第１図（ｄ）（ｃ）（Ｃ）第３図第４図第５図第２図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）記録層とバイアス層が静磁的結合が主となるよう
積層された光磁気記録媒体に対して、第１のパワーレベ
ルと第２のパワーレベルに変調されたレーザー光を照射
して光磁気記録を行う光磁気記録方法において；前記光磁気記録媒体は、記録層の磁化反転温度をＴｒ、
第１のパワーレベル及び第２のパワーレベルのレーザー
光照射により記録層及びバイアス層が昇温する温度を各
々Ｔ＿１、Ｔ＿２としたとき、これらがＴ＿１＞Ｔ＿２
≧Ｔｒなる関係を満たし、Ｔ＿１及びＴ＿２からＴｒま
で冷却されたときバイアス層から記録層側へ漏洩する漏
洩磁界を各々Ｈ＿Ｂ＿＿１及びＨ＿Ｂ＿＿２、Ｔ＿１及
びＴ＿２からＴｒまで冷却されたときの記録層の自己漏
洩磁界をそれぞれＨ＿Ｓ＿＿１及びＨ＿Ｓ＿＿２、Ｔｒ
での記録層の保持力をＨｃ＿Ｒ（Ｔｒ）とすると、Ｔ＿
１からＴｒに冷却されたときＨｃ＿Ｒ（Ｔｒ）≦Ｈ＿Ｓ
＿＿１−Ｈ＿Ｂ＿＿１なる関係を満たし、Ｔ＿２からＴ
ｒに冷却されたときＨｃ＿Ｒ（Ｔｒ）≦Ｈ＿Ｂ＿＿２−
Ｈ＿Ｓ＿＿２なる関係を満たし；光磁気記録媒体に第１のパワーレベルのレーザ光を照射
した後Ｔ＿１からＴｒまで冷却された時、レーザー光照
射領域の磁化の向きは記録層の自己漏洩磁界により決定
され、第２のパワーレベルのレーザー光を照射した後Ｔ
＿２からＴｒまで冷却された時、レーザー光照射領域の
磁化の向きはバイアス層から記録層へ漏洩する漏洩磁界
により決定されることを特徴とする光磁気記録方法。
（２）記録層とバイアス層が静磁的結合が主となるよう
積層された光磁気記録媒体に対して、第１のパワーレベ
ルと第２のパワーレベルに変調されたレーザー光を照射
する光磁気記録を行う方法において；記録層の磁化反転温度をＴｒ＿Ｒ、バイアス層の磁化反
転温度をＴｒ＿Ｂ、第１のパワーレベル及び第２のパワ
ーレベルのレーザー光照射により記録層及びバイアス層
が昇温する温度を各々Ｔ＿１、Ｔ＿２としたとき、これ
らがＴｒ＿Ｂ＞Ｔ＿１＞Ｔ＿２≧Ｔｒ＿Ｒなる関係を満
たし、Ｔ＿１及びＴ＿２からＴｒまで冷却されたときバ
イアス層から記録層側へ漏洩する漏洩磁界を各々Ｈ＿Ｂ
＿＿１及びＨ＿Ｂ＿＿２、Ｔｒ及びＴ＿２からＴｒまで
冷却されたときの記録層の自己漏洩磁界をそれぞれＨ＿
Ｓ＿＿１及びＨ＿Ｓ＿＿２、Ｔｒでの記録層の保持力を
Ｈｃ＿Ｒ（Ｔｒ）とすると、Ｔ＿１からＴｒに冷却され
たときＨｃ＿Ｒ（Ｔｒ）≦Ｈ＿Ｓ＿＿１−Ｈ＿Ｂ＿＿１
なる関係を満たし、Ｔ＿２からＴｒに冷却されたときＨ
ｃ＿Ｒ（Ｔｒ）≦Ｈ＿Ｂ＿＿２−Ｈ＿Ｓ＿＿２なる関係
を満たし、Ｔｒ＿Ｒにおいてバイアス層から記録層への
漏洩磁界と記録層の自己漏洩磁界の向きが異なることを
特徴とする光磁気記録方法。
（３）前記光磁気記録媒体に対し、外部磁界Ｈｅを記録
層の自己漏洩磁界Ｈ＿Ｓ＿＿１及びＨ＿Ｓ＿＿２の方向
に、Ｈｃ＿Ｒ（Ｔｒ）≦Ｈ＿Ｓ＿＿１＋Ｈｅ−Ｈ＿Ｂ＿
＿１、かつＨｃ＿Ｒ（Ｔｒ）≦Ｈ＿Ｂ＿＿２−Ｈ＿Ｓ＿
＿２−Ｈｅを満たすように印加することを特徴とする請
求項１又は２記載の光磁気記録方法。
（４）前記光磁気記録媒体に対し、外部磁界Ｈｅをバイ
アス層から記録層側へ漏洩する漏洩磁界Ｈ＿Ｂ＿１及び
Ｈ＿Ｂ＿＿２の方向に、Ｈｃ＿Ｒ（Ｔｒ）≦Ｈ＿Ｓ＿＿
１−Ｈ＿Ｂ＿＿１−ＨｅかつＨｃ＿Ｒ（Ｔｒ）≦Ｈ＿Ｂ
＿＿２＋Ｈｅ−Ｈ＿Ｓ＿＿２を満たすように印加するこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の光磁気記録方法。
（５）前記光磁気記録媒体のバイアス層の補償点をＴｃ
ｏｍｐ、記録層のキューリ点をＴｃとしたとき、Ｔｃｏ
ｍｐ＜Ｔｃなる関係が成り立つことを特徴とする請求項
１又は２記載の光磁気記録方法。
（６）情報を記録するための記録層と、記録層にバイア
ス磁界を与えるためのバイアス層とを備え、これらの層
が垂直磁気異方性を有すると共に静磁的作用が主の結合
作用を及ぼすように設けられ、前記記録層は、一般式（
Ｇｄ＿ｘＤｙ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＦｅ＿１＿−＿ｙ（た
だし、ｘ、ｙは原子％で表わされ、夫々０＜ｘ＜１００
、１３＜ｙ＜３５の範囲内である）で表わされる合金で
形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。