JPH03273541A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03273541A JPH03273541A JP7372690A JP7372690A JPH03273541A JP H03273541 A JPH03273541 A JP H03273541A JP 7372690 A JP7372690 A JP 7372690A JP 7372690 A JP7372690 A JP 7372690A JP H03273541 A JPH03273541 A JP H03273541A
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- Japan
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- magnetic film
- magnetization
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- magnetic
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報の記録に用いる光磁気記録媒体に関するも
のであも 従来の技術 社風 光磁気記録の実用化が始まっている戟それらは第
一世代に属するものでオーバーライドの機能は具備され
ていな賎 これに対し オーバーライドの機能を付加し
た第二世代を目指し 活発な研究開発が行なわれていも
中でL 光パワー変調によるオーバーライド(よ 両
面貼合わせタイプの光磁気ディスクが使用可能であるこ
とから大きな注目を集めていも これ1よ 交換結合さ
れた2層の磁性膜から成り、光投入面側を第一磁性膜も
う一方を第二磁性膜とするとき、初期着磁により第二磁
性膜のみを一方向に揃丸 しかる後レーザーパワーの切
り替えにより、第一磁性膜に第二磁性膜の磁化を転写す
る低パワーモードと、バイアス磁場により第一、第二両
磁性膜共に転写とは逆向きに磁化する高パワーモードの
2つのモード切り替えを行なうことによりオーバーライ
ドを実現するものであも (特開昭62−175948
号公報) 以下、図面を参照しなが転 上述した従来の光変調 オ
ーバーライドの一例について説明すも第4図は従来の光
変調オーバーライドの動作原理を示すものであも 第4
図において、 41は第一磁性lL 42は第二磁性膜
43は記録用レーザービーん 44は初期化磁石 4
5は記録時バイアス磁石であも 以上のように構成された光変調オーバーライド方式につ
いて、以下その動作について説明すもまず、初期化磁石
44により保磁力の小さな第二磁性膜のみを上向きに着
磁すも 次に記録時について (1)低パワーモードの場合 レーザービーム43により第一磁性膜41のみがキュリ
ー点以上に加熱され 冷却時に交換結合力により、第二
磁性膜42の磁化が転写され 第二磁性膜の磁化は上向
きに保存されたまま、第一磁性膜の磁化は上向きとなん (2)高パワーモードの場合 レーザービーム43により第一磁性膜41及び第二磁性
膜42が共に加熱され 冷却時に記録時バイアス磁石4
5により第一磁性膜 第二磁性膜共に下向きに磁化され
も 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では高パワーモト動作時
にバイアス磁場が必要であり、そのための記録時バイア
ス磁石が必須であった 本発明は上記課題に鑑へ 記録時にバイアス磁場を必要
としない光変調オーバーライド用の光磁気記録媒体を提
供するものであも 課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の光磁気記録媒体は光
投入面側の第一磁性膜とそれとは異なる第二磁性膜が積
層されており、希土類と遷移金属の合金から成る第二磁
性膜のCo添加量が15%以上という構成になっていも 作用 本発明は上記した構成によって、予め初期化磁石により
第二磁性膜の磁化の向きを一方向に揃えた後、低パワー
モードでの記録時には従来通り第二磁性膜の磁化は消失
する事なく第一磁性膜に転写され 高パワーモードでは
第二磁性膜がレーザー加熱により局部的にキュリー点以
上となり、Co添加量が多いために加熱部分に作用する
周囲からの漏洩磁界が極度に大きくなり、外部からのバ
イアス磁界の助けをかりる事なく第二磁性膜の磁化を反
転させることができも しかる後に反転した第二磁性膜
の磁化が冷却に伴い第一磁性膜に転写されも このよう
に 記録時に高パワーと低パワーを切り替えることによ
り、記録用のバイアス磁石無しに光変調オーバーライド
が可能となん随 従来オーバーライドのなす\ つまり
消去プロセスと記録プロセスが別個に行なわれる光磁気
記録媒体でi;L、 Coが10%を越えると、レー
ザー加熱消去時に非常に大きなバイアス磁界を必要とし
たために実用化されていなかった 実施例 以下本発明の一実施例の光磁気記録媒体とその動作につ
いて、図面を参照しながら説明すも第1図It 本発
明の第1の実施例における光磁気記録媒体と、その動作
を示すものであa 第1図に於いて、 11は光投入面
側に位置する第一磁性膜はTb2+ Fe7s、 1
2は第二磁性膜はTb*+FeatCoatであり、こ
れら2つの磁性膜は同一真空槽内にてディスク基板上に
順次積層して作製しtう急磁性膜の保護のために実際に
は保護膜にて磁性膜を挟み込む構造としている力t こ
のことは本発明とは直接関係ないので省略しtラ ま
f−13は記録用レーザービーム 14は初期化磁石で
あり媒体面上から4mm離れた位置に配置され 媒体面
上にて3.2キロエルステツドの磁場が得られている。
のであも 従来の技術 社風 光磁気記録の実用化が始まっている戟それらは第
一世代に属するものでオーバーライドの機能は具備され
ていな賎 これに対し オーバーライドの機能を付加し
た第二世代を目指し 活発な研究開発が行なわれていも
中でL 光パワー変調によるオーバーライド(よ 両
面貼合わせタイプの光磁気ディスクが使用可能であるこ
とから大きな注目を集めていも これ1よ 交換結合さ
れた2層の磁性膜から成り、光投入面側を第一磁性膜も
う一方を第二磁性膜とするとき、初期着磁により第二磁
性膜のみを一方向に揃丸 しかる後レーザーパワーの切
り替えにより、第一磁性膜に第二磁性膜の磁化を転写す
る低パワーモードと、バイアス磁場により第一、第二両
磁性膜共に転写とは逆向きに磁化する高パワーモードの
2つのモード切り替えを行なうことによりオーバーライ
ドを実現するものであも (特開昭62−175948
号公報) 以下、図面を参照しなが転 上述した従来の光変調 オ
ーバーライドの一例について説明すも第4図は従来の光
変調オーバーライドの動作原理を示すものであも 第4
図において、 41は第一磁性lL 42は第二磁性膜
43は記録用レーザービーん 44は初期化磁石 4
5は記録時バイアス磁石であも 以上のように構成された光変調オーバーライド方式につ
いて、以下その動作について説明すもまず、初期化磁石
44により保磁力の小さな第二磁性膜のみを上向きに着
磁すも 次に記録時について (1)低パワーモードの場合 レーザービーム43により第一磁性膜41のみがキュリ
ー点以上に加熱され 冷却時に交換結合力により、第二
磁性膜42の磁化が転写され 第二磁性膜の磁化は上向
きに保存されたまま、第一磁性膜の磁化は上向きとなん (2)高パワーモードの場合 レーザービーム43により第一磁性膜41及び第二磁性
膜42が共に加熱され 冷却時に記録時バイアス磁石4
5により第一磁性膜 第二磁性膜共に下向きに磁化され
も 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では高パワーモト動作時
にバイアス磁場が必要であり、そのための記録時バイア
ス磁石が必須であった 本発明は上記課題に鑑へ 記録時にバイアス磁場を必要
としない光変調オーバーライド用の光磁気記録媒体を提
供するものであも 課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の光磁気記録媒体は光
投入面側の第一磁性膜とそれとは異なる第二磁性膜が積
層されており、希土類と遷移金属の合金から成る第二磁
性膜のCo添加量が15%以上という構成になっていも 作用 本発明は上記した構成によって、予め初期化磁石により
第二磁性膜の磁化の向きを一方向に揃えた後、低パワー
モードでの記録時には従来通り第二磁性膜の磁化は消失
する事なく第一磁性膜に転写され 高パワーモードでは
第二磁性膜がレーザー加熱により局部的にキュリー点以
上となり、Co添加量が多いために加熱部分に作用する
周囲からの漏洩磁界が極度に大きくなり、外部からのバ
イアス磁界の助けをかりる事なく第二磁性膜の磁化を反
転させることができも しかる後に反転した第二磁性膜
の磁化が冷却に伴い第一磁性膜に転写されも このよう
に 記録時に高パワーと低パワーを切り替えることによ
り、記録用のバイアス磁石無しに光変調オーバーライド
が可能となん随 従来オーバーライドのなす\ つまり
消去プロセスと記録プロセスが別個に行なわれる光磁気
記録媒体でi;L、 Coが10%を越えると、レー
ザー加熱消去時に非常に大きなバイアス磁界を必要とし
たために実用化されていなかった 実施例 以下本発明の一実施例の光磁気記録媒体とその動作につ
いて、図面を参照しながら説明すも第1図It 本発
明の第1の実施例における光磁気記録媒体と、その動作
を示すものであa 第1図に於いて、 11は光投入面
側に位置する第一磁性膜はTb2+ Fe7s、 1
2は第二磁性膜はTb*+FeatCoatであり、こ
れら2つの磁性膜は同一真空槽内にてディスク基板上に
順次積層して作製しtう急磁性膜の保護のために実際に
は保護膜にて磁性膜を挟み込む構造としている力t こ
のことは本発明とは直接関係ないので省略しtラ ま
f−13は記録用レーザービーム 14は初期化磁石で
あり媒体面上から4mm離れた位置に配置され 媒体面
上にて3.2キロエルステツドの磁場が得られている。
第2図は第1図に示す動作説明図において、高パワーモ
ードでの記録時の動作説明図である。
ードでの記録時の動作説明図である。
以上のように構成された光磁気ディスクへの記録につい
て、以下第1図及び第2図を用いてその動作を説明する
。
て、以下第1図及び第2図を用いてその動作を説明する
。
まず、ディスクが回転する度に初期化磁石14の上を通
過し 第一磁性膜11が上向きに着磁される。その後、
レーザービーム13の高低切り替えにより記録が行な
われる。
過し 第一磁性膜11が上向きに着磁される。その後、
レーザービーム13の高低切り替えにより記録が行な
われる。
(1)低パワー記録の場合
低パワーのビームが照射されると、第一磁性膜のみキュ
リー点以上に加熱され第二磁性膜は初期化磁石にて着磁
されたままの磁化が保存されている。加熱された場所が
レーザービームから遠ざかるに従い冷却され そのとき
磁性膜間の交換結合力により、第一磁性膜には第二磁性
膜の磁化が転写される。ここまでの動作は従来例と全く
同一であム (2)高パワー記録の場合 高パワーのビームが照射されると、第一磁性膜に引き続
き第二磁性膜もキュリー点以上に加熱され 両磁性膜共
に磁化が消失すム このとき第二図に示す如く、第二磁
性膜Co添加量が22%と多いために 第二磁性膜の加
熱部周辺からの漏洩磁界が極めて大きくなる。従って、
加熱された場所がレーザービームから遠ざかるに従い冷
却され磁化が固着されるときにCヨ第二磁性膜自身の漏
洩磁界により、初期化された磁化の向きとは逆向きの磁
化が形成される。その後ひき続き冷却が進水第一磁性膜
に磁化が生ずるとき、反転した第二磁性膜の磁化が交換
結合力により第一磁性膜に転写される。
リー点以上に加熱され第二磁性膜は初期化磁石にて着磁
されたままの磁化が保存されている。加熱された場所が
レーザービームから遠ざかるに従い冷却され そのとき
磁性膜間の交換結合力により、第一磁性膜には第二磁性
膜の磁化が転写される。ここまでの動作は従来例と全く
同一であム (2)高パワー記録の場合 高パワーのビームが照射されると、第一磁性膜に引き続
き第二磁性膜もキュリー点以上に加熱され 両磁性膜共
に磁化が消失すム このとき第二図に示す如く、第二磁
性膜Co添加量が22%と多いために 第二磁性膜の加
熱部周辺からの漏洩磁界が極めて大きくなる。従って、
加熱された場所がレーザービームから遠ざかるに従い冷
却され磁化が固着されるときにCヨ第二磁性膜自身の漏
洩磁界により、初期化された磁化の向きとは逆向きの磁
化が形成される。その後ひき続き冷却が進水第一磁性膜
に磁化が生ずるとき、反転した第二磁性膜の磁化が交換
結合力により第一磁性膜に転写される。
以上のように本実施例によれば 第二磁性膜のCo添加
量を22%にすることにより、記録時のバイアス磁場を
外部から供給することなしに 光パワー変調によりオー
バーライドする事ができも以下本発明の第2の実施例に
ついて図面を参照しなから説明すも 記録時にバイアス磁界を外部から供給しなか氏7i −
パーライト特性を調べr= これを第3図に示す。第
一の実施例に示した構成の光磁気ディスクを用いて測定
した結果が曲線aであり、第二磁性膜をTbs a F
es 2Cot sとしたことを除いて第一の実施例に
示したと同様の光磁気ディスクを用いて測定した結果が
曲線すであも 第3図から明かな通り、いずれの場合に
於いてL 記録特殊部磁界ゼロ、すなわち記録時のバイ
アスが全く無い場合に於いても良好なC/N比が得られ
も 以上のように 本実施例から第二磁性膜のCo添加量を
15%以上にすることにより、記録時のバイアス磁界発
生手段を省略することができも直 本実施例に於いて、
第一磁性膜11はTba +pev*とした力支 常温
での保磁力が第二磁性膜から受ける交換結合磁界より大
きく、第二磁性膜に比較してキュリー点が低く、且つ常
温で第二磁性膜の保磁力に各磁性膜間に働く交換結合磁
界を加えた より大きな保磁力を有するものであれば
本発明は有効であ4K 本実施例に於いて、第二磁性
膜12はTbFeCoとした力t キュリー点よりやや
低めの室温より高い温度領域に於いて、Co添加による
残留磁化の上昇が期待できム 希土類(Tb、 Gd、
Dy、 Ho、 Nd等)と遷移金属(Fe、Ni等
)の合金を主とした金属からなり、常温での保磁力が第
一の磁性膜から受ける交換結合磁界の保磁力より大きく
、且つ第一磁性膜の保磁力から各磁性膜間に働く交換結
合磁界を差し引いたより小さな保磁力を有するものであ
れば 本発明は有効であも砥 上記関係を満たすた△
第一磁性膜と第二磁性膜の間に第三の磁性膜があってk
本発明は有効である。
量を22%にすることにより、記録時のバイアス磁場を
外部から供給することなしに 光パワー変調によりオー
バーライドする事ができも以下本発明の第2の実施例に
ついて図面を参照しなから説明すも 記録時にバイアス磁界を外部から供給しなか氏7i −
パーライト特性を調べr= これを第3図に示す。第
一の実施例に示した構成の光磁気ディスクを用いて測定
した結果が曲線aであり、第二磁性膜をTbs a F
es 2Cot sとしたことを除いて第一の実施例に
示したと同様の光磁気ディスクを用いて測定した結果が
曲線すであも 第3図から明かな通り、いずれの場合に
於いてL 記録特殊部磁界ゼロ、すなわち記録時のバイ
アスが全く無い場合に於いても良好なC/N比が得られ
も 以上のように 本実施例から第二磁性膜のCo添加量を
15%以上にすることにより、記録時のバイアス磁界発
生手段を省略することができも直 本実施例に於いて、
第一磁性膜11はTba +pev*とした力支 常温
での保磁力が第二磁性膜から受ける交換結合磁界より大
きく、第二磁性膜に比較してキュリー点が低く、且つ常
温で第二磁性膜の保磁力に各磁性膜間に働く交換結合磁
界を加えた より大きな保磁力を有するものであれば
本発明は有効であ4K 本実施例に於いて、第二磁性
膜12はTbFeCoとした力t キュリー点よりやや
低めの室温より高い温度領域に於いて、Co添加による
残留磁化の上昇が期待できム 希土類(Tb、 Gd、
Dy、 Ho、 Nd等)と遷移金属(Fe、Ni等
)の合金を主とした金属からなり、常温での保磁力が第
一の磁性膜から受ける交換結合磁界の保磁力より大きく
、且つ第一磁性膜の保磁力から各磁性膜間に働く交換結
合磁界を差し引いたより小さな保磁力を有するものであ
れば 本発明は有効であも砥 上記関係を満たすた△
第一磁性膜と第二磁性膜の間に第三の磁性膜があってk
本発明は有効である。
発明の効果
以上のように 光投入面側より、第−磁性風第二磁性膜
の順に積層され 初期化磁石により第二磁性膜を一定方
向に着磁した眞 第二磁性膜の磁化を第一磁性膜に転写
する低パワーモードと、第二磁性膜と第一磁性膜の両者
を前記着磁方向とは逆方向に着磁する高パワーモードと
を光パワー変調により実現する光磁気記録媒体に於いて
、第二磁性膜のCo添加量を15%以上にする事により
記録時のバイアス磁場をなくする事ができも また 単
に記録装置を簡素化するだけでなく、本発明に加え初期
化磁石をディスク面に対し 光学ヘッドと同じ側に配置
することにより、逆の側は完全にフリーと戊り、記録再
生装置の薄型化をも可能とするものであも
の順に積層され 初期化磁石により第二磁性膜を一定方
向に着磁した眞 第二磁性膜の磁化を第一磁性膜に転写
する低パワーモードと、第二磁性膜と第一磁性膜の両者
を前記着磁方向とは逆方向に着磁する高パワーモードと
を光パワー変調により実現する光磁気記録媒体に於いて
、第二磁性膜のCo添加量を15%以上にする事により
記録時のバイアス磁場をなくする事ができも また 単
に記録装置を簡素化するだけでなく、本発明に加え初期
化磁石をディスク面に対し 光学ヘッドと同じ側に配置
することにより、逆の側は完全にフリーと戊り、記録再
生装置の薄型化をも可能とするものであも
第1図は本発明の第1の実施例に於ける光磁気記録媒体
の釦参奏葎奉母動作説明@ 第2図は本発明の第1の実
施例に於ける高パワーモードでの動作説明阻 第3図は
第1及び第2の実施例に於ける特性は 第4図は従来例
に於ける動作説明図であム 11・・・第−磁性風 12・・・第二磁性風13・・
・記録用レーザービー414・・・初期化磁石 41・
・・第−磁性風 42・・・第二磁性lL 43・・・
記録用レーザービーん 44・・・初期化磁石 45・
・・記録時ノくイアス磁も
の釦参奏葎奉母動作説明@ 第2図は本発明の第1の実
施例に於ける高パワーモードでの動作説明阻 第3図は
第1及び第2の実施例に於ける特性は 第4図は従来例
に於ける動作説明図であム 11・・・第−磁性風 12・・・第二磁性風13・・
・記録用レーザービー414・・・初期化磁石 41・
・・第−磁性風 42・・・第二磁性lL 43・・・
記録用レーザービーん 44・・・初期化磁石 45・
・・記録時ノくイアス磁も
Claims (1)
- 光投入面側に位置する第一の磁性膜と、前記第一の磁性
膜とは異なる第二の磁性膜とから成り、前記第二の磁性
膜を光加熱することなく一方向に着磁した後に、低い光
パワーにて前記第二の磁性膜の磁化を前記第一の磁性膜
に転写する低パワーモードと、高い光パワーにて前記第
一の磁性膜及び前記第二の磁性膜共に低パワーモードと
は逆向きの磁化を与える高パワーモードの2つのパワー
モード切り替えにより記録を行なう光磁気記録媒体にお
いて、前記第二の磁性膜が主として希土類と遷移金属の
合金から成り、且つCo添加量が15%以上であること
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7372690A JPH03273541A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7372690A JPH03273541A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03273541A true JPH03273541A (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=13526522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7372690A Pending JPH03273541A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03273541A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01292648A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Nikon Corp | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
JPH02168455A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-06-28 | Toshiba Corp | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7372690A patent/JPH03273541A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01292648A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Nikon Corp | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
JPH02168455A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-06-28 | Toshiba Corp | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 |
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