JPH02166281A - 電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
電界効果トランジスタの製造方法Info
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- JPH02166281A JPH02166281A JP32023288A JP32023288A JPH02166281A JP H02166281 A JPH02166281 A JP H02166281A JP 32023288 A JP32023288 A JP 32023288A JP 32023288 A JP32023288 A JP 32023288A JP H02166281 A JPH02166281 A JP H02166281A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、集積回路、フラットデイスプレィ等の電界効
果トランジスターのゲート酸化膜、絶縁膜に用いられる
二酸化シリコン薄膜の製造方法に関する。
果トランジスターのゲート酸化膜、絶縁膜に用いられる
二酸化シリコン薄膜の製造方法に関する。
［従来の技術］
近年、液晶デイスプレィ等のフラットデイスプレィは、
その機動性の高さから、様々な分野での応用が期待され
、盛んに研究が行われている。そしてその応用の際には
、表示領域の拡大、画質の向上が重要な課題である。
その機動性の高さから、様々な分野での応用が期待され
、盛んに研究が行われている。そしてその応用の際には
、表示領域の拡大、画質の向上が重要な課題である。
液晶デイスプレィは大きく分けて、単純マトリクス型と
アクティブマトリクス型に分けられるが、単純マトリク
ス型の場合、時分割で処理して画素の数をふやしている
ため、画質を高くすることに限界がある。そこで、アク
ティブマトリクス型の液晶デイスプレィに大きな期待が
寄せられている。
アクティブマトリクス型に分けられるが、単純マトリク
ス型の場合、時分割で処理して画素の数をふやしている
ため、画質を高くすることに限界がある。そこで、アク
ティブマトリクス型の液晶デイスプレィに大きな期待が
寄せられている。
しかし、アクティブマトリクス型の場合、表示領域の拡
大、画素の増大に伴い、アクティブデバイス等の容量に
よる影響での信号遅延が顕著になるため、電界効果トラ
ンジスターの特性による制限から、画素数に上、限があ
る。これを解決するには、電界効果トランジスターの特
性の向上が重要な課題である。
大、画素の増大に伴い、アクティブデバイス等の容量に
よる影響での信号遅延が顕著になるため、電界効果トラ
ンジスターの特性による制限から、画素数に上、限があ
る。これを解決するには、電界効果トランジスターの特
性の向上が重要な課題である。
従来の一般的な二酸化シリコン薄膜の製造方法は、原料
にモノシランと酸素、もしくは空気を用いた常圧または
減圧ＣＶＤ法を用いていた。
にモノシランと酸素、もしくは空気を用いた常圧または
減圧ＣＶＤ法を用いていた。
［発明が解決しようとする課題及び目的］しかし、従来
の二酸化シリコン薄膜の製造方法を用いて作製した二酸
化シリコン薄膜を、ゲート酸化膜や絶縁膜に用いた電界
効果トランジスターは、該薄膜中へのわずかなアルカリ
金属の混入により、閾値電圧のシフトや、電気的特性の
経時安定性が低下したりする現象がみられるようになり
、素子の信頼性を高めるためには非常な困難が伴う。
の二酸化シリコン薄膜の製造方法を用いて作製した二酸
化シリコン薄膜を、ゲート酸化膜や絶縁膜に用いた電界
効果トランジスターは、該薄膜中へのわずかなアルカリ
金属の混入により、閾値電圧のシフトや、電気的特性の
経時安定性が低下したりする現象がみられるようになり
、素子の信頼性を高めるためには非常な困難が伴う。
そこで本発明による製造方法は、二酸化シリコン薄膜を
形成する原料として、シリコンとハロゲンとアルキル基
を含む化合物を用いることにより、アルカリ金属の混入
による電界効果トランジスターの電気的特性の不安定化
を解決するものである。
形成する原料として、シリコンとハロゲンとアルキル基
を含む化合物を用いることにより、アルカリ金属の混入
による電界効果トランジスターの電気的特性の不安定化
を解決するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明による製造方法は、二酸化シリコン薄膜を形成す
る原料として、シリコンとハロゲンとアルキル基を含む
化合物を用いることを特徴とする。
る原料として、シリコンとハロゲンとアルキル基を含む
化合物を用いることを特徴とする。
［作用コ
ゲート酸化膜の二酸化シリコン薄膜を形成する際に混入
したアルカリ金属は、電界効果トランジスターのチャン
ネル部のシリコンと、ゲート酸化膜の二酸化シリコンの
界面にトラップされてイオンとなり、ゲートに電圧がか
かるたび二酸化シリコン薄膜中を移動し、電界効果トラ
ンジスターの電気的特性の不安定化をもたらす。
したアルカリ金属は、電界効果トランジスターのチャン
ネル部のシリコンと、ゲート酸化膜の二酸化シリコンの
界面にトラップされてイオンとなり、ゲートに電圧がか
かるたび二酸化シリコン薄膜中を移動し、電界効果トラ
ンジスターの電気的特性の不安定化をもたらす。
ハロゲンはアルカリ金属と反応して安定な化合物を形成
するため、二酸化シリコンを形成する際にハロゲンを含
む化合物を原料に用いることにより、混入したアルカリ
金属はハロゲンと反応し安定化し、電界効果トランジス
ターの電気的特性は安定になる。
するため、二酸化シリコンを形成する際にハロゲンを含
む化合物を原料に用いることにより、混入したアルカリ
金属はハロゲンと反応し安定化し、電界効果トランジス
ターの電気的特性は安定になる。
また、゛絶縁膜に用いた場合も同様な効果をもだら゛す
。
。
［実施例コ
第１図は、本発明による製造方法を実現する製造装置の
一例である。
一例である。
原料である、シリコンとハロゲ・ンとアルキル基を含む
化合物１は、常温で液体もしくは固体であり、バブラー
２中に封入されている。このバブラー２は、原料に対し
不活性な気体３を導入することにより、原料を蒸気の形
で含む気体として取り出すことができ、導入した原料に
対し不活性な気体３の流量と、バブラーの温度を制御す
ることにより、一定量の原料を取り出すことが可能であ
る。
化合物１は、常温で液体もしくは固体であり、バブラー
２中に封入されている。このバブラー２は、原料に対し
不活性な気体３を導入することにより、原料を蒸気の形
で含む気体として取り出すことができ、導入した原料に
対し不活性な気体３の流量と、バブラーの温度を制御す
ることにより、一定量の原料を取り出すことが可能であ
る。
恒温槽４は、バブラー２中のシリコンとハロゲンとアル
キル基を含む化合物１を一定の温度に保つ役目をなす。
キル基を含む化合物１を一定の温度に保つ役目をなす。
また、流量制御装置５は、導入する原料に対し不活性な
気体３、もう一つの原料である酸素６の流量を一定に保
つ役目をなす。酸素６はボンベ中に封入されている。そ
れらの原料は、反応管７中に導入され、ヒーター８によ
り加熱されたサセプター９上の基板１０の上で反応し、
該基板上に二酸化シリコン薄膜が形成される。
気体３、もう一つの原料である酸素６の流量を一定に保
つ役目をなす。酸素６はボンベ中に封入されている。そ
れらの原料は、反応管７中に導入され、ヒーター８によ
り加熱されたサセプター９上の基板１０の上で反応し、
該基板上に二酸化シリコン薄膜が形成される。
なお、□原料である、シリコンとハロゲンとアルキル基
を含む化合物１としては、例えば以下のものが使用でき
、それらの沸点は以下の通りである。
を含む化合物１としては、例えば以下のものが使用でき
、それらの沸点は以下の通りである。
上記では、ハロゲンとして塩化物イオンを用いた場合を
示したが、そのほかのハロゲンの化合物を用いても同様
な効果が期待できることは明らかであり、それらも本発
明の範噴に属する。また、本発明による製造方法では、
二酸化シリコンを作製する場合を示したが、ほかのシリ
コンを含む化合物、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、
炭化シリコン、はう化シリコンなどにも同様に応用する
ことができる。
示したが、そのほかのハロゲンの化合物を用いても同様
な効果が期待できることは明らかであり、それらも本発
明の範噴に属する。また、本発明による製造方法では、
二酸化シリコンを作製する場合を示したが、ほかのシリ
コンを含む化合物、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、
炭化シリコン、はう化シリコンなどにも同様に応用する
ことができる。
［発明の効果］
第１図に示した製造装置を用いて、シリコンとハロゲン
とアルキル基を含む化合物１としてジメチルジクロロシ
ランを用い、二酸化シリコン薄膜を形成し、それを用い
た電界効果トランジスターを形成し、該電界効果トラン
ジスターを加速試験をして信頼性を確認したところ、従
来の製造方法を用いて形成した二酸化シリコン薄膜を用
いた電界効果トランジスターより、−桁以上信頼性が高
いことがわかった。
とアルキル基を含む化合物１としてジメチルジクロロシ
ランを用い、二酸化シリコン薄膜を形成し、それを用い
た電界効果トランジスターを形成し、該電界効果トラン
ジスターを加速試験をして信頼性を確認したところ、従
来の製造方法を用いて形成した二酸化シリコン薄膜を用
いた電界効果トランジスターより、−桁以上信頼性が高
いことがわかった。
本発明が、半導体素子形成技術へもたらす効果は大きな
ものであることを確信する。
ものであることを確信する。
１・・・・・・シリコンとハロゲンとアルキル基を含む
化合物 ２・・・・・・バブラー ３・・・・・・原料に対し不活性な気体４・・・・・・
恒温槽 ５・・・・・・流量制御装置 ６・・・・・・酸素 ７・・・・・・反応管 ８・・・・・・ヒーター ９・・・・・・サセプター １０・・・・・・基板 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳 雅誉 化１名第１図は、
本発明による製造方法を実現する製造装置の一例を示す
図。 （ト
化合物 ２・・・・・・バブラー ３・・・・・・原料に対し不活性な気体４・・・・・・
恒温槽 ５・・・・・・流量制御装置 ６・・・・・・酸素 ７・・・・・・反応管 ８・・・・・・ヒーター ９・・・・・・サセプター １０・・・・・・基板 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳 雅誉 化１名第１図は、
本発明による製造方法を実現する製造装置の一例を示す
図。 （ト
Claims (2)
- （１）二酸化シリコン薄膜を形成する原料として、シリ
コンとハロゲンとアルキル基を含む化合物を用いること
を特徴とする、二酸化シリコン薄膜の製造方法。 - （２）シリコンとハロゲンとアルキル基を含む化合物と
して、トリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、メチルトリクロロシラン、メチルジクロロシラン、
ジメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、
メチルビニルジクロロシラン、メチルクロロジシラン、
トリフェニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシ
ラン、ジフェニルジクロロシラン、メチルフェニルジク
ロロシラン、フェニルトリクロロシラン、クロロメチル
ジメチルクロロシラン、ビニルトリクロロシラン、γ−
クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピ
ルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシ
シランのうちいずれか、またはそれらの化合物の塩化物
イオンを他のハロゲン元素で置き換えたものを用いるこ
とを特徴とする第１項記載の二酸化シリコン薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63320232A JP2800210B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63320232A JP2800210B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166281A true JPH02166281A (ja) | 1990-06-26 |
| JP2800210B2 JP2800210B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=18119200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63320232A Expired - Fee Related JP2800210B2 (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2800210B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07211712A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法 |
| JP2012216873A (ja) * | 2008-06-03 | 2012-11-08 | Air Products & Chemicals Inc | ケイ素含有フィルムの低温堆積 |
| US8906455B2 (en) | 2008-06-02 | 2014-12-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low temperature deposition of silicon-containing films |
| JP2021509765A (ja) * | 2018-11-30 | 2021-04-01 | ハンソル ケミカル カンパニー リミテッドＨａｎｓｏｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | シリコン前駆体およびこれを用いたシリコン含有薄膜の製造方法 |
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| JPS60100675A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Canon Inc | 堆積膜の形成法 |
| JPS61248418A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP63320232A patent/JP2800210B2/ja not_active Expired - Fee Related
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