JP2730156B2 - 多結晶シリコン膜の形成方法 - Google Patents
多結晶シリコン膜の形成方法Info
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- JP2730156B2 JP2730156B2 JP7252189A JP7252189A JP2730156B2 JP 2730156 B2 JP2730156 B2 JP 2730156B2 JP 7252189 A JP7252189 A JP 7252189A JP 7252189 A JP7252189 A JP 7252189A JP 2730156 B2 JP2730156 B2 JP 2730156B2
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- Japan
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- polycrystalline silicon
- silicon film
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- oxygen atom
- forming
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は多結晶シリコン膜の形成方法に関し、特に溶
液塗布法を用いた多結晶シリコン膜の形成方法に関す
る。
液塗布法を用いた多結晶シリコン膜の形成方法に関す
る。
従来、半導体装置の製造工程における多結晶シリコン
膜は、通常シランガスを用いる減圧CVD法により、500℃
以上の温度で形成されていた。
膜は、通常シランガスを用いる減圧CVD法により、500℃
以上の温度で形成されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕 上述したCVD法による従来の多結晶シリコン膜の形成
方法は、以下のような欠点がある。すなわち、発火性の
高いシランガスを用いるため危険である。また、減圧CV
D法で形成することから、生産性が低く、コストが高い
という問題がある。さらに堆積速度は高温になるほど大
きいが、高温で成長した場合には、結晶粒が大きくなる
ため表面の凹凸が大きくなり、多結晶シリコン膜を超LS
I等のゲート電極や配線などに用いる場合には、電気的
特性の劣化をひきおこす等の問題が生じる。
方法は、以下のような欠点がある。すなわち、発火性の
高いシランガスを用いるため危険である。また、減圧CV
D法で形成することから、生産性が低く、コストが高い
という問題がある。さらに堆積速度は高温になるほど大
きいが、高温で成長した場合には、結晶粒が大きくなる
ため表面の凹凸が大きくなり、多結晶シリコン膜を超LS
I等のゲート電極や配線などに用いる場合には、電気的
特性の劣化をひきおこす等の問題が生じる。
本発明の目的は、上記の問題点を解決し、危険性がな
く、電気的特性の劣化を生じることがなく、しかも生産
性の高い多結晶シリコン膜の形成方法を提供することに
ある。
く、電気的特性の劣化を生じることがなく、しかも生産
性の高い多結晶シリコン膜の形成方法を提供することに
ある。
本発明の多結晶シリコン膜の形成方法は、酸素原子を
含まない有機溶剤中に化学式（Ｒ−Si）８で示されるオ
クタシュラキュバン、又は化学式 で示されるパーシラポリアセチレン、又は化学式 で示されるラダーポリシランにそれぞれ代表される酸素
原子を含まない有機シリコン化合物（ただし、R:アルキ
ル基,n:正の整数）を少なくとも１種類溶解した塗布溶
液をシリコン基板上に塗布したのち、不活性ガス中で熱
処理するものである。
含まない有機溶剤中に化学式（Ｒ−Si）８で示されるオ
クタシュラキュバン、又は化学式 で示されるパーシラポリアセチレン、又は化学式 で示されるラダーポリシランにそれぞれ代表される酸素
原子を含まない有機シリコン化合物（ただし、R:アルキ
ル基,n:正の整数）を少なくとも１種類溶解した塗布溶
液をシリコン基板上に塗布したのち、不活性ガス中で熱
処理するものである。
発明者は、これらの溶質及び溶媒は酸素原子を含まな
いため、塗布法により高い導電性を有する多結晶シリコ
ン膜が形成されることを見出し、本発明に至ったもので
ある。
いため、塗布法により高い導電性を有する多結晶シリコ
ン膜が形成されることを見出し、本発明に至ったもので
ある。
次に本発明の実施例について説明する。
塗布溶液として１のキシレンに200gのオクタシュラ
キュバンを溶したものを作成した。シリコン基板として
は、表面に厚さ約1000Åの酸化膜を有する４インチのシ
リコンウェハを用いた。
キュバンを溶したものを作成した。シリコン基板として
は、表面に厚さ約1000Åの酸化膜を有する４インチのシ
リコンウェハを用いた。
まず洗浄を施したシリコン基板上に4000回転／分で20
秒間上記の塗布溶液をスピンコートしたのち、300℃で3
0分間、続いて900℃で30分間窒素ガス雰囲気中で熱処理
し、厚さ約4000Åの多結晶シリコン膜を得た。形成され
た多結晶シリコン膜の特性Ｘ線の分析を行ったところ、
不純物原子がほとんどない多結晶シリコン膜であること
がわかった。
秒間上記の塗布溶液をスピンコートしたのち、300℃で3
0分間、続いて900℃で30分間窒素ガス雰囲気中で熱処理
し、厚さ約4000Åの多結晶シリコン膜を得た。形成され
た多結晶シリコン膜の特性Ｘ線の分析を行ったところ、
不純物原子がほとんどない多結晶シリコン膜であること
がわかった。
尚、塗布溶液としては、トルエンやキシレン等の酸素
を含まない溶媒に、パーシラポリアセチレン又はラダー
ポリシラン等に代表される酸素原子を含まない有機シリ
コン化合物を溶解したものを用いることができる。
を含まない溶媒に、パーシラポリアセチレン又はラダー
ポリシラン等に代表される酸素原子を含まない有機シリ
コン化合物を溶解したものを用いることができる。
このように本実施例によれば、CVD法で使われるシラ
ンガス等の危険なガスを使用する必要がないため、作業
性に優れ、さらに、CVD法で見られるような結晶粒の成
長もなく、表面の平坦性に優れるという利点を有してい
る。これは、薄膜を扱う超LSI等の半導体装置には有効
である。
ンガス等の危険なガスを使用する必要がないため、作業
性に優れ、さらに、CVD法で見られるような結晶粒の成
長もなく、表面の平坦性に優れるという利点を有してい
る。これは、薄膜を扱う超LSI等の半導体装置には有効
である。
次にこのようにして形成した多結晶シリコン膜に、不
純物を熱拡散によって添加した例を説明する。
純物を熱拡散によって添加した例を説明する。
不純物ソースとしては、POCl3の液体を用い、多結晶
シリコン膜が形成されたウェハのおかれた炉芯管内に導
入し、900℃の温度で40分間拡散し、リン原子を添加し
た。次に、表面に形成されたリンガラス層をフッ酸の水
溶液中でエッチング除去した。
シリコン膜が形成されたウェハのおかれた炉芯管内に導
入し、900℃の温度で40分間拡散し、リン原子を添加し
た。次に、表面に形成されたリンガラス層をフッ酸の水
溶液中でエッチング除去した。
上記のようにリン原子を拡散した多結晶シリコン膜の
非抵抗を測定したところ、約600μΩ−cmであった。こ
れは、CVD法で形成した同じ膜厚の多結晶シリコン膜
に、同じ条件でリン拡散を行った場合と同程度の値であ
った。
非抵抗を測定したところ、約600μΩ−cmであった。こ
れは、CVD法で形成した同じ膜厚の多結晶シリコン膜
に、同じ条件でリン拡散を行った場合と同程度の値であ
った。
以上説明したように本発明は、オクタシュラキュバ
ン、又はパーシラポリアセチレン、又はラダーポリシラ
ンに代表される酸素原子を含まない有機シリコン化合物
のうちの少くとも１種類を、酸素原子を含まない有機溶
剤に溶解した塗布溶液を作り、この塗布溶液をシリコン
基板に塗布し不活性ガス中で熱処理することにより、危
険性や電気的特性の劣化を生じることがなく、しかも生
産性の高い多結晶シリコン膜を形成できるという効果が
ある。
ン、又はパーシラポリアセチレン、又はラダーポリシラ
ンに代表される酸素原子を含まない有機シリコン化合物
のうちの少くとも１種類を、酸素原子を含まない有機溶
剤に溶解した塗布溶液を作り、この塗布溶液をシリコン
基板に塗布し不活性ガス中で熱処理することにより、危
険性や電気的特性の劣化を生じることがなく、しかも生
産性の高い多結晶シリコン膜を形成できるという効果が
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】酸素原子を含まない有機溶剤中に化学式
（Ｒ−Si）８で示されるオクタシュラキュバン、又は化
学式 で示されるパーシラポリアセチレン、又は化学式 で示されるラダーポリシランにそれぞれ代表される酸素
原子を含まない有機シリコン化合物（ただし、R:アルキ
ル基,n:正の整数）を少くとも１種類溶解した塗布溶液
をシリコン基板上に塗布したのち、不活性ガス中で熱処
理することを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252189A JP2730156B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 多結晶シリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252189A JP2730156B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 多結晶シリコン膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02251135A JPH02251135A (ja) | 1990-10-08 |
| JP2730156B2 true JP2730156B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=13491717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7252189A Expired - Lifetime JP2730156B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 多結晶シリコン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730156B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866471A (en) * | 1995-12-26 | 1999-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming semiconductor thin film and method of fabricating solar cell |
| TW539709B (en) * | 1999-03-30 | 2003-07-01 | Jsr Corp | Coating composition |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP7252189A patent/JP2730156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02251135A (ja) | 1990-10-08 |
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