JPH02165666A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02165666A JPH02165666A JP32246588A JP32246588A JPH02165666A JP H02165666 A JPH02165666 A JP H02165666A JP 32246588 A JP32246588 A JP 32246588A JP 32246588 A JP32246588 A JP 32246588A JP H02165666 A JPH02165666 A JP H02165666A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に高抵抗の多
結晶シリコン抵抗体を備えた半導体装置の製造方法に関
する。
結晶シリコン抵抗体を備えた半導体装置の製造方法に関
する。
従来、ＭＯＳメモリ集積回路等に多結晶シリコン抵抗体
を形成する場合、第３図に示すように半導体基板１上に
形成された絶縁膜２上に多結晶シリコン層３を２０００
人被着しく同図（ａ））次いで所定の抵抗値とするため
リン等の不純物をドーズ量φ＝ ５ Ｘ １０１′ｃｍ
−”程度イオン注入し、次にこの多結晶シリコン層をパ
ターニングし、続いて多結晶シリコン表面を薄く３００
人酸化し、窒化シリコン膜５を１２００人被着し、窒化
シリコン膜５をパターニングして配線として使用する領
域及びＡＪ２配線層とコンタクトをとる領域にリン等の
不純物を高濃度にドーズ量φ＝ Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ
−”程度イオン注入し、次に層間絶縁膜６としてリンガ
ラス層等を７０００人被着し、コンタクト孔を開孔でき
、アルミ配線層７を形成して作られていた。
を形成する場合、第３図に示すように半導体基板１上に
形成された絶縁膜２上に多結晶シリコン層３を２０００
人被着しく同図（ａ））次いで所定の抵抗値とするため
リン等の不純物をドーズ量φ＝ ５ Ｘ １０１′ｃｍ
−”程度イオン注入し、次にこの多結晶シリコン層をパ
ターニングし、続いて多結晶シリコン表面を薄く３００
人酸化し、窒化シリコン膜５を１２００人被着し、窒化
シリコン膜５をパターニングして配線として使用する領
域及びＡＪ２配線層とコンタクトをとる領域にリン等の
不純物を高濃度にドーズ量φ＝ Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ
−”程度イオン注入し、次に層間絶縁膜６としてリンガ
ラス層等を７０００人被着し、コンタクト孔を開孔でき
、アルミ配線層７を形成して作られていた。
上述した従来の製造方法では多結晶シリコン層の抵抗体
となる領域と配線及びコンタクト孔を開孔する領域とを
分離するために窒化シリコン膜をマスク材として不純物
のイオン注入を行い、またこの窒化シリコン膜を残した
まま素子を完成させるため、第３−２図のように多結晶
シリコン抵抗体近くの領域は表面には、多結晶シリコン
の膜厚２０００人と窒化シリコン膜厚１２００人で合計
３５００人程度０凹凸ができ上層にあるアルミ配線層の
断線、ショートの原因となり、素子の歩留り、信頼性を
低下させるという欠点があった。
となる領域と配線及びコンタクト孔を開孔する領域とを
分離するために窒化シリコン膜をマスク材として不純物
のイオン注入を行い、またこの窒化シリコン膜を残した
まま素子を完成させるため、第３−２図のように多結晶
シリコン抵抗体近くの領域は表面には、多結晶シリコン
の膜厚２０００人と窒化シリコン膜厚１２００人で合計
３５００人程度０凹凸ができ上層にあるアルミ配線層の
断線、ショートの原因となり、素子の歩留り、信頼性を
低下させるという欠点があった。
また、上述した従来の製造方法では多結晶シリコン抵抗
体の上に窒化シリコン膜が残る構造となるため、この窒
化シリコン膜に電荷がトラップされて多結晶シリコン低
抗体の寄性トランジスタ効果により抵抗値が変動すると
いう欠点もある。この欠点を解決するためにイオン注入
のマスク材である窒化シリコン膜を除去しようとすると
例えば加熱したリン酸でエツチングすると下地の多結晶
シリコン層表面がリン酸によりやられて素子の特性１歩
留りを大幅に下げる事になる。またマスク材としてフォ
トレジストを用いる高濃度イオン注入によりフォトレジ
ストが硬化し剥離除去できなくなってしまう。また二酸
化シリコン膜マスクではこれを除去しようとすると下地
の絶縁膜までエツチングされてしまうため、これを除去
する事はできない。
体の上に窒化シリコン膜が残る構造となるため、この窒
化シリコン膜に電荷がトラップされて多結晶シリコン低
抗体の寄性トランジスタ効果により抵抗値が変動すると
いう欠点もある。この欠点を解決するためにイオン注入
のマスク材である窒化シリコン膜を除去しようとすると
例えば加熱したリン酸でエツチングすると下地の多結晶
シリコン層表面がリン酸によりやられて素子の特性１歩
留りを大幅に下げる事になる。またマスク材としてフォ
トレジストを用いる高濃度イオン注入によりフォトレジ
ストが硬化し剥離除去できなくなってしまう。また二酸
化シリコン膜マスクではこれを除去しようとすると下地
の絶縁膜までエツチングされてしまうため、これを除去
する事はできない。
本発明の半導体装置の製造方法は、多結晶シリコンによ
る抵抗体を有する半導体装置において、半導体基板上に
絶縁膜を介して形成された多結晶シリコン層に高抵抗と
なる領域と低抵抗となる領域を選択的に形成する工程と
高抵抗領域と低抵抗領域を分離するためのマスク材を除
去する工程と、前記多結晶シリコン層をフォトリソグラ
フィ技術を用いて高抵抗となる領域、低抵抗となる領域
を同時にパターニングし、多結晶シリコン抵抗体及び多
結晶シリコン配線層を形成する工程と、前記多結晶シリ
コン低抗体及び多結晶シリコン配線層表面に二酸化シリ
コン膜を被着する工程とを有している。
る抵抗体を有する半導体装置において、半導体基板上に
絶縁膜を介して形成された多結晶シリコン層に高抵抗と
なる領域と低抵抗となる領域を選択的に形成する工程と
高抵抗領域と低抵抗領域を分離するためのマスク材を除
去する工程と、前記多結晶シリコン層をフォトリソグラ
フィ技術を用いて高抵抗となる領域、低抵抗となる領域
を同時にパターニングし、多結晶シリコン抵抗体及び多
結晶シリコン配線層を形成する工程と、前記多結晶シリ
コン低抗体及び多結晶シリコン配線層表面に二酸化シリ
コン膜を被着する工程とを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を工程順
に示す縦断面図である。まず第１図（ａ）に示す様に、
半導体基板１上に絶縁膜２を介して装着された多結晶シ
リコ７１２０００人３上に選択的に二酸化シリコン膜４
を５０００人形成し、この二酸化シリコン膜をマスク材
としてリンを高濃度にドーズ量φ＝ＩＥ１６イオン注入
し低抵抗となる領域を作る。この時イオン注入されてい
ない二酸化シリコン膜下の多結晶シリコン層は高抵抗領
域となる。次に第１図（ｂ）に示す様に二酸化シリコン
膜をバッフアートフッ酸により除去し続いて多結晶シリ
コン層をフォトリソグラフィ技術を用いて高抵抗となる
領域及び低抵抗となる領域を同時にパターニングする。
に示す縦断面図である。まず第１図（ａ）に示す様に、
半導体基板１上に絶縁膜２を介して装着された多結晶シ
リコ７１２０００人３上に選択的に二酸化シリコン膜４
を５０００人形成し、この二酸化シリコン膜をマスク材
としてリンを高濃度にドーズ量φ＝ＩＥ１６イオン注入
し低抵抗となる領域を作る。この時イオン注入されてい
ない二酸化シリコン膜下の多結晶シリコン層は高抵抗領
域となる。次に第１図（ｂ）に示す様に二酸化シリコン
膜をバッフアートフッ酸により除去し続いて多結晶シリ
コン層をフォトリソグラフィ技術を用いて高抵抗となる
領域及び低抵抗となる領域を同時にパターニングする。
次に第１図（Ｃ）に示す様に、多結晶シリコン層表面に
二酸化シリコン膜５５００人を被着し次いで層間絶縁膜
としてリガラス層６を７０００λ被着しコンタクト孔を
開孔しＡｆｆｌ配線層６を形成し素子を完成させる。
二酸化シリコン膜５５００人を被着し次いで層間絶縁膜
としてリガラス層６を７０００λ被着しコンタクト孔を
開孔しＡｆｆｌ配線層６を形成し素子を完成させる。
この様にすれば多結晶シリコン層による配線となる領域
の抵抗を下げるためのリンのイオン注入時のマスク材は
イオン注入後に除去されてしまうため、素子表面は平坦
性を有しており、素子の歩留り、信頼性の低下を防止で
きる。また従来例で述べたイオン注入のマスク材である
窒化シリコン膜は使わないか二酸化シリコン膜のかわり
に窒化シリコン膜を用いた場合でもこの窒化シリコン膜
は製造工程中に除去してしまうため電荷が窒化シリコン
膜にトラップされたために起こる抵抗値の変動もなくす
る事ができる。
の抵抗を下げるためのリンのイオン注入時のマスク材は
イオン注入後に除去されてしまうため、素子表面は平坦
性を有しており、素子の歩留り、信頼性の低下を防止で
きる。また従来例で述べたイオン注入のマスク材である
窒化シリコン膜は使わないか二酸化シリコン膜のかわり
に窒化シリコン膜を用いた場合でもこの窒化シリコン膜
は製造工程中に除去してしまうため電荷が窒化シリコン
膜にトラップされたために起こる抵抗値の変動もなくす
る事ができる。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例２の縦断面図で
ある。本実施例ではまず半導体基板上に絶縁層を介して
被着された多結晶シリコン上に高抵抗領域を覆う様に選
択的に二酸化シリコン膜を形成し次いでタングステン、
チタン等の高融点金属９を２０００人被着する。次に窒
素雰囲気中で９５０℃（以上）の高温熱処理を施し、続
いて高融点金属層及び二酸化シリコン膜を除去する。こ
の様にすれば高融点金属と多結晶シリコンが密着してい
た低抵抗領域表面には高融点金属シリサイド領域１０が
形成される。この方法ではイオン注入により低抵抗領域
を作ったときよりも配線領域の抵抗を低減できるという
利点がある。続いて多結晶シリコン層をパターニングし
さらに第１の実施例と同様に層間絶縁膜、Ａ１配線を形
成し、素子を完成させる。
ある。本実施例ではまず半導体基板上に絶縁層を介して
被着された多結晶シリコン上に高抵抗領域を覆う様に選
択的に二酸化シリコン膜を形成し次いでタングステン、
チタン等の高融点金属９を２０００人被着する。次に窒
素雰囲気中で９５０℃（以上）の高温熱処理を施し、続
いて高融点金属層及び二酸化シリコン膜を除去する。こ
の様にすれば高融点金属と多結晶シリコンが密着してい
た低抵抗領域表面には高融点金属シリサイド領域１０が
形成される。この方法ではイオン注入により低抵抗領域
を作ったときよりも配線領域の抵抗を低減できるという
利点がある。続いて多結晶シリコン層をパターニングし
さらに第１の実施例と同様に層間絶縁膜、Ａ１配線を形
成し、素子を完成させる。
以上説明したように本発明は、多結晶シリコン抵抗体を
作る際、まず高抵抗領域と低抵抗領域を分離形成し、次
にこの高抵抗領域と低抵抗領域を分離するためのマスク
材を除去し、次に多結晶シリコン層をパターニングする
事により素子の平坦化が実現でき、高歩留り、高信頼性
を有する半導体装置を得る事ができる効果がある。
作る際、まず高抵抗領域と低抵抗領域を分離形成し、次
にこの高抵抗領域と低抵抗領域を分離するためのマスク
材を除去し、次に多結晶シリコン層をパターニングする
事により素子の平坦化が実現でき、高歩留り、高信頼性
を有する半導体装置を得る事ができる効果がある。
である。
１・・・・・・半導体基板、
Claims (1)
- 多結晶シリコンによる抵抗体を有する半導体装置におい
て、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された多結晶シ
リコン層を高抵抗になる領域と低抵抗となる領域とに分
離する工程と、前記高抵抗領域と低抵抗領域を分離する
ためのマスク材を除去する工程と、前記多結晶シリコン
層をパターニングする工程と、前記パターニングされた
多結晶シリコン層表面に二酸化シリコン膜を被着する工
程とを有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32246588A JPH02165666A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32246588A JPH02165666A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165666A true JPH02165666A (ja) | 1990-06-26 |
Family
ID=18143953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32246588A Pending JPH02165666A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02165666A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5324290A (en) * | 1976-08-18 | 1978-03-06 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS59112641A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP32246588A patent/JPH02165666A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5324290A (en) * | 1976-08-18 | 1978-03-06 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS59112641A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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