JPH02155698A - メモリカード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はメモリカードに係り、特に内蔵する半導体メモ
リに情報を記憶するメモリカードに関する。

フロッピ・ディスクと同様に、取扱いが容易でランダム
アクセスが可能な、可搬性のよい大容量記憶装置として
、メモリカードが知られている。

かかるメモリカードは、人間が手に持ち、これを例えば
装置のコネクタに端子を挿入してから、任意の情報を内
蔵する半導体メモリに占き込んだり、あるいは記憶情報
を読み出す。

従って、人体の静電気により、記憶情報が破壊されない
ようにすることが必要となる。

〔従来の技術〕

第７図（Ａ）、（Ｂ）は従来のメモリカードの一例の構
造を示す断面図と平面図を示す。同図（Ａ）、（Ｂ）に
おいて、メモリカード１はモールド枠２と、平板状で導
電性の上カバー３と、平板状でＳ電性の下カバー４とに
より囲繞された偏平空間内に半導体メモリＩＣ５などが
収納配置されており、また複数個の端ｆ６〜６Ｎがモー
ルド枠２を貫通して一部が外部に露出された構成とされ
ている。

上記の端子６１．６Ｎの各他端は、前記したＩＣ５の電
源配線であるＶＣＣ配線７とＶｓｓ配線８に夫々接続さ
れている。Ｖｓｓ配線８の他端は第７図（Ａ）に示す如
く上カバー３と小カバー４の両方に夫々接続されている
。

かかる構造のメモリカード１において、従来は人間が上
カバー３と下カバー４とを手で把持し、コネクタに端子
６〜６Ｎを挿入してから所要の操恰を行なって端子６２
〜６Ｎ−１に入力された情報をＩＣ５に書き込んだり、
書き込まれている情報を読み出すようにしていた。

〔発朗が解決しようとする課題〕

しかるに、メモリカード１を持っている人間が静電気を
帯電していると、メモリカード１をコネクタへ差し込ん
だときにこの静電気が人体−→メモリカード１のＶｓｓ
配線８→コネクタのＶＳＳ、の経路で放電される。この
ため、上記の放電の際にメモリカード１のＶｓｓ配線８
の電位が急激に、かつ、−時的に極めて大きく変化する
。

この場合、ＩＣ５がスタティック・ランダム・アクセス
・メモリ（ＳＲＡＭ）であるとぎは、ＳＲＡＭがメモリ
カード１内のバッテリ（図示せず）からの電源電圧Ｖｓ
ｓ、Ｖｃｃで記憶情報を保持しているが、上記の静電気
放電によるＶｓｓ配線８の電位の極めて大なる変化によ
ってライトイネーブル端子の電位がライトモードになっ
たりして保持している記憶情報が破壊されてしまい、更
には最悪の場合は半導体素子が破壊されることもあった
。

本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、静電気によ
る記憶情報の破壊などを防止できるメモリカードを提供
することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のメモリカードは、電源配線及び信号線のいずれ
にも非接続で、かつ、その一端が筐体の一部を構成して
いる導電体の部材に接続された静電気放電用端子を具備
したものである。

〔作用〕

静電気放電用端子の一端が導電体の部材に接続され、か
つ、信号線や電源配線に非接続とされているから、帯電
した人体からの静電気は、上２の２１電体の部材から静
電気放電用端子を介して放電される。

従って、静電気による放電はメモリカード内の電源配線
を経由して行なわれないから、メモリカード内の半導体
メモリの電源電圧が静電気による放電があっても殆ど変
化しないようにすることができる。

〔実ｆ！ＩＡ＠〕

第１図（Ａ＞、（Ｂ）は本発明の第１実施例の構造を示
す断面図と平面図を示す。同図（Ａ）。

（Ｂ）において、第７図（Ａ）、（Ｂ）と同一構成部分
には同一符号を付し、その説明を省略する。

第１図（Ａ）、（Ｂ）において、１０はメモリカードで
、半導体メモリ（Ｃ５を内蔵すると共に、筐体の一部を
構成する上カバー３と下カバー４とがＳ電体で構成され
ていることは、前記した通りである。

また、１１〜１１Ｎは端子で、モールド枠２を貫通して
一端がメモリカード１０の外部に露出され、かつ、他端
がメモリカード１０の内部に在るよう構成されているａ
喘ｆ１１１〜１１Ｎのうち端子１１　と１１Ｎの各他端
はｙｓｓ配線８゜ｙｃｃ配線７に夫々接続されており、
残りの端子１１〜１１Ｎ−１の各他端は夫々対応する信
号線（図示せず）に接続されている。なお、前記したｖ
ＳＳ配線８は従来と異なり、上カバー３及び下カバー４
には夫々接続されていない。

また１２は静電気放電用端子で、ｔ−ルド枠２を貫通し
て・一端がメモリカード１０の外部に露出され、その他
端がメモリカード１０の内部に在り、かつ、接続線１３
を介して直接に上カバー３と下カバー４に夫々接続され
ている。

本実施例によれば、従来のメモリカード１に比べて端子
数が１個多くなるので、端子１１１〜１１Ｍ及び１２が
夫々挿入されるコネクタ側も挿入部が従来より１つ多く
設けられ、かつ、端ｆ１２が挿入される挿入部は端子１
２の一端をＧＮＤ電位にするよう構成されている。

これにより、帯電した人間が手でメモリカード１０を把
持してコネクタに端子１１１〜１１Ｎ及び１２を挿入し
た場合には、その時に人体の静電気が人体→上カバー３
．下カバー４−→接続線１３→端子１２→コネクタ部な
る経路で放電される。

従ってｙｓｓ配線８には放電電流は流れず、゛ト導体メ
モリＩＣの記憶情報の破壊を防止することができる。

次に本発明の第２実施例について第２図に示すＩｌｌｌ
ｌ造兵に説明する。第２図（Ａ）、（Ｂ）中、第１図（
Ａ）、（Ｂ）と同一構成部分には同一符号を付し、その
説明を省略する。第２図（Ａ）。

（Ｂ）において、２０はメモリカードで、静電気放電用
端子１２を有することは第１実施例と同様であるが、静
電気放電用端子１２の他端をメモリカード２０内で抵抗
２１を介して接続線２２により上カバー３及び下カバー
４に夫々接続した点が第１実施例と異なる。

前記した第１実施例では接続１！Ｊ１３を介して放電が
行なわれるが、急激な電位の変化は容量結合等によりメ
モリＩＣ５に電位変化を与え、記憶情報を破壊するおそ
れが全く無いとはいえない。

これに対し、本実施例によれば、抵抗２１が放電経路中
に挿入されているので、放電が緩やかに行なわれ、メモ
リ１０５の電位変化のおそれは殆どなく、メモリＩＣ５
の記憶情報の破壊を略完全になくすことができる。なお
、抵抗２１の値は例えば数にΩ程度である。

次に本発明の第３実施例について第３図に丞す構造図と
共に説明する。第３図（Ａ）、（Ｂ）中、第１図＜Ａ）
、（Ｂ）と同一構成部分には同一符号を付し、その説明
を省略する。第３図（Ａ）。

（Ｂ）において、３０はメモリカード、３１は静電気放
電用端子、３２は接続線である。

静電気放電用端子３１はモールド枠２を貫通して・一端
がメモリカード３０の外部へ露出され、他端がメモリカ
ード３０の内部を接続線３２を介して上カバー３と下カ
バー４とに夫々接続されている。また、この静電気放電
用端ｆ３１はメモリカード３０の外部へ露出されている
部分の長さが他の喘Ｔ−１１〜１１Ｎの長さに比し長く
されていす る。

これにより、本実施例によれば、メモリカード３０をコ
ネクタに挿入接続するときは、まず静電気放電用端そ３
１だけがコネクタに接続され、その後に端子１１〜１１
Ｎが夫々コネクタに接続されることになる。従って、本
実施例によれば、人体の静電気は人体−→上カバー３．
下カバー４−十接続線３２→静電気放電用端子３１→コ
ネクタ部なる経路で放電され、その放電が終了し終る直
航又は終了後に端子１１〜１１Ｎがコネクタに挿入接続
される。

このため、本実施例によれば静電気による放電が確実に
行なわれる。

次に本発明の第４実施例について第４図と共に説明する
。同図中、第１図（Ａ）、（Ｂ）と同一構成部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。第４図において、
メモリカード４０は端子１１〜１１Ｎの外側に夫々静電
気放電用端子４１及び４２を設けた点に特徴を為する。

静電気放電用端子４１及び４２の各他端は上カバー３及
び下カバー４に接続される点は各実施例と同様である。

これにより、コネクタに挿入接続された際に生ずる静電
気の放電は、前記各実施例と同様にＶｓｓ配線を経由す
ることなく専用の放電路で放電される。これにより、本
実施例によれば、半導体メモリーＣ５の記憶情報の破壊
を防止することができる。

更に、本実施例によれば、メモリカード４０がコネクタ
に対して斜めに挿入された場合でも、静電気放電用端子
４２及び４３のいずれか一方の端子が他の端子より先に
コネクタに接触して静電気の放電が先に開始されるため
、放電が確実となる。

第５図は本発明の第５実施例の構造断面図を示す。同図
中、第１図（Ａ）、（Ｂ）と同一構成部分には同一符号
を付し、その説明を省略する。本実施例のメモリカード
５０は両端の端子が静電気放電用端子５１．５２で、か
つ、そのメモリカード５０の外部での長さが端子１１〜
１１８よりも長くした点に特徴を有する。

すなわち、本実施例は上記の第３実施例と第４実施例と
を組合わせた実施例で、コネクタに対してメモリカード
５０をどのように挿入しようとも、放電を確実に行なえ
るという特長がある。

次に本発明の第６実施例について第６図と共に説明する
。同図中、第１図と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。本実施例は静電気放電用端子を上
カバー３と下カバー４へ接続する方法に特徴を有する実
施例である。

メモリカードの通常の端子（前記端子１１１〜１１、）
は、破線６１．６２で示す如く基板６３に直接に半田６
４．６５で接続することができる。

これに対し、静電気放電用端子は上カバー３と下カバー
４に接続するが、上カバー３と下カバー４は上下方向か
ら所定位置に取付けられるので、通常の端子のように半
田で上カバー３と下カバー４に接続しておくことは困難
である。

そこで本実施例では静電気放電用端子６６及び６７を一
方向にバネ力を有する構成とし、メモリカード内の部分
は夫々平板状として端子６６は上方向に屈曲し、端子６
７は下方向に屈曲するバネ力を有する構成とし、他方メ
モリカードの外部に露出される部分は例えば円柱状とし
て上記のバネ力が生じないようにする。

これにより、上カバー３はＥ　’Ｆ　６６のバネ力に抗
してモールド枠２に取付けられ、また下カバー４は端子
６７のバネ力に抗してモールド枠に取付けれられること
となる。従って、第６図に実線で示す如く、静電気放電
用端子６６．６７の各一端を上カバー３．下カバー４に
半田を使用しないで接続することができることになる。

なお、本発明は以上の実施例に限定されるものではなく
、第２実施例と第３乃至第６実施例のいずれかと組合わ
せてもよく、その他種々の変形例が考えられるものであ
る。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明によれば、メモリカード内の半導体
メモリの電源電圧が静電気の放電があってもほとんど変
化しないようにすることができるため、半導体メモリの
記憶情報を静電気から保護することができ、また静電気
による回路素子の破壊も未然に防止することができる等
の特長を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は夫々本発明の第１乃至第３実施例の
構造図、 第４図及び第５図は夫々本発明の第４及び第５実施例の
構造平面図、 第６図は本発明の第６実施例の説明図、第７図は従来の
メモリカードの一例の構造図を示す。 図において、 ３は上カバー ４は下カバー ５は半導体メモリＩＣ。 ８はＶＳＳ配線、 １０．２０．３０，４０゜ １１１〜１１Ｎは端子、 １２．３１．４１，４２゜ 常用端子、 ２１は抵抗 を示す。 ５０はメモリカード、 ５１゜ ５２は静電気放

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　少なくとも一部が導電体の部材（３，４）で構成され
   た筐体内に半導体メモリ（５）を内蔵し、電源配線及び
   信号線のいずれかに接続された複数個の端子（１１＿１
   〜１１＿Ｎ）を有するメモリカードにおいて、 前記電源配線及び信号線のいずれにも非接続で、かつ、
   その一端が前記導電体の部材（３，４）に接続された静
   電気放電用端子（１２，３１，４１，４２，５１，５２
   ，６６，６７）を具備したことを特徴とするメモリカー
   ド。