JPH02152042A - 光メモリ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報を光学的に記録・再生する光ディスクな
どの光メモリ基板に関する。

〔従来の技術〕

従来の光ディスクなどの光メモリ基板には、射出成形法
・注形成形法を用いたプラスチック基板、紫外線硬化樹
脂を用いた２Ｐ法基板、ドライエツチングにより基板に
直接パターンを形成するガラス基板等がある（電子材料
　ＶｏＵ、２７Ｎα７１９８８　５２頁〜５３頁）。

〔発明が解決しようとする課題〕

光メモリ基板には、情報信号の記録・再生を行うための
ピットおよび案内溝が形成されている。

光デイスク技術の進歩に伴い、これらのピットおよび案
内溝または情報信号の密度は高まっている。高密度の光
デイスク場合は再生信号の転送速度を早くする必要があ
るため、その手段として光メモリ基板の回転数を高くす
ることが一般的である。高速回転における基板は１機械
的強度が十分に大きいことが重要である。ところが、従
来の光メモリ用ディスク基板は、プラスチック基板の場
合、上下のバタつきが大きくなり、また２Ｐ＠基板やガ
ラス基板の場合でもマイクロクラックによる破壊等のお
それがあり１機械的強度が不十分であるという問題があ
った。

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決して、高
速回転においても良好な記録・再生を可能とするピット
および案内溝が形成され、かつ十分に機械的強度のある
光メモリ基板を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、精度よく研磨された金属基板の表面に所定
パターンのピットまたは案内溝を形成することにより達
成することができる。

〔作用〕

金属基板は、十分に機械的強度があるために、高速回転
においても安定した記録・再生が可能である。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について説明する。

（実施例１） 第１図は本発明による光メモリ基板の製造工程図である
。まず、精度よく研磨・加工した金属基板としてＡＱ基
板１を用いた。ＡＱ基板１上にホトレジスト膜２を形成
する。そして、所定のパターン５の案内溝およびピット
が形成されたホトマスク３を配置し、紫外線４を照射す
る〔第１図（ａ）〕。現像後、ホトマスク３の所定パタ
ーン５がホトレジスト膜２にパターン６として転写され
る〔第１図（ｂ）〕。そして、反応ガスに００２番を用
いたプラズマエツチングをすることによりＡＱ基板１の
表面にパターン７を得、エツチング条件を制御すること
により所定の深さにする〔第１図（ｃ））、ホトレジス
トを除去して、所定のパターン５の案内溝およびピット
が形成されたＡＱ基板１の光メモリ基板を得ることがで
きた〔第１図（ｄ）〕。

金属基板として、Ａ２合金、Ｔｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合
金を用いても同様の効果を得ることができる。

（実施例２） 第２図は、上記実施例１で作製した光メモリ基板１に記
録膜として、光磁気膜１０を形成したものである。光磁
気膜１０は、両側を保護［１１で覆われた構成をしてい
る。この光磁気膜１０にレンズ１２で集束レーザ光１３
を照射し、光磁気膜１ｏに磁気光学効果を検出して再生
信号を得ている。しかし、本発明の光メモリ基板１では
、ＡＱ薄基板使用しているので、光磁気膜１０を透過し
たレーザ光１３がＡＱ基板表面で反射され、その反射光
が光磁気膜を透過しさらに磁気光学効果を生じる効果が
あるので、信号量はさらに増大する。

上述の如く、本発明の光メモリ基板１は、Ａｆｌ基板か
らの反射光も利用できるため、Ｓ／Ｎを向上することが
可能である。また、ＡＱ基板上の保護膜１１の熱伝導率
を小さくすると光磁気膜の記録感度が向上する。

第３図は、損傷防止膜を形成した光メモリ基板である。

第２図の光メモリ基板上に、透明な保護板１４を接着剤
１５で張り合わせである。このようにすれば、前記Ｓ／
Ｎ向上の性能を低下することなく記録膜上へのゴミ等の
付着やキズの発生を防止できる。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したごとく、本発明の光メモリ基板にお
いては１．基板に金属基板を用いて、さらに金属基板表
面に所定の案内溝およびピットのパターンを形成するこ
とにより、高速回転においても良好な記録・再生が可能
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光メモリ基板の製造工程を
示す断面図、第２図は光メモリ基板に光磁気膜を形成し
たディスクの断面図、第３図は保護板をとりつけたディ
スクの断面図である。 １・・・金属基板、２・・・ホトレジ、３・・・ホトマ
スク、５・・案内溝およびピットのパターン、７・・・
エツチングされたパターン、１０・・・光磁気膜、１１
・・・保護膜、１４・・・保護板、１５・・・接着剤。 Ｖ 口 工、邦７”ｔｚハ０７−シ 慧 図 不 図 往肩制

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、金属基板表面上にホトレジスト膜を形成し、露光に
   より所定のピットや案内溝を形成後、エッチング処理に
   より金属基板表面にピットや案内溝を形成したことを特
   徴とする光メモリ基板。 ２、金属基板にＡｌ、Ａｌ合金、Ｔｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
   ｒ合金を用いたことを特徴とする光メモリ基板。 ３、上記金属基板上に希土類・非晶質合金からなる光磁
   気膜を形成したことを特徴とする光メモリ基板。 ４、上記金属基板上に相変化型光記録膜からなる多層膜
   を形成したことを特徴とする光メモリ基板。