JPH02148859A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02148859A JPH02148859A JP30306388A JP30306388A JPH02148859A JP H02148859 A JPH02148859 A JP H02148859A JP 30306388 A JP30306388 A JP 30306388A JP 30306388 A JP30306388 A JP 30306388A JP H02148859 A JPH02148859 A JP H02148859A
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- lead terminals
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 11
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にリード端子を半田付け
して実装する構成の半導体装置に関する。
して実装する構成の半導体装置に関する。
従来、プリント基板等の回路基板に半田付けにより実装
を行う半導体装置では、半導体素子を内蔵しているパッ
ケージ本体から突出されるリード端子に、金（Ａｕ）、
錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）。
を行う半導体装置では、半導体素子を内蔵しているパッ
ケージ本体から突出されるリード端子に、金（Ａｕ）、
錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）。
半田等のめっき膜を形成し、半田との濡れ性を高めるよ
うに構成している。通常、この種のリード端子は金属板
を打抜き形成したリードフレームとして形成しており、
このリードフレームの全面に前記めっき膜を形成し、そ
の上でリードフレームをパッケージ本体に一体化させて
パッケージを構成している。
うに構成している。通常、この種のリード端子は金属板
を打抜き形成したリードフレームとして形成しており、
このリードフレームの全面に前記めっき膜を形成し、そ
の上でリードフレームをパッケージ本体に一体化させて
パッケージを構成している。
上述した従来の半導体装置では、リード端子の全面に半
田の濡れ性の高いめっき膜を形成しているため、半導体
装置をプリント基板等に実装する際に、溶融半田がリー
ド端子のめっき膜に沿って容易に流動し、根本部にまで
移動され易い。このため、リード端子を銀ロー材を用い
てパッケージ本体に一体化した半導体装置では、溶融半
田の熱によってこの銀ロー材が溶融され、リード端子が
パッケージ本体から離脱されるという不具合が生じるこ
とがある。また、パッケージ本体をロー付けしたキャッ
プで気密封止している半導体装置では、ロー材が溶融し
てパッケージの気密性が損なわれるという不具合が生じ
る。
田の濡れ性の高いめっき膜を形成しているため、半導体
装置をプリント基板等に実装する際に、溶融半田がリー
ド端子のめっき膜に沿って容易に流動し、根本部にまで
移動され易い。このため、リード端子を銀ロー材を用い
てパッケージ本体に一体化した半導体装置では、溶融半
田の熱によってこの銀ロー材が溶融され、リード端子が
パッケージ本体から離脱されるという不具合が生じるこ
とがある。また、パッケージ本体をロー付けしたキャッ
プで気密封止している半導体装置では、ロー材が溶融し
てパッケージの気密性が損なわれるという不具合が生じ
る。
本発明は半田がリード端子根本部にまで流動することを
防止して上述した問題を解消した半導体装置を提供する
ことを目的とする。
防止して上述した問題を解消した半導体装置を提供する
ことを目的とする。
本発明の半導体装置は、パッケージ本体に根本部が支持
され、かつその表面に半田濡れ性の高いめっき膜を被着
したリード端子の根本部にその全幅にわたって半田に濡
れ難い皮膜を設けた構成としている。
され、かつその表面に半田濡れ性の高いめっき膜を被着
したリード端子の根本部にその全幅にわたって半田に濡
れ難い皮膜を設けた構成としている。
上述した構成では、半田に濡れ難い皮膜により半田が根
本部にまで流動することを阻止し、溶融半田がパッケー
ジ本体に接触することを防止する。
本部にまで流動することを阻止し、溶融半田がパッケー
ジ本体に接触することを防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図はその底面
図である。図において、ベースプレート１及びリード端
子２はコバー等の金属板を抜き成形して所要の形状とし
たリードフレームとして構成し、表面には２μｍ厚さの
ニッケル（Ｎ ｉ ）めっき膜、及び４μｍ厚さの金め
つき膜を形成して半田との濡れ性を高めている。そして
、前記ベースプレート１及びリード端子２の根本部上に
は、セラミック等からなるパッケージベース３を載せ、
金銅ロー材７により一体化している。更に、このパッケ
ージベース３上には、図外の半導体素子を搭載した上で
、金錫ロー材８を用いてキャップ４を接続し、内部を気
密にしたパッケージ本体を形成している。
図である。図において、ベースプレート１及びリード端
子２はコバー等の金属板を抜き成形して所要の形状とし
たリードフレームとして構成し、表面には２μｍ厚さの
ニッケル（Ｎ ｉ ）めっき膜、及び４μｍ厚さの金め
つき膜を形成して半田との濡れ性を高めている。そして
、前記ベースプレート１及びリード端子２の根本部上に
は、セラミック等からなるパッケージベース３を載せ、
金銅ロー材７により一体化している。更に、このパッケ
ージベース３上には、図外の半導体素子を搭載した上で
、金錫ロー材８を用いてキャップ４を接続し、内部を気
密にしたパッケージ本体を形成している。
ここで、前記ベースプレート１の裏面の両端に近い箇所
と、前記リード端子２の根本部に近い箇所の表裏面には
、夫々帯状をした半田に濡れ難い皮膜５，６を全幅にわ
たって形成している。この皮膜５，６は、例えばチタン
（Ｔｉ）をスパッタ法により２０００人の厚さに形成し
て構成しており、かつリード端子２に設けた皮膜６は、
パッケージベース３の外側に位置されるように構成して
いる。
と、前記リード端子２の根本部に近い箇所の表裏面には
、夫々帯状をした半田に濡れ難い皮膜５，６を全幅にわ
たって形成している。この皮膜５，６は、例えばチタン
（Ｔｉ）をスパッタ法により２０００人の厚さに形成し
て構成しており、かつリード端子２に設けた皮膜６は、
パッケージベース３の外側に位置されるように構成して
いる。
この構成によれば、ベースプレート１０両端部及びリー
ド端子２の先端部を夫々プリント基板の導体膜上に半田
付けすることで、半導体装置をプリント基板に実装する
ことができる。このとき、ベースプレート１やリード端
子２０表面の半田濡れ性により溶融半田がベースプレー
トの内側及びリード端子の根本部に向けて流動されても
、その途中に半田に濡れ難い皮膜５，６が形成されてい
るため、半田がこれ以上内側、根本部に向けて移動され
ることはない。これにより、溶融半田がパッケージベー
ス３に接触することはなく、ベースプレート１やリード
端子２とベースプレート３を接続した金銅ロー材７や、
キャップ４を接続した金錫ロー材８が溶融されることが
防止できる。
ド端子２の先端部を夫々プリント基板の導体膜上に半田
付けすることで、半導体装置をプリント基板に実装する
ことができる。このとき、ベースプレート１やリード端
子２０表面の半田濡れ性により溶融半田がベースプレー
トの内側及びリード端子の根本部に向けて流動されても
、その途中に半田に濡れ難い皮膜５，６が形成されてい
るため、半田がこれ以上内側、根本部に向けて移動され
ることはない。これにより、溶融半田がパッケージベー
ス３に接触することはなく、ベースプレート１やリード
端子２とベースプレート３を接続した金銅ロー材７や、
キャップ４を接続した金錫ロー材８が溶融されることが
防止できる。
なお、半田に濡れ難い皮膜としては、クロム膜を利用し
てもよい。
てもよい。
また、前記実施例ではベースプレート１にも半田に濡れ
難い皮膜５を設けているが、ベースプレート１を半田付
けしない半導体装置の場合には、リード端子にのみ半田
に濡れ難い皮膜を設ければよい。
難い皮膜５を設けているが、ベースプレート１を半田付
けしない半導体装置の場合には、リード端子にのみ半田
に濡れ難い皮膜を設ければよい。
以上説明したように本発明は、表面に半田濡れ性の高い
めっき膜を被着したリード端子の根本部に半田に濡れ難
い皮膜を全幅にわたって設けているので、この皮膜によ
り半田が根本部にまで流動することを阻止し、溶融半田
がパッケージ本体に接触してリード端子が離脱され、或
いはパッケージの気密性が低下されることを未然に防止
できる効果がある。
めっき膜を被着したリード端子の根本部に半田に濡れ難
い皮膜を全幅にわたって設けているので、この皮膜によ
り半田が根本部にまで流動することを阻止し、溶融半田
がパッケージ本体に接触してリード端子が離脱され、或
いはパッケージの気密性が低下されることを未然に防止
できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図はその底面
図である。 １・・・ベースプレート、２・・・リード端子、３・・
・パッケージベース、４・・・キャップ、５．６・・・
半田に濡れ難い皮膜、７・・・金銅ロー材、８・・・金
錫ロー材。
図である。 １・・・ベースプレート、２・・・リード端子、３・・
・パッケージベース、４・・・キャップ、５．６・・・
半田に濡れ難い皮膜、７・・・金銅ロー材、８・・・金
錫ロー材。
Claims (1)
- １．パッケージ本体に根本部が支持され、かつその表面
に半田濡れ性の高いめっき膜を被着したリード端子を備
える半導体装置において、前記リード端子の根本部に該
リード端子の全幅にわたって半田に濡れ難い皮膜を設け
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30306388A JPH02148859A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30306388A JPH02148859A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148859A true JPH02148859A (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=17916458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30306388A Pending JPH02148859A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02148859A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0656741A2 (en) * | 1993-12-01 | 1995-06-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor package |
| EP0835047A3 (en) * | 1996-10-02 | 1999-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | RF-driven semiconductor device |
| JP2006294828A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Nec Corp | 電子部品およびその実装構造 |
| JP2020031086A (ja) * | 2018-08-20 | 2020-02-27 | リバーエレテック株式会社 | 電子部品パッケージ及びその製造方法 |
| KR20220028921A (ko) * | 2020-08-31 | 2022-03-08 | 주식회사 코스텍시스 | 클립 기반 반도체 디바이스 패키지 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30306388A patent/JPH02148859A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0656741A2 (en) * | 1993-12-01 | 1995-06-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor package |
| EP0656741A3 (en) * | 1993-12-01 | 1996-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor package. |
| EP0835047A3 (en) * | 1996-10-02 | 1999-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | RF-driven semiconductor device |
| US6046501A (en) * | 1996-10-02 | 2000-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | RF-driven semiconductor device |
| JP2006294828A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Nec Corp | 電子部品およびその実装構造 |
| JP2020031086A (ja) * | 2018-08-20 | 2020-02-27 | リバーエレテック株式会社 | 電子部品パッケージ及びその製造方法 |
| KR20220028921A (ko) * | 2020-08-31 | 2022-03-08 | 주식회사 코스텍시스 | 클립 기반 반도체 디바이스 패키지 |
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