JPH02144951A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02144951A JPH02144951A JP29873288A JP29873288A JPH02144951A JP H02144951 A JPH02144951 A JP H02144951A JP 29873288 A JP29873288 A JP 29873288A JP 29873288 A JP29873288 A JP 29873288A JP H02144951 A JPH02144951 A JP H02144951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- leads
- semiconductor device
- lead frame
- bent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂でシールする中空型半導体装置に関す
るものである。
るものである。
（従来の技術〕
第２図は従来のこの棚の中空型半導体装置の断面図であ
り、図において、１け下蓋、２は上蓋、３は下蓋ｌと上
蓋２とで形成された空間に置かれた半導体素子、４は半
導体素子３を塔載したＩＪ−ドフレーム、５は下蓋１と
上蓋２とリードフレーム４を固定する樹脂である。
り、図において、１け下蓋、２は上蓋、３は下蓋ｌと上
蓋２とで形成された空間に置かれた半導体素子、４は半
導体素子３を塔載したＩＪ−ドフレーム、５は下蓋１と
上蓋２とリードフレーム４を固定する樹脂である。
第８図は従来の樹脂シール中空型半導体装置用リードフ
レーム４の内部リード拡大図であり、内部リードはほぼ
直線的に形成されており、屈曲点は少なく、また分岐点
は全くない。
レーム４の内部リード拡大図であり、内部リードはほぼ
直線的に形成されており、屈曲点は少なく、また分岐点
は全くない。
次に動作について説明する。半導体素子３を搭載したリ
ードフレーム４を、予め樹脂５ａを固定した下蓋１上に
搭載し、その上に、予め樹脂５ｂを固定した上蓋２を、
第２図に示すような構造に構成する。ここで、樹脂５＆
、５ｂは熱硬化性樹脂である。
ードフレーム４を、予め樹脂５ａを固定した下蓋１上に
搭載し、その上に、予め樹脂５ｂを固定した上蓋２を、
第２図に示すような構造に構成する。ここで、樹脂５＆
、５ｂは熱硬化性樹脂である。
そして、樹脂の熱硬化で、下蓋１と樹脂に５ｂとリード
フレーム４と上蓋２を接着固化させる己とにより封止を
行っている。
フレーム４と上蓋２を接着固化させる己とにより封止を
行っている。
この加熱工程で、装置内気体が膨張したり、樹脂生成分
が気化するため、装置内圧力が高まる。
が気化するため、装置内圧力が高まる。
その時、装置内気体は、はぼ直線的に構成した、隣接す
る内部リードで形成される空間及びその空間を埋める部
側中２移動し、装置外部に排出される。そして、樹脂中
に貫通穴を形成する。
る内部リードで形成される空間及びその空間を埋める部
側中２移動し、装置外部に排出される。そして、樹脂中
に貫通穴を形成する。
従来の樹脂シール中空型半導体装置は以上のように構成
されるので、容器内外をつなぐ貫通穴が形成されやＴ＜
、装置の気密性を損ない、信相性が低下するという問題
があった。
されるので、容器内外をつなぐ貫通穴が形成されやＴ＜
、装置の気密性を損ない、信相性が低下するという問題
があった。
この発明は上記のような間Ｎ点を解消するためになされ
たもので、樹脂シール部に貫通穴の生じにくい樹脂シー
ル中空型半導体装置を得ることを目的とする。
たもので、樹脂シール部に貫通穴の生じにくい樹脂シー
ル中空型半導体装置を得ることを目的とする。
ＣＩ！ｌ！題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、樹脂シール部にある内部
リードが多数の屈曲点や分岐点を有するとともに、瞬接
する内部リードと相互に対向するように配置したリード
フレームを搭載したものである〇 （作用〕 この発明における半導体装Ｉ１１は、上記のリードフレ
ームを搭載Ｔることにより、気体の排出径路か長くなる
とと５に・排出気体圧力の曲り損失が発生するため、樹
脂シール内外な通じる［ｍ穴が生じにくい。
リードが多数の屈曲点や分岐点を有するとともに、瞬接
する内部リードと相互に対向するように配置したリード
フレームを搭載したものである〇 （作用〕 この発明における半導体装Ｉ１１は、上記のリードフレ
ームを搭載Ｔることにより、気体の排出径路か長くなる
とと５に・排出気体圧力の曲り損失が発生するため、樹
脂シール内外な通じる［ｍ穴が生じにくい。
（実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
１ｉ４は本発明に搭載されたリードフレーム４の内部リ
ード拡大図で、リード４ａは多段階に屈曲し、さらに複
数の分岐点を有する。そして、隣接するリードと相互に
平行対向する構成になっている。つまり、隣接するリー
ド４ａ間のスペース４ｂがジグザグ状に屈曲する形状と
なる。
１ｉ４は本発明に搭載されたリードフレーム４の内部リ
ード拡大図で、リード４ａは多段階に屈曲し、さらに複
数の分岐点を有する。そして、隣接するリードと相互に
平行対向する構成になっている。つまり、隣接するリー
ド４ａ間のスペース４ｂがジグザグ状に屈曲する形状と
なる。
そして、上記リードフレーム４を使用し、従来技術で説
明したように、樹脂シール中空型半導体装置を構成する
。
明したように、樹脂シール中空型半導体装置を構成する
。
このようなリードフレームを用いたものでは、樹脂５ａ
、５ｂ ％ リードフレーム４、下蓋１１上訛２を加熱
により接着固化する工程において、半導体装置内気体膨
張や樹脂成分気化により内圧が高まり、隣接する内部リ
ード４ａで形成されるスペース４ｂ及びこのスペースを
埋める樹脂中を移動し、装置外部！１：装置内気体が排
出されようとする。しかし、排出径路が屈曲する毎に、
排出気体の圧力は低下することに加え、排出径路が長く
なったことで、排出に対する抵抗は増大するので、装置
内気体は排出されなくなる。そのため、樹脂中に貫通穴
ができない。
、５ｂ ％ リードフレーム４、下蓋１１上訛２を加熱
により接着固化する工程において、半導体装置内気体膨
張や樹脂成分気化により内圧が高まり、隣接する内部リ
ード４ａで形成されるスペース４ｂ及びこのスペースを
埋める樹脂中を移動し、装置外部！１：装置内気体が排
出されようとする。しかし、排出径路が屈曲する毎に、
排出気体の圧力は低下することに加え、排出径路が長く
なったことで、排出に対する抵抗は増大するので、装置
内気体は排出されなくなる。そのため、樹脂中に貫通穴
ができない。
なお、上記実施例で示した内部リードは、丁ぺて隣接す
るものと非接続であったが、電気的に不要な内部リード
が２本以上連紗する場合に、それらを接続して排出径路
を閉じてもＪ−い。
るものと非接続であったが、電気的に不要な内部リード
が２本以上連紗する場合に、それらを接続して排出径路
を閉じてもＪ−い。
取上のようにこの発明によれば、樹脂シール中空型半導
体装置に多段階に屈曲し、さらに複数の分岐点を有し、
隣接した内部リードが相互に対向する内部リードを構成
したので、樹脂シールｇに貫通穴の生じにくい、気密性
のよい装置が得られるため、高信頼性を有する半導体装
置が得られる。
体装置に多段階に屈曲し、さらに複数の分岐点を有し、
隣接した内部リードが相互に対向する内部リードを構成
したので、樹脂シールｇに貫通穴の生じにくい、気密性
のよい装置が得られるため、高信頼性を有する半導体装
置が得られる。
！！た、特にリードフレームと樹脂の界面が著しく延長
される結果、耐湿信細性（湿気の侵入防止）にも大幅な
向上効果がある。
される結果、耐湿信細性（湿気の侵入防止）にも大幅な
向上効果がある。
４、 ｒＩ！Ｊ面の簡単な説明
第１図はこの発明の一実施例による樹脂シール中空型半
導体装置用り〜ドフレームの内部リードの拡大平面図、
第２図は従来の樹脂シール中空を半導体装置の断面図、
第８寵は従来の樹脂シール中空型半導体装置用リードフ
レームの内部リードの拡大平面図である。
導体装置用り〜ドフレームの内部リードの拡大平面図、
第２図は従来の樹脂シール中空を半導体装置の断面図、
第８寵は従来の樹脂シール中空型半導体装置用リードフ
レームの内部リードの拡大平面図である。
図中、ｌは下蓋、２は上蓋、３け半導体素子、４はリー
ドフレーム、４ａはリード、４ｂはスペース、５転５１
）Ｇゴ樹脂である。
ドフレーム、４ａはリード、４ｂはスペース、５転５１
）Ｇゴ樹脂である。
なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 下蓋と上蓋とにより構成される容器内に収納された半導
体素子の内部リードが、上記下蓋と上蓋間より樹脂封止
により外部に引き出されるようなされた樹脂シール中空
型半導体装置において、隣接するリード間のスペースが
ジグザグ状に屈曲する形状となるような内部リードを使
用したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29873288A JPH02144951A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29873288A JPH02144951A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144951A true JPH02144951A (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=17863552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29873288A Pending JPH02144951A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02144951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786489A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Nec Corp | 樹脂モールド型半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-26 JP JP29873288A patent/JPH02144951A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786489A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Nec Corp | 樹脂モールド型半導体装置 |
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