JPH02141810A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH02141810A JPH02141810A JP29697088A JP29697088A JPH02141810A JP H02141810 A JPH02141810 A JP H02141810A JP 29697088 A JP29697088 A JP 29697088A JP 29697088 A JP29697088 A JP 29697088A JP H02141810 A JPH02141810 A JP H02141810A
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- Japan
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- semiconductor integrated
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路に関し、特に周波数を検出
する回路ブロックの回路構成を改良した半導体集積回路
に関するものである。
する回路ブロックの回路構成を改良した半導体集積回路
に関するものである。
第4図は従来の半導体集積回路の周波数検出回路ブロッ
クの構成を示す回路図であり、図において、1は周波数
−電圧(F V :Frequency Voltag
e)変換用パルス発生部、2はFV変換部、3は定時間
パルス発生部、4はコンパレータ、5はコンパレータの
基準電圧発生部である。
クの構成を示す回路図であり、図において、1は周波数
−電圧(F V :Frequency Voltag
e)変換用パルス発生部、2はFV変換部、3は定時間
パルス発生部、4はコンパレータ、5はコンパレータの
基準電圧発生部である。
次に動作について説明する。
FV変換用のパルスが出力される点1aの、npn)ラ
ンジスタ1bがOFFしている時の電位Vl1mは、ツ
ェナーダイオード1cのツェナー電圧をV□、npn)
ランジスタ1dのベースエミッタ間電圧をVl!+ と
すると V、、=V□−vmtt となる、FV変換部2の出力点2aの電圧は■1゜と定
時間パルス部3の周波数及びFV変換部2の抵抗2b、
2c、コンデンサ2dの値で決まる電圧に決まり、これ
がコンパレータ4の入力となる。
ンジスタ1bがOFFしている時の電位Vl1mは、ツ
ェナーダイオード1cのツェナー電圧をV□、npn)
ランジスタ1dのベースエミッタ間電圧をVl!+ と
すると V、、=V□−vmtt となる、FV変換部2の出力点2aの電圧は■1゜と定
時間パルス部3の周波数及びFV変換部2の抵抗2b、
2c、コンデンサ2dの値で決まる電圧に決まり、これ
がコンパレータ4の入力となる。
一方、コンパレータ4の基準電圧設定部の出力点5aの
電圧はツェナーダイオード5bのツェナー電圧をV、s
、npn)ランジスタ5cのベース・エミッタ間電圧を
V□2.抵抗5d及び5eの抵抗値をそれぞれR,、R
,とすると R,+R鵞 となる。
電圧はツェナーダイオード5bのツェナー電圧をV、s
、npn)ランジスタ5cのベース・エミッタ間電圧を
V□2.抵抗5d及び5eの抵抗値をそれぞれR,、R
,とすると R,+R鵞 となる。
従来の半導体集積回路の周波数検出回路ブロックは以上
の様に構成されているので、ツェナーダイオード1cと
5bのドリフト量に差が生じた場合、V la+ Vi
mの式かられかる様に検出する周波数にズレが生じると
いう問題点があった。
の様に構成されているので、ツェナーダイオード1cと
5bのドリフト量に差が生じた場合、V la+ Vi
mの式かられかる様に検出する周波数にズレが生じると
いう問題点があった。
この発明は、上記の様な問題点を解消するためになされ
たもので、検出する周波数がツェナーダイオードのドリ
フトに影響を受けない周波数検出回路を持つ半導体集積
回路を得ることを目的とする。
たもので、検出する周波数がツェナーダイオードのドリ
フトに影響を受けない周波数検出回路を持つ半導体集積
回路を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体集積回路は、FV変換用パルス発
生部で用いるツェナー電圧とコンパレータの基準電圧設
定部で用いるツェナー電圧とを共通のツェナーダイオー
ドから得るようにしたものである。
生部で用いるツェナー電圧とコンパレータの基準電圧設
定部で用いるツェナー電圧とを共通のツェナーダイオー
ドから得るようにしたものである。
この発明においては、FV変換用パルス発生部で用いる
ツェナー電圧とコンパレータの基準電圧設定部で用いる
ツェナー電圧とを共通のツェナーダイオードから得る構
成としたから、ツェナーダイオードのドリフトに起因す
る検出周波数のズレが抑えられ、所望の周波数の確度が
高められる。
ツェナー電圧とコンパレータの基準電圧設定部で用いる
ツェナー電圧とを共通のツェナーダイオードから得る構
成としたから、ツェナーダイオードのドリフトに起因す
る検出周波数のズレが抑えられ、所望の周波数の確度が
高められる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による周波数検出回路を示す
回路図であり、図において1〜5は第4図の従来例と同
一または相当部分である。6は第4図の10及び5bに
相当するツェナーダイオードで、7,8はコレクタ接地
のpnp)ランジスタである。
回路図であり、図において1〜5は第4図の従来例と同
一または相当部分である。6は第4図の10及び5bに
相当するツェナーダイオードで、7,8はコレクタ接地
のpnp)ランジスタである。
ここでツェナーダイオード6のツェナー電圧をv3、ト
ランジスタ7.8のペースエミッタ間電圧をそれぞれv
I!? + vIEIとすると、FV変換用のパルス
が出力される点1a及び基準電圧設定部の出力点5aの
電圧v1いvS、は、Vlll””Vg +vs!t
VOI (但し1bがOFFの時)となる。
ランジスタ7.8のペースエミッタ間電圧をそれぞれv
I!? + vIEIとすると、FV変換用のパルス
が出力される点1a及び基準電圧設定部の出力点5aの
電圧v1いvS、は、Vlll””Vg +vs!t
VOI (但し1bがOFFの時)となる。
本実施例においては、■、、とvs、はV、が同一であ
るので■、のドリフトによる変化率は同じになり、点2
aの電圧VtmはV、に比例するので所望の周波数はド
リフトしない。
るので■、のドリフトによる変化率は同じになり、点2
aの電圧VtmはV、に比例するので所望の周波数はド
リフトしない。
第2図、第3図は本発明の他の実施例を示す図であり、
図において第1図と同一符号は同一または相当部分であ
る。
図において第1図と同一符号は同一または相当部分であ
る。
第2図の実施例は、定時間パルスを受けるnpnトラン
ジスタlbをFV変換部の放電用抵抗に接続した例、第
3図の実施例は、定時間パルスを受けるnpnトランジ
スタibをインピーダンス変換用npn)ランジスタ1
dのエミッタに接続した例であり、いずれの実施例も上
記第1図の実施例と同様の効果を奏する。
ジスタlbをFV変換部の放電用抵抗に接続した例、第
3図の実施例は、定時間パルスを受けるnpnトランジ
スタibをインピーダンス変換用npn)ランジスタ1
dのエミッタに接続した例であり、いずれの実施例も上
記第1図の実施例と同様の効果を奏する。
なお、第3図の実施例においてpnpトランジスタ18
はpnpトランジスタ17のV Cl (!AT)の補
償用トランジスタとして機能する。
はpnpトランジスタ17のV Cl (!AT)の補
償用トランジスタとして機能する。
以上のように、この発明によれば周波数検出回路を有す
る半導体集積回路において該周波数検出回路のFV変換
用パルス電位、及び比較用基準電圧を同一のツェナーダ
イオードを用いて作成する構成としたので、ツェナー電
圧が、ドリフトしても安定した所望の周波数を得られる
効果がある。
る半導体集積回路において該周波数検出回路のFV変換
用パルス電位、及び比較用基準電圧を同一のツェナーダ
イオードを用いて作成する構成としたので、ツェナー電
圧が、ドリフトしても安定した所望の周波数を得られる
効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による半導体集積回路を示
す回路図、第2図、第3図はそれぞれ本発明の他の実施
例による半導体集積回路を示す回路図、第4図は従来の
半導体集積回路を示す回路図である。 lはFV変換用パルス発生部、2はFV変換部、3は定
時間パルス発生部、4はコンパレータ、5はコンパレー
タの基準電圧設定部、6はツェナーダイオード、7,8
はpnp)ランジスタ、9はFV変換用パルス電位設定
部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す回路図、第2図、第3図はそれぞれ本発明の他の実施
例による半導体集積回路を示す回路図、第4図は従来の
半導体集積回路を示す回路図である。 lはFV変換用パルス発生部、2はFV変換部、3は定
時間パルス発生部、4はコンパレータ、5はコンパレー
タの基準電圧設定部、6はツェナーダイオード、7,8
はpnp)ランジスタ、9はFV変換用パルス電位設定
部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)周波数を電圧に変換し、該電圧を基準電圧と比較
して周波数を検出する周波数検出回路を有する半導体集
積回路において、 上記基準電圧と、周波数−電圧変換用のパルスの電位を
同一の基準電圧発生手段を用いて作成するようにしたこ
とを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63296970A JP2544791B2 (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63296970A JP2544791B2 (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02141810A true JPH02141810A (ja) | 1990-05-31 |
JP2544791B2 JP2544791B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=17840561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63296970A Expired - Lifetime JP2544791B2 (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2544791B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013088281A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Denso Corp | 周波数測定装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6323661U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP63296970A patent/JP2544791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6323661U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013088281A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Denso Corp | 周波数測定装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2544791B2 (ja) | 1996-10-16 |
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