JPH02141459A - インジウム‐スズ酸化物焼結体の製造法 - Google Patents
インジウム‐スズ酸化物焼結体の製造法Info
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- JPH02141459A JPH02141459A JP63295434A JP29543488A JPH02141459A JP H02141459 A JPH02141459 A JP H02141459A JP 63295434 A JP63295434 A JP 63295434A JP 29543488 A JP29543488 A JP 29543488A JP H02141459 A JPH02141459 A JP H02141459A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、通常の大気中で常圧焼結することにより高
密度を有するインジウム−スズ酸化物焼結体(以下、I
n −Sn −0系焼結体という)を製造する方法に関
するものであり、このI nSn−0系焼結体は、例え
ば液晶表示基板上の配線材として用いられる透明導電膜
をスパッタリングにより形成する時のターゲットとして
使用される。
密度を有するインジウム−スズ酸化物焼結体(以下、I
n −Sn −0系焼結体という)を製造する方法に関
するものであり、このI nSn−0系焼結体は、例え
ば液晶表示基板上の配線材として用いられる透明導電膜
をスパッタリングにより形成する時のターゲットとして
使用される。
〔従来の技術〕
一般に、In −Sn −0系焼結体は、つぎのような
方法により製造されている。
方法により製造されている。
まず、In O粉末にS n O2粉末を1〜35重
量%混合し、焼成し、ついで解砕した後粉砕して、In
O−SnO2焼成粉末を作製する。
量%混合し、焼成し、ついで解砕した後粉砕して、In
O−SnO2焼成粉末を作製する。
ついで、
(1) このIn O−SnO,、焼成粉末を一軸
プレス成形または静水圧プレス成形して成形体を作製し
、ついで、温度: 1000〜1600℃、大気中で焼
結し、焼結体を製造する方法、 (2) このI n O−S n O2焼成粉末を
真空雰囲気中でホットプレスすることによりInSn−
0系焼結体を製造する方法、 により製造されている。
プレス成形または静水圧プレス成形して成形体を作製し
、ついで、温度: 1000〜1600℃、大気中で焼
結し、焼結体を製造する方法、 (2) このI n O−S n O2焼成粉末を
真空雰囲気中でホットプレスすることによりInSn−
0系焼結体を製造する方法、 により製造されている。
上記焼成して得られたI n O−S n 02焼酸
粉末は、成形性および焼結性が悪く、この粉末を静水圧
プレス成形により成形体を作製しても、その成形体の相
対密度は50%を越えることはなく、この成形体を温度
: +eoo℃て常圧焼結しても、その結果得られた焼
結体の相対密度は65%を越えることはない。したがっ
て、この成形体を焼結して得られたIn −Sn −0
系焼結体の相対密度は低く、そのため焼結体の強度は低
く、特に大形のIn −Sn −0系焼結体を製造する
ことは困難であった。
粉末は、成形性および焼結性が悪く、この粉末を静水圧
プレス成形により成形体を作製しても、その成形体の相
対密度は50%を越えることはなく、この成形体を温度
: +eoo℃て常圧焼結しても、その結果得られた焼
結体の相対密度は65%を越えることはない。したがっ
て、この成形体を焼結して得られたIn −Sn −0
系焼結体の相対密度は低く、そのため焼結体の強度は低
く、特に大形のIn −Sn −0系焼結体を製造する
ことは困難であった。
一方、上記I n O−S n O2焼成粉末を真空
中でホットプレスして得られたIn −Sn −0系焼
結体の相対密度は90%までいくが、真空中でグラファ
イトモールドと接している表層部分が還元され、焼結体
の表層部と内部で組成に差が生じ(すなわち、In −
Sn −0系焼結体の表層部と内部で酸素量に差が生じ
、焼結体の表層部と内部で色が異なる)、さらに、真空
ホットプレスは、常圧焼結に比べて大形の焼結体を大量
生産するにはコストがかかりすぎるという問題点があっ
た。
中でホットプレスして得られたIn −Sn −0系焼
結体の相対密度は90%までいくが、真空中でグラファ
イトモールドと接している表層部分が還元され、焼結体
の表層部と内部で組成に差が生じ(すなわち、In −
Sn −0系焼結体の表層部と内部で酸素量に差が生じ
、焼結体の表層部と内部で色が異なる)、さらに、真空
ホットプレスは、常圧焼結に比べて大形の焼結体を大量
生産するにはコストがかかりすぎるという問題点があっ
た。
そこで、本発明者等は、コストのかからない大気中で常
圧焼結しても高密度をf−iするI nSn−0系焼結
体を製造することのできる製造法を開発すべく研究を行
った結果、 In −Sn −0系焼結体を製造するための酸化物原
料粉末に対して低融点金属または合金粉末を混合し、こ
の混合粉末をプレス成形して得られた成形体は密度が向
上し、この高密度の成形体を通常の大気中で常圧焼結す
ると高密度のInSn−0系焼結体が得られるという知
見を得たのである。
圧焼結しても高密度をf−iするI nSn−0系焼結
体を製造することのできる製造法を開発すべく研究を行
った結果、 In −Sn −0系焼結体を製造するための酸化物原
料粉末に対して低融点金属または合金粉末を混合し、こ
の混合粉末をプレス成形して得られた成形体は密度が向
上し、この高密度の成形体を通常の大気中で常圧焼結す
ると高密度のInSn−0系焼結体が得られるという知
見を得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って、 (1) In O−SnO2焼成粉末、および、 In粉末、からなる混合粉末、 (2) In O−Sn02焼成粉末、および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(3) I
n O−S n O2焼成粉末、In粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(4) In
2O3粉末、 S n 02粉末、 および、 In粉末、からなる混合粉末、 (5) 工n203粉末、 S n 02粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(6) In
2O3粉末、 S n O2粉末、 1口粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(7) In
2O3粉末、 SnO3粉末、 I n203− SnO2焼成粉末、 および、 In粉末、からなる混合粉末、 (8) In2O3粉末、 S n 02粉末、 In2O3−Sn02焼成粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(9) 1n
203粉末、 S n 02粉末、 In O−SnO2焼成粉末、 In粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(10)In
2O3粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、上記(1)〜
(10)の混合粉末をそれぞれ用意し、これら混合粉末
をプレス成形して成形体を作製し、これら成形体を大気
中、常圧焼結するInSn−0系焼結体の製造法に特徴
を有するものである。
って、 (1) In O−SnO2焼成粉末、および、 In粉末、からなる混合粉末、 (2) In O−Sn02焼成粉末、および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(3) I
n O−S n O2焼成粉末、In粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(4) In
2O3粉末、 S n 02粉末、 および、 In粉末、からなる混合粉末、 (5) 工n203粉末、 S n 02粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(6) In
2O3粉末、 S n O2粉末、 1口粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(7) In
2O3粉末、 SnO3粉末、 I n203− SnO2焼成粉末、 および、 In粉末、からなる混合粉末、 (8) In2O3粉末、 S n 02粉末、 In2O3−Sn02焼成粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(9) 1n
203粉末、 S n 02粉末、 In O−SnO2焼成粉末、 In粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、(10)In
2O3粉末、 および、 In−Sn合金粉末、からなる混合粉末、上記(1)〜
(10)の混合粉末をそれぞれ用意し、これら混合粉末
をプレス成形して成形体を作製し、これら成形体を大気
中、常圧焼結するInSn−0系焼結体の製造法に特徴
を有するものである。
上記混合粉末の原料粉末であるIn2O3粉末、SnO
粉末、およびIn2O3−SnO2焼成粉末の平均粒径
は、それぞれ1〜100 urnの範囲内のものを使用
し、In粉末およびIn−Sn合金粉末の平均粒径は5
〜100μsの範囲内のものを使用する。
粉末、およびIn2O3−SnO2焼成粉末の平均粒径
は、それぞれ1〜100 urnの範囲内のものを使用
し、In粉末およびIn−Sn合金粉末の平均粒径は5
〜100μsの範囲内のものを使用する。
上記In−Sn合金粉末は、Sn:1〜50重量%含有
のIn合金粉末であり、その融点は120〜160℃の
範囲内にあるIn合金粉末を使用する。
のIn合金粉末であり、その融点は120〜160℃の
範囲内にあるIn合金粉末を使用する。
さらに、In粉末の融点は、156.4℃であるから上
記In−Sn合金粉末の融点の範囲内に含まれる。
記In−Sn合金粉末の融点の範囲内に含まれる。
上記(1)〜(10)の混合粉末の配合組成範囲は、次
の範囲にあることが望ましい。
の範囲にあることが望ましい。
重量%で(以下、%は重量%を示す)
(1) In2O3−SnO2焼成粉末=65〜92%
、In粉末:8〜35%、 (2) In2O3−SnO2焼成粉末:05−92
%、In−Sn合金粉末:8〜35%、 (3) In2O3−SnO2焼成粉末:65〜92%
、In−Sn合金粉末:1〜28%、 In粉末ニア〜34%、 (但し、In−Sn合金粉末とIn粉末の合計:8〜3
5%)、 (4) In2O3粉末:30〜91%、S n O2
粉末=1〜35%、 In粉末:8〜35%、 (5) In2O3粉末二30〜91%、S n O
2粉末=1〜35%、 In−Sn合金粉末:8〜35%、 (6) I n 20 a粉末=30〜90%、S
n O2粉末:1〜35%、 In−Sn合金粉末:1−28%、 In粉末ニア〜34%、 (但し、In−Sn合金粉末とIn粉末の合計=8〜3
5%)、 (7) 1n203粉末:1〜90%、S n 02粉
末=1〜35%、 In2O3−SnO2焼成粉末:1〜90%、In粉末
:8〜35%、 (8) In2O3粉末:1〜90%、S n 02粉
末: 1〜3596、 In2O3−Sn02焼成粉末=1〜90%、In−S
n合金粉末=8〜35%、 (9) In2O3粉末:1〜90%、S n 02粉
末:1〜35%、 I n203− SnO2焼成粉末:1〜90%、In
−Sn合金粉末=1〜28%、 In粉末87〜34%、 (但し、In−Sn合金粉末とIn粉末の合計:8〜3
5%) (10)■n203粉末二65〜92%、In−Sn合
金粉末=8〜35%、 上記(+)〜(10)の混合粉末において、酸化物粉末
に対するIn粉末およびIn−Sn粉末の合計添加量は
、8〜35重量%の範囲内にある必要がある。上記酸化
物粉末の隙間を十分に埋めて、かつプレス成形された成
形体外に漏れ出ない量の限界は35重量%であり、一方
、酸化物粉末の隙間で塑性変形あるいは流動することで
密度向上効果を示す最小限必要な金属粉末の添加量は、
8重量%である。
、In粉末:8〜35%、 (2) In2O3−SnO2焼成粉末:05−92
%、In−Sn合金粉末:8〜35%、 (3) In2O3−SnO2焼成粉末:65〜92%
、In−Sn合金粉末:1〜28%、 In粉末ニア〜34%、 (但し、In−Sn合金粉末とIn粉末の合計:8〜3
5%)、 (4) In2O3粉末:30〜91%、S n O2
粉末=1〜35%、 In粉末:8〜35%、 (5) In2O3粉末二30〜91%、S n O
2粉末=1〜35%、 In−Sn合金粉末:8〜35%、 (6) I n 20 a粉末=30〜90%、S
n O2粉末:1〜35%、 In−Sn合金粉末:1−28%、 In粉末ニア〜34%、 (但し、In−Sn合金粉末とIn粉末の合計=8〜3
5%)、 (7) 1n203粉末:1〜90%、S n 02粉
末=1〜35%、 In2O3−SnO2焼成粉末:1〜90%、In粉末
:8〜35%、 (8) In2O3粉末:1〜90%、S n 02粉
末: 1〜3596、 In2O3−Sn02焼成粉末=1〜90%、In−S
n合金粉末=8〜35%、 (9) In2O3粉末:1〜90%、S n 02粉
末:1〜35%、 I n203− SnO2焼成粉末:1〜90%、In
−Sn合金粉末=1〜28%、 In粉末87〜34%、 (但し、In−Sn合金粉末とIn粉末の合計:8〜3
5%) (10)■n203粉末二65〜92%、In−Sn合
金粉末=8〜35%、 上記(+)〜(10)の混合粉末において、酸化物粉末
に対するIn粉末およびIn−Sn粉末の合計添加量は
、8〜35重量%の範囲内にある必要がある。上記酸化
物粉末の隙間を十分に埋めて、かつプレス成形された成
形体外に漏れ出ない量の限界は35重量%であり、一方
、酸化物粉末の隙間で塑性変形あるいは流動することで
密度向上効果を示す最小限必要な金属粉末の添加量は、
8重量%である。
上記(1)〜(10)の配合組成を有する混合粉末は、
In−Sn合金粉末またはIn粉末の融点をm、p。
In−Sn合金粉末またはIn粉末の融点をm、p。
とすると、
プレス温度: m、p、 −309C−m、p、+30
°C1プレス圧: 100kg/cJ〜3000kg
/cJ、の条件でプレス成形され、成形体が作製される
。
°C1プレス圧: 100kg/cJ〜3000kg
/cJ、の条件でプレス成形され、成形体が作製される
。
上記プレス温度がm、p、より30℃を越えて低くなる
とIn−Sn合金粉末およびIn粉末の塑性変形に大き
な力を要し、酸化物粉末の隙間を埋めるために要する圧
力が大きくなりすぎて経済的ではなく、さらに、Ill
、p、より30℃を越えて高いと溶融金属の流動性が十
分になりすぎて、プレス中に成形体から溶融金属がしみ
出てしまう。また上記(1)〜(lO)の混合粉末に含
有されるIn−Sn合金粉末およびIn粉末を、塑性変
形して酸化物粉末の隙間を埋めるに要する圧力は1トン
/ cJ〜3トン/ atが必要であり、上記In−S
n合金粉末およびIn粉末が溶融している状態では、プ
レス圧は100kg/c4〜1トン/C−の圧力で酸化
物粉末の隙間を埋めることができるため、プレス圧は1
00kg/c♂−3000kg/ cJと定めた。上記
プレス温度は、上記In−Sn合金粉末およびIn粉末
の融点が120〜160℃であるから、具体的には90
℃〜190℃が好ましい。
とIn−Sn合金粉末およびIn粉末の塑性変形に大き
な力を要し、酸化物粉末の隙間を埋めるために要する圧
力が大きくなりすぎて経済的ではなく、さらに、Ill
、p、より30℃を越えて高いと溶融金属の流動性が十
分になりすぎて、プレス中に成形体から溶融金属がしみ
出てしまう。また上記(1)〜(lO)の混合粉末に含
有されるIn−Sn合金粉末およびIn粉末を、塑性変
形して酸化物粉末の隙間を埋めるに要する圧力は1トン
/ cJ〜3トン/ atが必要であり、上記In−S
n合金粉末およびIn粉末が溶融している状態では、プ
レス圧は100kg/c4〜1トン/C−の圧力で酸化
物粉末の隙間を埋めることができるため、プレス圧は1
00kg/c♂−3000kg/ cJと定めた。上記
プレス温度は、上記In−Sn合金粉末およびIn粉末
の融点が120〜160℃であるから、具体的には90
℃〜190℃が好ましい。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
平均粒径:5μsのIn2O3粉末(純度:99.99
%)、 平均粒径:6節のS n O2粉末(純度:99.99
%)、平均粒径:30℃1mのIn−Sn合金粉末(S
n:40重量%、融点=120℃)、および 平均粒径:25虜のIn粉末(15B、4℃)、を用意
し、さらに、 上記In2O3粉末=90重量%、 S n 02粉末=10重量%、 を配合し、混合し、大気中温度: 1300℃で焼成の
のち、湿式ボールミルにより粉砕し、 平均粒径: lO虜のIn2O3−SnO2焼成粉末、
を作製し、用意した。
%)、 平均粒径:6節のS n O2粉末(純度:99.99
%)、平均粒径:30℃1mのIn−Sn合金粉末(S
n:40重量%、融点=120℃)、および 平均粒径:25虜のIn粉末(15B、4℃)、を用意
し、さらに、 上記In2O3粉末=90重量%、 S n 02粉末=10重量%、 を配合し、混合し、大気中温度: 1300℃で焼成の
のち、湿式ボールミルにより粉砕し、 平均粒径: lO虜のIn2O3−SnO2焼成粉末、
を作製し、用意した。
これら、In2O3粉末、S n O2粉末、In20
3S n 02焼成粉末、1n粉末、およびIn−Sn
合金粉末を第1表に示される組成となるように配合し、
乾式ボールミルによりよく混合し、この混合粉末を第1
表に示されるプレス条件で一軸プレス法により、 直径:80mmx厚さ=5關の寸法を有する比較的大き
な成形体を作製し、この成形体の密度を測定してその結
果を第1表に示した。
3S n 02焼成粉末、1n粉末、およびIn−Sn
合金粉末を第1表に示される組成となるように配合し、
乾式ボールミルによりよく混合し、この混合粉末を第1
表に示されるプレス条件で一軸プレス法により、 直径:80mmx厚さ=5關の寸法を有する比較的大き
な成形体を作製し、この成形体の密度を測定してその結
果を第1表に示した。
このようにして得られた成形体を第1表の大気中常圧焼
結条件にて焼結し、In −Sn −0系焼結体の密度
を測定し、その結果を測定してその結果を第1表に示し
た。
結条件にて焼結し、In −Sn −0系焼結体の密度
を測定し、その結果を測定してその結果を第1表に示し
た。
第1表の結果から、この発明の製造法により得られたI
n −Sn−0系焼結体は、いずれも高密度を有してい
るに対し、この発明の条件から外れた条件(第1表にお
いて※を付した値)で製造したIn −Sn −0系焼
結体は十分な密度を有しないことがわかる。
n −Sn−0系焼結体は、いずれも高密度を有してい
るに対し、この発明の条件から外れた条件(第1表にお
いて※を付した値)で製造したIn −Sn −0系焼
結体は十分な密度を有しないことがわかる。
通常のインジウム−スズ酸化物焼結体製造用酸化物原料
粉末にIn粉末および/またはIn−Sn合金粉末を添
加した混合粉末をプレス成形して成形体を作製すると、
得られた成形体は高密度を有し、したがって従来よりも
大形の成形体を作製することができ、この大形の成形体
を最も低コストな大気中常圧焼結法により焼結して高密
度のインジウム−スズ酸化物焼結体を得ることができる
。
粉末にIn粉末および/またはIn−Sn合金粉末を添
加した混合粉末をプレス成形して成形体を作製すると、
得られた成形体は高密度を有し、したがって従来よりも
大形の成形体を作製することができ、この大形の成形体
を最も低コストな大気中常圧焼結法により焼結して高密
度のインジウム−スズ酸化物焼結体を得ることができる
。
また、上記高密度なインジウム−スズ酸化物焼結体をタ
ーゲットとしてスパッタリングを行った場合、高密度な
ターゲットは均一に消耗され、形成されたスパッタリン
グ膜も均一で優れた特性を有するという効果がある。
ーゲットとしてスパッタリングを行った場合、高密度な
ターゲットは均一に消耗され、形成されたスパッタリン
グ膜も均一で優れた特性を有するという効果がある。
Claims (4)
- (1)混合粉末をプレス成形して成形体を作製し、つい
で上記成形体を通常の大気中で常圧焼結するインジウム
−スズ酸化物焼結体の製造法において、上記混合粉末と
して、 酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末からなる混合粉末を
焼成して得られた酸化インジウム−酸化スズ焼成粉末(
以下、この粉末を酸化インジウム−酸化スズ焼成粉末と
いう)、 並びに、 In粉末およびIn−Sn合金粉末のうち1種または2
種、 を配合し混合して得られた混合粉末を用いることを特徴
とするインジウム−スズ酸化物焼結体の製造法。 - (2)上記混合粉末として、 酸化インジウム粉末、 酸化スズ粉末、 並びに、 In粉末およびIn−Sn合金粉末のうち1種または2
種、 を配合し混合して得られた混合粉末を用いることを特徴
とする請求項1記載のインジウム−スズ酸化物焼結体の
製造法。 - (3)上記混合粉末として、 酸化インジウム粉末、 酸化スズ粉末、 酸化インジウム−酸化スズ焼成粉末、 並びに、 In粉末およびIn−Sn合金粉末のうち1種または2
種、 を配合し混合して得られた混合粉末を用いることを特徴
とする請求項1記載のインジウム−スズ酸化物焼結体の
製造法。 - (4)上記混合粉末として、 酸化インジウム粉末、 および、 In−Sn合金粉末、 を配合し混合して得られた混合粉末を用いることを特徴
とする請求項1記載のインジウム−スズ酸化物焼結体の
製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63295434A JP2569774B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | インジウム‐スズ酸化物焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63295434A JP2569774B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | インジウム‐スズ酸化物焼結体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02141459A true JPH02141459A (ja) | 1990-05-30 |
JP2569774B2 JP2569774B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17820550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63295434A Expired - Lifetime JP2569774B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | インジウム‐スズ酸化物焼結体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2569774B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0761838A1 (de) * | 1995-08-18 | 1997-03-12 | W.C. Heraeus GmbH | Target für die Kathodenzerstäubung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets |
KR100274094B1 (ko) * | 1995-08-18 | 2000-12-15 | 안드레아스 바우만/ 게하르트 리체르트 | 음극 스퍼터용 타겟과 동 타겟의 제조방법 |
JP2008115025A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 省インジウム系ito微粒子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63295434A patent/JP2569774B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0761838A1 (de) * | 1995-08-18 | 1997-03-12 | W.C. Heraeus GmbH | Target für die Kathodenzerstäubung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets |
KR100274094B1 (ko) * | 1995-08-18 | 2000-12-15 | 안드레아스 바우만/ 게하르트 리체르트 | 음극 스퍼터용 타겟과 동 타겟의 제조방법 |
CN1066782C (zh) * | 1995-08-18 | 2001-06-06 | W·C·贺利氏股份有限两合公司 | 阴极溅射靶以及这类靶的制造方法 |
JP2008115025A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 省インジウム系ito微粒子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2569774B2 (ja) | 1997-01-08 |
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