JPH02140928A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02140928A JPH02140928A JP29569388A JP29569388A JPH02140928A JP H02140928 A JPH02140928 A JP H02140928A JP 29569388 A JP29569388 A JP 29569388A JP 29569388 A JP29569388 A JP 29569388A JP H02140928 A JPH02140928 A JP H02140928A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＡＩ膜を陽極酸化する工程を含む半導体装置の製造方法
に関し、 Ａ１膜の上に欠損のない平坦なＡｌｘ（ｈ膜を形成する
ことを目的とし、 アルミニウム（Ａ１）膜の陽極酸化において、該アルミ
ニウム膜に対して陽極酸化する作用を有する溶液中に、
該アルミニウム膜の表面をエツチング除去する作用を有
する溶液を添加した溶液によ〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にへ１膜を
陽極酸化する方法に関するものである。
に関し、 Ａ１膜の上に欠損のない平坦なＡｌｘ（ｈ膜を形成する
ことを目的とし、 アルミニウム（Ａ１）膜の陽極酸化において、該アルミ
ニウム膜に対して陽極酸化する作用を有する溶液中に、
該アルミニウム膜の表面をエツチング除去する作用を有
する溶液を添加した溶液によ〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にへ１膜を
陽極酸化する方法に関するものである。
半導体装置においては、素子の高集積・高密度に作成す
る方法として、多層配線技術が有効である。
る方法として、多層配線技術が有効である。
多層配線技術は、眉間絶縁膜と配線用導電膜とを交互に
多層に形成する技術である。
多層に形成する技術である。
多層配線用導電膜として、ＡＩ膜が用いられる場合、該
Ａ１膜はその上に形成される眉間絶縁膜の成長の際の熱
に曝されることになる。
Ａ１膜はその上に形成される眉間絶縁膜の成長の際の熱
に曝されることになる。
ところで、＾ｌの溶融温度は６００ ’Ｃ程度であるか
ら、眉間ｍ縁膜成長中に流動したり、部分的にフクレや
突起が生じ易い。このため、次に該Ａ１膜の上に形成さ
れる眉間絶縁膜の膜質も悪く、また膜厚の均一性も失わ
れることになる。従って、この眉間絶縁膜を挟んだ上下
の＾ｌ膜の間で電気的ショートを起こすことがある。
ら、眉間ｍ縁膜成長中に流動したり、部分的にフクレや
突起が生じ易い。このため、次に該Ａ１膜の上に形成さ
れる眉間絶縁膜の膜質も悪く、また膜厚の均一性も失わ
れることになる。従って、この眉間絶縁膜を挟んだ上下
の＾ｌ膜の間で電気的ショートを起こすことがある。
そこで、この問題を解決するため、ＡＩ膜を陽極酸化し
て該ＡＩ膜の表面に＾１□０．膜を形成し、層間絶縁膜
の成長中にもＡＩ膜が流動しないようにしている。
て該ＡＩ膜の表面に＾１□０．膜を形成し、層間絶縁膜
の成長中にもＡＩ膜が流動しないようにしている。
しかし、従来のＡＩ膜の陽極酸化法によれば、＾ｌ膜表
面の全体にわたって良好なＡｈ（ｈ膜が必ずしも生成さ
れておらず、なかにはほとんど成長していない欠損部分
がある。この部分はＡＩＩａを被覆する機能も不十分で
あるため、その後の眉間絶縁膜成長中にこの部分からＡ
１が流れ出し、ショート不良の原因となっている。
面の全体にわたって良好なＡｈ（ｈ膜が必ずしも生成さ
れておらず、なかにはほとんど成長していない欠損部分
がある。この部分はＡＩＩａを被覆する機能も不十分で
あるため、その後の眉間絶縁膜成長中にこの部分からＡ
１が流れ出し、ショート不良の原因となっている。
このＡｈＯｘ膜の欠損部分は、ＡＩ膜の表面に付着した
ゴミ等、または溶媒中に含まれている汚染物によって電
流の流れを妨げられ、十分な陽極酸化が進行できなかっ
たために生じたものである。
ゴミ等、または溶媒中に含まれている汚染物によって電
流の流れを妨げられ、十分な陽極酸化が進行できなかっ
たために生じたものである。
本発明はかかる従来例の問題点に鑑みて創作されたもの
であり、Ａ１膜の表面全体にわたって均一に陽極酸化反
応をすすめ、Ａ１１０３膜の膜質が良好で、膜厚が均一
に形成されるへ１膜の陽極酸化方法の提供を目的とする
。
であり、Ａ１膜の表面全体にわたって均一に陽極酸化反
応をすすめ、Ａ１１０３膜の膜質が良好で、膜厚が均一
に形成されるへ１膜の陽極酸化方法の提供を目的とする
。
上記課題は、アルミニウム（Ａｌ）膜の陽極酸化におい
て、該アルミニウム膜に対して陽極酸化する作用を有す
る溶液中に、該アルミニウム膜の表面をエツチング除去
する作用を有する溶液を添加した溶液によって陽極酸化
を行う方法によって解決される。
て、該アルミニウム膜に対して陽極酸化する作用を有す
る溶液中に、該アルミニウム膜の表面をエツチング除去
する作用を有する溶液を添加した溶液によって陽極酸化
を行う方法によって解決される。
本発明によれば、シュウ酸系の水溶液にリン酸を含ませ
ている。このため、リン酸によってへ１膜の表面がエツ
チング除去される同時に、ＡＩ膜の表面に付着している
ゴミ等も除去されるので、へ１膜の表面全体にわたって
清浄となる。
ている。このため、リン酸によってへ１膜の表面がエツ
チング除去される同時に、ＡＩ膜の表面に付着している
ゴミ等も除去されるので、へ１膜の表面全体にわたって
清浄となる。
そして、清浄になったＡ１１１９表面には、陽極酸化反
応電流がＡ１重合体にわたって均一に流れ、この結果、
膜質が良好で、膜厚が均一なＡｈ０３膜が形成される。
応電流がＡ１重合体にわたって均一に流れ、この結果、
膜質が良好で、膜厚が均一なＡｈ０３膜が形成される。
次に、本発明の実施例について、図を参照しながら、具
体的に説明する。
体的に説明する。
第１図は、本発明の実施例に係るＡＩ膜の陽極酸化方法
を説明する陽極酸化装置の模式断面図である。
を説明する陽極酸化装置の模式断面図である。
図において、１は陽極酸化槽、２は水に対し、２％のシ
ュウ酸（陽極酸化作用）および０．５％のリン酸（エツ
チング作用）を含有する溶媒、３は電源、４は白金（Ｐ
ｔ）からなる陰極板、５は陽極電極、６はＡ１膜７が形
成されているウェハである。
ュウ酸（陽極酸化作用）および０．５％のリン酸（エツ
チング作用）を含有する溶媒、３は電源、４は白金（Ｐ
ｔ）からなる陰極板、５は陽極電極、６はＡ１膜７が形
成されているウェハである。
この陽極酸化槽１を用いた陽極酸化方法について、概略
説明すると、先ずウェハ６を陽極酸化槽１の溶媒２中に
入れる０次いで、陽極電極５をウェハ６上のＡＩＩＩｊ
Ｊ ７に接触させ、また陰極板４を溶媒中に入れる０次
に電源３のスイッチを入れて電圧を印加すると、陽極電
極５．Ａ！膜７．溶媒２゜陰極板４を介して電流が流れ
てＡＩが酸化され、Ａｌ膜７の上にＡＩ、Ｏ，膜８が形
成される。なお、形成されるＡ１．Ｏ，膜の膜厚は印加
電圧の大きさによって制御でき、例えばＩＯＶであれば
２００人程変色なる。
説明すると、先ずウェハ６を陽極酸化槽１の溶媒２中に
入れる０次いで、陽極電極５をウェハ６上のＡＩＩＩｊ
Ｊ ７に接触させ、また陰極板４を溶媒中に入れる０次
に電源３のスイッチを入れて電圧を印加すると、陽極電
極５．Ａ！膜７．溶媒２゜陰極板４を介して電流が流れ
てＡＩが酸化され、Ａｌ膜７の上にＡＩ、Ｏ，膜８が形
成される。なお、形成されるＡ１．Ｏ，膜の膜厚は印加
電圧の大きさによって制御でき、例えばＩＯＶであれば
２００人程変色なる。
また、陽極酸化作用を有する液としては、他にスルホサ
リチル酸、クロム酸、硫酸、エマタールなどでも良く、
またエツチング作用を有する液としては、フッ酸（ＩＰ
） 、リン酸（ｌｈＰＯ４）、塩酸（１１ＣＩ）でも良
い。
リチル酸、クロム酸、硫酸、エマタールなどでも良く、
またエツチング作用を有する液としては、フッ酸（ＩＰ
） 、リン酸（ｌｈＰＯ４）、塩酸（１１ＣＩ）でも良
い。
次に第２図を参照しながら、本発明の実施例に係る＾ｌ
膜の陽極酸化方法を用いた電界効果トランジスタの製造
方法について説明する。
膜の陽極酸化方法を用いた電界効果トランジスタの製造
方法について説明する。
まず、同図（ａ）に示すように、ｐ型Ｓｉ基板９を選択
酸化してフィールド絶縁膜１０となるＳｉ０ｇ膜を形成
する０次にゲート絶縁膜となる５ｉＯ１膜と、ゲート電
極となるポリシリコン膜を被着してパターニングし、ゲ
ート絶縁膜１１とゲート電極１２とを形成する。しかる
後に眉間絶縁膜となるＳｉｎｇ１３を形成し、イオン注
入技術によりソース領域およびドレイン領域１４を形成
する。その後、全面に第１のＡ１膜１５を被着する。
酸化してフィールド絶縁膜１０となるＳｉ０ｇ膜を形成
する０次にゲート絶縁膜となる５ｉＯ１膜と、ゲート電
極となるポリシリコン膜を被着してパターニングし、ゲ
ート絶縁膜１１とゲート電極１２とを形成する。しかる
後に眉間絶縁膜となるＳｉｎｇ１３を形成し、イオン注
入技術によりソース領域およびドレイン領域１４を形成
する。その後、全面に第１のＡ１膜１５を被着する。
次に同図（ｂ）に示すように、本発明の陽極酸化方法に
より、第１のＡＩ膜１５の表面を酸化する。
より、第１のＡＩ膜１５の表面を酸化する。
これにより膜厚が均一で欠損のない＾ｌ！０．膜１６が
形成される。
形成される。
次に同図（Ｃ）に示すように、ＡＩｇＯ１膜１６および
Ａｌ１１ｉ１５を順次パターニングしてドレイン電極配
線１７を形成した後、ＣＶＤ法により層間絶縁膜１８と
なるＳｉＯ□膜を被着する。
Ａｌ１１ｉ１５を順次パターニングしてドレイン電極配
線１７を形成した後、ＣＶＤ法により層間絶縁膜１８と
なるＳｉＯ□膜を被着する。
次いで、配ｆＩ層としての第２のＡ１１ｌｉ１９を被着
する。ここで更に多層配線構造にする場合には、本発明
の陽極酸化方法により、第２のＡ１１ｌＱ１９の表面を
酸化してＡｈＯｓ膜を形成する。
する。ここで更に多層配線構造にする場合には、本発明
の陽極酸化方法により、第２のＡ１１ｌＱ１９の表面を
酸化してＡｈＯｓ膜を形成する。
その後の工程については説明を省略するが、このように
して多層配線構造の電界効果トランジスタが作成される
。
して多層配線構造の電界効果トランジスタが作成される
。
このように本発明の実施例によれば、欠を貝のないＡｌ
ｚＯＪ９ｉ １６を形成することができるので、後工程
の眉間絶縁膜１８の形成の際の熱によってもＡＩ膜１５
に突起やフクレが生じることはない、従ってまた、その
上に形成される層間絶縁膜１８の膜質も良好で、膜厚も
一定となる。このため、眉間絶縁膜１８の上下に形成さ
れたＡ１膜間での電気的ショートが防止され、また所定
の絶縁耐圧が保証される。
ｚＯＪ９ｉ １６を形成することができるので、後工程
の眉間絶縁膜１８の形成の際の熱によってもＡＩ膜１５
に突起やフクレが生じることはない、従ってまた、その
上に形成される層間絶縁膜１８の膜質も良好で、膜厚も
一定となる。このため、眉間絶縁膜１８の上下に形成さ
れたＡ１膜間での電気的ショートが防止され、また所定
の絶縁耐圧が保証される。
以上のように本発明の半導体装置の製造方法によれば、
Ａ１１ｌｌの表面に欠損のない＾１２０．膜を形成する
ことができるので、眉間絶縁膜をはさむＡ１間の電気的
ショートが防止され、また所定の絶縁耐圧が保証される
。
Ａ１１ｌｌの表面に欠損のない＾１２０．膜を形成する
ことができるので、眉間絶縁膜をはさむＡ１間の電気的
ショートが防止され、また所定の絶縁耐圧が保証される
。
これにより、多層配線構造を有する半導体装置の良品歩
留りおよび信幀性の向上を図ることができる。
留りおよび信幀性の向上を図ることができる。
第１図は、本発明の実施例に係るＡ！膜の陽極酸化方法
を説明する陽極酸化装置の模式断面図、第２図（ａ）〜
（Ｃ）は、本発明の実施例に係る電界効果トランジスタ
の製造方法を説明する断面図である。 〔符号の説明〕 １・・・陽極酸化槽、 ２・・・リン酸を含むシュウ酸系の溶媒、３・・・電源
、 ４・・・陰極板、 ５・・・陽掻電極、 ６・・・ウェハ、 ７・・・＾ｌ膜、 ８・・・ＡｈＯｓ膜、 ９・・・Ｓｉ基板、 １０・・・フィールド絶縁膜、 １１・・・ゲート絶縁膜、 １２・・・ゲート電極、 １３．１８・・・層間絶縁膜、 １４・・・ドレイン領域、 １５・・・第１のＡ１膜、 １６・・・Ａ１膜０．膜、 １７・・・ドレイン電極配線、 １９・・・第２のへｌ膜。
を説明する陽極酸化装置の模式断面図、第２図（ａ）〜
（Ｃ）は、本発明の実施例に係る電界効果トランジスタ
の製造方法を説明する断面図である。 〔符号の説明〕 １・・・陽極酸化槽、 ２・・・リン酸を含むシュウ酸系の溶媒、３・・・電源
、 ４・・・陰極板、 ５・・・陽掻電極、 ６・・・ウェハ、 ７・・・＾ｌ膜、 ８・・・ＡｈＯｓ膜、 ９・・・Ｓｉ基板、 １０・・・フィールド絶縁膜、 １１・・・ゲート絶縁膜、 １２・・・ゲート電極、 １３．１８・・・層間絶縁膜、 １４・・・ドレイン領域、 １５・・・第１のＡ１膜、 １６・・・Ａ１膜０．膜、 １７・・・ドレイン電極配線、 １９・・・第２のへｌ膜。
Claims (1)
- アルミニウム（Ａｌ）膜の陽極酸化において、該アルミ
ニウム膜に対して陽極酸化する作用を有する溶液中に、
該アルミニウム膜の表面をエッチング除去する作用を有
する溶液を添加した溶液によって陽極酸化を行う工程を
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29569388A JPH02140928A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29569388A JPH02140928A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140928A true JPH02140928A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17823950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29569388A Pending JPH02140928A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990058615A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 분석 웨이퍼 재생방법 |
| KR100479296B1 (ko) * | 1998-01-12 | 2005-06-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체웨이퍼의분석방법 |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP29569388A patent/JPH02140928A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990058615A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 분석 웨이퍼 재생방법 |
| KR100479296B1 (ko) * | 1998-01-12 | 2005-06-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체웨이퍼의분석방법 |
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