JP3341399B2 - 液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の陽極酸化方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置等に利用で
きる薄膜トランジスタに係わり、特に、ゲート電極・ソ
ース電極間の短絡、絶縁耐圧の低下を抑えた、歩留まり
向上を可能とした陽極酸化方法及びこれを用いた薄膜ト
ランジスタに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示装置を構成するアクティ
ブマトリクス基板における非晶質シリコン薄膜トランジ
スタ（以下ａ−ＳｉＴＦＴと略する）の構造を、図５の
部分断面図を用いて説明する。

【０００３】非晶質シリコン薄膜トランジスタは、ガラ
スや石英などの絶縁性基板１上に例えばアルミニウムか
らなるゲ−ト電極３（ゲート配線も兼ねる、以下ゲート
電極と記す）が形成され、そのゲ−ト電極３を覆うよう
にしてアルミニウムを陽極酸化することによって形成さ
れた第１のゲ−ト絶縁膜５が形成され、さらに窒化シリ
コンからなる第２のゲ−ト絶縁膜６を介して非晶質シリ
コン半導体層７が形成され、チャネル保護膜８を形成
し、チタン及びアルミニウムからなるソ−ス（信号配線
も兼ねる、以下ソース電極と記す），ドレイン電極１０
ａ，１０ｂがリンを含む非晶質シリコン半導体層９ａ，
９ｂを介して形成されている。

【０００４】次にこのようなａ−ＳｉＴＦＴの製造工程
について簡単に説明する。まず、ガラス基板１上にアル
ミニウムＡｌを成膜して、フォトリソグラフィ技術によ
りゲ−ト電極３を形成する。次に前述のゲ−ト電極３の
必要部分を陽極酸化することにより、酸化アルミニウム
ＡｌＯｘからなる第１のゲ−ト絶縁膜５を形成する。次
に窒化シリコンＳｉＮｘからなる第２ゲ−ト絶縁膜６、
非晶質半導体層７（ａ−Ｓｉ）、及びチャネル保護膜と
なる窒化シリコンをプラズマＣＶＤ法により連続成膜
し、その後チャネル保護膜８をパターン形成する。ソ−
スドレイン電極と半導体間でオ−ミック接触を得るため
のｎ+ａ−Ｓｉ層９ａ，９ｂをプラズマＣＶＤ法により
成膜した後、ＴＦＴを形成する部分以外のａ−Ｓｉ層及
びｎ+ａ−Ｓｉ層をエッチング除去する。最後にＡｌを
成膜してフォトリソグラフィ技術によりソ−ス電極１０
ａ，ドレイン電極１０ｂを形成しＴＦＴが完成する。

【０００５】尚、この様なａ−ＳｉＴＦＴは従来より公
知の技術であり、例えばＴａやＡｌの陽極酸化技術は
（電気化学便覧、昭和３９年１２月発行、第８７４〜８
９２頁参照）に記載されており、金属の表面を電気化学
的に酸化する技術であり、従来キャパシタや表面コート
に使われていたものである。この技術による酸化膜の
（絶縁膜）の利点はゴミによる欠陥が生じにくい点にあ
る。これをＴＦＴに利用した従来技術として、例えば
（特開昭５８−１４７０６９号公報参照）や、改良され
た従来技術として例えば（特開平２−８５８２６号公報
参照）等が知られている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術はプロセ
スの簡略化、ゲート電極・そのほかの電極との短絡ある
いはゲート配線抵抗について配慮され、表示特性、歩留
まり、コストの面で改善されたものであるが、しかしな
がら、未だに十分な歩留まりを常時得ることができてい
ないのが現状であり、その原因が以下の理由にあること
が判った。

【０００７】（１）本来、ａ−ＳｉＴＦＴのゲート・ソ
ース間の絶縁耐圧は第１のゲート絶縁膜と第２のゲート
絶縁膜により決まり高い絶縁耐圧が得られるように設計
されているものの、窒化シリコンからなる第２のゲート
絶縁膜は薄膜であり、且つプラズマＣＶＤ法により成膜
されるためゴミ等によりピンホールが発生し易く、よっ
てピンホール箇所は第１のゲート絶縁膜の絶縁耐圧で一
義的に決まり、所期の耐圧が得られない。

【０００８】（２）更に、上記従来技術では、陽極酸化
によって形成された第１のゲ−ト絶縁膜が、後工程のフ
ッ酸系エッチング液によるエッチングの最中に第２のゲ
−ト絶縁膜のピンホール欠陥部などで陽極酸化膜がフッ
酸によってエッチングされ、ゲ−ト絶縁膜が薄くなるこ
とにより、ゲート・ソース電極間の短絡あるいは低耐圧
部が発生するという問題点があった。

【０００９】（３）よって、上記（１）（２）の観点か
ら陽極酸化により形成される第１のゲート絶縁膜は、で
きるだけ厚くし（但し、層間のカバレージを考慮し最適
値は２０００〜３０００Å）高い耐圧が得られるように
することが非常に重要である。ところが陽極酸化による
第の１ゲート絶縁膜を厚膜化したところ（化成電圧を高
くし高耐圧化する）日々の製造ロットで耐圧が大きく変
動し、高耐圧のロットもあれば（陽極酸化時の化成電圧
相当）、低耐圧のロット（化成電圧の半分以下）も発生
するという不具合が生じた。この耐圧変動は種々検討の
結果、陽極酸化直前のゲート電極表面に大きく依存して
おり、即ちゲート電極パターン形成後、陽極酸化するま
での時間およびその時の保管状況で生成する自然酸化膜
が悪影響を与えていることを突き止めた。

【００１０】以上（１）〜（３）の原因により、ゲート
・ソース間の短絡あるいは低耐圧化を引き起こし、ａ−
ＳｉＴＦＴを製造する際の歩留まりを低下させていた。

【００１１】本発明は、上記課題とりわけ陽極酸化によ
るゲート絶縁膜の厚膜形成において、その耐圧が変動す
ることに対して、簡単なプロセスで、所期の高い耐圧が
安定して得られ、短絡あるいは低耐圧部発生のない第１
ゲート絶縁膜を得ることのできる陽極酸化方法を提供す
ると共に、歩留まりの高いａ−ＳｉＴＦＴを提供するす
るものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶表示装置のアクティブマトリクス基
板の陽極酸化方法は、液晶表示装置のアクティブマトリ
クス基板に用いられる絶縁性基板上にＡｌからなる電極
を部分的に形成した後に、前記電極をポジレジスト用ア
ルカリ現像液にて４５秒から１３５秒間エッチングして
から水洗し、次に前記絶縁性基板を保管し、前記絶縁性
基板の保管環境がクリーンルーム保管の場合は、前記絶
縁性基板の保管の時間を４８時間以内とし、前記絶縁性
基板の保管環境がクリーンで乾燥した不活性なガスの窒
素でパージされた環境の場合は、前記絶縁性基板の保管
の時間を６４時間以内とし、前記保管後に前記絶縁性基
板の前記電極を陽極酸化させることを特徴とする。

【００１３】

【作用】本発明では、Ａｌ薄膜からなるゲート電極を形
成した後、このゲート電極を陽極酸化する際、ゲート電
極表面をエッチングした後、陽極酸化することにより、
陽極酸化されるゲート電極表面が常に清浄であるため、
安定して、均質なＡｌＯｘ膜が形成されるため、化成電
圧相当の高い絶縁耐圧が得られ、結果としてゲート・ソ
ース電極間の短絡あるいは低圧部発生のないａ−ＳｉＴ
ＦＴを製作することができる。

【００１４】

【実施例】以下本発明の実施例について、図１〜４を用
いて説明する。図１、図３は本発明による陽極酸化方法
のプロセスフローを示すフローチャート、図２、図４は
フローチャートの各工程を示した薄膜トランジスタの部
分断面図である。

【００１５】（実施例１） 以下、本発明の一実施例について、図１、図２を参照し
ながら説明する。

【００１６】まず、スパッタリングによりガラス基板等
からなる透光性絶縁基板１上にＡｌ薄膜２を約３０００
Å成膜する（図１、図２（ａ））。

【００１７】次にゲート電極３を通常のフォトリソ、エ
ッチング技術により形成する。尚、ここで使用したレジ
ストを剥離する際、例えば発煙硝酸を使用すればゲート
電極３表面に薄い酸化膜４が形成される。また、この種
の一般的製造工場においては、通常連続操業運転してい
るが、例えば装置トラブル、定期メンテナンス、長期休
暇などでプロセスがストップすると、Ａｌ薄膜２成膜後
あるいはゲート電極３形成後、時間の経過と共に自然酸
化膜４がわずかではあるが形成され、後工程の陽極酸化
工程で悪影響を与える（図１、図２（ｂ））。

【００１８】また、陽極酸化までの時間が長ければ長い
程ダストの付着も多くなり、陽極酸化工程においてダス
トを核にしたＡｌＯｘのピンホールが発生し、ゲート・
ソース間の短絡あるいは絶縁耐圧低下の原因となる。

【００１９】次に前工程までで形成された自然酸化膜４
をポジレジスト用アルカリ現像液（例えば、東京応化
（株）製造 商品名ＮＭＤ−３、２．３８％）でわずか
にエツチング除去し、清浄なＡｌ表面を露出させる（図
１、図２（ｃ））。

【００２０】設備・方法としては、通常のポジレジスト
ラインを使用し、レジストは塗布せず、現像部で例えば
パドル現像処理、その後水洗すればよい（アルカリ現像
液に浸漬されＡｌ表面がエッチングされる）。

【００２１】ここで重要なことはエッチング時間であ
る。本実施例でのエッチング時間４５秒では約１００
Å、９０秒では約４００Å、１３５秒では約７００Åエ
ッチングされる。何れも後述する絶縁耐圧の評価（表１
参照）では良好な結果が得られた。エッチング時間が短
いと酸化膜が残り本発明の効果が得られず、また長すぎ
るとＡｌの膜厚が薄くなり配線抵抗値が高くなり好まし
くない。

【００２２】次にゲート電極３表面を陽極酸化しＡｌＯ
ｘからなる第１のゲート絶縁膜５を形成する（図１、図
２（ｄ））。

【００２３】陽極酸化の方法としては、直流安定化電源
を用い、陽極酸化開始からまず一定の電流密度で所定の
電圧になるまで電流を印加し、所定の電圧になったと同
時に一定の直流電圧に切り替え、電流が初期の１％にな
るまで化成した。電界液としては例えば、１重量％酒石
酸アンモニウムとエチレングリコールを体積比３：７に
混合した中性液を用い、電流密度５ｍＡ／ｃｍ²、化成
電圧１５７ＶでＡｌＯｘの膜厚としては約２２００Åが
得られる。ここで重要なことはＡｌＯｘの膜厚である。
前述の通り、後工程でのフッ酸系エッチャントに対する
第２絶縁膜ピンホール部でのＡｌＯｘの膜減りを考える
と厚い方が良いが、段差を考慮するとその最適値は２０
００〜３０００Åである。

【００２４】ここで更に重要なことはゲート電極２表面
をエッチングしてから陽極酸化するまでの時間とその保
管環境である。陽極酸化までの時間は後述の比較結果か
ら４８時間以内（表２、表３参照）が良く、好ましくは
２４時間以内が良い。なぜなら、陽極酸化までの時間は
本発明の特徴から短ければ短い程良く、陽極酸化までの
時間が長ければ長い程清浄なＡｌ表面に自然酸化膜が形
成され、またダストの付着も多くなり、陽極酸化におい
てピンホールのない致密で均質なＡｌＯｘの生成を阻害
し、絶縁耐圧の低下を招くので好ましくない。また、保
管環境はクリーンで乾燥した不活性なガス、例えば窒素
などでパージされた環境であれば４８時間以上経過して
も良い結果（表４参照）が得られる。

【００２５】ここで本発明の陽極酸化方法と従来の陽極
酸酸化方法によって得られた第１のゲート絶縁膜の比較
結果について説明する。簡便な比較方法として図１
（ａ）〜（ｄ）工程を通した本発明基板と、図１（ｃ）
工程のない従来基板にＡｌを成膜し、ソース電極配線パ
ターンを形成した後（半導体層は省略して）、ゲート・
ソース電極間の絶縁耐圧を測定した。

【００２６】サンプルは、通常のクリーンルーム保管
で、本発明にかかるポジレジスト用アルカリ現像液によ
り４５秒、９０秒、１３５秒エッチングしたもの、ま
た、エッチング後陽極酸化までの時間を、直後、１２時
間後、２４時間後、４８時間後、６４時間後、１６８時
間後としたものである。

【００２７】また、エッチング後の保管環境として窒素
パージし、エッチング後陽極酸化までの時間を４８時
間、６４時間、１６８時間としたもの、および従来の製
造方法（即ちアルカリ現像液処理を行わない０秒のも
の）により製作したものを比較した。尚、何れもゲート
電極３パターン形成後、本発明に係るアリカリ現像液処
理迄の時間は３日間（約７２時間）クリーンルーム内に
放置した基板を使用した。比較結果を表１〜４に示す。
表２および３はクリーンルーム保管の場合、表４は窒素
パージ保管の場合である。

【００２８】この表１〜４より明かなように、本実施例
によれば絶縁耐圧の高い陽極酸化膜が得られる。

【００２９】

【表１】

【００３０】

【表２】

【００３１】

【表３】

【００３２】

【表４】

【００３３】次に窒化シリコンからなる第２のゲート絶
縁膜６・ａ−Ｓｉ層７・窒化シリコンからなるチャネル
保護膜をプラズマＣＶＤ法により連続成膜する。そし
て、フォトリソ・エッチング技術によりチャネル保護膜
８をパターン形成する（図１、図２（ｅ））。

【００３４】次にプラズマＣＶＤ法によりｎ+ａ−Ｓｉ
層を成膜し、そしてフォトリソ・エッチング技術によ
り、前記ａ−Ｓｉ層７とｎ+ａ−Ｓｉ層９ａ，９ｂを同
時に形成する（図１、図２（ｆ））。

【００３５】次にソース・ドレイン電極としてスパッタ
リングによりＴｉ・Ａｌの積層膜を成膜し、そしてフォ
トリソ・エッチング技術によりソース・ドレイン電極１
０ａ，１０ｂをパターン形成して薄膜トランジスタが完
成する（図１、図２（ｇ））。

【００３６】斯くして得られた薄膜トランジスタの特性
を以下の方法で評価した。前述の陽極酸化により形成し
た第１のゲート絶縁膜５の評価においては、その絶縁耐
圧を評価したが、ここでは液晶表示装置としての評価方
法によった。

【００３７】通常液晶表示装置に使用される薄膜トラン
ジスタ（基板）はスクリーニングテストが行われる。即
ち、実駆動電圧（〜３０ｖ）に対し、更に高い電圧（＋
２０ｖ）を加えて約５０ｖで試験し、ゲート・ソース電
極間の短絡の有無を調べ、実駆動時における不良の発生
を未然に防ぐものである。

【００３８】よって、本実施例により得られた薄膜トラ
ンジスタのゲート・ソース電極間に最大５０ｖの電圧を
印加し短絡の有無を調べたところ、ゲート・ソース電極
間の短絡は全くなかった。

【００３９】ここで、本実施例の薄膜トランジスタがな
ぜ全く短絡が発生しないかについて説明する。前述の通
り本実施例による第１のゲート絶縁膜の絶縁耐圧は１５
０〜１６０ｖであるが、そのＡｌＯｘの膜厚は約２２０
０Åである。後工程で使用されるフッ酸系エッチャント
（バッファード弗化水素酸、以下ＢＨＦと記す）に対す
るエッチングレートは約１０００Å／分であり、例え
ば、仮にＢＨＦにより１分処理し、ピンホールがあった
としてＡｌＯｘがエッチングされたとしても２２００−
１０００＝１２００Å残る。残った１２００Åのゲート
絶縁膜の耐圧は約８５ｖであり、前述の薄膜トランジス
タ（基板）の検査では全く問題ない。

【００４０】同様に従来の陽極酸化方法により得られた
第１のゲート絶縁膜の絶縁耐圧は９０〜１００ｖであっ
た。１００ｖとした場合のＡｌＯｘの膜厚は約１４００
Å、ＢＨＦにより１０００Åエッチングされると残り４
００Åとなり、その耐圧は約３０ｖとなり、薄膜トラン
ジスタ（基板）のスクリーニングテストにおいて短絡と
なる箇所が発生する。

【００４１】このように、ＢＨＦによるＡｌＯｘの膜減
りを考えるとＡｌＯｘの膜厚は厚ければ厚い方がよい
が、厚すぎると段差が大きくなり新たな不具合が発生す
るので好ましくない。よって、本実施例の如く、例えば
２２００Å程度が最適であり、かつ、その膜厚において
常に安定して化成電圧相当の高い絶縁耐圧が再現よく得
られることが重要なことが判る。

【００４２】以上のように本実施例によれば、薄膜トラ
ンジスタを構成する陽極酸化により形成された第１のゲ
ート絶縁膜の絶縁耐圧が、ロット変動するという不具合
に対し、陽極酸化する際、Ａｌゲート電極表面をポジレ
ジスト用アルカリ現像液でわずかにエッチングした後、
絶縁性基板の保管環境がクリーンルーム保管の場合は４
８時間以内に陽極酸化し、絶縁性基板の保管環境がクリ
ーンで乾燥した不活性なガスの窒素でパージされた環境
の場合は６４時間以内に陽極酸化することにより、常に
安定して化成電圧相当の高い絶縁耐圧を得ることがで
き、結果としてゲート・ソース電極間ショート不良のな
い高歩留まりａ−ＳｉＴＦＴを得ることができる。ま
た、エッチング後、窒素パージされた環境下に保管する
ことでも同様の効果をえることができる。

【００４３】（実施例２） 以下本発明の第２の実施例について、図３、図４を参照
しながら説明する。

【００４４】図３において（ａ）（ｂ）（ｄ）（ｅ）
（ｆ）（ｇ）は図１と同じプロセスである。

【００４５】図４において、１はガラス基板、２は成膜
されたＡｌ、３はゲート電極、４は自然酸化膜、５は第
１のゲート絶縁膜、６は第２のゲート絶縁膜、７はａ−
Ｓｉ層、８はチャネル保護膜、９ａ，９ｂはｎ+ａ−Ｓ
ｉ層、１０ａ，１０ｂはソース・ドレイン電極で、以上
は図２と同様なものである。同図（ｂ）では、ゲート電
極３の他にゲート電極３と接続延長されたゲート電極引
出し部１１を併せて記載している。

【００４６】図３、図４において、図１、図２と異なる
のは図３、図４（ｃ）のプロセスである。

【００４７】ゲート電極３が形成された後、ゲート電極
引出し部１１をポジレジストにより被覆するため、ポジ
レジストを約２μｍ塗布、プリベーク乾燥、露光、その
後、現像処理しゲート電極の一部を被覆するレジスト膜
１２が形成される（図３、図４（ｃ））。

【００４８】このレジスト膜１２で被覆されたゲート電
極表面は、薄膜トランジスタ（基板）としての給電端子
となり、後工程の陽極酸化工程では陽極酸化されない。
この工程では、ポジレジスト用アルカリ現像液でレジス
トの現像と同時に、ゲート電極３表面に形成された自然
酸化膜４をエッチング除去し清浄なＡｌ表面を露出させ
る。

【００４９】その後、絶縁性基板の保管環境がクリーン
ルーム保管の場合は４８時間以内に陽極酸化し、絶縁性
基板の保管環境がクリーンで乾燥した不活性なガスの窒
素で パージされた環境の場合は６４時間以内に陽極酸化
する（表１、表２、表３、表４、図３、図４（ｄ）参
照）。ここでの現像処理時間はレジストの現像に加えて
ゲート電極２表面のエッチングを行うので多少オーバー
現像が好ましい。

【００５０】次に実施例１同様の工程を経て薄膜トラン
ジスタが完成する（図３、図４（ｅ）（ｆ）（ｇ））。

【００５１】実施例２で得られた第１のゲート絶縁膜の
絶縁耐圧を実施例１同様評価したところ、実施例１同様
化成電圧相当の高い絶縁耐圧が得られた。また、薄膜ト
ランジスタのゲート・ソース電極間の短絡も全くなかっ
た。

【００５２】以上のように、本実施例の特徴はゲート電
極表面を陽極酸化する際、ゲート電極の一部をポジレジ
ストで被覆するフォトリソ工程を有し、このフォトリソ
工程において、ポジレジスト用アルカリ現像液でレジス
トの現像と同時に、ゲート電極表面の被覆されない電極
表面をエッチングするので工程の簡略化が図れ、その後
に絶縁性基板の保管環境がクリーンルーム保管の場合は
４８時間以内に陽極酸化し、絶縁性基板の保管環境がク
リーンで乾燥した不活性なガスの窒素でパージされた環
境の場合は６４時間以内に陽極酸化することにより、絶
縁耐圧の高い第１のゲート絶縁膜を得ることができる。

【００５３】なお、実施例１、２において、ゲート電極
３はＡｌ薄膜からなることとしたが、Ａｌ薄膜は、Ａｌ
の層と、Ｔａが添加されたＡｌの層とを積層した薄膜で
あってもよい。

【００５４】また、実施例１において、ゲート電極３表
面をポジレジスト用アルカリ現像液でエッチングした後
陽極酸化したが、ゲート電極３表面をエッチングした
後、ゲート電極の一部を被覆するためのポジレジストに
よるフォトリソ工程を行った後陽極酸化してもよい。

【００５５】また、実施例２において、ゲート電極の一
部を被覆するフォトリソ工程の現像処理と同時にゲート
電極表面をエッチングしたが、更に前処理として前期フ
ォトリソ工程の前にポジレジスト用アルカリ現像液でゲ
ート電極表面をわずかにエッチングしてもよい。

【００５６】また、実施例１、２において、ゲート電極
３表面のエッチングにはポジレジスト用アルカリ現像液
を使用したが、そのほか例えば無機の酸（硝酸、塩酸）
やアルカリ（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム）の低
濃度水溶液であってもよい。

【００５７】

【発明の効果】以上のように本発明は、絶縁性基板上に
Ａｌ薄膜からなるゲート電極を部分的に形成した後、前
記ゲート電極を陽極酸化する際、前記ゲート電極表面を
ポジレジスト用アルカリ現像液でエッチングした後、絶
縁性基板の保管環境がクリーンルーム保管の場合は４８
時間以内に陽極酸化し、絶縁性基板の保管環境がクリー
ンで乾燥した不活性なガスの窒素でパージされた環境の
場合は６４時間以内に陽極酸化することにより、常に清
浄化されたＡｌ電極表面から致密で均質なＡｌＯｘ膜が
形成されるため、化成電圧相当の高い絶縁耐圧が再現よ
く安定して得られ、結果ゲート・ソース電極間の短絡の
ない高歩留まりのａ−ＳｉＴＦＴを製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１における陽極酸化方法および
薄膜トランジスタの製造工程を示すフローチャート

【図２】第１の実施例における陽極酸化方法および薄膜
トランジスタの製造工程を示す部分断面図

【図３】本発明の第２の実施例における陽極酸化方法お
よび薄膜トランジスタの製造工程を示すフローチャート

【図４】第２の実施例における陽極酸化方法および薄膜
トランジスタの製造工程を示す部分断面図

【図５】従来の薄膜トランジスタの構成を示す部分断面
図

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ Ａｌ薄膜 ３ ゲート電極 ４ 自然酸化膜 ５ 第１のゲート絶縁膜 ６ 第２のゲート絶縁膜 ７ ａ−Ｓｉ層 ８ チャネル保護膜 ９ａ，９ｂ ｎ+ａ−Ｓｉ層 １０ａ，１０ｂ ソース，ドレイン電極 １１ ゲート電極引出し部 １２ レジスト膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹田 守 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 田村 達彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−140928（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−271993（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/316 G02F 1/1368 H01L 29/78

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶表示装置のアクティブマトリクス基
   板の陽極酸化方法において、 前記アクティブマトリクス基板に用いられる 絶縁性基板
   上にＡｌからなる電極を部分的に形成した後に、前記電
   極をポジレジスト用アルカリ現像液にて４５秒から１３
   ５秒間エッチングしてから水洗し、 次に前記絶縁性基板を保管し、 前記絶縁性基板の保管環境がクリーンルーム保管の場合
   は、前記絶縁性基板の保管の時間を４８時間以内とし、 前記絶縁性基板の保管環境がクリーンで乾燥した不活性
   なガスの窒素でパージされた環境の場合は、前記絶縁性
   基板の保管の時間を６４時間以内とし、 前記保管後に前記絶縁性基板の前記電極を陽極酸化させ
   る ことを特徴とする液晶表示装置のアクティブマトリク
   ス基板の陽極酸化方法。