JPH02138801A - 位置合わせ方法および位置合わせ装置 - Google Patents
位置合わせ方法および位置合わせ装置Info
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- JPH02138801A JPH02138801A JP63291783A JP29178388A JPH02138801A JP H02138801 A JPH02138801 A JP H02138801A JP 63291783 A JP63291783 A JP 63291783A JP 29178388 A JP29178388 A JP 29178388A JP H02138801 A JPH02138801 A JP H02138801A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいてマスクと
うエバを近接して露光する焼付装置の位置合わせ方法お
よびその装置に関するものである。
うエバを近接して露光する焼付装置の位置合わせ方法お
よびその装置に関するものである。
半導体ＩＣやＬＳＩを製造するために、回路パターンを
有するマスクをウェハに接触もしくは極めてわずかの間
隙をもって近接させて直接焼イ４けを行なうパターン焼
付は装置には、マスクに対しウェハを相対的に高精度位
置合わせすることが要求される。従来のこの種の装置は
、特開昭５８３１５２６号公報で明らかにされているよ
うに、第８図に示すマスク上のスリット１とウェハ上の
回折格子２からなる一組のマークにレーザ光を照射し、
この時スリット１を通過してくる回折光の強度変化を利
用して位置合わせを行なうもので、第９図に示すように
、レーザ光源３と集光レンズ４からなる照射手段、スリ
ット１を設けたマスク５、ウェハ６を保持し、マスク５
に対しウェハ６を相対移動する移動手段７、移動位置読
取装置８、スリット１を通過してくる回折光を受光する
光電検出手段９、位置合わせを制御する制御手段１０か
ら構成される。
有するマスクをウェハに接触もしくは極めてわずかの間
隙をもって近接させて直接焼イ４けを行なうパターン焼
付は装置には、マスクに対しウェハを相対的に高精度位
置合わせすることが要求される。従来のこの種の装置は
、特開昭５８３１５２６号公報で明らかにされているよ
うに、第８図に示すマスク上のスリット１とウェハ上の
回折格子２からなる一組のマークにレーザ光を照射し、
この時スリット１を通過してくる回折光の強度変化を利
用して位置合わせを行なうもので、第９図に示すように
、レーザ光源３と集光レンズ４からなる照射手段、スリ
ット１を設けたマスク５、ウェハ６を保持し、マスク５
に対しウェハ６を相対移動する移動手段７、移動位置読
取装置８、スリット１を通過してくる回折光を受光する
光電検出手段９、位置合わせを制御する制御手段１０か
ら構成される。
レーザ光源３から発したレーザ光は集光レーザ４を通し
でマスク５上のスリット１を照明する。
でマスク５上のスリット１を照明する。
スリット１を通過したレーザ光は回折格子２を照明し、
回折光を生じる。この回折光はスリット１を再度通過し
た後、中央部に開口をもつミラー１１の周辺部で反射さ
れ、光電素子１２によって受光される。スリット１の幅
ｄ′を回折格子２の幅ｄに等しく形成し、ウェハ６を一
定速度で移動させれば、スリット１の直下を回折格子２
が通過する時、回折光強度は最大になる。この最大とな
る位置を移動位置読取装置８で読み取り、その読み取り
値を記憶した後、モータ１３を逆転させ、記４、Ｉ し
た位置までステージ１４を戻して停止させることによっ
て位置合わせを行なう。
回折光を生じる。この回折光はスリット１を再度通過し
た後、中央部に開口をもつミラー１１の周辺部で反射さ
れ、光電素子１２によって受光される。スリット１の幅
ｄ′を回折格子２の幅ｄに等しく形成し、ウェハ６を一
定速度で移動させれば、スリット１の直下を回折格子２
が通過する時、回折光強度は最大になる。この最大とな
る位置を移動位置読取装置８で読み取り、その読み取り
値を記憶した後、モータ１３を逆転させ、記４、Ｉ し
た位置までステージ１４を戻して停止させることによっ
て位置合わせを行なう。
上述した方法では、位置を記憶した後に外乱や熱変形等
によってマスク５やウェハ６が移動した場合、その移動
量がそのまま位置合わせ誤差となるため、高精度ザーボ
に適用するには不向きであり、また、位置の読取精度が
そのまま位置合わせ精度に影響するため、レーザ測長器
等の高価な移動位置読取装置を必要とする欠点があった
。
によってマスク５やウェハ６が移動した場合、その移動
量がそのまま位置合わせ誤差となるため、高精度ザーボ
に適用するには不向きであり、また、位置の読取精度が
そのまま位置合わせ精度に影響するため、レーザ測長器
等の高価な移動位置読取装置を必要とする欠点があった
。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、外乱や熱変形等によってマスク
やウェハが移動しても高精度な位置合わせが可能で、高
価な移動位置読取装置を必要としない位置合わせ方法お
よび位置合わせ装置を提供することにある。
の目的とするところは、外乱や熱変形等によってマスク
やウェハが移動しても高精度な位置合わせが可能で、高
価な移動位置読取装置を必要としない位置合わせ方法お
よび位置合わせ装置を提供することにある。
このような課題を解決するために本願の方法発明は、ウ
ェハ上に設けた２個の回折格子の中心間距離に対して微
小距離Δｄだけ異なる中心間距離をもつ２個のスリット
をマスク上に設＆Ｊ、スリット上からレーザ光を照射し
た時、２個の回折格子によって生しる回折光の強度差に
より、マスクとウェハを相対的に位置合わせするように
したものである。
ェハ上に設けた２個の回折格子の中心間距離に対して微
小距離Δｄだけ異なる中心間距離をもつ２個のスリット
をマスク上に設＆Ｊ、スリット上からレーザ光を照射し
た時、２個の回折格子によって生しる回折光の強度差に
より、マスクとウェハを相対的に位置合わせするように
したものである。
また、本願の装置発明は、マスク上の２個のスリットに
レーザ光を照射する照射手段と、マスクとウェハを相対
的に動かず移動手段と、マスク」二の２個のスリットと
は中心間距離が微小距離Δｄだげ異なるウェハ上の２個
の回折格子によって回折されマスク上の２個のスリット
を通過する回折光を受光して光強度を電気信号に変換す
る光電検出手段と、得られた電気信号の差からマスクと
ウェハを相対的に位置合わせする制御手段とを設けるよ
うにしたものである。
レーザ光を照射する照射手段と、マスクとウェハを相対
的に動かず移動手段と、マスク」二の２個のスリットと
は中心間距離が微小距離Δｄだげ異なるウェハ上の２個
の回折格子によって回折されマスク上の２個のスリット
を通過する回折光を受光して光強度を電気信号に変換す
る光電検出手段と、得られた電気信号の差からマスクと
ウェハを相対的に位置合わせする制御手段とを設けるよ
うにしたものである。
本発明においては、光電検出手段から得られた電気信号
の差がゼロとなるように位置合わせ制御される。
の差がゼロとなるように位置合わせ制御される。
第１同は本願装置発明の一実施例を示す構成図である。
レーザ光源３を発した波長λのレーザ光は、中央部に開
口をもつ穴明きミラー１１９円筒レンズ１５を通過し、
マスク５の上面にビームスポットとして照射される。上
記レーザ光のうちの一部が、第２図に示すマスク５上に
設けられた中心間距離がａだけ離れた幅ｄ“の２個のス
リット１．１“を通り抜け、ウェハ６上に形成される中
心間距離がａ−Δｄだけ離れた幅ｄの回折格子２２゛に
照射される。回折格子ピンチＰ、 Ｐ“をもつ回折格
子２，２“でそれぞれｓｉｎθ−ｎλ／Ｐ（ｎは整数）
、ｓｉｎθｌ−ｎλ／Ｐ’を満たすθ、θ°方向に回折
された±ｎ次の回折光は、スリンｌ−１，１’を通過し
た後、円筒レンズ１５によって集光され、０次回指光以
外の回折光は、穴明きミラー１１の周辺部で反射されて
、光源素子１２．１２’によって受光される。光電素子
１２１２゛によって光電変換された回折光強度信号は、
制御手段としてのフィートハック制御装置１０に送られ
、演算処理され、モーフ駆動信号として、ウェハ６を搭
載保持し、マスク５に対しＸ方向に相対移動するステー
ジ１４を駆動するＤＣサーボモータ１３にフィードバッ
クされる。
口をもつ穴明きミラー１１９円筒レンズ１５を通過し、
マスク５の上面にビームスポットとして照射される。上
記レーザ光のうちの一部が、第２図に示すマスク５上に
設けられた中心間距離がａだけ離れた幅ｄ“の２個のス
リット１．１“を通り抜け、ウェハ６上に形成される中
心間距離がａ−Δｄだけ離れた幅ｄの回折格子２２゛に
照射される。回折格子ピンチＰ、 Ｐ“をもつ回折格
子２，２“でそれぞれｓｉｎθ−ｎλ／Ｐ（ｎは整数）
、ｓｉｎθｌ−ｎλ／Ｐ’を満たすθ、θ°方向に回折
された±ｎ次の回折光は、スリンｌ−１，１’を通過し
た後、円筒レンズ１５によって集光され、０次回指光以
外の回折光は、穴明きミラー１１の周辺部で反射されて
、光源素子１２．１２’によって受光される。光電素子
１２１２゛によって光電変換された回折光強度信号は、
制御手段としてのフィートハック制御装置１０に送られ
、演算処理され、モーフ駆動信号として、ウェハ６を搭
載保持し、マスク５に対しＸ方向に相対移動するステー
ジ１４を駆動するＤＣサーボモータ１３にフィードバッ
クされる。
」二記回折光強度信号は、第２図に示すように回折格子
２，２′の中心間距離がスリット１，１′の中心間距離
ａに対してわずかΔｄだけ異なって形成されているため
、第３図ｆａｌに示すように、ピークがΔｄだげ異なる
信号■、Ｉ“となる。したがって、その差Δｌ−１１’
を演算によって求めることにより、第３図（ｂ）に示す
Ｓカーブ信号を得ることができ、このＳカーブを利用し
てマスク５とウェハ６を容易に位置合わせすることがで
きる。すなわち、Ｓカーブ信号の直線部を利用して、信
号強度Δ■が零に近づくように、ΔＩが正の場合はＸの
正方向に、Δ■が負の場合にはＸの負方向にステージ１
４をフィードハック制御することにより、マスク５とウ
ェハ６を常時ザーボ制御することが可能になる。したが
って、マスク５が振動や熱変形等の外乱により移動して
も、ウェハ６を常時追従して位置合わせ制御することが
でき、２個のスリットの中心と２個の回折格子の中心を
正確に一致させることが可能で、外乱による位置合わせ
誤差の発生は皆無となる。
２，２′の中心間距離がスリット１，１′の中心間距離
ａに対してわずかΔｄだけ異なって形成されているため
、第３図ｆａｌに示すように、ピークがΔｄだげ異なる
信号■、Ｉ“となる。したがって、その差Δｌ−１１’
を演算によって求めることにより、第３図（ｂ）に示す
Ｓカーブ信号を得ることができ、このＳカーブを利用し
てマスク５とウェハ６を容易に位置合わせすることがで
きる。すなわち、Ｓカーブ信号の直線部を利用して、信
号強度Δ■が零に近づくように、ΔＩが正の場合はＸの
正方向に、Δ■が負の場合にはＸの負方向にステージ１
４をフィードハック制御することにより、マスク５とウ
ェハ６を常時ザーボ制御することが可能になる。したが
って、マスク５が振動や熱変形等の外乱により移動して
も、ウェハ６を常時追従して位置合わせ制御することが
でき、２個のスリットの中心と２個の回折格子の中心を
正確に一致させることが可能で、外乱による位置合わせ
誤差の発生は皆無となる。
上記実施例の場合、２個の回折格子２．２“から発生ず
る回折光を分離するため、スリット１１“の中心間距離
ａは通常１ｍｍ以上離すことが必要になる。回折格子マ
ークの専有面積を小さくし、数１００μｍ以下のスクラ
イブライン上に上記回折格子マークを設けるためには、
第４図（ａ）。
る回折光を分離するため、スリット１１“の中心間距離
ａは通常１ｍｍ以上離すことが必要になる。回折格子マ
ークの専有面積を小さくし、数１００μｍ以下のスクラ
イブライン上に上記回折格子マークを設けるためには、
第４図（ａ）。
（ｂ）に示すように、２個のスリットもしくは２個の回
折格子を一直線上に配置し、それに対応する２個の回折
格子もしくは２個のスリットの中心間距離をΔｄだげ異
ならして配置すれば良い。さらに、第４図ＦＣ）、 （
ｄ）に示すように、スリソｌ−、回折格子を個別に設け
る必要はなく、１個のスリットあるいは回折格子として
も良い。これら第４図（ａｌ〜（ｄ＋の回折格子からの
回折光を分離するためには、上記実施例と同様に、２個
の回折格子の間隔すを通常１ｍｍ以上離すことが必要に
なる。
折格子を一直線上に配置し、それに対応する２個の回折
格子もしくは２個のスリットの中心間距離をΔｄだげ異
ならして配置すれば良い。さらに、第４図ＦＣ）、 （
ｄ）に示すように、スリソｌ−、回折格子を個別に設け
る必要はなく、１個のスリットあるいは回折格子として
も良い。これら第４図（ａｌ〜（ｄ＋の回折格子からの
回折光を分離するためには、上記実施例と同様に、２個
の回折格子の間隔すを通常１ｍｍ以上離すことが必要に
なる。
上記回折光分離を実現するためには、ウェハ上に形成す
る回折格子のピッチを異ならしめれば良い。すなわち、
第２図に示したように、ウェハ上の２個の回折格子のピ
ンチをそれぞれＰ、Ｐ’（Ｐ≠Ｐ“）とし、回折光の出
射方向を変え、特定の次数の回折光（通常＋１次あるい
は一１次回折光が利用される）のみを個別のミラーで反
射し、もしくは、直接光電素子に導き、回折光強度信号
１、Ｉ“を得、強度差信号ΔＩを算出し、位置合わせ制
御するようにすれば良い。
る回折格子のピッチを異ならしめれば良い。すなわち、
第２図に示したように、ウェハ上の２個の回折格子のピ
ンチをそれぞれＰ、Ｐ’（Ｐ≠Ｐ“）とし、回折光の出
射方向を変え、特定の次数の回折光（通常＋１次あるい
は一１次回折光が利用される）のみを個別のミラーで反
射し、もしくは、直接光電素子に導き、回折光強度信号
１、Ｉ“を得、強度差信号ΔＩを算出し、位置合わせ制
御するようにすれば良い。
なお、第１図において、レーザ光源３と穴明きミラー１
１と円筒レンズ１５は照射手段を構成し、ＤＣサーボモ
ータ１３とステージ１４は移動手段を構成する。
１と円筒レンズ１５は照射手段を構成し、ＤＣサーボモ
ータ１３とステージ１４は移動手段を構成する。
第５図に示す第２の実施例は、数１０μｍのギャップで
対向するマスク５とウェハ６を位置合わせ制御する必要
があり、かつ゛、マスクメンブレンの反射率が高いＸ線
露光装置に適用した位置合わせ装置の場合である。この
装置に使用されるマスク５はＸ線を透過するメンブレン
（通常５ｉＮＳｉＣ，ＢＮが用いられる）とＸ線を吸収
する金属（通常Ａｕ、Ｔａ、Ｗ等が用いられる）の２層
からなり、スリットは上記金属の一部を除去することで
形成される。
対向するマスク５とウェハ６を位置合わせ制御する必要
があり、かつ゛、マスクメンブレンの反射率が高いＸ線
露光装置に適用した位置合わせ装置の場合である。この
装置に使用されるマスク５はＸ線を透過するメンブレン
（通常５ｉＮＳｉＣ，ＢＮが用いられる）とＸ線を吸収
する金属（通常Ａｕ、Ｔａ、Ｗ等が用いられる）の２層
からなり、スリットは上記金属の一部を除去することで
形成される。
上記メンブレンの反射率が高い場合、マスクメンブレン
とウェハ面で多重反射を生じ、ｓｉｎθ−±１／２（ｎ
Ｐ／Ｚ−λ／２）を満たすギ＋ ｙプＺにおいては、第
６図に示すように、マスク５とウニへ６間のギャップが
λ／４だけ異なることによって、位置合わせ信号として
用いられる一１次回折光強度は最大Ｉ ＭＡＸから最小
Ｉ４．８まで変化する。これを第７図に示す。同図で、
横軸はギャップＺ、縦軸は一１次回折光強度であり、ギ
ャップ２０はｓｉｎθ−±１／２（ｎＰ／Ｚ−λ／２）
を満たすギャップである。同図に示すように、ギャップ
がλ／４だけ異なることにより、−１次回折光強度は最
大Ｔ ＭＡＸから最小Ｉ８□８まで変化する。ギャップ
Ｚの変化に対する一１次回折光強度■の変化を最小にす
るには、第２図でＰ＝Ｐ“のとき、レーザ光ａ３から発
したレーザ光をミラー１６で反射し、半欠は凸レンズ１
７でｓｉｎθ−＋１／２ （（ｎ＋１／２）Ｐ／Ｚ−λ
／２））（ｎは整数）を満たす入射角θに設定した後、
マスク５に入射すればよい。このようすを第７図に示す
。同図で、成る入射角θに対してｓｉｎθ−＋１ ／
２ （（ｎ ＋１ ／ ２ ） Ｐ ／ Ｚ−λ／２）
）を満たすギャップＺをギャップＺ１で示す。同図から
分かるように、ギヤツブＺ１においては、ギャップの変
化に対する一１次回折光強度の変化が小さい。
とウェハ面で多重反射を生じ、ｓｉｎθ−±１／２（ｎ
Ｐ／Ｚ−λ／２）を満たすギ＋ ｙプＺにおいては、第
６図に示すように、マスク５とウニへ６間のギャップが
λ／４だけ異なることによって、位置合わせ信号として
用いられる一１次回折光強度は最大Ｉ ＭＡＸから最小
Ｉ４．８まで変化する。これを第７図に示す。同図で、
横軸はギャップＺ、縦軸は一１次回折光強度であり、ギ
ャップ２０はｓｉｎθ−±１／２（ｎＰ／Ｚ−λ／２）
を満たすギャップである。同図に示すように、ギャップ
がλ／４だけ異なることにより、−１次回折光強度は最
大Ｔ ＭＡＸから最小Ｉ８□８まで変化する。ギャップ
Ｚの変化に対する一１次回折光強度■の変化を最小にす
るには、第２図でＰ＝Ｐ“のとき、レーザ光ａ３から発
したレーザ光をミラー１６で反射し、半欠は凸レンズ１
７でｓｉｎθ−＋１／２ （（ｎ＋１／２）Ｐ／Ｚ−λ
／２））（ｎは整数）を満たす入射角θに設定した後、
マスク５に入射すればよい。このようすを第７図に示す
。同図で、成る入射角θに対してｓｉｎθ−＋１ ／
２ （（ｎ ＋１ ／ ２ ） Ｐ ／ Ｚ−λ／２）
）を満たすギャップＺをギャップＺ１で示す。同図から
分かるように、ギヤツブＺ１においては、ギャップの変
化に対する一１次回折光強度の変化が小さい。
上記ｓｉｎθ−±１／２ （（ｎ＋１／２）Ｐ／Ｚ−λ
／２））を満たすレーザ光は、マスク５上のスリ・ｚト
１，１“を通過した後、ウェハ６」二の回折格子２，２
“で回折される。この回折光ば、スリンＩｉ、１°を透
過し、半欠は凸レンズ１７で光軸に平行にされ、ミラー
１８で反射されて、光電素子１２．１２“によって受光
される。次に、フィードハック制御装置１０によって第
３図（ｂ）に示す信号となる。この信号はステージ１４
を駆動するＸ軸ＤＣサーボモータ１３にフィードハック
され、高精度の位置合わせが行なわれる。また、ギャッ
プが異なる場所で位置合わせを行なう場合には、ミラー
１６．１８をＹ軸方向（左右方向）に移動し、レーザ光
の入射角を上式を満たずように変化させるとともに、光
電素子１２．１２“で回折光を受光できるようにミラー
１８をＹ方向に移動すれば良い。逆にミラー１６．１８
が固定されているような光学系の場合、上式を満たすギ
ャップＺで位置合わせを行なえば、位置合わせ中のマス
ク・ウェハ間のわずかなギャップ変動により、はとんど
回折光強度は変化しないので（第７図参照）、高精度の
位置合わせを行なうことができる。
／２））を満たすレーザ光は、マスク５上のスリ・ｚト
１，１“を通過した後、ウェハ６」二の回折格子２，２
“で回折される。この回折光ば、スリンＩｉ、１°を透
過し、半欠は凸レンズ１７で光軸に平行にされ、ミラー
１８で反射されて、光電素子１２．１２“によって受光
される。次に、フィードハック制御装置１０によって第
３図（ｂ）に示す信号となる。この信号はステージ１４
を駆動するＸ軸ＤＣサーボモータ１３にフィードハック
され、高精度の位置合わせが行なわれる。また、ギャッ
プが異なる場所で位置合わせを行なう場合には、ミラー
１６．１８をＹ軸方向（左右方向）に移動し、レーザ光
の入射角を上式を満たずように変化させるとともに、光
電素子１２．１２“で回折光を受光できるようにミラー
１８をＹ方向に移動すれば良い。逆にミラー１６．１８
が固定されているような光学系の場合、上式を満たすギ
ャップＺで位置合わせを行なえば、位置合わせ中のマス
ク・ウェハ間のわずかなギャップ変動により、はとんど
回折光強度は変化しないので（第７図参照）、高精度の
位置合わせを行なうことができる。
第５図に示す実施例の場合、スリット１，１゜へのレー
ザ光入射がθの角度で行なわれ、その１次回折光を光電
素子１．２．１２“に導いているので、斜線で示す露光
領域１９をミラー１６，１８や半欠は凸レンズ１７が妨
げないような配置にできる。したがって、露光中サーボ
が可能であり、高精度位置合わせを達成できる。さらに
、上述した位置合わせのマークに対して直角方向にもう
一組のマークを設けることによってＸ方向（紙面に鉛直
な方向）、Ｙ方向の同時サーボが行なえる。
ザ光入射がθの角度で行なわれ、その１次回折光を光電
素子１．２．１２“に導いているので、斜線で示す露光
領域１９をミラー１６，１８や半欠は凸レンズ１７が妨
げないような配置にできる。したがって、露光中サーボ
が可能であり、高精度位置合わせを達成できる。さらに
、上述した位置合わせのマークに対して直角方向にもう
一組のマークを設けることによってＸ方向（紙面に鉛直
な方向）、Ｙ方向の同時サーボが行なえる。
以上説明したように本発明は、ウェハ上に設けた２個の
回折格子の中心間距離に対して微小距離Δｄだけ異なる
中心間距離をもつ２個のスリン１へをマスク上に設け、
スリット上からレーザ光を照射した時、２個の回折格子
によって生じる回折光の強度差により、マスクとウェハ
を相対的に位置合わせすることにより、常時マスク・う
エバ間の相対位置ずれを検出して上記強度差がゼロとな
るように補正できるので、外乱や熱変形等によってマス
クやウェハが移動しても、直ちに位置合わせが行なわれ
、高精度な位置合わせが可能となる効果がある。
回折格子の中心間距離に対して微小距離Δｄだけ異なる
中心間距離をもつ２個のスリン１へをマスク上に設け、
スリット上からレーザ光を照射した時、２個の回折格子
によって生じる回折光の強度差により、マスクとウェハ
を相対的に位置合わせすることにより、常時マスク・う
エバ間の相対位置ずれを検出して上記強度差がゼロとな
るように補正できるので、外乱や熱変形等によってマス
クやウェハが移動しても、直ちに位置合わせが行なわれ
、高精度な位置合わせが可能となる効果がある。
また、従来のような高価な移動位置読取装置を必要とせ
ず、さらに、複雑な回折光強度の最大値検出回路や位置
記憶回路等も不要となるので、簡単な装置構成で高い位
置合わせ精度を実現でき、安価に高精度位置合わせ装置
を提供できる効果がある。
ず、さらに、複雑な回折光強度の最大値検出回路や位置
記憶回路等も不要となるので、簡単な装置構成で高い位
置合わせ精度を実現でき、安価に高精度位置合わせ装置
を提供できる効果がある。
第１図は本願装置発明の一実施例を示す構成図、第２図
および第４図は本願発明の一実施例における位置合わせ
マークを示す説明図、第３図は本願発明の一実施例にお
ける位置合わせ信号を示す特性図、第５図は本願装置発
明の第２の実施例を示す構成図、第６図はギヤツブ変動
によって生しる回折光強度の変化を示す特性図、第７図
は一１次回折光強度対ギャップの特性を示す特性図、第
８図は従来の位置合わせ装置を示す構成図、第９図は従
来技術における位置合わせマークを示す説明図である。 １、】°・・・スリット、２，２“・・・回折格子、３
・・・レーザ光源、５・・・マスク、６・・・ウェハ、
１０・・・フィードハック制御装置、１１・・・穴明き
ミラーム １２１・・・光電素子、１３・・・ＤＣザーホモ１４・
・・ステージ、１５・・・円筒レンズ。 特許出廓人
および第４図は本願発明の一実施例における位置合わせ
マークを示す説明図、第３図は本願発明の一実施例にお
ける位置合わせ信号を示す特性図、第５図は本願装置発
明の第２の実施例を示す構成図、第６図はギヤツブ変動
によって生しる回折光強度の変化を示す特性図、第７図
は一１次回折光強度対ギャップの特性を示す特性図、第
８図は従来の位置合わせ装置を示す構成図、第９図は従
来技術における位置合わせマークを示す説明図である。 １、】°・・・スリット、２，２“・・・回折格子、３
・・・レーザ光源、５・・・マスク、６・・・ウェハ、
１０・・・フィードハック制御装置、１１・・・穴明き
ミラーム １２１・・・光電素子、１３・・・ＤＣザーホモ１４・
・・ステージ、１５・・・円筒レンズ。 特許出廓人
Claims (2)
- （１）マスク上に設けたスリットを通してウェハ上に設
けた回折格子にレーザ光を照射し、前記回折格子から生
じる回折光の強度変化によってマスクとウェハを相対的
に位置合わせする方法において、ウェハ上に設けた２個
の回折格子の中心間距離に対して微小距離Δｄだけ異な
る中心間距離をもつ２個のスリットをマスク上に設け、
前記スリット上からレーザ光を照射した時、前記２個の
回折格子によって生じる回折光の強度差により、マスク
とウェハを相対的に位置合わせすることを特徴とする位
置合わせ方法。 - （２）マスク上に設けたスリットを通してウェハ上に設
けた回折格子にレーザ光を照射したときに回折格子から
生じる回折光の強度変化によって、マスクとウェハを相
対的に位置合わせする位置合わせ装置において、マスク
上の２個のスリットにレーザ光を照射する照射手段と、
マスクとウェハを相対的に動かす移動手段と、マスク上
の２個のスリットとは中心間距離が微小距離Δｄだけ異
なるウェハ上の２個の回折格子によって回折され前記ス
リットを通過する回折光を受光して光強度を電気信号に
変換する光電検出手段と、この光電検出手段により得ら
れた電気信号の差からマスクとウェハを相対的に位置合
わせする制御手段とを具備したことを特徴とする位置合
わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63291783A JPH02138801A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 位置合わせ方法および位置合わせ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63291783A JPH02138801A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 位置合わせ方法および位置合わせ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138801A true JPH02138801A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=17773368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63291783A Pending JPH02138801A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 位置合わせ方法および位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02138801A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03249503A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | スリットと回折格子による相対位置検出装置 |
| JP2003068613A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
| JP2009074931A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Sokkia Topcon Co Ltd | 二次元座標測定機 |
| WO2016125790A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | 株式会社ニコン | 計測装置及び計測方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2016219581A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール方法、レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP63291783A patent/JPH02138801A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03249503A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | スリットと回折格子による相対位置検出装置 |
| JP2003068613A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
| JP2009074931A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Sokkia Topcon Co Ltd | 二次元座標測定機 |
| WO2016125790A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | 株式会社ニコン | 計測装置及び計測方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2016219581A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール方法、レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| US10644133B2 (en) | 2015-05-19 | 2020-05-05 | V Technology Co., Ltd. | Laser annealing method, laser annealing apparatus, and manufacturing process for thin film transistor |
| US10651294B2 (en) | 2015-05-19 | 2020-05-12 | V Technology Co., Ltd. | Laser annealing method, laser annealing apparatus, and manufacturing process for thin film transistor |
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