JPH02134918A - レベルシフタ回路 - Google Patents

レベルシフタ回路

Info

Publication number
JPH02134918A
JPH02134918A JP63289153A JP28915388A JPH02134918A JP H02134918 A JPH02134918 A JP H02134918A JP 63289153 A JP63289153 A JP 63289153A JP 28915388 A JP28915388 A JP 28915388A JP H02134918 A JPH02134918 A JP H02134918A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage circuit
circuit
inverter
transistor
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63289153A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakazu Kobayashi
正和 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP63289153A priority Critical patent/JPH02134918A/ja
Publication of JPH02134918A publication Critical patent/JPH02134918A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018535Interface arrangements of Schottky barrier type [MESFET]

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はレベルシフタ回路に関し、特に、低電圧回路と
高電圧回路との間に介設されたカットオフトランジスタ
を有し、該低電圧回路内の信号を該高電圧回路へレベル
変換して伝達するレベルシフタ回路に関する。
(従来の技術) 従来のこの種のレベルシフタ回路の一例を第4図に示す
。第4図のレベルシフタ回路に於ては、低電圧電源(電
圧V。。)で動作する回路(本明細書ではこれを低電圧
回路と称する)に含まれるインバータ1の出力端子に、
nチャネルエンハンスメント型カットオフトランジスタ
20のソースが接続されている。カットオフトランジス
タ20のドレインは高電圧電源(電圧Vpp)で動作す
る回路(本明細書ではこれを高電圧回路と称する)に含
まれるインバータ3の入力端子に接続されている。カッ
トオフトランジスタ20のゲートには電圧V。0が印加
されている。高電圧電源とインバータ3の入力端子との
間には、フィードバック用pチャネルエンハンスメント
型トランジスタ4か配設されている。トランジスタ4の
ゲートはインバータ3の出力端子に接続されている。
第4図に於て、記号N1〜N4はレベルシフタ回路の各
部のノードを示している。第5図のタイミングチャート
にノードN1〜N4に於ける電圧を示し、同図に基づい
て第4図のレベルシフタ回路の動作を説明する。以下の
説明に於て、項目(a)、(b)、・・・の事象は第5
図では記号a、  b、・・・でそれぞれ示されている
(1)インバータ1の入力端子に印加される電圧がVC
CからGNDに遷移する場合。
(a)ノードN1の電圧がVccからGNDに遷移する
(b)インバータ1の機能により、ノードN2の電圧が
GNDからV。0に遷移する。
(C)カットオフトランジスタ20が導通しているので
、ノードN3が■。o−■、N″(V T N″はバッ
クゲート効果を考慮したカットオフトランジスタ20の
しきい値電圧)迄充電される。
(d)ノードN3の電圧がインバータ3の反転レベルを
越えると、ノードN4の電圧が■2.からGNDになる
(e)ノードN4がGNDになることによりフィードバ
ック用トランジスタ4が導通し、ノードN3が■3.迄
充電される。従って、インバータ3のDC電流は流れな
くなる。また、カットオフトランジスタ20はカットオ
フ状態になり、高電圧回路から低電圧回路への電流は遮
断される。カットオフトランジスタ20がカットオフ状
態になった後に於ても、フィードバック用トランジスタ
4の働きによって、ノードN3の電圧は保持される。
このようにして、低電圧回路内の信号が高電圧回路へレ
ベル変換されて伝達される。
(2)インバータ1の入力端子に印加される電圧がGN
DからV。0に遷移する場合には、第5図のfからi迄
の経過をたどって低電圧回路内の信号が高電圧回路へ伝
達される。
(発明が解決しようとする課題) 第4図のレベルシフタ回路には、低電圧電源の電圧■c
cが低い場合に正常に動作しないという問題がある。V
ooを2■とし、VTN(カットオフトランジスタ1及
びインバータ3のnチャネルトランジスタのしきい値電
圧)を1■とする。ノードN1がVcoからGNDに遷
移し、ノードN2がV。。に変化した場合に、ノードN
3がv、−v、N’迄充電されることは上述した通りで
ある。ところが、V T N’ > V T Nである
から、V CC−V 7 N″< I V = V T
 Nである。従って、インバータ3のnチャネルトラン
ジスタがオンせず、低電圧回路の信号が高電圧回路へ伝
達されない。
本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、低電圧回路の電源電圧が低い
場合に於ても、低電圧回路内の信号を高電圧回路へ正常
に伝達することができるレベルシフタ回路を提供するこ
とにある。
(課題を解決するための手段) 本発明のレベルシフタ回路は、低電圧回路と高電圧回路
との間に介設されたカットオフトランジスタを有し、該
低電圧回路内の信号を該高電圧回路へレベル変換して伝
達するレベルシフタ回路であって、該カットオフトラン
ジスタがデプリーション型トランジスタであり、該カッ
トオフトランジスタのゲートに該高電圧回路内の信号電
圧が印加されており、そのことによって上記目的が達成
される。
(実施例) 本発明を実施例について以下に説明する。
第1図に本発明の一実施例の回路図を示す。第1図のレ
ベルシフタ回路に於ては、低電圧回路(電源電圧V。。
)に含まれるインバータ1の出力端子にnチャネルデプ
リーション型カットオフトランジスタ2のソースが接続
されている。カットオフトランジスタ2の典型的なゲー
ト電圧−ドレイン電流特性を第3図に示す。第3図に於
て■、llNはしきい値電圧を示す。カットオフトラン
ジスタ2のドレインは高電圧回路(電源電圧V3.)に
含まれるインバータ3の入力端子に接続されている。
即ち、カットオフトランジスタ2は低電圧回路と高電圧
回路との間に介設されている。カットオフトランジスタ
2のゲートは高電圧回路側のインバータ3の出力端子に
接続されている。高電圧電源とインバータ3の入力端子
との間には、フィードバック用pチャネルエンハンスメ
ント型トランジスタ4が配設されている。トランジスタ
4のゲートはインバータ3の出力端子に接続されている
第1図に於て、記号N1〜N4はレベルシフタ回路の各
部のノードを示している。第2図のタイミングチャート
にノードN1〜N4に於ける電圧を示し、同図に基づい
て第1図のレベルシフタ回路の動作を説明する。以下の
説明に於て、項目(a)、(b)、・・・の事象は第2
図では記号a、  b、・・・でそれぞれ示されている
(1)インバータ1の入力端子に印加される電圧が■。
0からGNDに遷移する場合。
(a)ノードN1の電圧が■。0からGNDに遷移する
(b)インバータ1の機能により、ノードN2の電圧が
GNDから■。0に遷移する。
(c)カットオフトランジスタ2が導通しており、カッ
トオフトランジスタ2がデプリーション型であるので、
ノードN3がほぼV。。迄充電される。
(d)ノードN3の電圧がインバータ3の反転レベルを
越えると、ノードN4の電圧が■3.からGNDになる
(e)ノードN4がGNDになることによりフィードバ
ック用トランジスタ4が導通し、ノードN3がV9.迄
充電される。従って、インバータ3のDC電流は流れな
くなる。また、カットオフトランジスタ2のゲート電圧
がノードN4の電圧の降下に伴って低下してゆき、■T
1.INを下回ると、カットオフトランジスタ2はカッ
トオフ状態になり、高電圧回路から低電圧回路への電流
は遮断される。
カットオフトランジスタ2がカットオフ状態になった後
に於ても、フィードバック用トランジスタ4の働きによ
って、ノードN3の電圧は保持される。
このように、本実施例のレベルシフタ回路ではノードN
3がカットオフトランジスタ2によってほぼV。0迄充
電されるので、V (oが低い場合であっても低電圧回
路内の信号を高電圧回路へ正常に伝達することができる
(2)インバータ1の入力端子に印加される電圧がGN
DからV。0に遷移する場合。
(f)ノードN1の電圧がGNDからVcoに遷移する
(g)インバータ1の機能により、ノードN2の電圧が
V。0からGNDに遷移する。
(h)ノードN2の電圧の変化に伴ってカットオフトラ
ンジスタ2が導通し、またフィードバック用トランジス
タ4が導通しているので、ノードN3の電圧はカットオ
フトランジスタ2のオン抵抗とフィードバック用トラン
ジスタ4のオン抵抗とによって定まるレベルまで低下す
る。
(i)ノードN3の電圧がインバータ3の反転レベルを
下回ると、ノードN4の電圧がGNDからV p pに
なる。
(j)ノードN4がV p pになることによりフィー
ドバック用トランジスタ4が非導通状態になり、ノード
N3の電圧はカットオフ1−ランジスタ2を介してGN
D迄低下する。従って、インバータ3のDC電流は流れ
なくなる。
〈発明の効果) 本発明によれば、低電圧回路の電源電圧が低い場合に於
ても、低電圧回路内の信号をレベル変換して高電圧回路
へ伝達することができるレベルシフタ回路が提供される
一’f手口 第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図はその実施
例の動作を示すタイミングチャート、第3図はnチャネ
ルデプリーション型トランジスタのゲート電圧−ドレイ
ン電流特性の一例を示す図、第4図は従来例の回路図、
第5図は従来例の動作を示すタイミングチャートである
1・・・低電圧回路内のインバータ、2・・・nチャネ
ルデプリーション型カットオフトランジスタ、3・・・
高電圧回路内のインバータ、4・・・フィードバック用
トランジスタ、N1〜N4・・ノード。
以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、低電圧回路と高電圧回路との間に介設されたカット
    オフトランジスタを有し、該低電圧回路内の信号を該高
    電圧回路へレベル変換して伝達するレベルシフタ回路で
    あって、該カットオフトランジスタがデプリーション型
    トランジスタであり、該カットオフトランジスタのゲー
    トに該高電圧回路内の信号電圧が印加されているレベル
    シフタ回路。
JP63289153A 1988-11-15 1988-11-15 レベルシフタ回路 Pending JPH02134918A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63289153A JPH02134918A (ja) 1988-11-15 1988-11-15 レベルシフタ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63289153A JPH02134918A (ja) 1988-11-15 1988-11-15 レベルシフタ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02134918A true JPH02134918A (ja) 1990-05-23

Family

ID=17739450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63289153A Pending JPH02134918A (ja) 1988-11-15 1988-11-15 レベルシフタ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02134918A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5541546A (en) * 1994-02-18 1996-07-30 Nec Corporation Signal level conversion circuit for converting a level of an input voltage into a larger level
EP0880230A2 (en) * 1994-03-30 1998-11-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage-level shifter
US6069515A (en) * 1998-01-29 2000-05-30 Sun Microsystems, Inc. High voltage input buffer circuit using low voltage transistors

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62145918A (ja) * 1985-12-20 1987-06-30 Toshiba Corp 半導体集積回路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62145918A (ja) * 1985-12-20 1987-06-30 Toshiba Corp 半導体集積回路

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5541546A (en) * 1994-02-18 1996-07-30 Nec Corporation Signal level conversion circuit for converting a level of an input voltage into a larger level
EP0880230A2 (en) * 1994-03-30 1998-11-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage-level shifter
EP0880230A3 (en) * 1994-03-30 1998-12-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage-level shifter
US6069515A (en) * 1998-01-29 2000-05-30 Sun Microsystems, Inc. High voltage input buffer circuit using low voltage transistors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3152867B2 (ja) レベルシフト半導体装置
US20090195267A1 (en) High-Voltage tolerant output driver
JPS59108426A (ja) 結合用中間回路
KR940025186A (ko) 전압 제어 발진기
US7724045B2 (en) Output buffer circuit
US20030011418A1 (en) Level shifting circuit
KR20000017655A (ko) 링 발진기 및 지연 회로
KR940027316A (ko) 저전력 모드 및 클럭 증폭기 회로를 가진 집적 회로
KR100535346B1 (ko) 반도체 집적회로장치
KR910015114A (ko) 반도체 디지탈 회로
US5929679A (en) Voltage monitoring circuit capable of reducing power dissipation
JPH04229313A (ja) バッファ回路
KR940012851A (ko) 차동 전류원 회로
JPH02134918A (ja) レベルシフタ回路
JPH0237823A (ja) レベルシフト回路
JPS6167118A (ja) 基準電圧発生回路
TW419888B (en) Input circuit
JPS62145906A (ja) 増幅回路
JPS6337716A (ja) ゲ−ト回路
JP2003101405A (ja) レベルシフト回路
JPH0430765B2 (ja)
JPS62194736A (ja) 半導体集積回路
JPH05259880A (ja) 入出力バッファ回路
JPH0653799A (ja) 半導体装置
JP2919401B2 (ja) 出力回路