JPH02134546A - 分光目的のためにサンプルを電熱的に原子化するための装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は分光学、特別には分光学のサンプルの電熱的な
原子化のための装置に関する。

〔従来の技術〕

電熱的なアトマイ・テ、一般には加熱式グラファイトア
トマイザ又はグラファイト炉は原子吸収分光光度計で分
析すべきサンプルを原子状にするために役立てられる。

典型的には、炉は環状のグラファイトコンタクト又は電
極間で締付けられたチューブ状のグラファイト部材から
成る。チューブ状のグラファイト部材の側壁に設けた横
方向の開口は分析すべき物質をチューブ状のグラファイ
ト部材内へ挿入するためのサンプルポートとして役立て
られる。

一般に冷却用ジャケット内に取付けられたグラファイト
コンタクトは弾性的な弾発部材又はサーボモータによっ
てチューブ状のグラファイト部材の端部に密に係合する
ように押込まれる。

強い電流がコンタクト間でチューブ状のグラファイト部
材に軸方向で流され、サンプルが「原子雲」に変換され
るに要する高温までグラファイト部材が加熱される。こ
うしてサンプルは原子化されて原子雲がグラファイトチ
ューブ内で発生せしめられる。

光源から放出されｆｃ測定光束が環状のグラファイト裂
コンタクトとグラファイトチューブの長手孔内金通過す
る。この光源は標的元素の共鳴スペクトル線を有してい
る。サンプル中の標的元素の１は、測定光束の吸収から
決定することができる。

被分析物の原子化のために要求される高温での酸化によ
るチューブ状のグラファイト部材の迅速な劣化を阻止す
るために、グラファイト部材を不活性保護ガスの流れ中
に刺入する措遣がとられる。要するに、グラファイトチ
ューブは酸素がグラファイトチューブに接触しないよう
に不活性ガスによって地回まれる。

上述形式のグラファイト炉は米国特許 第４，０２２，５３０号明細書に開示されている。

このグラファイト炉ではコンタクトがチューブ状である
。２つのコンタクトがグラファイトチューブの周りに、
かつ分離ギャップを除いてコンタクト面間でグラファイ
トチューブ全長にわたって延びている。不活性ガス流が
グラファイトチューブ両端からグラファイトチューブ内
へ通される。この不活性ガス流はグラファイトチユーブ
の半径方向の孔全通って中央へ供給さｎる。チューブ状
のコンタクトの一方は半径方向の孔ヲ備えており、この
孔はグラフフィトチューブの半径方向の孔と合致してい
る。

コンタクト装置のコンタクトは空所を形成し、この中に
グラファイトチューブが保持される。

不活性ガスはこの空所内へ導入さ几、かつグラファイト
チューブの囲りヘ流れる。これによって２つの不活性ガ
ス流が発生せられ、この１つはグラファイトチューブの
内部を、普通グラファイトチューブの両端から内部へ流
れ、次いで中央横方向の開口（すなわちサンプル装入ポ
ート）から流出し、かつ他方はグラファイトチューブの
外側の周囲を流れる。後者の不活性ガス流の１部は、互
いに電気絶縁されるべき２つの電極相互間に形成された
、必要な隙間全通って出る。このようにしてこの隙間か
ら空所内およびグラファイトチューブへの酸素通過が阻
止される。この隙間は不活性ガスの高い消費の原因であ
る。更に乱流が生じ、これによりサンプルの熱分解生成
物が相対的に低温の領域へ導かれる。

米国特許第４．７２６，６７８号明細書及び刊行物＠Ａ
ｎａｌｙｔｉｃａｌ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ”５８（１９
８６）、１９７６では、チューブ状の炉体が方形横断面
を有しかつ炉体の軸線に対して横方向に蔦びるコンタク
ト突起を備え九グラファイト炉が開示されている。炉体
及びコンタクト突起は一体のグラファイト部材として形
成されている。炉加熱のための電流はチューブ状の炉体
の縦軸線に対して横方向のコンタクト突起を介して供給
される。

〔発明が解決しよりとする問題点〕

本発明の課題は、原子吸光分光学で峙に有利である、新
規かつ改善された電熱的な原子化炉アセンブリを提供す
ることである。

本発明の別の課題は、不活性ガスの消費を減少させる電
熱的な原子化炉アセンブリを提供することである。

本発明のもう１つの課題は、炉体を空中酸素に曝露しな
いよう効果的に保膿するための制限された不活性ガス流
を達成し、かつす／ゾル成分の、炉アセンブリの相対的
に冷たい範囲への沈着を阻止するような炉アセンブリを
提供することである。

にする炉アセンブリ全提供することでおる。

他の課題は、一部は明らかになろうし、かつ一部はより
詳細に以下で指摘される。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の課題およびそれに関連した課題全解決するための
本発明の手段は、電熱的な原子化炉アセンブリにおいて
、電熱的な炉体が設けられており、炉体が放射ビームが
通過するように適合せしめられ九炉孔と、炉孔内へサン
プルを導入するためのサンプルポートと、互いに協働す
る、炉体へ電流を供給するための電気的なコンタクト相
互間に保合泡封けされるように構成されたコンタクト面
とを有しており、炉体を機能的に保持し、サンプル原子
化のため炉体を加熱するために炉体へ給電するための給
電コンタクト手段が設けられており、コンタクト手段が
第１と第２のコンタクト部材を備え、これら第１と第２
のコンタクト部材が協働して炉体を含■する空所全形成
していて、しかもサンプルを炉体内へ導入し、かつ不活
性ガスおよびサンプル成分全排出するために上記のサン
プルポートと合致する貫通孔を有しており、かつ第１と
第２のコンタクト部材が相互間に所定の隙間を形成する
ように互いに接触しない配置にあり、上記の隙間金シー
ルして空所からの不活性ガスの損失？阻止するための電
気絶縁性のシール手段が設けられており、かつコンタク
ト手段が、酸素への曝露を阻止するために炉体の周囲お
よび内部で不活性ガスを制限され交流れで配慮し、かつ
上記の貫通孔から排出するための手段を備えていること
である。

〔発明の効果〕

炉は空所内に配置され、この空所はサンプル装入ポート
と合致する貫通孔を除き閉鎖されている。この閉鎖され
た空所からは不活性ガス流は貫通孔からしか流出するこ
とができｒｇい。したがって付加的な隙間からのガスの
排出が阻止され、これは不活性ガスの著しい節約金もた
らし、ま几かかる隙間へ流れるガスの流れも阻止する。

コンタクト相互間の隙間０シ、−、ルは、操作時の加熱
される炉のきわめて高い温度にもかかわらず実地におい
て実現し得ることが判明した。

有利にはコンタクトは冷却用ソヤケット内に保持される
。したがってコンタクト自体（これらの間にシールが配
置される）は炉自体に対して相対的に冷たい。シールは
この冷却されるコンタクトによって炉から実質的に遮断
される。

このようにして赤熱炉の放射によるシールの許容し得な
い加熱は阻止される。

〔実施例〕

図面に示すために本発明の具体的な形状が選択され、か
つ以下において本発明のこれらの形状を説明する丸めに
具体的な用語で説明がなされているか、この説明は請求
項に規定され九本発明の範囲を限定するものではない。

第１図においてサンプルの電熱的な原子化のための炉が
全体的に符号１０で示されている。

炉１０はグラファイトから製作さｎｌかつほぼチューブ
状の炉体１２を有し、炉体内には孔１４が延びている。

コンタクトウェブ１６゜１８が炉体１２に沿って互いに
反応側に延びている。平面因（第１図に示さｎたように
上方かつ見り図）ではコンタクトウェブは台形状であり
、台形の長辺でもって炉体１２と一体になっている。

コンタクト部材２０．２２がそれぞれコンタクトウェブ
１６．１８に設けられている。コンタクト部材２０．２
２はほぼ円筒形であって、互い・に対向する円筒形外面
部分２４．２６（第２１）と互いに対向する平行な平面
２８゜３０とを有している。コンタクト部材２０゜２２
の軸線３２．３４はそれぞれ孔１４の軸線３６に対して
重置の方向に延びている。円錐形にテーパした部分がコ
ンタクト面３８．４０としてそれぞれコンタクト部材２
０．２２の端部に円筒形外面部分２４．２６の範囲内で
設けられている。第１図に破線で示されているように、
軸方向の不活性ガス通路４２．４４がそれぞれコンタク
ト部材２０．２２内に形成されている。

不活性ガス通路４２．４４はそれぞれ切欠４６゜４８お
よび５０．５２と直交しており、これらの切欠はそれぞ
れ炉体１２に沿って各コンタクトウェブ１６，１８の上
側と下側に設けられている。

炉は米国特許出願整理番号３０４　９９４明細書（１９
８９年２月１日申請）の第４図から第６図による炉の構
造に準じる。

炉１０は第１のコンタクト５４と！２のコンタクト５６
との間で弾性的な弾発部材またはサモ ーポ／−タ（図示せず）によって保持されている。電流
はコンタクト５４．５６を介して炉１０に通電される。

コンタクト５４．５６もグラファイトから製作され、炉
１０に適合し九空所５８を形成している。

第１のコンタクト５４はシャフト６０とヘラ）７６２を
有している。コンタクト５４はシャフト６０でもって冷
却装置ま几は冷却ジャケット６４内に保持されている。

コンタクト５４は中央の切欠６６を有し、この切欠はヘ
ッド６２の端面６８全基点にして延びてｒる。この切欠
６６は扁平円筒形部７０を有し、扁平円筒形部は円錐形
の肩７２へ続いている。円筒形部７４が肩７２に隣接し
て形成されている。円筒形部７４は円錐形部７６へ続い
ている。不活性ガス通路７８がシャツ）６０に沿って延
び、かつ円錐形部７６で終わっている。

第２のコンタクト５６もシャフト８０とヘッド８２を有
している。シャフト８０は冷却装置ま之は冷却ジャケッ
ト８４内に配置されている。

ヘッド８２は軸方向で比教的短く、外径はコンタクト５
４の切欠６６の扁平円筒形部７０の内径よりも小さい。

コンタクト５６０ヘツド８２はコンタクト５４の切欠６
６の扁平円筒形部７０内へ突出している。わりあい広い
隙間８８が扁平円筒形部７０の壁とヘッド８２の外面８
６との間に形成されている。円錐形の切欠９２がヘッド
８２の端面９０内に形成されている。不活性ガス供給通
路９４がシャフト８０に沿って中央に延び、かつ切欠９
２内で終わっている。

切欠６６の円錐形部７６は第１のコンタクト５４上の円
錐形のコンタクト面９６ｆ：、構成している。円錐形の
切欠９２は第２のコンタクト５６上の円錐形のコンタク
ト面９８金措成している。炉１０は相補的な円錐形のコ
ンタクト面３８．４０でもって上記２つの円錐形のコン
タクト面９６．９８相互間で保持されている。炉は平面
２８．３０のために第１図の紙面の前後で保持されてい
る。

不活性ガスポート１００，１０２および１０４．１０６
がそれぞれコンタクト面９６゜９８と平面２８．３０と
の間に設けられている。

操作時には不活性ガスは不活性ガス供給通路７８．９４
から不活性ガスポート１００，１０２゜１０４．１０６
ｔ−通って空所５８内へ入る。不活性ガスはま几不活性
ガス通路４２，４４、および連絡された切欠４６，４８
．５０，５２ｔ−貫流して空所５８内へ入る。

第２囚で一番良く判るよりに、コンタクト５４のヘッド
６２は互いに平行な平面１０８゜１１０を有している。

アパーチャ１１２，１１４が互いに合致せしめられてそ
れぞれこれらの平面１０８，１１０の範囲内に設けられ
、かつ切欠６６の円筒形部７４内で終わっている。操作
アセンブリにおいて、これらのアパーチャ１１２．１１
４は炉体１２の孔１４と合致せしめられており、測定光
束は炉体１２の孔１４の軸線３６に沿ってアパーチャ１
１２．孔１４、アパーチャ１１４を通過することができ
る。原子吸光分光光度計内でアパーチャ１１２，１１４
は通常の形成で窓によって外気から閉鎖さｎている（図
示せず）。

炉体１２は中央横方向のサンプル装入ポート１１６を有
している。操作アセンブリにおいて、サンプル装入ポー
ト１１６の軸線１１８はヘッド６２の平面１０８，１１
０に平行であり、かつコンタクト部材２２の軸線３４お
よび孔１４の軸線３６に対して垂直である。

コンタクト５４内のサンプル装入ポート１次は貫通孔１
２０が炉体１２のサンプル装入ポート１１６と合致して
いる。コンタクト５４のサンプル装入ポート１２０は自
軸線方向で調節可能な煙突１２２によって構成されてい
る。煙突１２２はおねじ１２４によってコンタクト５４
のねじ山付き孔１２６内で自軸線方向に調節可能である
。煙突１２２の外側端面内の偏心位置の盲孔１２８が適
切な工具との保合および自軸線方向調節のための煙突１
２２の回転全可能にする。

炉１０は平面１３０と形成し、この平面はコンタクト部
材２０．２２の平面３０’に含んでいる。環状隙間１３
２が煙突１２２の内佃端面と平面１３０との間に形成さ
れている。環状隙間１３２の幅は煙突の自軸線方向調節
によって変えられる。環状隙間１３４．１３６（第２図
）が炉体１２の円筒形の端面１３８、１４０と切欠６６
の円筒形部７４の内面との間に形成されている。

空所５８はコンタクト５４と５６との間の隙間８８を越
えて遥びたシール１４２によって閉鎖されている。シー
ル１４２は七ラミックフェルト（セラミック繊維強化ア
ルミナ複合体、タイプ１００、Ａｌ２Ｏ３／５ｉｏ２）
ｆＪＡの環状ディスクである。シール１４２はコンタク
ト５６のヘラＦ８２の外面８６に取付けられ、かつ冷却
ジャケット８４によって支持されている。操作アセンブ
リではシール１４２はコンタクト５４のヘッド６２の端
面６８に係合する。すなわちシールは冷却ジャケット８
４および冷却されるコンタクト５４．５６と接触してい
る。シールは原子化の間赤熱する炉体１２の熱放射から
コンタクト５４．５６によってで自る限り遮断される。

これらの状況下ではシール１４２は炉体１２の加熱によ
って影響されないことが判明し友。

シール１４２は隙間８８ｔ−十分に閉鎖するので、実際
に不活性ガス流は隙間８８を通過しない。他方シールは
ま友２つのコンタクト５４゜５６間の電気絶縁を行なう
。セラミックフェルトの弾性紘部材の熱膨張に適合する
。同時にこのシールは炉１０破損時にコンタクト５４゜
５６相互の接触、ひいては短絡が起らないように保証す
る。

記述のアセンブリにおいて不活性ガスは不活性ガスポー
ト１００，１０２，１０４．１０６から内側へ炉体１２
へ向かって流れる。次いで部分流が炉体１２の外面上で
環状隙間１３４゜１３６を通り、ここから孔１４に沿っ
て内側へサンプル装入ポート１１６へ流れる。この不活
性ガスはサンプル装入ポート１１６および煙突１２２か
ら出る。この不活性ガス流はまたサンプルの熱分解生成
物ｔ−ｉ除く筈である。第２図に矢印によって示されて
いるように、不活性ガスの別の部分流が環状隙間１３２
を通って直接煙突１２２へ流れる。これら異なる部分流
の比は煙突の鉛直方向調節を介して環状隙間１３２の幅
を調節することによシ選択的に変えることができる。

既述のように隙間８８の通過流はない。コンタクト５４
と５６との間で確実な電気絶縁を保証するためには隙間
８８はかなり広くなっているので、シール１４２を備え
ない、このタイプの従来技術の装置では著しい不活性ガ
ス流の、隙間通過が起きた筈である。またシール１４２
なしで酸素のアクセスを阻止するためにはかかる不活性
ガス流が必要であった筈である。この不活性ガス流の必
要性はシール１４２の使用にエフ回避され、シ九がって
不活性ガスの節約が得られる。更にシール１４２の不在
で生じるような隙間８８を通る強力な不活性ガス流は空
所５８内の不活性ガス流を著しく混乱しよう。隙間８８
ｔ−シール１４２でシールすることによって、上述のよ
うに制限された流れが空所５８内で得られる。

サンプルの原子化のためには炉体１２は例えば１０００
°を上回るきわめて高い温度に加熱される。サンプルは
サンプル装入ポート１２０゜１１６を介して導入され、
かつ孔１４内で原子化される。このようにして原子の蒸
気が孔１４内に発生せしめられ、この中でサンプルの成
分は原子の状態で存在する。光源から出た、特に標的元
素の共鳴線を発する測定光束がこの原子の蒸気を軸線３
６に沿って通過し、かつサンプル中の標的元素の割合に
応じて吸収される。

この過程の間、原子の蒸気が測定のためにできる限り長
く測定光束の光路内にとどまり、不活性ガス流によって
孔から直ちに流し出されないように保証するために少時
の量率活性ガス供給が中断される。炉体１２の加熱によ
り、孔を含む空所内の不活性ガス容量も加熱され、かつ
この容量も数倍量に増大せしめられる。こうしてこの加
熱のために不活性ガス流が発生せしめられる。シールの
不在では加熱によって惹起されるこの不活性ガス流は圧
倒的に隙間８８から流出しよう。その結果きわめて複雑
な流れ状態が得られ、またサンプルの蒸気が相対的に冷
九い部分へ運ばれて、ここに沈積する結果をもたらす場
合がある。

本発明の炉アセンブリは原子吸光分光学で使用するため
のものとして説明されてき九〇　しかし本発明は分光目
的のためにサンプルの原子化が行なわれる他の方法で利
用することができる。

例えば本発明はまた、原子化が不活性ガス雰囲気中で行
なわれ、かつガス放出が発生せしめられ、サンプル内に
含まれる数元素の発光線の同時の観察を可能にする方法
で利用してもよい。

第３図による実施例では、セラミックリングシール１５
がコンタクト５４内に取付けられている。セラミックリ
ングシール１５０はほぼＬ字形の横断面を有し、かつス
リーブ状部分１５２と環状ディスク部１５６とを有して
いる。スリーブ状部分１５２は切欠６６の肩平円筒形部
７０の内面に設けられ几凹部１５４内に挿入され、かつ
環状ディスク部１５６が外側へ、コンタクト５４の端面
６８の前面で延びている。スリーブ状部分１５２はコン
タクト５６の外面８６と一緒に例えば０．０７５鵡の制
限された、狭い隙間１５８″ｌｃ形成している。小さな
不活性ガス流がこの隙間１５８を通過することがあるが
、この流れはセラミックフェルト製のシールを通過する
不活性ガス流にほぼ相当しよう。しかしかかる不活性ガ
ス流は無視できるものであシ、かつコンタクト間のシー
ル不在下の隙間８８（第１図）全通過する不活性ガス流
よりも著しく小さい。隙間１５８は絶縁セラミック部、
すなわちセラミックリング７−ル１５０によって片側で
制限されているので、隙間１５８は著しく狭くすること
ができ、しかも２つのコンタクト５４．５６間の接触、
すなわち短絡の危険はない。隙間１５８は環状隙間なの
で、炉が加熱されてコンタクト５４．５６が熱膨張した
場合にも隙間は実質的に変化しない。

環状ディスク部１５６の端面１６０は冷却装置８４の対
面する端面１６２との間に所定の距離を置いておυ、そ
の九めにこれらの間に形成される隙間１６４がコンタク
ト５４．５６の熱膨張に適合できるようになっている。

絶縁環状ディスク部１５６はマ友コンタクト５４お工び
冷却装ｆＲ８４の各端面６８と１６２間で熱膨張によっ
て直接接触が形成されないように保証する。すなわち環
状ディスク部１５６は短絡安全装置でもある。

第４図による実施例ではほぼ正方形ま友は長方形横断面
を持つセラミックリングシール１６５がコンタクト５６
の凹部１６６内へ挿入されている。セラミックリングシ
ール１６５の円筒形外？ｆｆ１１６８がコンタクト５４
の切欠６６の扁平円筒形部７０とともに狭い隙間１１０
全形成している。この隙間もコンタクト自体間の隙間８
８（第１図）よりも著しく狭く、これはセラミックリン
グシール１６５の絶Ｒ特性によって繞 可能である。コンタクトの朋輩条件ま几は冷却条件下で
セラミックリングシール１６５の端面１７２は環状肩７
２との間に、これらの間に形成される隙間１７４がコン
タクト５４．５６の熱膨張に適合し得るよりに間隔を置
いて位置している。このセラミックリングシール１６５
もまた軸方向において（熱膨張または位置誤差数の）短
絡安全装置として作用する、それというのも絶縁セラミ
ックリングシール１６５は環状の肩７２に係合するであ
ろうからである。

したがって見てき九通り不活性ガスの消費全減少させ、
かつ効果的な炉保護および不都合な沈着物の回避のため
に制限された不活性ガス流を達成する電熱的な原子化炉
アセンブリについて説明されてき友。更にグラファイト
チューブの囲すおよびその内部の不活性ガス流の選択的
相対的な調節が得られる。

当業者には明白であるように、本発明の精神、範囲（こ
の範囲は請求項で規定されている〕から逸脱することな
く上記構造の種々の修正および適合は容易に明らかとな
るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は炉および炉のための閉鎖された空所を形成しｆ
ｃ２つのコンタクトを備えた、サンプルの電熱的原子化
のための本発明の装置の断面図、第２図は第１図のｎ−
ｎ線に沿った断面図、第３図は第１図に類似のアセンブ
リにおけるシールの別の実施例の拡大断面図、第４図は
第１図に類似のアセンブリにおけるシールのもう１つの
実施例の拡大断面図である。 １０・・・炉、１２・・・炉体、１４・・・孔、１６゜
１８・・・コンタクトクエブ、２０．２２・・・コンタ
クト部材、２４．２６・・・円筒形外面部分、２８゜３
０．１０８．１１０・・・平面、３２，３４゜３６．１
１８・・・軸線、３８．４０・・・コンタクト面、４２
．４４．７８・・・不活性ガス通路、４６゜４Ｂ、５０
，５２．６６．９２・・・切欠、５４゜５６・・・コン
タクト、５８・・・空所、６０．８０・・・シャフト、
６２．８２・・・ヘッド、６４．８４・・・冷却装置ま
た嫁冷却ジャケツ）、６８．９０・・・端面、７０・・
・扁平円筒形部、７２−・・肩、７４−・・円筒形部、
７６・・・円錐形部、８６・・・外面、８８゜１５８．
１６４，１７０，１ｒＪ・・・隙間、９４・・・不活性
ガス供給通路、９６．９８・・・コンタクト面Ｘ　１０
０，１０２，１０４．１０６・・・不活。 性ガスポート、１１２，１１４・・・アパーチャ、１１
６・・・サンプル装入ポート、１２０・・・貫通孔、１
２２・・・煙突、１２４・・・おねじ、１２６・・・ね
じ山付き孔、１２８・・・盲孔、１３０・・・平面、１
３２．１３４，１３６・・・環状隙間、１３８゜１４０
・・・端面、１４２・・・シール、１５０，１６５・・
・セラミックリングシール、１５２・・・スリーフ状部
分、１５４，１６６・・・凹部、１５６・・・環状ディ
スク部、１６０，１６２．１７２・・・端面、１６８・
・・円筒形外面。 図面の浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ　Ｊ （：［痔 ＦＩＧ、’ ＦＩＧ　、／

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電熱的な原子化炉アセンブリにおいて、電熱的な炉
   体が設けられており、炉体が放射ビームが通過するよう
   に適合せしめられた炉孔と、炉孔内へサンプルを導入す
   るためのサンプルポートと、互いに協働する、炉体へ電
   流を供給するための電気的なコンタクト相互間に係合取
   付けされるように構成されたコンタクト面とを有してお
   り、炉体を機能的に保持し、かつサンプル原子化のため
   炉体を加熱するために炉体へ給電するための給電コンタ
   クト手段が設けられており、コンタクト手段が第１と第
   ２のコンタクト部材を備え、これら第１と第２のコンタ
   クト部材が協働して炉体を含有する空所を形成していて
   、しかもサンプルを炉体内へ導入し、かつ不活性ガスお
   よびサンプル成分を排出するために上記のサンプルポー
   トと合致する貫通孔を有しており、かつ第１と第２のコ
   ンタクト部材が相互間に所定の隙間を形成するように互
   いに接触しない配置にあり、上記の隙間をシールして空
   所からの不活性ガスの損失を阻止するための電気絶縁性
   のシール手段が設けられており、かつコンタクト手段が
   、酸素への曝露を阻止するために炉体の周囲および内部
   で不活性ガスを制限された流れで配慮し、かつ上記の貫
   通孔から排出するための手段を備えていることを特徴と
   する、電熱的な原子化炉アセンブリ。 ２、第１と第２のコンタクト部材をそれぞれ包囲した第
   １と第２の冷却ジャケットが設けられており、かつ第１
   と第２のコンタクト部材が炉体からの熱放射からシール
   手段を遮断するように構成されている、請求項１記載の
   アセンブリ。 ３、シール手段がセラミックフェルトシールから成る、
   請求項２記載のアセンブリ。 ４、シールが第１と第２の冷却ジャケットの１つに係合
   している、請求項３記載のアセンブリ。 ５、シール手段がセラミックフェルトシールから成る、
   請求項１記載のアセンブリ。 ６、シール手段が隙間を閉鎖するように第１と第２のコ
   ンタクト部材に係合して取付けられた環状シールから成
   る、請求項１記載のアセンブリ。 ７、シールが、原子化操作中において第１と第２のコン
   タクト部材の熱膨張に適合するのに十分に弾性である、
   請求項６記載のアセンブリ。　 ８、シール手段が、所定の狭い隙間を形成するために第
   ２のコンタクト部材に間隔を置くように第１のコンタク
   ト部材に取付けられた環状シールから成る、請求項１記
   載のアセンブリ。 ９、環状シールが外面を有し、かつ第２のコンタクト部
   材が外面部を有しており、この外面と外面部との間で狭
   い隙間が形成されている、請求項８記載のアセンブリ。 １０、第１と第２のコンタクト部材およびシールが加熱
   中の第１と第２のコンタクト部材の熱膨張に適合するよ
   うに構成され、かつ配置されている、請求項９記載のア
   センブリ。 １１、シールがＬ字形横断面を有している、請求項９記
   載のアセンブリ。 １２、シールが矩形横断面を有している、請求項９記載
   のアセンブリ。 １３、不活性ガスを配慮するための手段が不活性ガスを
   空所内へ導くためのガス供給通路を備えており、空所が
   この空所内へ流れる不活性ガス流を、炉体周囲を制限さ
   れた流れで、および炉体内を制限された流れで導くよう
   に構成され、これらの流れが貫通孔から流出するよりに
   なつている、請求項１記載のアセンブリ。 １４、炉体が不活性ガス流を空所内へ導くためのガス通
   路を備えている、請求項１３記載のアセンブリ。 １５、煙突部材がサンプルを炉体内へ導き、かっ不活性
   ガスとサンプル成分を排出するために貫通孔内へ取付け
   られており、かつ煙突部材が、炉体周囲の不活性ガス流
   が煙突部材を通つて流出し得るようにこの煙突部材との
   間に入口隙間を形成するために炉体のサンプルポートか
   ら距離を置いた位置に内側端部を有している、請求項１
   ３記載のアセンブリ。 １６、入口隙間の寸法を変えてここを通る不活性ガスの
   流れを調整するために煙突部材の位置を選択的に調節す
   るための手段が設けられている、請求項１５記載のアセ
   ンブリ。 １７、分光分析のためにサンプルを電熱的に原子化する
   ための装置において、 （ａ）加熱用に炉（１０）へ電流を供給するためのコン
   タクト面（３８、４０）と測定光束を通過させるために
   構成された孔（１４）とを有する炉（１０）が設けられ
   ており、 （ｂ）炉をコンタクト面（３８、４０）でもつて取付け
   る一対の給電用の電気的なコンタクト（５４、５６）が
   設けられており、炉 （１０）を包囲したコンタクト（５４、５６）が炉（１
   ０）を含有した空所（５８）とコンタクト（５４、５６
   ）相互間の隙間（８８）とを形成しており、 （ｃ）シールによつて空所（５８）からの不活性ガス損
   失を阻止するために隙間内へ取付けられた電気絶縁性シ
   ール（４２）が設けられており、 （ｄ）炉（１０）の孔（１４）内へサンプルを導入する
   ために互いに合致したサンプル装入ポート（１１６、１
   ２０）が炉（１０）内と一方のコンタクト（５４）内に
   設けられており、 （ｅ）炉（１０）の孔（１４）に合致した、コンタクト
   （５４、５６）内のアパーチャ （１１２、１１４）が設けられており、これらのアパー
   チャ（１１２、１１４）が測定光束の通過を許す窓によ
   つてシールされており、（ｆ）空中酸素の、炉（１０）
   へのアクセスを阻止するために炉（１０）の内外面上で
   不活性ガス流を導き、かつサンプル成分を除去するため
   の手段が設けられていることを特徴とする、分光分析の
   ためにサンプルを電熱的に原子化するための装置。 １８、コンタクト（５４、５６）が冷却ジャケット（６
   ４、８４）内に取付けられている、請求項１７記載の装
   置。 １９、冷却されるコンタクト（５４、５６）によつてシ
   ール（１４２）が炉（１０）から実質的に遮断されるよ
   うにコンタクト（５４、 ５６）およびシール（１４２）が相対的に配置されてい
   る、請求項１８記載の装置。 ２０、シール（１４２）がセラミックフェルトによつて
   形成されている、請求項１９記載の装置。 ２１、シールがセラミックリングであり、該セラミック
   リングが一方のコンタクトに配置されて他方のコンタク
   トとの間に狭い隙間を形成している、請求項１７記載の
   装置。 ２２、セラミックリングが外面を有し、かつ他方のコン
   タクトが円筒形内面部分を有しており、狭い隙間がセラ
   ミックリングのこの外面と他方のコンタクトのこの円筒
   形内面部分との間に形成されている、請求項２１記載の
   装置。 ２３、セラミックリングが端面を有しており、該端面が
   、炉（１０）加熱時のコンタクトの縦方向の膨張に適合
   するのに十分な空間を形成するように他方のコンタクト
   との間に距離を置いている、請求項２２記載の装置。 ２４、セラミックリング（１５０）が、一方のコンタク
   ト（５４）の切欠（６６）の内面 （７０）の凹部（１５４）内に保持されたスリーブ状部
   分（１５２）と上記のコンタクト（５４）の端面（６８
   ）よりも延びた環状ディスク部（１５２）とを持つたＬ
   字形横断面を有しており、狭い隙間（１５８）がスリー
   ブ状部分（１５２）の内面と、上記の一方のコンタクト
   （５４）の切欠（６６）内へ突出した他方のコンタクト
   （５６）の外面（８６）との間で周方向に形成されてお
   り、かつ環状ディスク部（１５６）の端面（１６０）が
   対面した端面（１６２）から距離を置いて他方のコンタ
   クト（５６）と誘導結合している、請求項２３記載の装
   置。 ２５、他方のコンタクト（５４）が円筒形部分（７０）
   を有する切欠（６６）を有し、セラミックリング（１６
   ５）が一方のコンタクト（５６）に取付けられて上記の
   切欠（６６）内へ配置されており、このセラミックリン
   グが一方のコンタクト（５６）の外面（８６）よりも突
   出した外面（１６８）を有していて、この外面（１６８
   ）と他方のコンタクト （５４）の上記の円筒形部分（７０）との間で狭い周方
   向の隙間を形成している、請求項２６記載の装置。 ２６、（ａ）炉（１０）が測定光束通過用の孔（１４）
   を構成したほぼチューブ状の炉体（１２）を備えており
   、孔が軸線（３６）を有しており、炉体（１２）が横方
   向のコンタクト片（２０、２２）を備え、コンタクト片
   がコンタクト面（３８、４０）でもつて、加熱電流が孔 （１４）の軸線（３６）に対してほぼ垂直の方向に炉（
   １０）を通過するように配置されており、 （ｂ）チューブ状の炉体（１２）の端面（１３８、１４
   ０）がコンタクト（５４、５６）によつて形成された空
   所の内面との間に隙間（１３４、１３６）を形成してお
   り、 （ｃ）不活性ガス流を導くための手段がコンタクト片（
   ２０、２２）の範囲内に不活性ガス装入ポート（１００
   、１０２、１０４、１０６）を備え、それにより不活性
   ガスがコンタクト片（２０、２２）に沿つてチューブ状
   の炉体（１２）の周囲へ流れ、かつ隙間（１３４、１３
   ６）を通つて炉体（１２）の孔（１４）の端部内へ流入
   し、かつ孔（１４）内を通つて互いに合致したサンプル
   装入ポート（１１６、１２０）から流出するようになつ
   ている、請求項１７記載の装置。 ２７、（ａ）炉（１０）のコンタクト片（２０、２２）
   が対向する平面（２８、３０）を持つほぼ円筒形の形状
   を有し、かつ端部において円筒形外面（２４、２６）の
   範囲内で円錐状にテーパされていてコンタクト面（３８
   、 ４０）を形成しており、 （ｂ）コンタクト（５４、５６）が炉（１０）のコンタ
   クト面（３８、４０）に相補的な、凹面円錐形のコンタ
   クト面（９６、９８）を有しており、 （ｃ）コンタクト（５４、５６）のコンタクト面（９６
   、９８）がそれぞれ１つの不活性ガス通路（７８、９４
   ）を包囲しており、不活性ガス通路が不活性ガス供給用
   に適合されており、不活性ガス装入ポート（１００、１
   ０２、１０４、１０６）がコンタクト（５４、５６）の
   コンタクト面（９６、９８）と炉（１０）のコンタクト
   片（２０、２２）の平面（２８、３０）との間に形成さ
   れている、請求項２６記載の装置。 ２８、１つのコンタクト（５４）内に設けられたサンプ
   ル装入ポート（１２０）がこのコンタクト（５４）内へ
   挿入された煙突（１２２）の孔によつて形成されており
   、煙突が端面でもつて炉（１０）の平面（１３０）との
   間に環状の隙間（１３２）を形成している、請求項２７
   記載の装置。 ２９、煙突（１２２）がおねじ（１２４）でもつてコン
   タクト（５４）のねじ山付き孔（１２６）内へねじ込ま
   れており、かつ回転により鉛直方向で調節可能である、
   請求項２８記載の装置。