JP2848854B2

JP2848854B2 - 分光目的のためにサンプルを電熱的に原子化するための装置

Info

Publication number: JP2848854B2
Application number: JP1179216A
Authority: JP
Inventors: グンター・ローデル; エーリヒト・シユテンゲレ
Original assignee: BOODENZEBERUKU PAAKIN ERUMAA UNTO CO GmbH
Current assignee: BOODENZEBERUKU PAAKIN ERUMAA UNTO CO GmbH
Priority date: 1988-07-13
Filing date: 1989-07-13
Publication date: 1999-01-20
Anticipated expiration: 2014-01-20
Also published as: EP0350722A3; AU3803689A; DE58909719D1; JPH02134546A; AU625227B2; EP0350722A2; EP0350722B1; US5005976A; DE3823733A1

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は分光学、特別には分光学のサンプルの電熱的
な原子化のための装置に関する。

従来の技術電熱的なアトマイザ、一般には加熱式グラファイトア
トマイザ又はグラファイト炉は原子吸収分光光度計で分
析すべきサンプルを原子状にするために役立てられる。
典型的には、炉は環状のグラファイトコンタクト又は電
極間で締付けられたチューブ状のグラファイト部材から
成る。チューブ状のグラファイト部材の側壁に設けた横
方向の開口は分析すべき物質をチューブ状のグラファイ
ト部材内へ挿入するためのサンプルポートとして役立て
られる。

一般に冷却用ジャケット内に取付けられたグラファイ
トコンタクトは弾性的な弾発部材又はサーボモータによ
ってチューブ状のグラファイト部材の端部に密に係合す
るように押込まれる。強い電流がコンタクト間でチュー
ブ状のグラファイト部材に軸方向で流され、サンプルが
「原子雲」に変換されるに要する高温までグラファイト
部材が加熱される。こうしてサンプルは原子化されて原
子雲がグラファイトチューブ内で発生せしめられる。

光源から放出された測定光束が環状のグラファイト製
コンタクトとグラファイトチューブの長手孔内を通過す
る。この光源は標的元素の共鳴スペクトル線を有してい
る。サンプル中の標的元素の量は、測定光束の吸収から
決定することができる。

被分析物の原子化のために要求される高温での酸化に
よるチューブ状のグラファイト部材の迅速な劣化を阻止
するために、グラファイト部材を不活性保護ガスの流れ
中に封入する措置がとられる。要するに、グラファイト
チューブは酸素がグラファイトチューブに接触しないよ
うに不活性ガスによって取囲まれる。

上述形式のグラファイト炉は米国特許第4,022,530号
明細書に開示されている。このグラファイト炉ではコン
タクトがチューブ状である。２つのコンタクトがグラフ
ァイトチューブの周りに、かつ分離ギャップを除いてコ
ンタクト面間でグラファイトチューブ全長にわたって延
びている。不活性ガス流がグラファイトチューブ両端か
らグラファイトチューブ内へ通される。この不活性ガス
流はグラファイトチューブの半径方向の孔を通って中央
へ供給される。チューブ状のコンタクトの一方は半径方
向の孔を備えており、この孔はグラファイトチューブの
半径方向の孔と合致している。

コンタクト装置のコンタクトは空所を形成し、この中
にグラファイトチューブが保持される。不活性ガスはこ
の空所内へ導入され、かつグラファイトチューブの囲り
へ流れる。これによって２つの不活性ガス流が発生せら
れ、この１つはグラファイトチューブの内部を、普通グ
ラファイトチューブの両端から内部へ流れ、次いで中央
横方向の開口（すなわちサンプル装入ポート）から流出
し、かつ他方はグラファイトチューブの外側の周囲を流
れる。後者の不活性ガス流の１部は、互いに電気絶縁さ
れるべき２つの電極相互間に形成された、必要な隙間を
通って出る。このようにしてこの隙間から空所内および
グラファイトチューブへの酸素通過が阻止される。この
隙間は不活性ガスの高い消費の原因である。さらに乱流
が生じ、これによりサンプルの熱分解生成物が相対的に
低温の領域へ導かれる。

米国特許第4,726,678号明細書及び刊行物“Analytica
l Chemistry"58（1986）、1973では、チューブ状の炉
体が方形横断面を有しかつ炉体の軸線に対して横方向に
延びるコンタクト突起を備えたグラファイト炉が開示さ
れている。炉体及びコンタクト突起は一体のグラファイ
ト部材として形成されている。炉加熱のための電流はチ
ューブ状の炉体の縦軸線に対して横方向のコンタクト突
起を介して供給される。

発明が解決しようとする問題点本発明の課題は、原子吸光分光学で特に有利である、
新規かつ改善された電熱的な原子化炉アセンブリを提供
することである。

本発明の別の課題は、不活性ガスの消費を減少させる
電熱的な原子化炉アセンブリを提供することである。

本発明のもう１つの課題は、炉体を空中酸素に曝露し
ないよう効果的に保護するための制限された不活性ガス
流を達成し、かつサンプル成分の、炉アセンブリの相対
的に冷たい範囲への沈着を阻止するような炉アセンブリ
を提供することでる。

本発明のもう１つの課題は、炉体周囲および炉体内部
の不活性ガス流の選択的な相対調節を可能にする炉アセ
ンブリを提供することである。

他の課題は、一部は明らかになろうし、かつ一部はよ
り詳細に以下で指摘される。

問題点を解決するための手段上記の課題およびそれに関連した課題を解決するため
の本発明の手段は、電熱的な原子化炉アセンブリにおい
て、電熱的な炉体が設けられており、炉体が放射ビーム
が通過するように適合せしめられた炉孔と、炉孔内へサ
ンプルを導入するためのサンプルポートと、互いに協働
する、炉体へ電流を供給するための電気的なコンタクト
相互間に係合取付けされるように構成されたコンタクト
面とを有しており、炉体を機能的に保持し、サンプル原
子化のため炉体を加熱するために炉体へ給電するための
給電コンタクト手段が設けられており、コンタクト手段
が第１と第２のコンタクト部材を備え、これら第１と第
２のコンタクト部材が協働して炉体を含有する空所を形
成していて、しかもサンプルを炉体内へ導入し、かつ不
活性ガスおよびサンプル成分を排出するために上記のサ
ンプルポートと合致する貫通孔を有しており、かつ第１
と第２のコンタクト部材が相互間に所定の隙間を形成す
るように互いに接触しない配置にあり、上記の隙間をシ
ールして空所からの不活性ガスの損失を阻止するための
電気絶縁性のシール手段が設けられており、かつコンタ
クト手段が、酸素への曝露を阻止するために炉体の周囲
および内部で不活性ガスを制限された流れで供給し、か
つ上記の貫通孔から排出するための手段を備えているこ
とである。

発明の効果炉は空所内に配置され、この空所はサンプル装入ポー
トと合致する貫通孔を除き閉鎖されている。この閉鎖さ
れた空所からは不活性ガス流は貫通孔からしか流出する
ことができない。したがって付加的な隙間からのガスの
排出が阻止されこれは不活性ガスの著しい節約をもたら
し、またかかる隙間へ流れるガスの流れも阻止する。コ
ンタクト相互間の隙間のシールは、操作時の加熱される
炉のきわめて高い温度にもかかわらず実地において実現
し得ることが判明した。

有利にはコンタクトは冷却用ジャケット内に保持され
る。したがってコンタクト自体（これらの間にシールが
配置される）は炉自体に対して相対的に冷たい。シール
はこの冷却されるコンタクトによって炉から実質的に遮
断される。このようにして赤熱炉の放射によるシールの
許容し得ない加熱は阻止される。

実施例図面に示すために本発明の具体的な形状が選択され、
かつ以下において本発明のこれらの形状を説明するため
に具体的な用語で説明がなされている。この説明は請求
項に規定された本発明の範囲を限定するものではない。

第１図においてサンプルの電熱的な原子化のための炉
が全体的に符号10で示されている。炉10はグラファイト
から製作され、かつほぼチューブ状の炉体12を有し、炉
体内には孔14が延びている。コンタクトウエブ16,18が
炉体12に沿って互いに反対側に延びている。平面図では
コンタクトウエブは台形状であり、台形の長辺でもって
炉体12と一体となっている。

コンタクト部材20,22がそれぞれコンタクトウエブ16,
18に設けられている。コンタクト部材20,22はほぼ円筒
形であって、互いに対向する円筒形外面部分24,26（第
２図）と互いに対向する平行な平面28,30とを有してい
る。コンタクト部材20,22の軸線32,34はそれぞれ孔14の
軸線36に対して垂直の方向に延びている。円錐形にテー
パした部分がコンタクト面38,40としてそれぞれコンタ
クト部材20,22の端部に円筒形外面部分24,26の範囲内で
設けられている。第１図に破線で示されているように、
軸方向の不活性ガス通路42,44がそれぞれコンタクト部
材20,22内に形成されている。不活性ガス通路42,44はそ
れぞれ切欠46,48および50,52と直交しており、これらの
切欠はそれぞれ炉体12に沿って各コンタクトウエブ16,1
8の上側と下側に設けられている。

炉は米国特許第4968141号明細書（出願整理番号30499
4。1989年２月１日申請）の第４図から第６図による炉
の構造に準じる。

炉10は第１のコンタクト54と第２のコンタクト56との
間で弾性的な弾発部材またはサーボモータ（図示せず）
によって保持されている。電流はコンタクト54,56を介
して炉10に通電される。コンタクト54,56もグラファイ
トから製作され、炉10に適合した空所58を形成してい
る。

第１のコンタクト54はシャフト60とヘッド62を有して
いる。コンタクト54はシャフト60でもって冷却装置また
は冷却ジャケット64内に保持されている。コンタクト54
は中央の切欠66を有し、この切欠はヘッド62の端面68を
基点にして延びている。この切欠66は扁平円筒形部70を
有し、扁平円筒形部は円錐形の肩72へ続いている。円筒
形部74が肩72に隣接して形成されている。円筒形部74は
円錐形部76へ続いている。不活性ガス通路78がシャフト
60に沿って延び、かつ円錐形部76で終っている。

第２のコンタクト56もシャフト80とヘッド82を有して
いる。シャフト80は冷却装置または冷却ジャケット84内
に配置されている。ヘッド82は軸方向で比較的短く、外
径はコンタクト54の切欠66の扁平円筒形部70の内径より
も小さい。コンタクト56のヘッド82はコンタクト54の切
欠66の扁平円筒形部70内へ突出している。わりあい広い
隙間88が扁平円筒形部70の壁とヘッド82の外面86との間
に形成されている。円錐形の切欠92がヘッド82の端面90
内に形成されている。不活性ガス供給通路94がシャフト
80に沿って中央に延び、かつ切欠92内で終っている。

切欠66の円錐形部76は第１のコンタクト54上の円錐形
のコンタクト面96を構成している。円錐形の切欠92は第
２のコンタクト56上の円錐形のコンタクト面98を構成し
ている。炉10は相補的な円錐形のコンタクト面38,40で
もって上記２つの円錐形のコンタクト面96,98相互間で
保持されている。炉は平面28,30のために第１図の紙面
の前後で保持されている。

不活性ガスポート100,102および104,106がそれぞれコ
ンタクト面96,98と平面28,30との間に設けられている。
操作時には不活性ガスは不活性ガス供給通路78,94から
不活性ガスポート100,102,104,106を通って空所58内へ
入る。不活性ガスはまた不活性ガス通路42,44,および連
絡された切欠46,48,50,52を貫流して空所58内へ入る。

第２図で一番良く判るように、コンタクト54のヘッド
62は互いに平行な平面108,110を有している。アパーチ
ャ112,114が互いに合致せしめられてそれぞれこれらの
平面108,110の範囲内に設けられ、かつ切欠66の円筒形
部74内で終っている。操作アセンブリにおいて、これら
のアパーチャ112,114は炉体12の孔14と合致せしめられ
ており、測定光束は炉体12の孔14の軸線36に沿ってアパ
ーチャ112、孔14、アパーチャ114を通過することができ
る。原子吸光分光光度計内でアパーチャ112,114は通常
の形成で窓によって外気から閉鎖されている（図示せ
ず）。

炉体12は中央横方向のサンプル装入ポート116を有し
ている。操作アセンブリにおいて、サンプル装入ポート
116の軸線118はヘッド62の平面108,110に平行であり、
かつコンタクト部材22の軸線34および孔14の軸線36に対
して垂直である。

コンタクト54内のサンプル装入ポートまたは貫通孔12
0が炉体12のサンプル装入ポート116と合致している。コ
ンタクト54のサンプル装入ポート120は自軸線方向で調
節可能な煙突122によって構成されている。煙突122はお
ねじ124によってコンタクト54のねじ山付き孔126内で自
軸線方向に調節可能である。煙突122の外側端面内の偏
心位置の盲孔128が適切な工具との係合および自軸線方
向調節のための煙突122の回転を可能にする。

炉10は平面130を形成し、この平面はコンタクト部材2
0,22の平面30を含んでいる。環状隙間132が煙突122の内
側端面と平面130との間に形成されている。環状隙間132
の幅は煙突の自軸線方向調節によって変えられる。環状
隙間134,136（第２図）が炉体12の円筒形の端面138,140
と切欠66の円筒形部74の内面との間に形成されている。

空所58はコンタクト54と56との間の隙間88を越えて延
びたシール142によって閉鎖されている。シール142はセ
ラミックフェルト（セラミック繊維強化アルミナ複合
体、タイプ100、A1203/SiO₂）製の環状ディスクであ
る。シール142はコンタクト56のヘッド82の外面86に取
付けられ、かつ冷却ジャケット84によって支持されてい
る。操作アセンブリではシール142はコンタクト54のヘ
ッド62の端面68に係合する。すなわちシールは冷却ジャ
ケット84および冷却されるコンタクト54,56と接触す
る。シールは原子化の間赤熱する炉体12の熱放射からコ
ンタクト54,56によってできる限り遮断される。これら
の状況下ではシール142は炉体12の加熱によって影響さ
れないことが判明した。

シール142は隙間88を十分に閉鎖するので、実際に不
活性ガス流は隙間88を通過しない。他方シールはまた２
つのコンタクト54,56間の電気絶縁を行う。セラミック
フェルトの弾性は部材の熱膨張に適合する。同時にこの
シールは炉10破損時にコンタクト54,56相互の接触、ひ
いては短絡が起こらないように保証する。

記述のアセンブリにおいて不活性ガスは不活性ガスポ
ート100,102,104,106から内側へ炉体12へ向って流れ
る。次いで部分流が炉体12の外面上で環状隙間134,136
を通り、ここから孔14に沿って内側へサンプル装入ポー
ト116へ流れる。この不活性ガスはサンプル装入ポート1
16および煙突122から出る。この不活性ガス流はまたサ
ンプルの熱分解生成物を取除く筈である。第２図に矢印
によって示されているように、不活性ガスの別の部分流
が環状隙間132を通って直接煙突122へ流れる。これら異
なる部分流の比は煙突の鉛直方向調節を介して環状隙間
132の幅を調節することにより選択的に変えることがで
きる。

既述のように隙間88の通過流はない。コンタクト54と
56との間で確実な電気絶縁を保証するためには隙間88は
かなり広くなっているので、シール142を備えない。こ
のタイプの従来技術の装置では著しい不活性ガス流の、
隙間通過が起きた筈である。またシール142なしで酸素
のアクセスを阻止するためにはかかる不活性ガス流が必
要であった筈である。この不活性ガス流の必要性はシー
ル142の使用により回避され、したがって不活性ガスの
節約が得られる。更にシール142の不在で生じるような
隙間88を通る強力な不活性ガス流は空所58内の不活性ガ
ス流を著しく混乱しよう。隙間88をシール142でシール
することによって、上述のように制限された流れが空所
58内で得られる。

サンプルの原子化のためには炉体12は例えば1000゜を
上回るきわめて高い温度に加熱される。サンプルはサン
プル装入ポート120,116を介して導入され、かつ孔14内
で原子化される。このようにして原子の蒸気が孔14内に
発生せしめられ、この中でサンプルの成分は原子の状態
で存在する。光源から出た、特に標的元素の共鳴線を発
する測定光束がこの原子の蒸気を軸線36に沿って通過
し、かつサンプル中の標的元素の割合に応じて吸収され
る。

この過程の間、原子の蒸気が測定のためにできる限り
長く測定光束の光路内にとどまり、不活性ガス流によっ
て孔から直ちに流し出されないように保証するために少
時の間不活性ガス供給が中断される。炉体12の加熱によ
り、孔を含む空所内の不活性ガス容量も加熱され、かつ
この容量も数倍量に増大せしめられる。こうしてこの加
熱のために不活性ガス流が発生せしめられる。シールの
不在では加熱によって惹起されるこの不活性ガス流は圧
倒的に隙間88から流出しよう。その結果きわめて複雑な
流れ状態が得られ、またサンプルの蒸気が相対的に冷た
い部分へ運ばれて、ここに沈積する結果をもたらす場合
がある。

本発明の炉アセンブリは原子吸光分光学で使用するた
めのものとして説明されてきた。しかし本発明は分光目
的のためにサンプルの原子化が行われる他の方法で利用
することができる。例えば本発明はまた、原子化が不活
性ガス雰囲気中で行われ、もかつガス放出が発生せしめ
られ、サンプル内に含まれる数元素の発光線の同時に観
察を可能にする方法で利用してもよい。

第３図による実施例では、セラミックリングシール15
0がコンタクト54内に取付けられている。セラミックリ
ングシール150はほぼＬ字形の横断面を有し、かつスリ
ーブ状部分152と環状ディスク部156とを有している。ス
リーブ状部分152は切欠66の扁平円筒形部70の内面に設
けられた凹部154内に挿入され、かつ環状ディスク部156
が外側へ、コンタクト54の端面68の前面で延びている。
スリーブ状部分152はコンタクト56の外面86と一緒に例
えば0.075mmの制限された、狭い隙間158を形成してい
る。小さな不活性ガス流がこの隙間158を通過すること
があるが、この流れはセラミックフェルト製のシールを
通過する不活性ガス流にほぼ相当しよう。しかしかかる
不活性ガス流は無視できるものであり、かつコンタクト
間のシール不在下の隙間88（第１図）を通過する不活性
ガス流よりも著しく小さい。隙間158は絶縁セラミック
部、即ちセラミックリングシール150によって片側で制
限されているので、隙間158は著しく狭くすることがで
き、しかも２つのコンタクト54,56間の接触、すなわち
短絡の危険はない。隙間158は環状隙間なので、炉が加
熱されてコンタクト54,56が熱膨張した場合にも隙間は
実質的に変化しない。

環状ディスク部156の端面160は冷却装置84の対面する
端面162との間に所定の距離を置いており、そのために
これらの間に形成される隙間164がコンタクト54,56の熱
膨張に適合できるようになっている。絶縁環状ディスク
部156はまたコンタクト54および冷却装置84の各端面68
と162間で熱膨張によって直接接触が形成されないよう
に保証する。すなわち環状ディスク部156は、コンタク
ト56と導電結合した冷却装置84の端面162とコンタクト5
4の端面68との間の短絡安全装置でもある。

第４図による実施例ではほぼ正方形または長方形横断
面を持つセラミックリングシール165がコンタクト56の
凹部166内へ挿入されている。セラミックシール165の円
筒形外面168がコンタクト54の切欠66の扁平円筒形部70
とともに狭い隙間170を形成している。この隙間もコン
タクト自体間の隙間88（第１図）よりも著しく狭く、こ
れはセラミックリングシール165の絶縁特性によって可
能である。コンタクトの囲繞条件または冷却条件下でセ
ラミックリングシール165の端面172は環状肩72との間
に、これらの間に形成される隙間174がコンタクト54,56
の熱膨張に適合し得るように間隔をおいて位置してい
る。このセラミックリングシール165もまた軸方向にお
いて（熱膨張または位置誤差故の）短絡安全装置として
作用する、それというのも絶縁セラミックリングシール
165は環状の肩72に係合するであろうからである。

したがって見てきた通り不活性ガスの消費を減少さ
せ、かつ効果的な炉保護および不都合な沈着物の回避の
ために制限された不活性ガス流を達成する電熱的な原子
化炉アセンブリについて説明されてきた。更にグラファ
イトチューブの囲りおよびその内部の不活性ガス流の選
択的相対的な調節が得られる。

当業者には明白であるように、本発明の精神、範囲
（この範囲は請求項で規定されている）から逸脱するこ
となく上記構造の種々の修正および適合は容易に明らか
となるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は炉および炉のための閉鎖された空所を形成した
２つのコンタクトを備えた、サンプルの電熱的原子化の
ための本発明の装置の断面図、第２図は第１図のII−II
線に沿った断面図、第３図は第１図に類似のアセンブリ
におけるシールの別の実施例の拡大断面図、第４図は第
１図に類似のアセンブリにおけるシールのもう１つの実
施例の拡大断面図である。 10……炉、12……炉体、14……孔、16,18……コンタク
トウエブ、20,22……コンタクト部材、24,26……円筒形
外面部分、28,30,108,110……平面、32,34,36,118……
軸線、38,40……コンタクト面、42,44,78……不活性ガ
ス通路、46,48,50,52,66,92……切欠、54,56……コンタ
クト、58……空所、60,80……シャフト、62,82……ヘッ
ド、64,84……冷却装置または冷却ジャケット、68,90…
…端面、70……扁平円筒形部、72……肩、74……円筒形
部、76……円錐形部、86……外面、88,158,164,170,174
……隙間、94……不活性ガス供給通路、96,98……コン
タクト面、100,102,104,106……不活性ガスポート、11
2,114……アパーチャ、116……サンプル装入ポート、12
0……貫通孔、122……煙突、124……おねじ、126……ね
じ山付き孔、128……盲孔、130……平面、132,134,136
……環状隙間、138,140……端面、142……シール、150,
165……セラミックリングシール、152……スリーブ状部
分、154,166……凹部、156……環状ディスク部、160,16
2,172……端面、168……円筒形外面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭62−75335（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−123335（ＪＰ，Ａ) 特開平１−288755（ＪＰ，Ａ) 実開昭50−40283（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G01N 21/00 - 21/74

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電熱的な原子化炉アセンブリにおいて、電
熱的な炉体が設けられており、炉体が放射ビームが通過
するように適合せしめられた炉孔と、炉孔内へサンプル
を導入するためのサンプルポートと、互いに協働する、
炉体へ電流を供給するための電気的なコンタクト相互間
に係合取付けされるように構成されたコンタクト面とを
有しており、炉体を機能的に保持し、かつサンプル原子
化のため炉体を加熱するために炉体へ給電するための給
電コンタクト手段が設けられており、コンタクト手段が
第１と第２のコンタクト部材を備え、これら第１と第２
のコンタクト部材が協働して炉体を含有する空所を形成
していて、しかもサンプルを炉体内へ導入し、かつ不活
性ガスおよびサンプル成分を排出するために上記のサン
プルポートと合致する貫通孔を有しており、かつ第１と
第２のコンタクト部材が相互間に所定の隙間を形成する
ように互いに接触しない配置にあり、上記の隙間をシー
ルして空所からの不活性ガスの損失を阻止するための電
気絶縁性のシール手段が設けられており、かつコンタク
ト手段が、酸素への曝露を阻止するために炉体の周囲お
よび内部で不活性ガスを制限された流れで供給し、かつ
上記の貫通孔から排出するための手段を備えていること
を特徴とする、電熱的な原子化炉アセンブリ。
【請求項２】第１と第２のコンタクト部材をそれぞれ包
囲した第１と第２の冷却ジャケットが設けられており、
かつ第１と第２のコンタクト部材が炉体からの熱放射か
らシール手段を遮断するように構成されている、請求項
１記載のアセンブリ。
【請求項３】シール手段がセラミックフェルトシールか
ら成る、請求項２記載のアセンブリ。
【請求項４】シールが第１と第２の冷却ジャケットの１
つに係合している、請求項３記載のアセンブリ。
【請求項５】シール手段がセラミックフェルトシールか
ら成る、請求項１記載のアセンブリ。
【請求項６】シール手段が隙間を閉鎖するように第１と
第２のコンタクト部材に係合して取付けられた環状シー
ルから成る、請求項１記載のアセンブリ。
【請求項７】シールが、原子化操作中において第１と第
２のコンタクト部材の熱膨張に適合するのに十分に弾性
である、請求項６記載のアセンブリ。
【請求項８】シール手段が、所定の狭い隙間を形成する
ために第２のコンタクト部材に間隔を置くように第１の
コンタクト部材に取付けられた環状シールから成る、請
求項１記載のアセンブリ。
【請求項９】環状シールが外面を有し、かつ第２のコン
タクト部材が外面部を有しており、この外面と外面部と
の間で狭い隙間が形成されている、請求項８記載のアセ
ンブリ。
【請求項１０】第１と第２のコンタクト部材およびシー
ルが加熱中の第１と第２のコンタクト部材の熱膨張に適
合するように構成され、かつ配置されている、請求項９
記載のアセンブリ。
【請求項１１】シールがＬ字形横断面を有している、請
求項９記載のアセンブリ。
【請求項１２】シールが矩形横断面を有している、請求
項９記載のアセンブリ。
【請求項１３】不活性ガスを供給するための手段が不活
性ガスを空所内へ導くためのガス供給通路を備えてお
り、空所がこの空所内へ流れる不活性ガス流を、炉体周
囲を制限された流れで、および炉体内を制限された流れ
で導くように構成され、これらの流れが貫通孔から流出
するようになっている、請求項１記載のアセンブリ。
【請求項１４】炉体が不活性ガス流を空所内へ導くため
のガス通路を備えている、請求項13記載のアセンブリ。
【請求項１５】煙突部材がサンプルを炉体内へ導き、か
つ不活性ガスとサンプル成分を排出するために貫通孔内
へ取付けられており、かつ煙突部材が、炉体周囲の不活
性ガス流が煙突部材を通って流出し得るようにこの煙突
部材との間に入口隙間を形成するために炉体のサンプル
ポートから距離を置いた位置に内側端部を有している、
請求項13記載のアセンブリ。
【請求項１６】入口隙間の寸法を変えてここを通る不活
性ガスの流れを調整するために煙突部材の位置を選択的
に調節するための手段が設けられている、請求項15記載
のアセンブリ。
【請求項１７】分光分析のためにサンプルを電熱的に原
子化するための装置において、（ａ）加熱用に炉（10）へ電流を供給するためのコン
タクト面（38,40）と測定光束を通過させるために構成
された孔（14）とを有する炉（10）が設けられており、（ｂ）炉をコンタクト面（38,40）でもって取付ける
一対の給電用の電気的なコンタクト（54,56）が設けら
れており、炉（10）を包囲したコンタクト（54,56）が
炉（10）を含有した空所（58）とコンタクト（54,56）
相互間の隙間（88）とを形成しており、（ｃ）シールによって空所（58）からの不活性ガス損
失を阻止するために隙間内へ取付けられた電気的絶縁性
シール（142）が設けられており、（ｄ）炉（10）の孔（14）内へサンプルを導入するた
めに互いに合致したサンプル装入ポート（116,120）が
炉（10）内と一方のコンタクト（54）内に設けられてお
り、（ｅ）炉（10）の孔（14）に合致した、コンタクト
（54,56）内のアパーチャ（112,114）が設けられてお
り、これらのアパーチャ（112,114）が測定光束の通過
を許す窓によってシールされており、（ｆ）空中酸素の、炉（10）へのアクセスを阻止する
ために炉（10）の内外面上で不活性ガス流を導き、かつ
サンプル成分を除去するための手段が設けられているこ
とを特徴とする、分光分析のためにサンプルを電熱的に
原子化するための装置。
【請求項１８】コンタクト（54,56）が冷却ジャケット
（64,84）内に取付けられている、請求項17記載の装
置。
【請求項１９】冷却されるコンタクト（54,56）によっ
てシール（142）が炉（10）から実質的に遮断されるよ
うにコンタクト（54,56）およびシール（142）が相対的
に位置されている、請求項18記載の装置。
【請求項２０】シール（142）がセラミックフェルトに
よって形成されている、請求項19記載の装置。
【請求項２１】シールがセラミックリングであり、該セ
ラミックリングが一方のコンタクトに配置されて他方の
コンタクトとの間に狭い隙間を形成している、請求項17
記載の装置。
【請求項２２】セラミックリングが外面を有し、かつ他
方のコンタクトが円筒形内面部分を有しており、狭い隙
間がセラミックリングのこの外面と他方のコンタクトの
この円筒形内面部分との間に形成されている、請求項21
記載の装置。
【請求項２３】セラミックリングが端面を有しており、
該端面が、炉（10）加熱時のコンタクトの縦方向の膨張
に適合するのに十分な空間を形成するように他方のコン
タクトとの間に距離を置いている、請求項22記載の装
置。
【請求項２４】セラミックリング（150）が、一方のコ
ンタクト（54）の切欠（66）の内面（70）の凹部（15
4）内に保持されたスリーブ状部分（152）と上記のコン
タクト（54）の端面（68）よりも延びた環状ディスク部
（152）とを持ったＬ字形横断面を有しており、狭い隙
間（158）がスリーブ状部分（152）の内面と、上記の一
方のコンタクト（54）の切欠（66）内へ突出した他方の
コンタクト（56）の外面（86）との間で周方向に形成さ
れており、かつ環状ディスク部（156）の端面（160）
が、対面する、他方のコンタクト（56）と導電結合した
冷却ジャケット（84）の端面（162）から距離を置いて
位置している、請求項23記載の装置。
【請求項２５】他方のコンタクト（54）が円筒形部分
（70）を有する切欠（66）を有し、セラミックリング
（165）が一方のコンタクト（56）に取付けられて上記
の切欠（66）内へ配置されており、このセラミックリン
グが一方のコンタクト（56）の外面（86）よりも突出し
た外面（168）を有していて、この外面（168）と他方の
コンタクト（54）の上記円筒形部分（70）との間で狭い
周方向の隙間を形成している、請求項23記載の装置。
【請求項２６】（ａ）炉（10）が測定光束通過用の孔
（14）を構成したほぼチューブ状の炉体（12）を備えて
おり、孔が軸線（36）を有しており、炉体（12）が横方
向のコンタクト片（20,22）を備え、コンタクト片がコ
ンタクト面（38,40）でもって、加熱電流が孔（14）の
軸線（36）に対してほぼ垂直の方向に炉（10）を通過す
るように配置されており、（ｂ）チューブ状の炉体（12）の端面（138,140）が
コンタクト（54,56）によって形成された空所の内面と
の間に隙間（134,136）を形成しており、（ｃ）不活性ガス流を導くための手段がコンタクト片
（20,22）の範囲内に不活性ガス装入ポート（100,102,1
04,106）を備え、それにより不活性ガスがコンタクト片
（20,22）に沿ってチューブ状の炉体（12）の周囲へ流
れ、かつ隙間（134,136）を通って炉体（12）の孔（1
4）の端部内へ流入し、かつ孔（14）内を通って互いに
合致したサンプル装入ポート（116,120）から流出する
ようになっている、請求項17記載の装置。
【請求項２７】（ａ）炉（10）のコンタクト片（20,2
2）が互いに対向する円筒形外面部分（24,26）と互いに
対向する平面（28,30）とを持つほぼ円筒形の形状を有
し、かつ端部において円筒形外面部分（24,26）の範囲
内で円錐状にテーパされていてコンタクト面（38,40）
を形成しており、（ｂ）コンタクト（54,56）が炉（10）のコンタクト
面（38,40）に相補的な、凹面円錐形のコンタクト面（9
6,98）を有しており、（ｃ）コンタクト（54,56）のコンタクト面（96,98）
がそれぞれ１つの不活性ガス通路（78,94）の延長部を
形成しており、不活性ガス通路が不活性ガス供給用に適
合されており、不活性ガス装入ポート（100,102,104,10
6）がコンタクト（54,56）のコンタクト面（96,98）と
炉（10）のコンタクト片（20,22）の平面（28,30）との
間に形成されている、請求項26記載の装置。
【請求項２８】１つのコンタクト（54）内に設けられた
サンプル装入ポート（120）がこのコンタクト（54）内
へ挿入された煙突（122）の孔によって形成されてお
り、煙突が端面でもって炉（10）の平面（130）との間
に環状の隙間（132）を形成している、請求項27記載の
装置。
【請求項２９】煙突（122）がおねじ（124）でもってコ
ンタクト（54）のねじ山付き孔（126）内へねじ込まれ
ており、かつ回転により鉛直方向で調節可能である、請
求項28記載の装置。