JPH02134542A - 光学モニタ装置 - Google Patents
光学モニタ装置Info
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- JPH02134542A JPH02134542A JP28919988A JP28919988A JPH02134542A JP H02134542 A JPH02134542 A JP H02134542A JP 28919988 A JP28919988 A JP 28919988A JP 28919988 A JP28919988 A JP 28919988A JP H02134542 A JPH02134542 A JP H02134542A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 48
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は真空処理装置により基板の表面に形成される
薄膜の反射光スペクトルをモニタする光学モニタ装置に
関するものである。
薄膜の反射光スペクトルをモニタする光学モニタ装置に
関するものである。
（従来の技術）
従来の光学モニタ装置には種々のものがある。
第３図の例は透明な基板の表面に形成される薄膜の反射
光スペクトルをモニタするものである。第３図によれば
、真空蒸着装置の真空槽ｌ内には透明な基板２が蒸発源
３の上方に配設され、蒸発源３より蒸発された物質の粒
子が基板２の表面に付着して、薄膜が形成されるが、こ
の薄膜の反射光のモニタは、光源４からの光を基板２の
裏面より入射させて、基板２の表面の薄膜で反射させ、
この反射した光のスペクトルを分光器５で測定すること
によってなされている。第４図の例は光を透過しない基
板の表面に形成される薄膜の反射光スペクトルをモニ゛
りするものである。第４図によれば、第１図と同様に蒸
発源３より蒸発された物質の粒子が基板２の表面に付着
して、薄膜が形成されるが、この薄膜の反射光のモニタ
は、真空槽ｌ外の光源４からの光がレンズ６を通ってか
ら真空槽ｌの入射窓１ａより真空槽１内に入り、そして
基板２の表面の薄膜で反射され、反射された光が真空槽
１の反射窓１ｂを出て、レンズ７を通ってから分光器５
に入り、そこで、反射した光のスペクトルを測定するこ
とによってなされている。第５図の例は光を透過しない
フィルム状の基板の表面に形成される薄膜の反射光スペ
クトルをモニタするものである。第５図によれば、フィ
ルム状の基板２は送出しドラム８より送出された後、中
央ドラム９で案内されながら、フィルム状の基板２の表
面に蒸発源３より蒸発された物質の粒子が付着して、薄
膜が形成され、そして、巻取りドラムｌＯに巻取られて
いる。フィルム状の基板２の表面に形成される薄膜の反
射光のモニタは、真空槽ｌ外の光源４からの光が真空槽
１内に入り、中央ドラム９より巻取りドラムＩＯに向か
って走行しているフィルム状の基板２の表面の薄膜で反
射され、反射された光が真空槽１外に出て、分光器５に
入り、そこで、反射した光のスペクトルを測定すること
によってなされている。
光スペクトルをモニタするものである。第３図によれば
、真空蒸着装置の真空槽ｌ内には透明な基板２が蒸発源
３の上方に配設され、蒸発源３より蒸発された物質の粒
子が基板２の表面に付着して、薄膜が形成されるが、こ
の薄膜の反射光のモニタは、光源４からの光を基板２の
裏面より入射させて、基板２の表面の薄膜で反射させ、
この反射した光のスペクトルを分光器５で測定すること
によってなされている。第４図の例は光を透過しない基
板の表面に形成される薄膜の反射光スペクトルをモニ゛
りするものである。第４図によれば、第１図と同様に蒸
発源３より蒸発された物質の粒子が基板２の表面に付着
して、薄膜が形成されるが、この薄膜の反射光のモニタ
は、真空槽ｌ外の光源４からの光がレンズ６を通ってか
ら真空槽ｌの入射窓１ａより真空槽１内に入り、そして
基板２の表面の薄膜で反射され、反射された光が真空槽
１の反射窓１ｂを出て、レンズ７を通ってから分光器５
に入り、そこで、反射した光のスペクトルを測定するこ
とによってなされている。第５図の例は光を透過しない
フィルム状の基板の表面に形成される薄膜の反射光スペ
クトルをモニタするものである。第５図によれば、フィ
ルム状の基板２は送出しドラム８より送出された後、中
央ドラム９で案内されながら、フィルム状の基板２の表
面に蒸発源３より蒸発された物質の粒子が付着して、薄
膜が形成され、そして、巻取りドラムｌＯに巻取られて
いる。フィルム状の基板２の表面に形成される薄膜の反
射光のモニタは、真空槽ｌ外の光源４からの光が真空槽
１内に入り、中央ドラム９より巻取りドラムＩＯに向か
って走行しているフィルム状の基板２の表面の薄膜で反
射され、反射された光が真空槽１外に出て、分光器５に
入り、そこで、反射した光のスペクトルを測定すること
によってなされている。
（発明が解決しようとする課題）
従来の光学モニタ装置は、特に第４図に示される光を透
過しない基板の表面に形成される薄膜の反射光スペクト
ルをモニタする例の場合には、蒸発源３より蒸発された
物質の粒子が真空槽ｌの入射窓１ａと反射窓ｉｂとに付
着して、光の透過を悪くするため、長時間の使用ができ
ない問題があった。また、第５図に示される光を透過し
ないフィルム状の基板の表面に形成される薄膜の反射光
スペクトルをモニタする例の場合には、基板２の形状が
フィルム状のも に限定され、その他の形状のものが使
用できず、しかも、フィルム状の基板２の表面に蒸発源
３より蒸発された物質の粒子が付着して、薄膜か形成さ
れる部分と、薄膜に光を照射して反射光スペクトルをモ
ニタする部分とが離れているときとか、あるいはフィル
ム状の基板２の走行速度が遅いときとかには、膜形成部
と測定部とにおける反射光スペクトルか同じものでない
ため、反射光スペクトルをモニタする際の即時性が失わ
れる等の問題があった。
過しない基板の表面に形成される薄膜の反射光スペクト
ルをモニタする例の場合には、蒸発源３より蒸発された
物質の粒子が真空槽ｌの入射窓１ａと反射窓ｉｂとに付
着して、光の透過を悪くするため、長時間の使用ができ
ない問題があった。また、第５図に示される光を透過し
ないフィルム状の基板の表面に形成される薄膜の反射光
スペクトルをモニタする例の場合には、基板２の形状が
フィルム状のも に限定され、その他の形状のものが使
用できず、しかも、フィルム状の基板２の表面に蒸発源
３より蒸発された物質の粒子が付着して、薄膜か形成さ
れる部分と、薄膜に光を照射して反射光スペクトルをモ
ニタする部分とが離れているときとか、あるいはフィル
ム状の基板２の走行速度が遅いときとかには、膜形成部
と測定部とにおける反射光スペクトルか同じものでない
ため、反射光スペクトルをモニタする際の即時性が失わ
れる等の問題があった。
この発明は、上記のような従来の問題を解決して、長時
間の連続的な使用を可能にし、しかも、基板の形状に限
定されず、いかなる形状の基板であってもよく、更に、
基板の表面の薄膜の反射光スペクトルをモニタする際の
即時性をもった光学モニタ装置を提供することを目的と
している。
間の連続的な使用を可能にし、しかも、基板の形状に限
定されず、いかなる形状の基板であってもよく、更に、
基板の表面の薄膜の反射光スペクトルをモニタする際の
即時性をもった光学モニタ装置を提供することを目的と
している。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、この発明の光学モニタ装置
は、真空槽内の基板近傍の空間に配設され、基板の表面
に薄膜を形成する物質と同一の物質の粒子の入射する開
口部を一部にもっ防着箱と、この防着箱の開口部を覆い
、かっ防着箱の壁との間の隙間が小さくなるように防着
箱内に配設され、上記開口部より入射する物質の粒子を
一部に付着させて薄膜を形成する回転体と、この回転体
を上記防着箱内で回転させる回“転機槽と、上記回転体
の一部に付着して形成される薄膜に光を照射して、その
薄膜からの光の反射スペクトルを測定する光学的手段と
を備えている。
は、真空槽内の基板近傍の空間に配設され、基板の表面
に薄膜を形成する物質と同一の物質の粒子の入射する開
口部を一部にもっ防着箱と、この防着箱の開口部を覆い
、かっ防着箱の壁との間の隙間が小さくなるように防着
箱内に配設され、上記開口部より入射する物質の粒子を
一部に付着させて薄膜を形成する回転体と、この回転体
を上記防着箱内で回転させる回“転機槽と、上記回転体
の一部に付着して形成される薄膜に光を照射して、その
薄膜からの光の反射スペクトルを測定する光学的手段と
を備えている。
（作用）
この発明の光学モニタ装置においては、防着箱の開口部
より入射する、基板の表面に薄膜を形成する物質と同一
の物質の粒子が、防着箱内に回り込むことな（、回転機
構によって回転させられている回転体の一部に付着して
、そこに薄膜が形成されるようになる。そして、この薄
膜の反射光スペクトルは光学的手段で測定されるように
なる。
より入射する、基板の表面に薄膜を形成する物質と同一
の物質の粒子が、防着箱内に回り込むことな（、回転機
構によって回転させられている回転体の一部に付着して
、そこに薄膜が形成されるようになる。そして、この薄
膜の反射光スペクトルは光学的手段で測定されるように
なる。
（実施例）
以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図はこの発明の実施例を示しており、同図において
、光学モニタ装置は、防着箱２１と、回転体３１と、回
転機構４１さ、光学的手段５１とを備えている。防着箱
２１は、真空槽ｌ内の基板２近傍の空間に配設されてい
る。防着箱２１の蒸発源３側の壁の一部には開口部２２
が設けられ、蒸発源３より蒸発した物質の粒子が基板２
の表面に付着して薄膜を形成すると共に、この開口部２
２に入射するようになる。防着箱２１内には円板状の回
転体３１が配設され、この回転体３１は防着箱２１の開
口部２２を覆っている。また、回転体３１と防着箱２１
の壁との間の隙間は小さくなっている。したがって、開
口部２２より入射した蒸発した物質の粒子は、回転体３
１の一部に付着して、そこに薄膜を形成するが、回転体
３１と防着箱２１の壁との間の隙間は小さくなっている
ため、開口部２２より入射した蒸発した物質の粒子が防
着箱２１内に回り込むことがなく、防着箱２１内の汚染
が少なくなって、長時間の連続的な使用が可能になる。
、光学モニタ装置は、防着箱２１と、回転体３１と、回
転機構４１さ、光学的手段５１とを備えている。防着箱
２１は、真空槽ｌ内の基板２近傍の空間に配設されてい
る。防着箱２１の蒸発源３側の壁の一部には開口部２２
が設けられ、蒸発源３より蒸発した物質の粒子が基板２
の表面に付着して薄膜を形成すると共に、この開口部２
２に入射するようになる。防着箱２１内には円板状の回
転体３１が配設され、この回転体３１は防着箱２１の開
口部２２を覆っている。また、回転体３１と防着箱２１
の壁との間の隙間は小さくなっている。したがって、開
口部２２より入射した蒸発した物質の粒子は、回転体３
１の一部に付着して、そこに薄膜を形成するが、回転体
３１と防着箱２１の壁との間の隙間は小さくなっている
ため、開口部２２より入射した蒸発した物質の粒子が防
着箱２１内に回り込むことがなく、防着箱２１内の汚染
が少なくなって、長時間の連続的な使用が可能になる。
回転体３１には回転機構４１が接続され、回転機構４１
によって、回転体３１が防着箱２１内で回転するように
なっている。回転機構４１は回転駆動機（図示せず）や
回転導入機構４２を介して回転軸４３を回転させ、そし
て、この回転軸４３の端部の歯車４４と歯合する歯車４
５を介して、回転軸４６′を回転させている。回転軸４
６の回転により、回転体３１が回転する。
によって、回転体３１が防着箱２１内で回転するように
なっている。回転機構４１は回転駆動機（図示せず）や
回転導入機構４２を介して回転軸４３を回転させ、そし
て、この回転軸４３の端部の歯車４４と歯合する歯車４
５を介して、回転軸４６′を回転させている。回転軸４
６の回転により、回転体３１が回転する。
回転体３１が回転することによって、回転体３１の一部
に形成された薄膜は、開口部２２より防着箱２１内に移
行し、光学的手段５１によって、その薄膜の光の反射ス
ペクトルが測定されるようになる。光学的手段５１は、
光源４からの光がレンズ５２及びハーフミラ−５３を通
って回転体３１の一部に形成された薄膜に入射され、そ
こで反射されてから再びハーフミラ−５３を通り、そし
て４００ｎｍのフィルター５４を通って受光器５５に入
ると共に、７５０ｎｍのフィルター５６を通って受光器
５７に入るものである。
に形成された薄膜は、開口部２２より防着箱２１内に移
行し、光学的手段５１によって、その薄膜の光の反射ス
ペクトルが測定されるようになる。光学的手段５１は、
光源４からの光がレンズ５２及びハーフミラ−５３を通
って回転体３１の一部に形成された薄膜に入射され、そ
こで反射されてから再びハーフミラ−５３を通り、そし
て４００ｎｍのフィルター５４を通って受光器５５に入
ると共に、７５０ｎｍのフィルター５６を通って受光器
５７に入るものである。
なお、第１図において、６１はガス導入ノズル、６２は
ホローカソードガン、６３は収束コイルである。
ホローカソードガン、６３は収束コイルである。
ところで、その他の実施例として、第１図の円板状の回
転体の代りに、第２図に示すように円筒の回転体３１を
用いてもよく、また、第１図の光学的手段の代りに、第
２図に示すように光源４からの光を円筒の回転体３１の
一部の薄膜で反射し、その反射スペクトルを分光器５で
測定してもよい。
転体の代りに、第２図に示すように円筒の回転体３１を
用いてもよく、また、第１図の光学的手段の代りに、第
２図に示すように光源４からの光を円筒の回転体３１の
一部の薄膜で反射し、その反射スペクトルを分光器５で
測定してもよい。
更に、光学モニタ装置を真空蒸着装置に用いているが、
スパッタリング装置やＣＶＤ装置等の真空処理装置に用
いてもよく、また光学的手段で２波長の反射スペクトル
を測定する代りに、全波長の反射スペクトルを測定して
もよい。更にその上、回転体３１に基板２と同様の薄膜
を形成するために、回転体３１を加熱したり、回転体３
１に電圧を印加してもよい。
スパッタリング装置やＣＶＤ装置等の真空処理装置に用
いてもよく、また光学的手段で２波長の反射スペクトル
を測定する代りに、全波長の反射スペクトルを測定して
もよい。更にその上、回転体３１に基板２と同様の薄膜
を形成するために、回転体３１を加熱したり、回転体３
１に電圧を印加してもよい。
（発明の効果）
この発明は、上記のように防着箱の開口部より入射する
、基板の表面に薄膜を形成する物質と同一の物質の粒子
が、防着箱内に回り込むことなく、回転機構によって回
転させられている回転体の一部に付着して、そこに薄膜
が形成され、この薄膜の反射光スペクトルを光学的手段
で測定するようにしているので、光学モニタ装置を長時
間連続的に使用でき、しかも、いかなる形状の基板への
薄膜形成時において、この薄膜と同等な反射光スペクト
ルの測定にも利用でき、更に、基板の表面の薄膜の反射
光スペクトルをモニタする際の即時性をもつことができ
る等の効果を持っている。
、基板の表面に薄膜を形成する物質と同一の物質の粒子
が、防着箱内に回り込むことなく、回転機構によって回
転させられている回転体の一部に付着して、そこに薄膜
が形成され、この薄膜の反射光スペクトルを光学的手段
で測定するようにしているので、光学モニタ装置を長時
間連続的に使用でき、しかも、いかなる形状の基板への
薄膜形成時において、この薄膜と同等な反射光スペクト
ルの測定にも利用でき、更に、基板の表面の薄膜の反射
光スペクトルをモニタする際の即時性をもつことができ
る等の効果を持っている。
第１図はこの発明の実施例を示す説明図、第２図はこの
発明のその他の実施例を示す説明図である。第３図、第
４図及び第５図は従来の光学モニタ装置を示す説明図で
ある。 図中、 ｌ・・・・ ２・・・・ ２１・・・・ ２２・・・・ ３１・・・・ ４１・・・・ ５１・１・ なお、図中、 している。 ・真空槽 ・基板 ・防着箱 ・開口部 ・回転体 ・回転機構 ・光学的手段 同一符号は同−又は相当部分を示 特許出願人 日本真空技術株式会社 第１ 図 第２１’２１
発明のその他の実施例を示す説明図である。第３図、第
４図及び第５図は従来の光学モニタ装置を示す説明図で
ある。 図中、 ｌ・・・・ ２・・・・ ２１・・・・ ２２・・・・ ３１・・・・ ４１・・・・ ５１・１・ なお、図中、 している。 ・真空槽 ・基板 ・防着箱 ・開口部 ・回転体 ・回転機構 ・光学的手段 同一符号は同−又は相当部分を示 特許出願人 日本真空技術株式会社 第１ 図 第２１’２１
Claims (1)
- 真空槽内の基板近傍の空間に配設され、基板の表面に薄
膜を形成する物質と同一の物質の粒子の入射する開口部
を一部にもつ防着箱と、この防着箱の開口部を覆い、か
つ防着箱の壁との間の隙間が小さくなるように防着箱内
に配設され、上記開口部より入射する物質の粒子を一部
に付着させて薄膜を形成する回転体と、この回転体を上
記防着箱内で回転させる回転機構と、上記回転体の一部
に付着して形成される薄膜に光を照射して、その薄膜か
らの光の反射スペクトルを測定する光学的手段とを備え
た光学モニタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289199A JPH0663968B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 光学モニタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289199A JPH0663968B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 光学モニタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134542A true JPH02134542A (ja) | 1990-05-23 |
| JPH0663968B2 JPH0663968B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17740063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63289199A Expired - Lifetime JPH0663968B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 光学モニタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0663968B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997000423A1 (fr) * | 1995-06-14 | 1997-01-03 | Kirin Beer Kabushiki Kaisha | Appareil et methode pour le controle d'une pellicule de revetement |
| US6080965A (en) * | 1997-09-18 | 2000-06-27 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-heat-treatment apparatus in semiconductor processing system |
| US6123429A (en) * | 1997-05-17 | 2000-09-26 | Tokyo Electron Limited | Light source device |
| US6259061B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Vertical-heat-treatment apparatus with movable lid and compensation heater movable therewith |
| GB2437980B (en) * | 2006-05-13 | 2010-05-19 | Optical Reference Systems Ltd | Apparatus for measuring semiconductor physical characteristics |
| JP5938155B1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-06-22 | 大塚電子株式会社 | 光学測定装置および光学測定方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128178A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出方法および装置 |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP63289199A patent/JPH0663968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63128178A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出方法および装置 |
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| WO2016170667A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | 大塚電子株式会社 | 光学測定装置および光学測定方法 |
| CN106304845A (zh) * | 2015-04-24 | 2017-01-04 | 大塚电子株式会社 | 光学测定装置以及光学测定方法 |
| US9921149B2 (en) | 2015-04-24 | 2018-03-20 | Otsuka Electronics Co., Ltd. | Optical measurement apparatus and optical measurement method |
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| JPH0663968B2 (ja) | 1994-08-22 |
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