JPH02130919A - 半導体膜の形成方法 - Google Patents
半導体膜の形成方法Info
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- JPH02130919A JPH02130919A JP28541888A JP28541888A JPH02130919A JP H02130919 A JPH02130919 A JP H02130919A JP 28541888 A JP28541888 A JP 28541888A JP 28541888 A JP28541888 A JP 28541888A JP H02130919 A JPH02130919 A JP H02130919A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体膜の形成方法に関するものである。
従来、気相成長法を用いたシリサイド膜の形成方法には
、ＳｉＨ，Ｃｌ１ｌとＷＦ６で堆積する方法（応用物理
学関係連合講演会 予稿集、昭和６３年 春季 第２分
冊 ｐ、６６５．３０ａ −Ｖ −１：Ｓ ｉ Ｈｔ
Ｃ１ｔ −Ｗ Ｆ ＆の反応を用いたＣＶＤ Ｗ３ｉ
、の特性（１））、５ｉＨａとＷＦ６を用いた方法（応
用物理学関係連合講演会 予稿集 昭和６３年 春季
第２分冊 ｐ、６６５．３０ａ −Ｖ −３： Ｓ Ｃ
Ｖ Ｄ −Ｓ ｉ ｘの反応特性）などが知られている
。
、ＳｉＨ，Ｃｌ１ｌとＷＦ６で堆積する方法（応用物理
学関係連合講演会 予稿集、昭和６３年 春季 第２分
冊 ｐ、６６５．３０ａ −Ｖ −１：Ｓ ｉ Ｈｔ
Ｃ１ｔ −Ｗ Ｆ ＆の反応を用いたＣＶＤ Ｗ３ｉ
、の特性（１））、５ｉＨａとＷＦ６を用いた方法（応
用物理学関係連合講演会 予稿集 昭和６３年 春季
第２分冊 ｐ、６６５．３０ａ −Ｖ −３： Ｓ Ｃ
Ｖ Ｄ −Ｓ ｉ ｘの反応特性）などが知られている
。
従来の技術では、シリサイド膜を形成する方法として気
相成長技術を利用しているため化学量論的安定な組成比
以外での堆積はできない。このため熱処理を行ってｓｉ
を析出させても、Ｓｉが少ないため固相成長をさせるこ
とはできない。
相成長技術を利用しているため化学量論的安定な組成比
以外での堆積はできない。このため熱処理を行ってｓｉ
を析出させても、Ｓｉが少ないため固相成長をさせるこ
とはできない。
本発明の目的は、この問題を解決した半導体膜の形成方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
本発明の半導体膜の形成方法は、
半導体基板上に絶縁層を形成し、この絶縁層に開口部を
形成し、前記開口部に選択的にＳｉ層をエピタキシャル
成長し、前記絶縁層と前記Ｓｉエピタキシャル成長層上
にシリサイド層を堆積した基板において、この基板にシ
リサイドの組成を制御するためにＳｉをイオン注入し、
前記基板を熱処理によって前記シリサイド層からＳｉを
、前記Ｓｉエピタキシャル成長層と接した部分から固相
エピタキシャル成長させることを特徴とする。
形成し、前記開口部に選択的にＳｉ層をエピタキシャル
成長し、前記絶縁層と前記Ｓｉエピタキシャル成長層上
にシリサイド層を堆積した基板において、この基板にシ
リサイドの組成を制御するためにＳｉをイオン注入し、
前記基板を熱処理によって前記シリサイド層からＳｉを
、前記Ｓｉエピタキシャル成長層と接した部分から固相
エピタキシャル成長させることを特徴とする。
タングステンシリサイド膜を５ＩＨｚＣ１ｚとＷＦ６を
用いて気相成長法で堆積した場合に、安定な組成比の２
から±２０％程度の変化をさせることしかできない。こ
の程度の組成のシリサイド膜を熱処理した場合では、Ｓ
ｉの一部は析出するが、大きな固相成長を行うことはで
きない。本発明はこのようなシリサイド膜に対し、イオ
ン注入技術を用いてシリコンを多量に注入することによ
って、化学量論的組成からずれた組成をもったシリサイ
ド膜の成膜を行うものである。このようにして作成した
膜は、その後の熱処理によって、熱力学的安定に化学量
論的組成を持つ平衡相と、残りの析出相とに相分離する
。この時、化学量論的な組成からずれた組成を持った膜
に含まれている析出物となるべき物質の量が、特定の熱
処理温度において固相三次元核発生するよりは低いが、
固相エピタキシャル成長するには充分な量であるとき、
所定の部分にのみエピタキシャルラテラルオーバーグロ
ースさせることができる。
用いて気相成長法で堆積した場合に、安定な組成比の２
から±２０％程度の変化をさせることしかできない。こ
の程度の組成のシリサイド膜を熱処理した場合では、Ｓ
ｉの一部は析出するが、大きな固相成長を行うことはで
きない。本発明はこのようなシリサイド膜に対し、イオ
ン注入技術を用いてシリコンを多量に注入することによ
って、化学量論的組成からずれた組成をもったシリサイ
ド膜の成膜を行うものである。このようにして作成した
膜は、その後の熱処理によって、熱力学的安定に化学量
論的組成を持つ平衡相と、残りの析出相とに相分離する
。この時、化学量論的な組成からずれた組成を持った膜
に含まれている析出物となるべき物質の量が、特定の熱
処理温度において固相三次元核発生するよりは低いが、
固相エピタキシャル成長するには充分な量であるとき、
所定の部分にのみエピタキシャルラテラルオーバーグロ
ースさせることができる。
以下、この発明の実施例を模式図を用いて説明する。第
１図は実施例の工程段階を示す断面模式第１図（ａ）に
示すように、ｐ型Ｓ ｉ （１００）基板１１を酸化温
度９５０℃、ウェット酸化によって酸化膜１２を５００
０人堆積し、写真蝕刻技術によって酸化膜１２の所定の
部分にＳｉ基板１１が露出した開口部１３を形成する。
１図は実施例の工程段階を示す断面模式第１図（ａ）に
示すように、ｐ型Ｓ ｉ （１００）基板１１を酸化温
度９５０℃、ウェット酸化によって酸化膜１２を５００
０人堆積し、写真蝕刻技術によって酸化膜１２の所定の
部分にＳｉ基板１１が露出した開口部１３を形成する。
つぎにＳｉ選択エピタキシャル成長を、８５０℃、圧力
３０Ｔｏｒｒ、水素 １２０１／ｍ ｌ ｎ、 Ｓ
ｉ ＨｌＣＩｌｔ ３００ｃ ｃ／ｍ ｉ ｎ、
ＨＣｌ ３０Ｑｃｃ／ｍｉｎの条件で、酸化膜１２
とほぼ同じ高さまでＳｉエピタキシャル膜１４をエピタ
キシャル成長させる。
３０Ｔｏｒｒ、水素 １２０１／ｍ ｌ ｎ、 Ｓ
ｉ ＨｌＣＩｌｔ ３００ｃ ｃ／ｍ ｉ ｎ、
ＨＣｌ ３０Ｑｃｃ／ｍｉｎの条件で、酸化膜１２
とほぼ同じ高さまでＳｉエピタキシャル膜１４をエピタ
キシャル成長させる。
つづいて第１図（ｂ）に示すように、タングステンシリ
サイド膜１５を、Ｓ ｉ Ｈ，Ｃ１ｔ２００ｃ ｃ／ｍ
ｉ ｎ、 ＷＦ６ ５ ｃ ｃ ７ｍ ｉ ｎ、 ６
５０℃で膜厚〜１μｍ堆積する。このときのＷとＳｉの
組成は２．２であった。つぎにこの基板に対して１２０
ｋｅ Ｖ、 ３ Ｘｌ０ＩＳのシリコンをイオン注入
し、つぎにＮ！雰囲気、６００℃、３０分の条件で熱処
理を行うことにより、Ｓｉエピタキシャル成長膜１４と
タングステンシリサイド膜１５の界面にＳｉの析出１６
を形成させる。
サイド膜１５を、Ｓ ｉ Ｈ，Ｃ１ｔ２００ｃ ｃ／ｍ
ｉ ｎ、 ＷＦ６ ５ ｃ ｃ ７ｍ ｉ ｎ、 ６
５０℃で膜厚〜１μｍ堆積する。このときのＷとＳｉの
組成は２．２であった。つぎにこの基板に対して１２０
ｋｅ Ｖ、 ３ Ｘｌ０ＩＳのシリコンをイオン注入
し、つぎにＮ！雰囲気、６００℃、３０分の条件で熱処
理を行うことにより、Ｓｉエピタキシャル成長膜１４と
タングステンシリサイド膜１５の界面にＳｉの析出１６
を形成させる。
つづいて第１図（Ｃ）に示すように、温度を８００℃に
上げ５時間熱処理を行うと、〜５０００人の横方向に固
相エピタキシャル成長膜１７が得られる。
上げ５時間熱処理を行うと、〜５０００人の横方向に固
相エピタキシャル成長膜１７が得られる。
本発明を適用するならば、エピタキシャルラテラルオー
バーグロース膜の成長を停止させることなく横方向へ成
長させることができる。
バーグロース膜の成長を停止させることなく横方向へ成
長させることができる。
第１図は本発明の一実施例の工程段階を示す模式断面図
である。 １１−−−・ｐ型Ｓ ｉ （１００）基板１２・・・・
酸化膜 １３・・・・開口部 １４・・・・Ｓｉエピタキシャル成長膜１５・・・・タ
ングステンシリサイド膜１６・・・・Ｓｉの析出
である。 １１−−−・ｐ型Ｓ ｉ （１００）基板１２・・・・
酸化膜 １３・・・・開口部 １４・・・・Ｓｉエピタキシャル成長膜１５・・・・タ
ングステンシリサイド膜１６・・・・Ｓｉの析出
Claims (1)
- （１）半導体基板上に絶縁層を形成し、この絶縁層に開
口部を形成し、前記開口部に選択的にＳｉ層をエピタキ
シャル成長し、前記絶縁層と前記Ｓｉエピタキシャル成
長層上にシリサイド層を堆積した基板において、この基
板にシリサイドの組成を制御するためにＳｉをイオン注
入し、前記基板を熱処理によって前記シリサイド層から
Ｓｉを、前記Ｓｉエピタキシャル成長層と接した部分か
ら固相エピタキシャル成長させることを特徴とする半導
体膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28541888A JPH02130919A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28541888A JPH02130919A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130919A true JPH02130919A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17691264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28541888A Pending JPH02130919A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02130919A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472303B1 (en) | 2001-10-08 | 2002-10-29 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of forming a contact plug for a semiconductor device |
| US6541355B2 (en) | 2001-09-05 | 2003-04-01 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of selective epitaxial growth for semiconductor devices |
| US6818537B2 (en) | 2001-10-08 | 2004-11-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of manufacturing a contact plug for a semiconductor device |
| US6933228B2 (en) | 2001-10-12 | 2005-08-23 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of manufacturing of contact plug in a contact hole on a silicon substrate |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP28541888A patent/JPH02130919A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541355B2 (en) | 2001-09-05 | 2003-04-01 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of selective epitaxial growth for semiconductor devices |
| US6472303B1 (en) | 2001-10-08 | 2002-10-29 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of forming a contact plug for a semiconductor device |
| US6818537B2 (en) | 2001-10-08 | 2004-11-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of manufacturing a contact plug for a semiconductor device |
| USRE45232E1 (en) | 2001-10-08 | 2014-11-04 | Conversant Ip N.B. 868 Inc. | Method of forming a contact plug for a semiconductor device |
| US6933228B2 (en) | 2001-10-12 | 2005-08-23 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of manufacturing of contact plug in a contact hole on a silicon substrate |
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