JPH02127080A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録分野に使用することのできる改良された
光情報記録媒体に関する。
光情報記録媒体に関する。
これまで、光情報記録媒体として基板上に低融点金属ま
たは低融点金属と誘電体とからなる記録層を設けたもの
などが提案されているがこれらは保存性が悪い1分解能
が低い、記録密度が低い、製造条件が難しくコスト高に
なるなどの欠点を有する。そこで、最近になって記録層
として金属薄膜に代えて有機色素薄膜を使用することが
提案されている、この有機色素薄膜は融点、分解温度が
低く、熱伝導率も低いので高感度、高密度化の可能性が
あること、また膜形成がコーティングにより可能なため
量産性が高く、低コスト化が期待できるなどの利点があ
る。
たは低融点金属と誘電体とからなる記録層を設けたもの
などが提案されているがこれらは保存性が悪い1分解能
が低い、記録密度が低い、製造条件が難しくコスト高に
なるなどの欠点を有する。そこで、最近になって記録層
として金属薄膜に代えて有機色素薄膜を使用することが
提案されている、この有機色素薄膜は融点、分解温度が
低く、熱伝導率も低いので高感度、高密度化の可能性が
あること、また膜形成がコーティングにより可能なため
量産性が高く、低コスト化が期待できるなどの利点があ
る。
このような有機色素薄膜としてメロシアニン色素を用い
たものが知られている。従来の光情報記録媒体に用いら
れてきたメロシアニン色素は下記一般式(n)で示され
るものであった(例えば特開昭63−153535号公
報参照)。
たものが知られている。従来の光情報記録媒体に用いら
れてきたメロシアニン色素は下記一般式(n)で示され
るものであった(例えば特開昭63−153535号公
報参照)。
(ただし、Zは5員もしくは6員複素環を完成するのに
必要な非金属原子群、R”は炭素数1〜18の置換もし
くは未置換のアルキル基、アリル基、ド基であり、 n及びhはそれぞれ1〜4の整数であ る。)、R2は水素原f、炭素数1〜18のit換もし
くは未置換のアルキル基、アリル基、アリールしY、
n及びhは上記と同じ意味である。)、Ll及びR2は
それぞれ置換もしくは未置換のメチン基、Qは窒素原子
を含む5員もしくは6員複素環を形成するのに必要な非
金属原子群であり、QはO又は1、曙は2又は3であっ
てかつQ十m:2又は3を満足する整数である。) 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記(II)式で表わされる。右側に複
素環構造(通常ロダニン核と呼ばれる)を持つメロシア
ニン色素は、極大吸収波長が500〜650ni。
必要な非金属原子群、R”は炭素数1〜18の置換もし
くは未置換のアルキル基、アリル基、ド基であり、 n及びhはそれぞれ1〜4の整数であ る。)、R2は水素原f、炭素数1〜18のit換もし
くは未置換のアルキル基、アリル基、アリールしY、
n及びhは上記と同じ意味である。)、Ll及びR2は
それぞれ置換もしくは未置換のメチン基、Qは窒素原子
を含む5員もしくは6員複素環を形成するのに必要な非
金属原子群であり、QはO又は1、曙は2又は3であっ
てかつQ十m:2又は3を満足する整数である。) 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記(II)式で表わされる。右側に複
素環構造(通常ロダニン核と呼ばれる)を持つメロシア
ニン色素は、極大吸収波長が500〜650ni。
のものが多く、波長800nm前後の半4体レーザ光を
吸収して記録を行う場合には感度が低いという欠点があ
った。
吸収して記録を行う場合には感度が低いという欠点があ
った。
また前述の特開昭63−153537号公報では、41
機溶剤可溶性銀を併用して反射率を上げる技術が開示さ
れているが、この場合構成が複雑になるという欠点があ
った。
機溶剤可溶性銀を併用して反射率を上げる技術が開示さ
れているが、この場合構成が複雑になるという欠点があ
った。
本発明は以上のような従来技術の欠点を解消するために
なされたもので、極大吸収波長を長波長化し、半導体レ
ーザ光の利用効率を上げ感度を向上させるとともに、構
成が単純化された光情報記録媒体を提供することを目的
とする。
なされたもので、極大吸収波長を長波長化し、半導体レ
ーザ光の利用効率を上げ感度を向上させるとともに、構
成が単純化された光情報記録媒体を提供することを目的
とする。
上記目的は、光情報記録媒体における記録層中に下記一
般式(1)で表わされるメロシアニン色素を含有させる
ことにより達成される。
般式(1)で表わされるメロシアニン色素を含有させる
ことにより達成される。
一般式(1)
(前記式中、Zは5貝もしくは6員複素環を完成するの
に必要な非金属原子群 pLは炭素数1〜18の置換も
しくは未置換のアルキル基、アリル基。
に必要な非金属原子群 pLは炭素数1〜18の置換も
しくは未置換のアルキル基、アリル基。
ド基であり、
n及びhはそれぞれ1〜4の整数であ
る。)、R2は水素原f−1炭素数1〜18の置換もし
くは未置換のアルキル基、アリル基、アリールしY、
n及びhは上記と同じ意味である6)、Ll及びR2は
それぞれ置換もしくは未置換のメチン基であり、Qは0
又は]、mは2又は3であってかつQ+ln=2又は3
を満足する整数である。)本発明の光情報記録媒体は、
基本的には基板」二に前記一般式(【)で表わされるメ
ロシアニン色素を含有させた記録層を設けることにより
構成されるが、必要に応じて基板と記録層との間に下引
き層をあるいは記録層の上に保護層を設けることができ
る。また、このようにして構成された一対の記録媒体を
記録層を内側にして他のJl(板と空間を介して密封し
たエアーサンドイッチ構造にしてもよくあるいは保護層
を介して接着した密着サンドインチ(貼合せ)構造にし
てもよい。
くは未置換のアルキル基、アリル基、アリールしY、
n及びhは上記と同じ意味である6)、Ll及びR2は
それぞれ置換もしくは未置換のメチン基であり、Qは0
又は]、mは2又は3であってかつQ+ln=2又は3
を満足する整数である。)本発明の光情報記録媒体は、
基本的には基板」二に前記一般式(【)で表わされるメ
ロシアニン色素を含有させた記録層を設けることにより
構成されるが、必要に応じて基板と記録層との間に下引
き層をあるいは記録層の上に保護層を設けることができ
る。また、このようにして構成された一対の記録媒体を
記録層を内側にして他のJl(板と空間を介して密封し
たエアーサンドイッチ構造にしてもよくあるいは保護層
を介して接着した密着サンドインチ(貼合せ)構造にし
てもよい。
次に、本発明の光情報記録媒体を構成する材料および各
Jnの必要特性について具体的に説明する。
Jnの必要特性について具体的に説明する。
(1)基板
基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合
のみ使用レーザ光に対して透明でなければならず、記録
側から行う場合は透明である必要はない。基板材料とし
ては例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、
ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあ
るいはAQなとの金属などを用いることができる。
のみ使用レーザ光に対して透明でなければならず、記録
側から行う場合は透明である必要はない。基板材料とし
ては例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、
ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックあ
るいはAQなとの金属などを用いることができる。
なお、基板の表面にはアドレス信号などのプレフォーマ
ットや案内溝のプレグルーブが形成されていてもよい。
ットや案内溝のプレグルーブが形成されていてもよい。
(2)記録層
記録層はレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生
じさせその変化により情報を記録できるもので、前記一
般式(1)で表わされるメロシアニン色素を含有したも
のが使用される。
じさせその変化により情報を記録できるもので、前記一
般式(1)で表わされるメロシアニン色素を含有したも
のが使用される。
本発明における記録層には、上記一般式(1)のメロシ
アニン色素のほかに、記録特性及び安定性向上のために
、必要に応じ、例えば、ポリメチン系、フタロシアニン
系、テトラヒドロコリン系、ジオキサジン系、トリフエ
ッチアジン系、フェナンスレン系、アントラキノン(イ
ンダンスレン)系、キサンチン系、トリフェニルメタン
系、アズレン系、スクアリリウム系色素などの色素や、
金属又は金属化合物、例えば、In、 Sn、 Te、
Bi、 An 、 Se、 TaO2,SnO,Ag
、Cd、Zn等を1種以上分散含有させてもよく、また
積層してもよい。記録層には、その他、高分子材料、保
存安定剤(金属錯体、フェノール系化合物)、分散剤、
難燃剤、滑剤、帯電防止剤、可塑剤等を含有させること
ができる。
アニン色素のほかに、記録特性及び安定性向上のために
、必要に応じ、例えば、ポリメチン系、フタロシアニン
系、テトラヒドロコリン系、ジオキサジン系、トリフエ
ッチアジン系、フェナンスレン系、アントラキノン(イ
ンダンスレン)系、キサンチン系、トリフェニルメタン
系、アズレン系、スクアリリウム系色素などの色素や、
金属又は金属化合物、例えば、In、 Sn、 Te、
Bi、 An 、 Se、 TaO2,SnO,Ag
、Cd、Zn等を1種以上分散含有させてもよく、また
積層してもよい。記録層には、その他、高分子材料、保
存安定剤(金属錯体、フェノール系化合物)、分散剤、
難燃剤、滑剤、帯電防止剤、可塑剤等を含有させること
ができる。
記録層の膜厚は100人〜10μm、好ましくは200
〜2000人である。
〜2000人である。
上記一般式(1)において、Zを含む複素環の例として
は、チアゾール核(例えばチアゾール、4−メチルチア
ゾール、4−フェニルチアゾール、4,5−ジメチルチ
アゾール、4,5−ジフェニルチアゾールなど);ベン
ゾチアゾール核(例えばベンゾチアゾール、4−クロロ
ベンゾチアゾール、5−クロロベンゾチアゾール、6−
クロロベンゾチアゾール、5−ニトロベンゾチアゾール
、4−メチルベンゾチアゾール、5−メチルベンゾチア
ゾール、6−メチルベンゾチアゾール、5−ブロモベン
ゾチアゾール、6−ブロモベンゾチアゾール、5−ヨー
ドベンゾチアゾール、5−フェニルベンゾチアゾール、
5−メトキシベンゾチアゾール、6−メトキシベンゾチ
アゾール、5−エトキシベンゾチアゾール、5−エトキ
シカルボニルベンゾチアゾール、5−カルボキシベンゾ
チアゾール、5−フェネチルベンゾチアゾール、5−フ
ルオロベンゾチアゾール、5−クロロ−6−メチルベン
ゾチアゾール、5,6−シメチルベンゾチアゾール、5
−ヒドロキシ−6−メチルベンゾチアゾール、テトラヒ
ドロベンゾチアゾール、テトラヒドロベンゾチアゾール
、4−フェニルベンゾチアゾールなど);ナフトチアゾ
ール核(例えばナフト[2,1−d]チアゾール、ナフ
ト(1,2−d)チアゾール、ナフト(2,3−d)チ
アゾール、5−メトキシナフト(1、2−d)チアゾー
ル、7−ニトキシナフト(2,1−d)チアゾール、8
−メトキシナフト(2,1−d)チアゾール、5−メト
キシナフト〔2゜3−d〕チアゾールなど):チアゾリ
ン核(例えばチアゾリン、4−メチルチアゾリン、4−
ニトリロチアゾリンなど)ニオキサゾール核(例えばオ
キサゾール、4−メチルオキサゾール、4−二トロオキ
サゾール、5−メチルオキサゾール、4−フェニルオキ
サゾール、4.5−ジフェニルオキサゾール、4−エチ
ルオキサゾールなど):ベンゾオキサゾール核(例えば
ベンゾオキサゾール、5−クロロベンゾオキサゾール、
5−メチルベンゾオキサゾール、5−ブロモベンゾオキ
サゾール、5−フルオロベンゾオキサゾール、5−フェ
ニルベンゾオキサゾール、5−メトキシベンゾオキサゾ
ール、5−ニトロベンゾオキサゾール、5−トリフルオ
ロメチルベンゾオキサゾール、5−ヒドロキシベンゾベ
ンゾオキサゾール、5−カルボキシベンゾオキサゾール
、6−メチルベンゾオキサゾール、6−クロロベンゾオ
キサゾール、6−ニトロベンゾオキサゾール、6−メト
キシベンゾオキサゾール、6−ヒドロキシベンゾオキサ
ゾール、5,6−シメチルペンゾオキサゾール、4,6
−シメチルベンゾオキサゾール、5−エトキシベンゾオ
キサゾールなど):ナフトオキサゾール核(例えばナフ
ト(2,L−d)オキサゾ−ル、ナフト(1,2−d)
オキサゾール、ナフト(2,3−d〕オキサゾール、5
−ニトロナフト(2,1−d)オキサゾールなど)ニオ
キサゾリン核(例えば4,4−ジメチルオキサゾリンな
ど):セレナゾール核(例えば4−メチルセレナゾール
、4−ニトロセレナゾール、4−フェニルセレナゾール
など):ベンゾセレナゾール核(例えばベンゾセレナゾ
ール、5−クロロベンゾセレナゾール、5−ニトロベン
ゾセレナゾール、5−メトキシベンゾセレナゾール、5
−ヒドロキシベンゾセレナゾール、6−ニトロベンゾセ
レナゾール、5−クロロ−6−ニトロベンゾセレナゾー
ルなど):ナフトセレナゾール核(例えばナフト[2,
l−d]セレナゾール、ナフト(1,2−d)セレナゾ
ールなど):3,3−ジアルキルインドレニン核(例え
ば、3,3−ジメチルインドレニン、3,3−ジエチル
インドレニン、3゜3−ジメチル−5−シアノインドレ
ニン、3,3−ジメチル−6−二トロインドレニン、3
,3−ジメチル−5−二トロインドレニン、3,3−ジ
メチル−5−メトキシインドレニン、 3,3.5−ト
リメチルインドレニン、3,3−ジメチル−5−クロロ
インドレニンなど):イミダゾール核(例えばI−アル
キルイミダゾール、I−アルキル−4−フェニルイミダ
ゾール、1−アルキルベンゾイミダゾール、1−アルキ
ル−5−クロロベンゾイミダゾール、■−アルキルー5
,6−ジクロロベンゾイミダゾール、1−アルキル−5
−メトキシベンゾイミダゾール、■−アルキルー5−シ
アノベンゾイミダゾール、1−アルキル−5−フルオロ
ベンゾイミダゾール、I−フルキル−5−トリフルオロ
メチルベンゾイミダゾール、1−アルキル−6−クロロ
−5−シアノベンゾイミダゾール、1−アルキル−6−
クロロ−5−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、
I−アルキルナフト(1,2−d)イミダゾール、1−
アリル−5,6−ジクロロベンゾイミダゾール、■−ア
リルー5−クロロベンゾイミダゾール、I−アリールイ
ミダゾール、I−アリールベンゾイミダゾール、1−ア
リール−5−クロロベンゾイミダゾール、1−アリール
−5,6−ジクロロベンゾイミダゾール、■−アリール
ー5−メトキシベンゾイミダゾール、1−アリール−5
−シアノベンゾイミダゾール、1−アリールナフト[1
,2−d]イミダゾールなど:ただし上記アルキルは炭
素数1〜8のものであり、例えばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル等の無置換アルキルおよび
2−ヒドロキシアルキル、3−ヒドロキシプロピル等の
ヒドロキシアルキルが好ましく、特に好ましくはメチル
、エチルである。上記アリールはフェニル、ハロゲン(
クロロ等)置換フェニル、アルキル(メチル等)置換フ
ェニル、アルコキシ(メトキシ等)置換フェニルなどで
ある):ピリジン核(例えば2−ピリジン、4−ピリジ
ン、5−メチル−2−ピリジン、3−メチル−4−ピリ
ジンなど):キノリン核(例えば2−キノリン、3−メ
チル−2−キノリン、5−エチル−2−キノリン、6−
メチル−2−キノリン、6−ニトロ−2−キノリン、8
−フルオロ−2−キノリン、6−メトキシル2−キノリ
ン、6−ヒドロキシ−2−キノリン、8−クロロ−2−
キノリン、4−キノリン、6−ニトキシー4−キノリン
、6−ニトロ−4−キノリン、8−クロロ−4−キノリ
ン、8−フルオロ−4−キノリン、8−メチル−4−キ
ノリン、8−メトキシ−4−キノリン、イソキノリン、
6−ニトロ−1−イソキノリン、3,4−ジヒドロ−1
−インキノリン。
は、チアゾール核(例えばチアゾール、4−メチルチア
ゾール、4−フェニルチアゾール、4,5−ジメチルチ
アゾール、4,5−ジフェニルチアゾールなど);ベン
ゾチアゾール核(例えばベンゾチアゾール、4−クロロ
ベンゾチアゾール、5−クロロベンゾチアゾール、6−
クロロベンゾチアゾール、5−ニトロベンゾチアゾール
、4−メチルベンゾチアゾール、5−メチルベンゾチア
ゾール、6−メチルベンゾチアゾール、5−ブロモベン
ゾチアゾール、6−ブロモベンゾチアゾール、5−ヨー
ドベンゾチアゾール、5−フェニルベンゾチアゾール、
5−メトキシベンゾチアゾール、6−メトキシベンゾチ
アゾール、5−エトキシベンゾチアゾール、5−エトキ
シカルボニルベンゾチアゾール、5−カルボキシベンゾ
チアゾール、5−フェネチルベンゾチアゾール、5−フ
ルオロベンゾチアゾール、5−クロロ−6−メチルベン
ゾチアゾール、5,6−シメチルベンゾチアゾール、5
−ヒドロキシ−6−メチルベンゾチアゾール、テトラヒ
ドロベンゾチアゾール、テトラヒドロベンゾチアゾール
、4−フェニルベンゾチアゾールなど);ナフトチアゾ
ール核(例えばナフト[2,1−d]チアゾール、ナフ
ト(1,2−d)チアゾール、ナフト(2,3−d)チ
アゾール、5−メトキシナフト(1、2−d)チアゾー
ル、7−ニトキシナフト(2,1−d)チアゾール、8
−メトキシナフト(2,1−d)チアゾール、5−メト
キシナフト〔2゜3−d〕チアゾールなど):チアゾリ
ン核(例えばチアゾリン、4−メチルチアゾリン、4−
ニトリロチアゾリンなど)ニオキサゾール核(例えばオ
キサゾール、4−メチルオキサゾール、4−二トロオキ
サゾール、5−メチルオキサゾール、4−フェニルオキ
サゾール、4.5−ジフェニルオキサゾール、4−エチ
ルオキサゾールなど):ベンゾオキサゾール核(例えば
ベンゾオキサゾール、5−クロロベンゾオキサゾール、
5−メチルベンゾオキサゾール、5−ブロモベンゾオキ
サゾール、5−フルオロベンゾオキサゾール、5−フェ
ニルベンゾオキサゾール、5−メトキシベンゾオキサゾ
ール、5−ニトロベンゾオキサゾール、5−トリフルオ
ロメチルベンゾオキサゾール、5−ヒドロキシベンゾベ
ンゾオキサゾール、5−カルボキシベンゾオキサゾール
、6−メチルベンゾオキサゾール、6−クロロベンゾオ
キサゾール、6−ニトロベンゾオキサゾール、6−メト
キシベンゾオキサゾール、6−ヒドロキシベンゾオキサ
ゾール、5,6−シメチルペンゾオキサゾール、4,6
−シメチルベンゾオキサゾール、5−エトキシベンゾオ
キサゾールなど):ナフトオキサゾール核(例えばナフ
ト(2,L−d)オキサゾ−ル、ナフト(1,2−d)
オキサゾール、ナフト(2,3−d〕オキサゾール、5
−ニトロナフト(2,1−d)オキサゾールなど)ニオ
キサゾリン核(例えば4,4−ジメチルオキサゾリンな
ど):セレナゾール核(例えば4−メチルセレナゾール
、4−ニトロセレナゾール、4−フェニルセレナゾール
など):ベンゾセレナゾール核(例えばベンゾセレナゾ
ール、5−クロロベンゾセレナゾール、5−ニトロベン
ゾセレナゾール、5−メトキシベンゾセレナゾール、5
−ヒドロキシベンゾセレナゾール、6−ニトロベンゾセ
レナゾール、5−クロロ−6−ニトロベンゾセレナゾー
ルなど):ナフトセレナゾール核(例えばナフト[2,
l−d]セレナゾール、ナフト(1,2−d)セレナゾ
ールなど):3,3−ジアルキルインドレニン核(例え
ば、3,3−ジメチルインドレニン、3,3−ジエチル
インドレニン、3゜3−ジメチル−5−シアノインドレ
ニン、3,3−ジメチル−6−二トロインドレニン、3
,3−ジメチル−5−二トロインドレニン、3,3−ジ
メチル−5−メトキシインドレニン、 3,3.5−ト
リメチルインドレニン、3,3−ジメチル−5−クロロ
インドレニンなど):イミダゾール核(例えばI−アル
キルイミダゾール、I−アルキル−4−フェニルイミダ
ゾール、1−アルキルベンゾイミダゾール、1−アルキ
ル−5−クロロベンゾイミダゾール、■−アルキルー5
,6−ジクロロベンゾイミダゾール、1−アルキル−5
−メトキシベンゾイミダゾール、■−アルキルー5−シ
アノベンゾイミダゾール、1−アルキル−5−フルオロ
ベンゾイミダゾール、I−フルキル−5−トリフルオロ
メチルベンゾイミダゾール、1−アルキル−6−クロロ
−5−シアノベンゾイミダゾール、1−アルキル−6−
クロロ−5−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、
I−アルキルナフト(1,2−d)イミダゾール、1−
アリル−5,6−ジクロロベンゾイミダゾール、■−ア
リルー5−クロロベンゾイミダゾール、I−アリールイ
ミダゾール、I−アリールベンゾイミダゾール、1−ア
リール−5−クロロベンゾイミダゾール、1−アリール
−5,6−ジクロロベンゾイミダゾール、■−アリール
ー5−メトキシベンゾイミダゾール、1−アリール−5
−シアノベンゾイミダゾール、1−アリールナフト[1
,2−d]イミダゾールなど:ただし上記アルキルは炭
素数1〜8のものであり、例えばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル等の無置換アルキルおよび
2−ヒドロキシアルキル、3−ヒドロキシプロピル等の
ヒドロキシアルキルが好ましく、特に好ましくはメチル
、エチルである。上記アリールはフェニル、ハロゲン(
クロロ等)置換フェニル、アルキル(メチル等)置換フ
ェニル、アルコキシ(メトキシ等)置換フェニルなどで
ある):ピリジン核(例えば2−ピリジン、4−ピリジ
ン、5−メチル−2−ピリジン、3−メチル−4−ピリ
ジンなど):キノリン核(例えば2−キノリン、3−メ
チル−2−キノリン、5−エチル−2−キノリン、6−
メチル−2−キノリン、6−ニトロ−2−キノリン、8
−フルオロ−2−キノリン、6−メトキシル2−キノリ
ン、6−ヒドロキシ−2−キノリン、8−クロロ−2−
キノリン、4−キノリン、6−ニトキシー4−キノリン
、6−ニトロ−4−キノリン、8−クロロ−4−キノリ
ン、8−フルオロ−4−キノリン、8−メチル−4−キ
ノリン、8−メトキシ−4−キノリン、イソキノリン、
6−ニトロ−1−イソキノリン、3,4−ジヒドロ−1
−インキノリン。
6−ニトロ−3−イソキノリンなど):イミダゾ(4,
5−b)キノキザリン核(例えば1,3−ジエチルイミ
ダゾ〔4゜5−b〕キノキザリン、6−クロロ−1,3
−ジアリルイミダゾ〔4、5−b)キノキサリンなど)
ニオキサジアゾール核:チアジアゾール核:テトラゾー
ル核:ピリミジン核を挙げることができる。
5−b)キノキザリン核(例えば1,3−ジエチルイミ
ダゾ〔4゜5−b〕キノキザリン、6−クロロ−1,3
−ジアリルイミダゾ〔4、5−b)キノキサリンなど)
ニオキサジアゾール核:チアジアゾール核:テトラゾー
ル核:ピリミジン核を挙げることができる。
上記一般式(1)で表わされるメロシアニン色素の例と
しては、下記構造式を有する化合物を挙げることができ
る。
しては、下記構造式を有する化合物を挙げることができ
る。
C2H5
また、記録層の形成方法としては、溶剤塗布法。
例えば、浸漬コーティング、スプレーコーティング、ス
ピンナーコーティング、ブレードコーティング、ローラ
コーティング、カーテンコーティング等を用いることが
できる他、蒸着、CVD、スパッター法等が用いられる
。溶剤塗布法による場合には、たとえばアルコール類、
ケトン類、アミド類、エーテル類、スルホキシド類、エ
ステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族類など
の有機溶媒中に上記メロシアニン色素を溶解して用いる
。
ピンナーコーティング、ブレードコーティング、ローラ
コーティング、カーテンコーティング等を用いることが
できる他、蒸着、CVD、スパッター法等が用いられる
。溶剤塗布法による場合には、たとえばアルコール類、
ケトン類、アミド類、エーテル類、スルホキシド類、エ
ステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族類など
の有機溶媒中に上記メロシアニン色素を溶解して用いる
。
(3)下引き層
下引き層は(a)接着性の向上、(b)水又はガスなど
のバリヤー、(c)記録層の保存安定性の向上及び(d
)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護、(f)
プレグルーブの形成などを目的として使用される。(a
)の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー樹脂
、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂天然樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子物質及びシ
ランカップリング剤などを用いることができ、(b)及
び(c)の目的に対しては上記高分子材料以外に無機化
合物例えばSiO2、MgF2、Sin、 TiO2、
ZnO,TiN、 SiNなど、金属または半金属例え
ばZn、 Cu、S、 Ni、 Cr、 Ge、Se、
Au、 Ag、 AQなどを用いることができる。ま
た、(d)の目的に対しては金属、例えば、八Ω、 A
g等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン染
料、キサンチン系染料等を用いることができ(e)及び
(f)の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂
、熱可塑性樹脂等を用いることができる。下引き層の膜
厚は0.1−30.、好ましくは0.2〜10、が適当
である。
のバリヤー、(c)記録層の保存安定性の向上及び(d
)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護、(f)
プレグルーブの形成などを目的として使用される。(a
)の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー樹脂
、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂天然樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子物質及びシ
ランカップリング剤などを用いることができ、(b)及
び(c)の目的に対しては上記高分子材料以外に無機化
合物例えばSiO2、MgF2、Sin、 TiO2、
ZnO,TiN、 SiNなど、金属または半金属例え
ばZn、 Cu、S、 Ni、 Cr、 Ge、Se、
Au、 Ag、 AQなどを用いることができる。ま
た、(d)の目的に対しては金属、例えば、八Ω、 A
g等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン染
料、キサンチン系染料等を用いることができ(e)及び
(f)の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂
、熱可塑性樹脂等を用いることができる。下引き層の膜
厚は0.1−30.、好ましくは0.2〜10、が適当
である。
(4)保護層
保護層は、(a)記録層をその傷、ホコリ、汚れ等から
保護する、(b)記録層の保存安定性の向上。
保護する、(b)記録層の保存安定性の向上。
(C)反射率の向上等を目的として使用される。これら
の目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用いる
ことができる。保護層の膜厚は0.05゜以上、好まし
くは5μm以下が適当である。
の目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用いる
ことができる。保護層の膜厚は0.05゜以上、好まし
くは5μm以下が適当である。
本発明において、前記下引き層及び保護層には、記録層
の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができ
る。さらに、下引き層や保護層に対しても1本発明によ
る色素を含有させることができる。
の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができ
る。さらに、下引き層や保護層に対しても1本発明によ
る色素を含有させることができる。
以下に実施例をあげて本発明をさらに説明するが1本発
明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
実施例1
前記構造式2)で表わされるメロシアニン色素をクロロ
ホルムに溶解し、1重量%の塗布液を調整した。この塗
布液を、厚さ1 、2mm、直径1301II11のポ
リメチルメタクリレート板上に光硬化性樹脂によるプリ
フォーマット層を設けてなる基板上にスピンコードし、
厚さ800人の記録膜を形成した。このようにして得ら
れた一対の記録膜付基板を記録膜側を内側にしてスペー
サを介して貼り合わせ、エアサンドインチ型の記録媒体
を作製した。
ホルムに溶解し、1重量%の塗布液を調整した。この塗
布液を、厚さ1 、2mm、直径1301II11のポ
リメチルメタクリレート板上に光硬化性樹脂によるプリ
フォーマット層を設けてなる基板上にスピンコードし、
厚さ800人の記録膜を形成した。このようにして得ら
れた一対の記録膜付基板を記録膜側を内側にしてスペー
サを介して貼り合わせ、エアサンドインチ型の記録媒体
を作製した。
次に、この記録媒体に、波長790nmの半導体レーザ
光を基板側より照射してその反射率を測定したところ2
5%であった。また、記録レーザ波長790n■、レー
ザビーム径1.6μs、照射パワー4■V、線速2.1
m/see、記録周波数1.2Hzにて信号を記録し、
その後再生を行ってCハを測定したところ52dBが得
られた。
光を基板側より照射してその反射率を測定したところ2
5%であった。また、記録レーザ波長790n■、レー
ザビーム径1.6μs、照射パワー4■V、線速2.1
m/see、記録周波数1.2Hzにて信号を記録し、
その後再生を行ってCハを測定したところ52dBが得
られた。
比較例
メロシアニン色素として、下記構造式のものを用いた以
外は実施例1と同様にして記録媒体を作製し、上記と同
様の測定を行なった。
外は実施例1と同様にして記録媒体を作製し、上記と同
様の測定を行なった。
得られた反射率は10%、Cハは20dBであった。
実施例2〜5
実施例1のメロシアニン色素を下表の色素に変えた以外
は同様にして記録媒体を作製し、上記と同様、 反射率及びCハを測定した。
は同様にして記録媒体を作製し、上記と同様、 反射率及びCハを測定した。
表
〔発明の効果〕
本発明によれば、前記一般式(+)で表わされるメロシ
アニン色素を32録層に含有させたので、構成を複雑化
させることなく、吸収波長が長波長化され、半導体レー
ザによる記録に適した感度の良い光情報記録媒体の提供
が可能となる。
アニン色素を32録層に含有させたので、構成を複雑化
させることなく、吸収波長が長波長化され、半導体レー
ザによる記録に適した感度の良い光情報記録媒体の提供
が可能となる。
Claims (1)
- (1)基板上に直接又は下引き層を介して記録層を設け
さらに必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録媒体
において、前記記録層中に下記一般式( I )で表わさ
れるメロシアニン色素を含有することを特徴とする光情
報記録媒体。 一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼ (前記式中、Zは5員もしくは6員複素環を完成するの
に必要な非金属原子群、R^1は炭素数1〜18の置換
もしくは未置換のアルキル基、アリル基、▲数式、化学
式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があり
ます▼(ただしYは環状イミド基であり、n及びhはそ
れぞれ1〜4の整数である。)、R^2は水素原子、炭
素数1〜18の置換もしくは未置換のアルキル基、アリ
ル基、アリール基、複素環基、▲数式、化学式、表等が
あります▼又は▲数式、化学式、表等があります▼(た
だしY、n及びhは上記と同じ意味である。)、L^1
及びL^2はそれぞれ置換もしくは未置換のメチン基で
あり、lは0又は1、mは2又は3であってかつl+m
=2又は3を満足する整数である。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63281974A JPH02127080A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63281974A JPH02127080A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02127080A true JPH02127080A (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=17646492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63281974A Pending JPH02127080A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02127080A (ja) |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP63281974A patent/JPH02127080A/ja active Pending
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