JPH02126584A - 点火プラグ - Google Patents
点火プラグInfo
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- JPH02126584A JPH02126584A JP1161404A JP16140489A JPH02126584A JP H02126584 A JPH02126584 A JP H02126584A JP 1161404 A JP1161404 A JP 1161404A JP 16140489 A JP16140489 A JP 16140489A JP H02126584 A JPH02126584 A JP H02126584A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T13/00—Sparking plugs
- H01T13/40—Sparking plugs structurally combined with other devices
- H01T13/41—Sparking plugs structurally combined with other devices with interference suppressing or shielding means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Spark Plugs (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電波雑音抑制効果のある抵抗体を内蔵した点火
プラグに関するものである。
プラグに関するものである。
〔従来の技術］
従来公知の点火プラグとしては、特開昭５０−１４４８
３０号公報にあるごとく、酸化錫を含有する主抵抗体粉
末と、ジルコニア等の粒径１７７μ・ｍの電気絶縁性セ
ラミック粉末と、軟化温度が３００ ’Ｃ〜６００°Ｃ
のガラス粉末とから成る抵抗体粉末を焼結して成る抵抗
体を絶縁体の内孔内に導電ガラス体とともに封着したも
の、あるいは特開昭５７−１０５９８８号公報にあるご
とく、カーボンブラック、ジルコニア等の電気絶縁セラ
ミック粉末、及び異なる２種類のガラス粉末より成る抵
抗体粉末を焼結して成る抵抗体を絶縁体の内孔内に導電
ガラス体とともに封着したもの、また特開昭６１−１０
４５８０号公報にあるごとく、カーボン、このカーボン
よりも粒径の大きい５μ・ｍ〜８０μ・ｍの範囲のガラ
ス粉末、及びこのガラス粉末よりも粒径の大きい５０μ
・ｍ〜３００μ・ｍの範囲のガラス粉末より成る抵抗体
粉末を焼結して成る抵抗体を絶縁体の内孔内に導電ガラ
ス体とともに封着したもの、等が知られている。
３０号公報にあるごとく、酸化錫を含有する主抵抗体粉
末と、ジルコニア等の粒径１７７μ・ｍの電気絶縁性セ
ラミック粉末と、軟化温度が３００ ’Ｃ〜６００°Ｃ
のガラス粉末とから成る抵抗体粉末を焼結して成る抵抗
体を絶縁体の内孔内に導電ガラス体とともに封着したも
の、あるいは特開昭５７−１０５９８８号公報にあるご
とく、カーボンブラック、ジルコニア等の電気絶縁セラ
ミック粉末、及び異なる２種類のガラス粉末より成る抵
抗体粉末を焼結して成る抵抗体を絶縁体の内孔内に導電
ガラス体とともに封着したもの、また特開昭６１−１０
４５８０号公報にあるごとく、カーボン、このカーボン
よりも粒径の大きい５μ・ｍ〜８０μ・ｍの範囲のガラ
ス粉末、及びこのガラス粉末よりも粒径の大きい５０μ
・ｍ〜３００μ・ｍの範囲のガラス粉末より成る抵抗体
粉末を焼結して成る抵抗体を絶縁体の内孔内に導電ガラ
ス体とともに封着したもの、等が知られている。
上記従来公知のものにおいては、電波雑音抑制効果が十
分なものとは言えない。
分なものとは言えない。
そこで、本発明者はこの点につき鋭意研究したところ、
抵抗体と導電ガラス体との境界面が湾曲し、抵抗体の実
質的な長さが短くなって実質的抵抗値が減少し、このた
めに電波雑音抑制効果が十分でないことがわかった。ま
た、上記境界面が湾曲化する原因としては、点火プラグ
の製造段階で絶縁体の内孔内の上記抵抗体材料、導電ガ
ラス体材料を軟化させ、この軟化材料に圧力を加えた際
にその圧力が上記材料に均一に分散しないため、湾曲状
にくぼむのである。
抵抗体と導電ガラス体との境界面が湾曲し、抵抗体の実
質的な長さが短くなって実質的抵抗値が減少し、このた
めに電波雑音抑制効果が十分でないことがわかった。ま
た、上記境界面が湾曲化する原因としては、点火プラグ
の製造段階で絶縁体の内孔内の上記抵抗体材料、導電ガ
ラス体材料を軟化させ、この軟化材料に圧力を加えた際
にその圧力が上記材料に均一に分散しないため、湾曲状
にくぼむのである。
本発明は上記の諸点に鑑みて案出されたものであって、
上記抵抗体を改良することにより、抵抗体と導電ガラス
体との境界面の湾曲化を抑えて電波雑音抑制効果を一層
向上しようとするものである。
上記抵抗体を改良することにより、抵抗体と導電ガラス
体との境界面の湾曲化を抑えて電波雑音抑制効果を一層
向上しようとするものである。
本発明は、絶縁体の内孔内において端子電極と中心電極
との間に抵抗体を設け、この抵抗体の一端と端子電極と
の間、および抵抗体の他端と中心電極との間に各々導電
ガラス体を設け、上記抵抗体をガラス粉末、電気絶縁性
セラミック粉末、およびガラス粉末とセラミック粉末と
の合計１００重量％に対し、０．１〜２．５重量％のカ
ーボンブラックの焼結体により構成し、上記ガラス粉末
を、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの粗粒ガラスと粒
径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとで構成し、かつ上記セ
ラミック粉末を、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの粗
粒セラミックと粒径１０μ・ｍ以下の微粗セラミックと
で構成することを基本構成とし、上記セラミック粉末の
粗粒セラミックを溶融アルミナの場合には、 微粒セラミックの密度をχｇ／ｃＸａとした時、ガラス
粉末とセラミック粉末との合計を１００％とした時のガ
ラス粉末量は重量％で ６５、７−７．５ｘ２〜８２．十０．５ｘ２〜８２．２
〜８２．２−６．１χ＋０：４χ２ （重量％）ガラス
粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で０、５３ ＋
０．０３χ−０，０００６χ２〜０．７２ ＋０．０６
χ−０，ＯＯ３０χ２ セラミツク粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比率
で、 ０、９３−０．２０χ＋０．０１６χ２〜１．０６０、
Ｉ Ｏχ＋０．００６χ２であり、上記セラミック粉
末の粗粒セラミックを溶融シリカの場合には、 微粒セラミックの密度を１ｇ ／ ｃ＋ｄとした時、ガ
ラス粉末とセラミック粉末との合計を１００％“とした
時のガラス粉末量は重量％で７８、５−９．７χ＋０．
７χ２〜９０．７−７．０χ＋〇、 ４χ２ （重量％
）、 ガラス粉末に占める粗粒ガラスは重量比率で−０，３３
＋０．３９χ−０，０３８χ２〜０．５８ ＋０．０９
χ−０，ＯＯ５ｘ２〜８２．２セラミック粉末中に占め
る粗粒溶融アルミナは重量比率で、 ０、７５−０．１８χ十〇、 Ｏｌ ５ｘ２〜８２．２
〜１．１００．１６χ＋０．０１１χ２とするものであ
る。
との間に抵抗体を設け、この抵抗体の一端と端子電極と
の間、および抵抗体の他端と中心電極との間に各々導電
ガラス体を設け、上記抵抗体をガラス粉末、電気絶縁性
セラミック粉末、およびガラス粉末とセラミック粉末と
の合計１００重量％に対し、０．１〜２．５重量％のカ
ーボンブラックの焼結体により構成し、上記ガラス粉末
を、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの粗粒ガラスと粒
径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとで構成し、かつ上記セ
ラミック粉末を、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの粗
粒セラミックと粒径１０μ・ｍ以下の微粗セラミックと
で構成することを基本構成とし、上記セラミック粉末の
粗粒セラミックを溶融アルミナの場合には、 微粒セラミックの密度をχｇ／ｃＸａとした時、ガラス
粉末とセラミック粉末との合計を１００％とした時のガ
ラス粉末量は重量％で ６５、７−７．５ｘ２〜８２．十０．５ｘ２〜８２．２
〜８２．２−６．１χ＋０：４χ２ （重量％）ガラス
粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で０、５３ ＋
０．０３χ−０，０００６χ２〜０．７２ ＋０．０６
χ−０，ＯＯ３０χ２ セラミツク粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比率
で、 ０、９３−０．２０χ＋０．０１６χ２〜１．０６０、
Ｉ Ｏχ＋０．００６χ２であり、上記セラミック粉
末の粗粒セラミックを溶融シリカの場合には、 微粒セラミックの密度を１ｇ ／ ｃ＋ｄとした時、ガ
ラス粉末とセラミック粉末との合計を１００％“とした
時のガラス粉末量は重量％で７８、５−９．７χ＋０．
７χ２〜９０．７−７．０χ＋〇、 ４χ２ （重量％
）、 ガラス粉末に占める粗粒ガラスは重量比率で−０，３３
＋０．３９χ−０，０３８χ２〜０．５８ ＋０．０９
χ−０，ＯＯ５ｘ２〜８２．２セラミック粉末中に占め
る粗粒溶融アルミナは重量比率で、 ０、７５−０．１８χ十〇、 Ｏｌ ５ｘ２〜８２．２
〜１．１００．１６χ＋０．０１１χ２とするものであ
る。
本発明のごとき数値範囲内にガラス粉末、セラミック粉
末を設定すると、粗粒ガラスと粗粒セラミックとが抵抗
体材料中で隣接しあって混在することになり、点火プラ
グの製造時に熱処理及びプレス処理した際に、そのプレ
ス圧力を粗粒ガラス、粗粒セラミックの粒が連なる方向
に分散、即ち抵抗体材料の全体に分散させることができ
、このため抵抗体と導電ガラス体との境界面の湾曲化を
抑制できると考えられる。このような作用を達成するた
めには、ガラス粉末の粗粒ガラスは上記熱処理によって
もガラス粒形状を維持し形骸化していることが必要であ
る。このためには、上記熱処理温度において溶融しない
ガラスが必要であり、少なくとも粒径１７７μ・ｍは必
要である。これは、ガラスの粒径により示差軟化点が第
５図のように異なるという本発明者の実験結果に基づく
。粒径１７７μ・ｍより大きな粗粒ガラスは約９００°
Ｃの軟化点を有し、上記熱処理温度の８５０″Ｃ（−般
的）では溶融しない。このように、ガラスの粒径が大き
いものは溶融に至らないまでも、上記熱処理時には粒表
面からある厚さ部分が軟化し、芯部を残した状態にある
。このため、非常に軟らかく上記プレス処理の圧力で容
易に変形し、上述のごとくプレス圧力を抵抗体材料の全
体に分散できるのである。
末を設定すると、粗粒ガラスと粗粒セラミックとが抵抗
体材料中で隣接しあって混在することになり、点火プラ
グの製造時に熱処理及びプレス処理した際に、そのプレ
ス圧力を粗粒ガラス、粗粒セラミックの粒が連なる方向
に分散、即ち抵抗体材料の全体に分散させることができ
、このため抵抗体と導電ガラス体との境界面の湾曲化を
抑制できると考えられる。このような作用を達成するた
めには、ガラス粉末の粗粒ガラスは上記熱処理によって
もガラス粒形状を維持し形骸化していることが必要であ
る。このためには、上記熱処理温度において溶融しない
ガラスが必要であり、少なくとも粒径１７７μ・ｍは必
要である。これは、ガラスの粒径により示差軟化点が第
５図のように異なるという本発明者の実験結果に基づく
。粒径１７７μ・ｍより大きな粗粒ガラスは約９００°
Ｃの軟化点を有し、上記熱処理温度の８５０″Ｃ（−般
的）では溶融しない。このように、ガラスの粒径が大き
いものは溶融に至らないまでも、上記熱処理時には粒表
面からある厚さ部分が軟化し、芯部を残した状態にある
。このため、非常に軟らかく上記プレス処理の圧力で容
易に変形し、上述のごとくプレス圧力を抵抗体材料の全
体に分散できるのである。
しかし、上記粗粒セラミックが含まれないと上記プレス
圧力で粗粒ガラスが変形し、力の分散伝達がうまく行わ
れず、プレス圧力方向のみが圧縮され、抵抗体と導電ガ
ラス体との境界面が湾曲するのである。
圧力で粗粒ガラスが変形し、力の分散伝達がうまく行わ
れず、プレス圧力方向のみが圧縮され、抵抗体と導電ガ
ラス体との境界面が湾曲するのである。
ガラスの粒径が大きすぎると、粗粒ガラスの粒の隣り合
う間に形成される隙間が大きくなり、後述する微粒ガラ
スによるその隙間の充填が十分に行えなくなり、負荷寿
命抵抗変化率がＪＩＳ規格Ｄ５１０２に規定された値を
オーバーし、好ましくない。故に、粗粒ガラスの粒径の
上限値は８４０μ・ｍである。なお、望ましい範囲は２
５０μ・ｍ〜８４０μ・ｍである。
う間に形成される隙間が大きくなり、後述する微粒ガラ
スによるその隙間の充填が十分に行えなくなり、負荷寿
命抵抗変化率がＪＩＳ規格Ｄ５１０２に規定された値を
オーバーし、好ましくない。故に、粗粒ガラスの粒径の
上限値は８４０μ・ｍである。なお、望ましい範囲は２
５０μ・ｍ〜８４０μ・ｍである。
セラミック粉末の粗粒セラミックの粒径は、粗粒ガラス
と同じ１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍである。１７７μ・
ｍを下回ると、前述の境界面が湾曲する傾向にあり、８
４０μ・ｍを上回ると上記粗粒ガラスで述べたのと同様
の問題を生ずる。
と同じ１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍである。１７７μ・
ｍを下回ると、前述の境界面が湾曲する傾向にあり、８
４０μ・ｍを上回ると上記粗粒ガラスで述べたのと同様
の問題を生ずる。
次に、ガラス粉末における微粒ガラスは、前記熱処理で
粒形状を残さずに完全に溶融し、プレス処理時に抵抗体
材料中を容易に移動して粗粒ガラスの粒どうしの間の隙
間、粗粒セラミックの粒どうしの間の隙間、あるいは粗
粒ガラスの粒と粗粒セラミックの粒との間の隙間に残留
する空気を追い出してその隙間を充填する作用を果たす
。これにより、抵抗体材料中の残存酸素による通電時の
カーボンの酸化、焼損を低減し、ＪＩＳ規格Ｄ５１０２
に規定された負荷寿命抵抗変化率の小さい安定した抵抗
値を維持できる。
粒形状を残さずに完全に溶融し、プレス処理時に抵抗体
材料中を容易に移動して粗粒ガラスの粒どうしの間の隙
間、粗粒セラミックの粒どうしの間の隙間、あるいは粗
粒ガラスの粒と粗粒セラミックの粒との間の隙間に残留
する空気を追い出してその隙間を充填する作用を果たす
。これにより、抵抗体材料中の残存酸素による通電時の
カーボンの酸化、焼損を低減し、ＪＩＳ規格Ｄ５１０２
に規定された負荷寿命抵抗変化率の小さい安定した抵抗
値を維持できる。
かような作用を果たすための微粒ガラスの粒径は７４μ
・ｍ以下である。この粒径であれば、第５図から軟化点
は８３５°Ｃであり、８５０ ”Ｃの熱処理時にはほぼ
完全に溶融している。この微粒ガラスの粒径は７４μ・
ｍ以下であるが、望ましくは１０μ・ｍ〜７４μ・ｍが
よい。
・ｍ以下である。この粒径であれば、第５図から軟化点
は８３５°Ｃであり、８５０ ”Ｃの熱処理時にはほぼ
完全に溶融している。この微粒ガラスの粒径は７４μ・
ｍ以下であるが、望ましくは１０μ・ｍ〜７４μ・ｍが
よい。
次に、セラミック粉末における微粒セラミックは、第４
図（ａ）、 （ｂ）のごとく、抵抗体中において後述す
るカーボンブラック６１の導電経路を形成するものであ
り、カーボンブランクの粒６１は微粒セラミックの粒６
２の周囲を取り巻き、隣接した微粒セラミックの粒６２
どうじを介してカーボンブラックの粒６１どうしが接触
する。なお、第４図（ａ）のＡ部を拡大して示す第４図
（ｂ）かられかるように、カーボンブラックの粒６１は
微粒セラミックの粒６２のみならず、粗粒セラミックの
粒６３の周り、粗粒ガラスの粒６４の周りをも取り巻く
が、カーボンブラックの導電経路の主体を構成するのは
、微粒セラミックの粒６２である。なお、６５は溶融し
た微粒ガラスを示す。また、微粒セラミングの存在によ
りカーボンブラックの導電経路が抵抗体の内部に多く存
在することになり、抵抗体内部の残存酸素でカーボンブ
ラックが多少焼失しても抵抗体全体の抵抗値にはほとん
ど影響がない。
図（ａ）、 （ｂ）のごとく、抵抗体中において後述す
るカーボンブラック６１の導電経路を形成するものであ
り、カーボンブランクの粒６１は微粒セラミックの粒６
２の周囲を取り巻き、隣接した微粒セラミックの粒６２
どうじを介してカーボンブラックの粒６１どうしが接触
する。なお、第４図（ａ）のＡ部を拡大して示す第４図
（ｂ）かられかるように、カーボンブラックの粒６１は
微粒セラミックの粒６２のみならず、粗粒セラミックの
粒６３の周り、粗粒ガラスの粒６４の周りをも取り巻く
が、カーボンブラックの導電経路の主体を構成するのは
、微粒セラミックの粒６２である。なお、６５は溶融し
た微粒ガラスを示す。また、微粒セラミングの存在によ
りカーボンブラックの導電経路が抵抗体の内部に多く存
在することになり、抵抗体内部の残存酸素でカーボンブ
ラックが多少焼失しても抵抗体全体の抵抗値にはほとん
ど影響がない。
このような作用を果たす微粒セラミックの粒径は１０μ
・ｍ以下が必要であり、望ましくは入手できる範囲の０
．１μ・ｍ〜１０μ・ｍがよい。
・ｍ以下が必要であり、望ましくは入手できる範囲の０
．１μ・ｍ〜１０μ・ｍがよい。
ガラス粉末中に占める粗粒ガラスの重量比率、セラミッ
ク粉末中に占める粗粒セラミックの重量比率、ならびに
ガラス粉末とセラミック粉末との混合重量割合は前記の
表１に示した通りであり、この表１に示した数値範囲と
ガラス粉末及びセラミック粉末の各粒径範囲とが相俟っ
て、抵抗体と導電ガラス体との境界面の湾曲化の抑制を
達成できるのである。湾曲化した場合の抵抗体の実質的
長さは第３図（ａ）の！、であり、湾曲化を抑制した場
合の抵抗体の実質的長さは第３図（ｂ）の１２である。
ク粉末中に占める粗粒セラミックの重量比率、ならびに
ガラス粉末とセラミック粉末との混合重量割合は前記の
表１に示した通りであり、この表１に示した数値範囲と
ガラス粉末及びセラミック粉末の各粒径範囲とが相俟っ
て、抵抗体と導電ガラス体との境界面の湾曲化の抑制を
達成できるのである。湾曲化した場合の抵抗体の実質的
長さは第３図（ａ）の！、であり、湾曲化を抑制した場
合の抵抗体の実質的長さは第３図（ｂ）の１２である。
なお、カーボンブラックはガラス粉末とセラミック粉末
との合計１００％に対し、０．１〜２．５％であるが、
これはＪＩＳ規格Ｄ５１０２に定められる許容抵抗値を
含めて０． Ｉ ＫΩ〜３０にΩの値を得るのに必要な
量である。
との合計１００％に対し、０．１〜２．５％であるが、
これはＪＩＳ規格Ｄ５１０２に定められる許容抵抗値を
含めて０． Ｉ ＫΩ〜３０にΩの値を得るのに必要な
量である。
以上、説明した通りであって、抵抗体と導電ガラス体と
の境界面の湾曲化を、抵抗体材料の選定によって抑制で
き、このため電波雑音抑制効果を向上できる。
の境界面の湾曲化を、抵抗体材料の選定によって抑制で
き、このため電波雑音抑制効果を向上できる。
以下、本発明を具体的実施例により詳細に説明する。
まず、点火プラグの全体構成につき、第１図及び第２図
゛により説明すると、絶縁体１の中心にはその軸方向に
貫通した内孔８を有している。この内孔８の一端の開口
部には端子電極７が挿入され、他端の開口部には中心電
極４が挿入されている。
゛により説明すると、絶縁体１の中心にはその軸方向に
貫通した内孔８を有している。この内孔８の一端の開口
部には端子電極７が挿入され、他端の開口部には中心電
極４が挿入されている。
内孔８内において、端子電極７と中心電極４との間の中
心部分に抵抗体６が配置してあり、また、抵抗体６の一
端と端子電極７との間には導電ガラス体５ｂが配置して
あり、更に抵抗体６の他端と中心電極４との間には導電
ガラス体５ａが配置しである。これら抵抗体６及び導電
ガラス体５ａ。
心部分に抵抗体６が配置してあり、また、抵抗体６の一
端と端子電極７との間には導電ガラス体５ｂが配置して
あり、更に抵抗体６の他端と中心電極４との間には導電
ガラス体５ａが配置しである。これら抵抗体６及び導電
ガラス体５ａ。
５ｂはその材料中のガラスを介して内孔８の内壁及び相
互に結合しており、また中心電極４、端子電極７も導電
ガラス体５ａ、、５ｂに結合している。
互に結合しており、また中心電極４、端子電極７も導電
ガラス体５ａ、、５ｂに結合している。
なお、図中２は金属ハウジング、３は接地電極を示して
いる。抵抗体６の組織を模式的に示すと第４図（ａ）、
（ｂ）のごとくであり、各符号６１〜６４の説明は前
述したとおりである。
いる。抵抗体６の組織を模式的に示すと第４図（ａ）、
（ｂ）のごとくであり、各符号６１〜６４の説明は前
述したとおりである。
次に、下記に示す方法により点火プラグを製造した。
（抵抗体材料の調整）
７４μ・ｍ以下の微粒ガラスと平均粒径（Ｄ５０）５μ
・ｍの微粒セラミックとカーボンブラックとを振動ミル
により混合し、混合物を調整する。
・ｍの微粒セラミックとカーボンブラックとを振動ミル
により混合し、混合物を調整する。
この混合物に、１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍまでの粒径
分布にある粗粒ガラスと１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍま
での粒径分布にある粗粒セラミックとを攪拌機にて均一
に混合する。攪拌後、この混合物を造粒するために、こ
の混合物１ ｋｇに対し、０．６５重量％濃度のカルボ
キシチメルセルロースの水溶液を６０ｇ添加し、再度十
分に混合、攪拌する。こうして得られた抵抗体材料を乾
燥機にて十分乾燥した後、１６メツシエ（１０００μ・
ｍ）のふるいに通した。
分布にある粗粒ガラスと１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍま
での粒径分布にある粗粒セラミックとを攪拌機にて均一
に混合する。攪拌後、この混合物を造粒するために、こ
の混合物１ ｋｇに対し、０．６５重量％濃度のカルボ
キシチメルセルロースの水溶液を６０ｇ添加し、再度十
分に混合、攪拌する。こうして得られた抵抗体材料を乾
燥機にて十分乾燥した後、１６メツシエ（１０００μ・
ｍ）のふるいに通した。
なお、微粒、粗粒ガラス、粗粒セラミックの粒径分布は
次の表２〜表５のようである。
次の表２〜表５のようである。
表
〈粗粒ガラス〉
表
〈粗粒アルミナ〉
表
また、
上記ガラス粉末は次の表６の組成のものを用いた。
（以下余白）
表
次に、導電ガラス体材料の調整を行った。銅粉末５０重
量％とホウケイ酸ガラス５０重量％とを十分に混合して
調整した。
量％とホウケイ酸ガラス５０重量％とを十分に混合して
調整した。
（組 立）
絶縁体の内孔（直径４．８ ｍｍ ）の下端に中心電極
を挿入し、上記導電ガラス体材料的０．３ｇを絶縁体の
内孔内に入れて約７０ｋｇのプレス圧力をこの材料に加
え、その材料の表面を平坦にした。次に、この材料上に
、約１８１−の体積相当分の重量に調整された上記抵抗
体材料を充填し、上記のプレス圧力によりこの材料の表
面を平坦にした。その後、この抵抗体材料の上に上記導
電ガラス体材料を約０．３ｇ充填した。
を挿入し、上記導電ガラス体材料的０．３ｇを絶縁体の
内孔内に入れて約７０ｋｇのプレス圧力をこの材料に加
え、その材料の表面を平坦にした。次に、この材料上に
、約１８１−の体積相当分の重量に調整された上記抵抗
体材料を充填し、上記のプレス圧力によりこの材料の表
面を平坦にした。その後、この抵抗体材料の上に上記導
電ガラス体材料を約０．３ｇ充填した。
次いで、端子電極を絶縁体の内孔内の上端に挿入後、全
体を約８５０°Ｃに保持された電気炉中に約３０分間放
置する。その後、炉中より絶縁体を取り出し、約７０ｋ
ｇ／ｃ＋ｆｌの圧力を端子電極に加えた。絶縁体を冷却
後、その外周囲に接地電極を有したハウジングを固定す
る。
体を約８５０°Ｃに保持された電気炉中に約３０分間放
置する。その後、炉中より絶縁体を取り出し、約７０ｋ
ｇ／ｃ＋ｆｌの圧力を端子電極に加えた。絶縁体を冷却
後、その外周囲に接地電極を有したハウジングを固定す
る。
（評価試験）
第６図に示した評価装置により上記組立器の雑音電界強
度を測定した。測定周波数、３０，９０゜１８０．３０
０，５００，８００，１００Ｏ１００Ｏにつき、点火プ
ラグの火花放電時の雑音電界強度を６０ｓｅｃ測定し、
その最大値を評価した。なお、第６図中、９は試験プラ
グ、１０は５にΩのプラグコード、１１は点火コイル、
１２は高周波電流測定用プローブ、１３は電界強度計、
１４は絶縁板、１５は電源を示す。
度を測定した。測定周波数、３０，９０゜１８０．３０
０，５００，８００，１００Ｏ１００Ｏにつき、点火プ
ラグの火花放電時の雑音電界強度を６０ｓｅｃ測定し、
その最大値を評価した。なお、第６図中、９は試験プラ
グ、１０は５にΩのプラグコード、１１は点火コイル、
１２は高周波電流測定用プローブ、１３は電界強度計、
１４は絶縁板、１５は電源を示す。
（評 価）
以上説明した材料の調整及び組立に基づいて点火プラグ
を作り、かつ上記評価試験を行った場合において、粗粒
セラミック、微粒セラミックの種類、ガラス粉末とセラ
ミック粉末との混合割合、ガラス粉末中に占める粗粒ガ
ラスの比率、セラミック粉末中に占める粗粒セラミック
の比率、及びカーボンブランクの割合によって、点火プ
ラグの抵抗体の抵抗値、雑音電界強度がどのように変わ
るかをみた。その結果を表７の１〜表１６に示す。
を作り、かつ上記評価試験を行った場合において、粗粒
セラミック、微粒セラミックの種類、ガラス粉末とセラ
ミック粉末との混合割合、ガラス粉末中に占める粗粒ガ
ラスの比率、セラミック粉末中に占める粗粒セラミック
の比率、及びカーボンブランクの割合によって、点火プ
ラグの抵抗体の抵抗値、雑音電界強度がどのように変わ
るかをみた。その結果を表７の１〜表１６に示す。
表７の１及び表７の２を代表して説明すると、Ｎｏ、
１〜Ｎｏ、 ３３は実施例を、Ｎｏ、 ３４〜Ｎｏ、
４０は比較例を示す。ここで、Ｎｏ、 １５の実施例と
Ｎｏ、 ３８の比較例との雑音電界強度の測定結果を示
すと第７図のごとくであり、図中ＡがＮｏ、３８、Ｂが
Ｎα１５であって、実施例のものは測定した前述の７周
波に亘ってほぼ平行的に雑音電界強度が低減しており、
大きな電波雑音抑制効果が認められた。なお、表７の１
及び表７の２のＮｏ、 １〜Ｎｏ、 ３３の実施例は、
すべて測定７周波に亘ってほぼ平行的に雑音電界強度が
低減し、電波雑音抑制効果が認められたことから、表７
の１．７の２には測定周波数９０ＭＨｚの雑音電界強度
を示しである。表７の１．７の２のＮｏ、 ３４〜Ｎｏ
、４０も９０Ｍ）（ｚの雑音電界強度を示してあり、ま
た表８の１〜表１６の２のＮ０８１〜Ｎｏ、４０も９０
ＭＨｚの雑音電界強度を示しである。
１〜Ｎｏ、 ３３は実施例を、Ｎｏ、 ３４〜Ｎｏ、
４０は比較例を示す。ここで、Ｎｏ、 １５の実施例と
Ｎｏ、 ３８の比較例との雑音電界強度の測定結果を示
すと第７図のごとくであり、図中ＡがＮｏ、３８、Ｂが
Ｎα１５であって、実施例のものは測定した前述の７周
波に亘ってほぼ平行的に雑音電界強度が低減しており、
大きな電波雑音抑制効果が認められた。なお、表７の１
及び表７の２のＮｏ、 １〜Ｎｏ、 ３３の実施例は、
すべて測定７周波に亘ってほぼ平行的に雑音電界強度が
低減し、電波雑音抑制効果が認められたことから、表７
の１．７の２には測定周波数９０ＭＨｚの雑音電界強度
を示しである。表７の１．７の２のＮｏ、 ３４〜Ｎｏ
、４０も９０Ｍ）（ｚの雑音電界強度を示してあり、ま
た表８の１〜表１６の２のＮ０８１〜Ｎｏ、４０も９０
ＭＨｚの雑音電界強度を示しである。
Ｎα３４ 、 Ｎｏ、３５ 、 Ｎｏ、３９及びＮｏ、
４０は、ＪＩＳ規格Ｄ５１０２に定められる５にΩ〜３
０にΩ±３０％の許容抵抗値を逸脱している。一方、Ｎ
ｏ、 ３６、 Ｎα３７． Ｎｏ、３８． Ｎｏ、４０
は上記許容抵抗値を逸脱していないが、抵抗体と導電ガ
ラス体との境界面がひどく湾曲している。このことは、
上記Ｎ。
４０は、ＪＩＳ規格Ｄ５１０２に定められる５にΩ〜３
０にΩ±３０％の許容抵抗値を逸脱している。一方、Ｎ
ｏ、 ３６、 Ｎα３７． Ｎｏ、３８． Ｎｏ、４０
は上記許容抵抗値を逸脱していないが、抵抗体と導電ガ
ラス体との境界面がひどく湾曲している。このことは、
上記Ｎ。
３４．３５，３９．４０についても言える。
そこで、Ｎｏ、 ７とＮα３８との抵抗体部分の断面を
模式的に表したのが第８図である。
模式的に表したのが第８図である。
この第８図から理解されるごとく、Ｎα７のもの（Ａ）
は抵抗体６と導電ガラス体５ａ、５ｂとの境界面は平坦
化しているのに対し、Ｎｏ、３８のもの（Ｂ）は境界面
が湾曲している。
は抵抗体６と導電ガラス体５ａ、５ｂとの境界面は平坦
化しているのに対し、Ｎｏ、３８のもの（Ｂ）は境界面
が湾曲している。
次に、Ｎｏ、１１． Ｉ ６． ２６の抵抗体部分の
断面をみたのが第９図である。Ｎｏ、１１のもの（Ａ）
は第８図のＮｏ、マ（Ａ）とほとんど変わらない。Ｎｏ
、 １６のもの（Ｂ）は抵抗体６とその下部の導電ガラ
ス体５ａとの境界面はほぼ平坦となっているが、上部の
導電ガラス体５ｂと抵抗体６との境界面は若干湾曲して
いる。しかし、第８図のＮｏ、３８のもの（Ｂ）に比べ
ればその度合は小さい。Ｎｏ、２６のもの（Ｃ）はＮｏ
、 １６のもの（Ｂ）に比べると上部の導電ガラス体５
ｂと抵抗体６との境界面はやや湾曲しているが、第８図
のＮｏ、３８（Ｂ）に比べれば湾曲度合が小さいし、下
部の導電ガラス体５ａと抵抗体６との境界面は平坦に近
い。このように、上下のいずれか一方の導電ガラス体と
抵抗体との境界面が平坦で、他方がやや湾曲していても
抵抗体の実質的長さは、両方の境界面が湾曲している場
合に比べれば長いことが理解される。
断面をみたのが第９図である。Ｎｏ、１１のもの（Ａ）
は第８図のＮｏ、マ（Ａ）とほとんど変わらない。Ｎｏ
、 １６のもの（Ｂ）は抵抗体６とその下部の導電ガラ
ス体５ａとの境界面はほぼ平坦となっているが、上部の
導電ガラス体５ｂと抵抗体６との境界面は若干湾曲して
いる。しかし、第８図のＮｏ、３８のもの（Ｂ）に比べ
ればその度合は小さい。Ｎｏ、２６のもの（Ｃ）はＮｏ
、 １６のもの（Ｂ）に比べると上部の導電ガラス体５
ｂと抵抗体６との境界面はやや湾曲しているが、第８図
のＮｏ、３８（Ｂ）に比べれば湾曲度合が小さいし、下
部の導電ガラス体５ａと抵抗体６との境界面は平坦に近
い。このように、上下のいずれか一方の導電ガラス体と
抵抗体との境界面が平坦で、他方がやや湾曲していても
抵抗体の実質的長さは、両方の境界面が湾曲している場
合に比べれば長いことが理解される。
なお、表７の１〜表１６の２においては、前記表１の抵
抗体材料のガラス粉末、及びセラミック粉末の混合割合
の上限、下限、及び粗粒ガラスの構成比率、粗粒セラミ
ックの構成比率の上限、下限が示してあり、その上限、
下限を逸脱する値は示してないが、この上限を逸脱する
と、電波雑音抑制効果は大なるものの、ＪＩＳ規格Ｄ５
１０２に規定される負荷寿命抵抗変化率が初期抵抗値に
比べて±３０％を越え、実用に適しないし、下限を逸脱
すると電波雑音抑制効果が全くないし、上記負荷寿命抵
抗変化率が著しく増大し、やはり実用に適しないことを
確認している。
抗体材料のガラス粉末、及びセラミック粉末の混合割合
の上限、下限、及び粗粒ガラスの構成比率、粗粒セラミ
ックの構成比率の上限、下限が示してあり、その上限、
下限を逸脱する値は示してないが、この上限を逸脱する
と、電波雑音抑制効果は大なるものの、ＪＩＳ規格Ｄ５
１０２に規定される負荷寿命抵抗変化率が初期抵抗値に
比べて±３０％を越え、実用に適しないし、下限を逸脱
すると電波雑音抑制効果が全くないし、上記負荷寿命抵
抗変化率が著しく増大し、やはり実用に適しないことを
確認している。
また、前記（抵抗体材料の調整）の項において、微粒セ
ラミックは平均粒径（Ｄ５０）５μ・ｍ（７）ものを用
いたが、１０μ・ｍ以下の粒径のものを用いても表７の
１〜表１６の２の結果はほとんど変わらないことを確認
しているし、また、ガラス粉末も前記表６の組成に限ら
ず、ホウ酸バリウム、ホウケイ酸バリウム系ガラスでも
よいことを確認している。
ラミックは平均粒径（Ｄ５０）５μ・ｍ（７）ものを用
いたが、１０μ・ｍ以下の粒径のものを用いても表７の
１〜表１６の２の結果はほとんど変わらないことを確認
しているし、また、ガラス粉末も前記表６の組成に限ら
ず、ホウ酸バリウム、ホウケイ酸バリウム系ガラスでも
よいことを確認している。
以上の結果を第１０図（ａ）乃至（Ｃ）および第１１図
（ａ）乃至（Ｃ）に示す。
（ａ）乃至（Ｃ）に示す。
第１０図（ａ）乃至（Ｃ）は粗粒セラミックとして粗粒
溶融アルミナを採用した時であり、横軸を微粒セラミッ
クの密度（ｇ／ｃｆｆｌ）で示し、縦軸を第１０図（ａ
）ではガラス粉末量（重量％）、第１０図（ｂｌではガ
ラス粗粒物構成比率および第１Ｏ図（Ｃ）ではセラミッ
ク粗粒物構成比率としている。
溶融アルミナを採用した時であり、横軸を微粒セラミッ
クの密度（ｇ／ｃｆｆｌ）で示し、縦軸を第１０図（ａ
）ではガラス粉末量（重量％）、第１０図（ｂｌではガ
ラス粗粒物構成比率および第１Ｏ図（Ｃ）ではセラミッ
ク粗粒物構成比率としている。
第１０図（ａ）乃至（Ｃ）より明らかなように、微粒セ
ラミックの密度をχ（ｇ／ｃｆｆｌ）とした場合、ガラ
ス粉末とセラミック粉末との合計を１００％とした時の
ガラス粉末量は重量％で ６５、７−７．５ｘ２〜８２．＋０．５ｘ２〜８２．”
（（ア）の線に相当、以下同一）〜８２．２−６．１χ
＋〇、 ４χ２ （イ）（重量％） ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で、０、５
３ ＋ ０．０３χ−０，ＯＯＯ６χ２ （つ）〜０、
７２ ＋ ０．０６χ−０，ＯＯ３０χ２ （１）、セ
ラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比率で
、 ０、９３−０．２０χ＋０．０１６χ２ （オ）〜１．
０６０．１０χ＋Ｏ，ＯＯ６χ２ （力）であることを
容易に導くことができる。
ラミックの密度をχ（ｇ／ｃｆｆｌ）とした場合、ガラ
ス粉末とセラミック粉末との合計を１００％とした時の
ガラス粉末量は重量％で ６５、７−７．５ｘ２〜８２．＋０．５ｘ２〜８２．”
（（ア）の線に相当、以下同一）〜８２．２−６．１χ
＋〇、 ４χ２ （イ）（重量％） ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で、０、５
３ ＋ ０．０３χ−０，ＯＯＯ６χ２ （つ）〜０、
７２ ＋ ０．０６χ−０，ＯＯ３０χ２ （１）、セ
ラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比率で
、 ０、９３−０．２０χ＋０．０１６χ２ （オ）〜１．
０６０．１０χ＋Ｏ，ＯＯ６χ２ （力）であることを
容易に導くことができる。
さらに、第１１図（ａ）乃至（Ｃ）では、粗粒セラミッ
クとして粗粒熔融シリカを採用した時であり、横軸及び
縦軸は第１０図（ａ）乃至（Ｃ）と同一とした。
クとして粗粒熔融シリカを採用した時であり、横軸及び
縦軸は第１０図（ａ）乃至（Ｃ）と同一とした。
第１１図（ａ）乃至（Ｃ）からでもまた明らかなように
、微粒セラミックの密度を１ｇ ／ ｃｄＩとした時、
ガラス粉末とセラミック粉末との合計を１００％とした
時のガラス粉末量は重量％で ７８、５−９．７χ＋〇、 ７χ２ （キ）〜９０．７
７．０−４χ２ （り）（重量％） ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で、０、３
３ ＋ ０．３９χ−０，０３８χ２ （ケ）〜０、５
８ ＋ ０．０９χ−０，ＯＯ５ｘ２〜８２．２ （コ
）セラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比
率で、 ０．７５−０．１８χ＋〇、０１５ｘ２〜８２．２ （
す）〜１．１００．１６χ＋０．０１１χ２ （シ）で
あることが容易に導くことができる。
、微粒セラミックの密度を１ｇ ／ ｃｄＩとした時、
ガラス粉末とセラミック粉末との合計を１００％とした
時のガラス粉末量は重量％で ７８、５−９．７χ＋〇、 ７χ２ （キ）〜９０．７
７．０−４χ２ （り）（重量％） ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で、０、３
３ ＋ ０．３９χ−０，０３８χ２ （ケ）〜０、５
８ ＋ ０．０９χ−０，ＯＯ５ｘ２〜８２．２ （コ
）セラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比
率で、 ０．７５−０．１８χ＋〇、０１５ｘ２〜８２．２ （
す）〜１．１００．１６χ＋０．０１１χ２ （シ）で
あることが容易に導くことができる。
（他の実施例）
先の実施例に用いた微量セラミック以外として本実施例
では、ムライト（密度χ＝ ３．１ ｇ ／ｃｙｌｌ。
では、ムライト（密度χ＝ ３．１ ｇ ／ｃｙｌｌ。
以下同様）、チタニアχ＝ ４．２ ｇ ／ｃａ、酸化
クロムχ＝ ５．２ ｇ ／ｃ＋ｄについて評価を行っ
た。なお、他の条件は前述の抵抗体材料の調整と同一と
し、かつガラス粉末量、粗粒ガラスの重量比率、粗粒溶
融アルミナ重量比率の最適値を求めた。
クロムχ＝ ５．２ ｇ ／ｃ＋ｄについて評価を行っ
た。なお、他の条件は前述の抵抗体材料の調整と同一と
し、かつガラス粉末量、粗粒ガラスの重量比率、粗粒溶
融アルミナ重量比率の最適値を求めた。
その結果を第１７表に示す。
（以下余白）
第１７表には、本実施例の結果とともに、前記実施例に
よって求めた（ア）〜（シ）式によって求めた数値を記
載した。
よって求めた（ア）〜（シ）式によって求めた数値を記
載した。
第１７表より明らかなように、前記実施例において求め
た（ア）〜（シ）式は、本実施例のガラス粉末量等の最
適値を十分満足することがわかった。
た（ア）〜（シ）式は、本実施例のガラス粉末量等の最
適値を十分満足することがわかった。
第１図は本発明点火プラグの一実施例を示す断面図、第
２図は第１図の抵抗体及び導電ガラス体を拡大して示す
拡大図、第３図（ａ）、 （ｂ）は抵抗体の実質的長さ
を説明する抵抗体の断面図、第４１１Ｆ（ａ）。 （ｂ）は第２図の抵抗体の組織図を示し、第４図（ｂ）
は第４図（ａ）のＡ部拡大図、第５図は本発明における
ガラス粉末の粒径と示差熱分析軟化点との関係を示す特
性図、第６図は本発明の説明に供する評価試験装置を示
す斜視図、第７図は本発明の説明に供する特性図、第８
図及び第９図は本発明の説明に供する、抵抗体及び導電
ガラス体を示す断面図、第１０図は粗粒セラミックに溶
融アルミナを用いた抵抗体の特性を示す特性図、第１１
図は粗粒セラミックに溶融シリカを用いた抵抗体の特性
を示す特性図である。 １・・・絶縁体、４・・・中心電極、５ａ、５ｂ・・・
導電ガラス体、６・・・抵抗体、７・・・端子電極、８
・・・内孔。 代理人弁理士 岡 部 隆 （ばか１名） ／ 第 図 竿 図 引” ７ ！ 二４１ （０Ｃ） プ゛°ラス。ナた色 竿 笛 図 ５Ｔ、ｍ’ｃラミーｔ７ａ＋２Ｆｚ （ａ／ｃｍ’ ＞
（Ｉｌり （Ｃ） 第 ］ （ｂｌ 第 １１ ２
２図は第１図の抵抗体及び導電ガラス体を拡大して示す
拡大図、第３図（ａ）、 （ｂ）は抵抗体の実質的長さ
を説明する抵抗体の断面図、第４１１Ｆ（ａ）。 （ｂ）は第２図の抵抗体の組織図を示し、第４図（ｂ）
は第４図（ａ）のＡ部拡大図、第５図は本発明における
ガラス粉末の粒径と示差熱分析軟化点との関係を示す特
性図、第６図は本発明の説明に供する評価試験装置を示
す斜視図、第７図は本発明の説明に供する特性図、第８
図及び第９図は本発明の説明に供する、抵抗体及び導電
ガラス体を示す断面図、第１０図は粗粒セラミックに溶
融アルミナを用いた抵抗体の特性を示す特性図、第１１
図は粗粒セラミックに溶融シリカを用いた抵抗体の特性
を示す特性図である。 １・・・絶縁体、４・・・中心電極、５ａ、５ｂ・・・
導電ガラス体、６・・・抵抗体、７・・・端子電極、８
・・・内孔。 代理人弁理士 岡 部 隆 （ばか１名） ／ 第 図 竿 図 引” ７ ！ 二４１ （０Ｃ） プ゛°ラス。ナた色 竿 笛 図 ５Ｔ、ｍ’ｃラミーｔ７ａ＋２Ｆｚ （ａ／ｃｍ’ ＞
（Ｉｌり （Ｃ） 第 ］ （ｂｌ 第 １１ ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）軸方向に貫通した内孔を有した絶縁体と、該絶縁
体の前記内孔の一端の開口部に挿入、固定された端子電
極と、前記絶縁体の前記内孔の他端の開口部に挿入、固
定された中心電極と、前記絶縁体の前記内孔内であって
、前記端子電極と前記中心電極との間に設けられた抵抗
体と、該抵抗体の一端と前記端子電極との間、および前
記抵抗体の他端と前記中心電極との間に設けられた導電
ガラス体とを有した点火プラグにおいて、 前記抵抗体は、 ガラス粉末と、 電気絶縁性セラミック粉末と、 および前記ガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１
００％に対し０．１〜２．５％のカーボンブラックと、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粗粒ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粗粒溶融アルミナと、粒径１０μ・ｍ以下の微粒セ
ラミックとから成り、 この微粒セラミックの密度をｘｇ／ｃｍ＾３とした場合
、 前記ガラス粉末と前記セラミック粉末との合計を１００
％とした時の前記ガラス粉末量は重量％で ６５．７−７．５ｘ＋０．５ｘ＾２〜８２．２−６．１
ｘ＋０．４ｘ＾２（重量％）、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
０．５３＋０．０３ｘ−０．０００６ｘ＾２〜０．７２
＋０．０６ｘ−０．００３０ｘ＾２、前記セラミック粉
末中に占める前記粗粒溶融アルミナは重量比率で ０．９３−０．２０ｘ＋０．０１６ｘ＾２〜１．０６−
０．１０ｘ＋０．００６ｘ＾２である ことを特徴とする点火プラグ。 （２）軸方向に貫通した内孔を有した絶縁体と、該絶縁
体の前記内孔の一端の開口部に挿入、固定された端子電
極と、前記絶縁体の前記内孔の他端の開口部に挿入、固
定された中心電極と、前記絶縁体の前記内孔内であって
、前記端子電極と前記中心電極との間に設けられた抵抗
体と、該抵抗体の一端と前記端子電極との間、および前
記抵抗体の他端と前記中心電極との間に設けられた導電
ガラス体とを有した点火プラグにおいて、 前記抵抗体は、 ガラス粉末４６．８〜６６．５％（重量％で以下同じ）
、 電気絶縁性セラミック粉末５３．２〜３３．５％、およ
びこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１００
％に対し、０．１〜２．５％のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粗粒ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粗粒溶融アルミナと、粒径１０μ・ｍ以下の微粒ジ
ルコニアとから成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
０．６３〜０．８９であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナは
重量比率で０．４３〜０．８１であることを特徴とする
請求項（１）記載の点火プラグ。 （３）前記抵抗体は、 ガラス粉末４０．０〜６０．０％、 電気絶縁性セラミック粉末６０．０〜４０．０％、およ
びこのガラス粉末と前記電気絶縁性セラミック粉末との
合計１００％に対し、０．１〜２．５％のカーボンブラ
ック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粗粒ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粗粒溶融アルミナと、粒径１０μ・ｍ以下の微粒ジ
ルコニアとから成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
０．７０〜０．９９であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナは
重量比率で０．３０〜０．７０であることを特徴とする
請求項１記載の点火プラグ。 （４）前記抵抗体は、 ガラス粉末４４．０〜６４．０％、 電気絶縁性セラミック粉末５６．０〜３６．０％、およ
び、このガラス粉末と前記電気絶縁性セラミック粉末と
の合計１００％に対し０．１〜２．５％のカーボンブラ
ック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粗粒ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粗粒溶融アルミナと、 粒径１０μ・ｍ以下の微粒アルミナとから成り、前記ガ
ラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で０．６
５〜０．９２であり、 前記電気絶縁性セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融
アルミナは重量比率で０．３８〜０．７７であることを
特徴とする請求項（１）記載の点火プラグ。 （５）前記抵抗体は、 ガラス粉末４２．８％〜６２．７％、 電気絶縁性セラミック粉末５７．２％〜３７．３％、お
よびこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１０
０に対し０．１〜２．５％のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粗粒ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粗粒溶融アルミナと、粒径１０μ・ｍ以下の微粒ジ
ルコンとから成り、前記ガラス粉末中に占める前記粗粒
ガラスは重量比率で０．６７〜０．９５％であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナの
重量比率は０．３５〜０．７４であることを特徴とする
請求項（１）記載の点火プラグ。 （６）前記抵抗体は、 ガラス粉末５０．０〜６９．２％、 電気絶縁性セラミック粉末５０．０〜３０．８％、およ
びこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１００
％に対し０．１〜２．５％のカーボンブラック、の焼結
体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粗粒ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粗粒溶融アルミナと、粒径１０μ・ｍ以下の微粒シ
リカとから成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
０．６１〜０．８６であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナは
重量比率で０．５２〜０．８５であることを特徴とする
請求項（１）記載の点火プラグ。 （７）軸方向に貫通した内孔を有した絶縁体と、該絶縁
体の前記内孔の一端の開口部に挿入、固定された端子電
極と、前記絶縁体の前記内孔の他端の開口部に挿入、固
定された中心電極と、前記絶縁体の前記内孔内であって
、前記端子電極と前記中心電極との間に設けられた抵抗
体と、該抵抗体の一端と前記端子電極との間、および前
記抵抗体の他端と前記中心電極との間に設けられた導電
ガラス体とを有した点火プラグにおいて、 前記抵抗体は、 ガラス粉末と、 電気絶縁性セラミック粉末と、 および前記ガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１
００％に対し、０．１〜２．５％のカーボンブラックと
、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粗粒ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粗粒熔融シリカと、粒径１０μ・ｍ以下の微粒セラ
ミックとから成り、 この微粒セラミックの密度をｘｇ／ｃｍ＾３とした場合
、 前記ガラス粉末と前記セラミック粉末との合計を１００
％とした時の前記ガラス粉末量は重量％で ７８．５−９．７ｘ＋０．７ｘ＾２〜９０．７−７．０
ｘ＋０．４ｘ＾２（重量％） 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で −０．３３＋０．３９ｘ−０．０３８ｘ＾２〜０．５８
＋０．０９ｘ−０．００５ｘ＾２、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナは
重量比率で ０．７５−０．１８ｘ＋０．０１５ｘ＾２〜１．１０−
０．１６ｘ＋０．０１１ｘ＾２である ことを特徴とする点火プラグ。 （８）前記抵抗体は、 ガラス粉末５３．９〜７２．６％、 電気絶縁性セラミック粉末４６．１〜２７．４％、およ
びこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１００
％に対し、０．１〜２．５％のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粒径ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粒径溶融シリカと、粒径１０μ・ｍ以下の微粒窒化
珪素とから成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
０．５８〜０．８２％であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは重
量比率で０．３０〜０．７１であることを特徴とする請
求項（７）記載の点火プラグ。 （９）前記抵抗体は、 ガラス粉末４５．１〜６４．９％、電気絶縁性セラミッ
ク粉末５４．９〜３５．１％、 およびこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１
００％に対し、０．１〜２．５％のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粒径ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粒径溶融シリカと、粒径１０μ・ｍ以下のジルコニ
アとから成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
０．６５〜０．９２であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは重
量比率で０．２０〜０．５７であることを特徴とする請
求項（７）記載の点火プラグ。 （１０）前記抵抗体は、 ガラス粉末５０．４〜６９．７％、 前記絶縁性セラミック粉末４９．６〜３０．３％、およ
びこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１００
％に対し０．１〜２．５％のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粒径ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粒径溶融シリカと、粒径１０μ・ｍ以下のアルミナ
とから成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
０．６０〜０．８５であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは重
量比率で０．２３〜０．６５であることを特徴とする請
求項（７）記載の点火プラグ。 （１１）前記抵抗体は、 ガラス粉末４８．８〜６８．２％、 電気絶縁性セラミック粉末５１．２〜３１．８％、およ
びこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１００
％に対し、０．１〜２．５％のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粒径ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粒径溶融シリカと、粒径１０μ・ｍ以下のジルコン
とから成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
０．６２〜０．８７であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは重
量比率で０．２４〜０．６２であることを特徴とする請
求項（７）記載の点火プラグ。 （１２）前記抵抗体は、 ガラス粉末５８．２〜７５．８％、 電気絶縁性セラミック粉末４１．８〜２４．２％、およ
びこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計１００
％に対し０．１〜２．５％のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・ｍの
粒径ガラスと、粒径７４μ・ｍ以下の微粒ガラスとから
成り、 前記セラミック粉末は、粒径１７７μ・ｍ〜８４０μ・
ｍの粒径溶融シリカと、粒径１０μ・ｍ以下のシリカと
から成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
０．３９〜０．７７であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒熔融シリカは、
重量比率で０．３９〜０．７７であることを特徴とする
請求項（７）記載の点火プラグ。 （１３）前記ガラス粉末の前記粗粒ガラスは２５０μ・
ｍ〜８４０μ・ｍの粒径に選定され、前記微粒ガラスは
１０μ・ｍ〜７４μ・ｍの粒径に選定され、前記セラミ
ック粉末の前記微粒セラミックは０．１μ・ｍ〜１０μ
・ｍの粒径に選定されていることを特徴とする請求項（
１）〜（１０）のいずれか１つに記載の点火プラグ。
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- 1989-07-06 US US07/375,978 patent/US5008584A/en not_active Expired - Lifetime
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