JP2800279B2 - 点火プラグ - Google Patents
点火プラグInfo
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- JP2800279B2 JP2800279B2 JP1161404A JP16140489A JP2800279B2 JP 2800279 B2 JP2800279 B2 JP 2800279B2 JP 1161404 A JP1161404 A JP 1161404A JP 16140489 A JP16140489 A JP 16140489A JP 2800279 B2 JP2800279 B2 JP 2800279B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T13/00—Sparking plugs
- H01T13/40—Sparking plugs structurally combined with other devices
- H01T13/41—Sparking plugs structurally combined with other devices with interference suppressing or shielding means
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- Combustion & Propulsion (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Spark Plugs (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電波雑音抑制効果のある抵抗体を内蔵した点
火プラグに関するものである。
火プラグに関するものである。
従来公知の点火プラグとしては、特開昭50−144830号
公報にあるごとく、酸化錫を含有する主抵抗体粉末と、
ジルコニア等の粒径177μ・mの電気絶縁性セラミック
粉末と、軟化温度が300℃〜600℃のガラス粉末とから成
る抵抗体粉末を焼結して成る抵抗体を絶縁体の内孔内に
導電ガラス体とともに封着したもの、あるいは特開昭57
−105988号公報にあるごとく、カーボンブラック、ジル
コニア等の電気絶縁セラミック粉末、及び異なる2種類
のガラス粉末より成る抵抗体粉末を焼結して成る抵抗体
を絶縁体の内孔内に導電ガラス体とともに封着したも
の、また特開昭61−104580号公報にあるごとく、カーボ
ン、このカーボンよりも粒径の大きい5μ・m〜80μ・
mの範囲のガラス粉末、及びこのガラス粉末よりも粒径
の大きい50μ・m〜30μ・mの範囲のガラス粉末より成
る抵抗体粉末を焼結して成る抵抗体を絶縁体の内孔内に
導電ガラス体とともに封着したもの、等が知られてい
る。
公報にあるごとく、酸化錫を含有する主抵抗体粉末と、
ジルコニア等の粒径177μ・mの電気絶縁性セラミック
粉末と、軟化温度が300℃〜600℃のガラス粉末とから成
る抵抗体粉末を焼結して成る抵抗体を絶縁体の内孔内に
導電ガラス体とともに封着したもの、あるいは特開昭57
−105988号公報にあるごとく、カーボンブラック、ジル
コニア等の電気絶縁セラミック粉末、及び異なる2種類
のガラス粉末より成る抵抗体粉末を焼結して成る抵抗体
を絶縁体の内孔内に導電ガラス体とともに封着したも
の、また特開昭61−104580号公報にあるごとく、カーボ
ン、このカーボンよりも粒径の大きい5μ・m〜80μ・
mの範囲のガラス粉末、及びこのガラス粉末よりも粒径
の大きい50μ・m〜30μ・mの範囲のガラス粉末より成
る抵抗体粉末を焼結して成る抵抗体を絶縁体の内孔内に
導電ガラス体とともに封着したもの、等が知られてい
る。
上記従来公知のものにおいては、電波雑音抑制効果が
十分なものとは言えない。
十分なものとは言えない。
そこで、本発明者はこの点につき鋭意研究したとこ
ろ、抵抗体と導電ガラス体との境界面が湾曲し、抵抗体
の実質的な長さが短くなって実質的抵抗値が減少し、こ
のために電波雑音抑制効果が十分でないことがわかっ
た。また、上記境界面が湾曲化する原因としては、点火
プラグの製造段階で絶縁体の内孔内の上記抵抗体材料、
導電ガラス体材料を軟化させ、この軟化材料に圧力を加
えた際にその圧力が上記材料に均一に分散しないため、
湾曲状にくぼむのである。
ろ、抵抗体と導電ガラス体との境界面が湾曲し、抵抗体
の実質的な長さが短くなって実質的抵抗値が減少し、こ
のために電波雑音抑制効果が十分でないことがわかっ
た。また、上記境界面が湾曲化する原因としては、点火
プラグの製造段階で絶縁体の内孔内の上記抵抗体材料、
導電ガラス体材料を軟化させ、この軟化材料に圧力を加
えた際にその圧力が上記材料に均一に分散しないため、
湾曲状にくぼむのである。
本発明は上記の諸点に鑑みて案出されたものであっ
て、上記抵抗体を改良することにより、抵抗体と導電ガ
ラス体との境界面の湾曲化を抑えて電波雑音抑制効果を
一層向上しようとするものである。
て、上記抵抗体を改良することにより、抵抗体と導電ガ
ラス体との境界面の湾曲化を抑えて電波雑音抑制効果を
一層向上しようとするものである。
本発明は、絶縁体の内孔内において端子電極と中心電
極との間に抵抗体を設け、この抵抗体の一端と端子電極
との間、および抵抗体の他端と中心電極との間に各々導
電ガラス体を設け、 上記抵抗体をガラス粉末、電気絶縁性セラミック粉
末、およびガラス粉末とセラミック粉末との合計100重
量%に対し、0.1〜2.5重量%のカーボンブラックの焼結
体により構成し、上記ガラス粉末を、粒径177μ・m〜8
40μ・mの粗粒ガラスと粒径74μ・m以下の微粒ガラス
とで構成し、かつ上記セラミック粉末を、粒径177μ・
m〜840μ・mの粗粒セラミックと粒径10μ・m以下の
微粒セラミックとで構成することを基本構成とし、上記
セラミック粉末の粗粒セラミックを溶融アルミナの場合
には、 微粒セラミックの密度をxg/cm3とした時、 ガラス粉末とセラミック粉末との合計を100%とした
時のガラス粉末量は重量%で 65.7−7.5x+0.5x2〜82.2−6.1x+0.4x2(重量%) ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で 0.53+0.03x−0.0006x2〜0.72+0.06x−0.0030x2、 セラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比
率で、 0.93−0.20x+0.016x2−1.06−0.10x+0.006x2であ
り、 上記セラミック粉末の粗粒セラミックを溶融シリカの
場合には、 微粒セラミックの密度をxg/cm3とした時、 ガラス粉末とセラミック粉末との合計を100%とした
時のガラス粉末量は重量%で 78.5−9.7x+0.7x2〜90.7−7.0x+0.4x2(重量%), ガラス粉末に占める粗粒ガラスは重量比率で −0.33+0.39x−0.038x2〜0.58+0.09x−0.005x2、 セラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比
率で、 0.75−0.18x+0.015x2〜1.10−0.16x+0.011x2とする
ものである。
極との間に抵抗体を設け、この抵抗体の一端と端子電極
との間、および抵抗体の他端と中心電極との間に各々導
電ガラス体を設け、 上記抵抗体をガラス粉末、電気絶縁性セラミック粉
末、およびガラス粉末とセラミック粉末との合計100重
量%に対し、0.1〜2.5重量%のカーボンブラックの焼結
体により構成し、上記ガラス粉末を、粒径177μ・m〜8
40μ・mの粗粒ガラスと粒径74μ・m以下の微粒ガラス
とで構成し、かつ上記セラミック粉末を、粒径177μ・
m〜840μ・mの粗粒セラミックと粒径10μ・m以下の
微粒セラミックとで構成することを基本構成とし、上記
セラミック粉末の粗粒セラミックを溶融アルミナの場合
には、 微粒セラミックの密度をxg/cm3とした時、 ガラス粉末とセラミック粉末との合計を100%とした
時のガラス粉末量は重量%で 65.7−7.5x+0.5x2〜82.2−6.1x+0.4x2(重量%) ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で 0.53+0.03x−0.0006x2〜0.72+0.06x−0.0030x2、 セラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比
率で、 0.93−0.20x+0.016x2−1.06−0.10x+0.006x2であ
り、 上記セラミック粉末の粗粒セラミックを溶融シリカの
場合には、 微粒セラミックの密度をxg/cm3とした時、 ガラス粉末とセラミック粉末との合計を100%とした
時のガラス粉末量は重量%で 78.5−9.7x+0.7x2〜90.7−7.0x+0.4x2(重量%), ガラス粉末に占める粗粒ガラスは重量比率で −0.33+0.39x−0.038x2〜0.58+0.09x−0.005x2、 セラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比
率で、 0.75−0.18x+0.015x2〜1.10−0.16x+0.011x2とする
ものである。
本発明のごとき数値範囲内にガラス粉末、セラミック
粉末を設定すると、粗粒ガラスと粗粒セラミックとが抵
抗体材料中で隣接しあって混在することになり、点火プ
ラグの製造時に熱処理及びプレス処理した際に、そのプ
レス圧力を粗粒ガラス、粗粒セラミックの粒が連なる方
向に分散、即ち抵抗体材料の全体に分散させることがで
き、このため抵抗体と導電ガラス体との境界面の湾曲化
を抑制できると考えられる。このような作用を達成する
ためには、ガラス粉末の粗粒ガラスは上記熱処理によっ
てもガラス粒形状を維持し形骸化していることが必要で
ある。このためには、上記熱処理温度において溶融しな
いガラスが必要であり、少なくとも粒径177μ・mは必
要である。これは、ガラスの粒径により示差軟化点が第
5図のように異なるという本発明者の実験結果に基づ
く。粒径177μ・mより大きな粗粒ガラスは約900℃の軟
化点を有し、上記熱処理温度の850℃(一般的)では溶
融しない。このように、ガラスの粒径が大きいものは溶
融に至らないまでも、上記熱処理時には粒表面からある
厚さ部分が軟化し、芯部を残した状態にある。このた
め、非常に軟らかく上記プレス処理の圧力で容易に変形
し、上述のごとくプレス圧力を抵抗体材料の全体に分散
できるのである。
粉末を設定すると、粗粒ガラスと粗粒セラミックとが抵
抗体材料中で隣接しあって混在することになり、点火プ
ラグの製造時に熱処理及びプレス処理した際に、そのプ
レス圧力を粗粒ガラス、粗粒セラミックの粒が連なる方
向に分散、即ち抵抗体材料の全体に分散させることがで
き、このため抵抗体と導電ガラス体との境界面の湾曲化
を抑制できると考えられる。このような作用を達成する
ためには、ガラス粉末の粗粒ガラスは上記熱処理によっ
てもガラス粒形状を維持し形骸化していることが必要で
ある。このためには、上記熱処理温度において溶融しな
いガラスが必要であり、少なくとも粒径177μ・mは必
要である。これは、ガラスの粒径により示差軟化点が第
5図のように異なるという本発明者の実験結果に基づ
く。粒径177μ・mより大きな粗粒ガラスは約900℃の軟
化点を有し、上記熱処理温度の850℃(一般的)では溶
融しない。このように、ガラスの粒径が大きいものは溶
融に至らないまでも、上記熱処理時には粒表面からある
厚さ部分が軟化し、芯部を残した状態にある。このた
め、非常に軟らかく上記プレス処理の圧力で容易に変形
し、上述のごとくプレス圧力を抵抗体材料の全体に分散
できるのである。
しかし、上記粗粒セラミックが含まれないと上記プレ
ス圧力で粗粒ガラスが変形し、力の分散伝達がうまく行
われず、プレス圧力方向のみが圧縮され、抵抗体と導電
ガラス体との境界面が湾曲するのである。
ス圧力で粗粒ガラスが変形し、力の分散伝達がうまく行
われず、プレス圧力方向のみが圧縮され、抵抗体と導電
ガラス体との境界面が湾曲するのである。
ガラスの粒径が大きすぎると、粗粒ガラスの粒の隣り
合う間に形成される隙間が大きくなり、後述する微粒ガ
ラスによるその隙間の充填が十分に行えなくなり、負荷
寿命抵抗変化率が大きくなってしまい好ましくない。故
に、粗粒ガラスの粒径の上限値は840μ・mである。な
お、望ましい範囲は250μ・m〜840μ・mである。
合う間に形成される隙間が大きくなり、後述する微粒ガ
ラスによるその隙間の充填が十分に行えなくなり、負荷
寿命抵抗変化率が大きくなってしまい好ましくない。故
に、粗粒ガラスの粒径の上限値は840μ・mである。な
お、望ましい範囲は250μ・m〜840μ・mである。
セラミック粉末の粗粒セラミックの粒径は、粗粒ガラ
スと同じ177μ・m〜840μ・mである。177μ・mを下
回ると、前述の境界面が湾曲する傾向にあり、840μ・
mを上回ると上記粗粒ガラスで述べたのと同様の問題を
生ずる。
スと同じ177μ・m〜840μ・mである。177μ・mを下
回ると、前述の境界面が湾曲する傾向にあり、840μ・
mを上回ると上記粗粒ガラスで述べたのと同様の問題を
生ずる。
次に、ガラス粉末における微粒ガラスは、前記熱処理
で粒形状を残さずに完全に溶融し、プレス処理時に抵抗
体材料中を容易に移動して粗粒ガラスの粒どうしの間の
隙間、粗粒セラミックの粒どうしの間の隙間、あるいは
粗粒ガラスの粒と粗粒セラミックの粒との間の隙間に残
留する空気を追い出してその隙間を充填する作用を果た
す。これにより、抵抗体材料中の残存酸素による通電時
のカーボンの酸化、焼損を低減し、負荷寿命抵抗変化率
の小さい安定した抵抗値を維持できる。
で粒形状を残さずに完全に溶融し、プレス処理時に抵抗
体材料中を容易に移動して粗粒ガラスの粒どうしの間の
隙間、粗粒セラミックの粒どうしの間の隙間、あるいは
粗粒ガラスの粒と粗粒セラミックの粒との間の隙間に残
留する空気を追い出してその隙間を充填する作用を果た
す。これにより、抵抗体材料中の残存酸素による通電時
のカーボンの酸化、焼損を低減し、負荷寿命抵抗変化率
の小さい安定した抵抗値を維持できる。
かような作用を果たすための微粒ガラスの粒径は74μ
・m以下である。この粒径であれば、第5図から軟化点
は835℃であり、850℃の熱処理時にはぼほ完全に溶融し
ている。この微粒ガラスの粒径は74μ・m以下である
が、望ましくは10μ・m〜74μ・mがよい。
・m以下である。この粒径であれば、第5図から軟化点
は835℃であり、850℃の熱処理時にはぼほ完全に溶融し
ている。この微粒ガラスの粒径は74μ・m以下である
が、望ましくは10μ・m〜74μ・mがよい。
次に、セラミック粉末における微粒セラミックは、第
4図(a),(b)のごとく、抵抗体中において後述す
るカーボンブラック61の導電経路を形成するものであ
り、カーボンブラックの粒61は微粒セラミックの粒62の
周囲を取り巻き、隣接した微粒セラミックの粒62どうし
を介してカーボンブラックの粒61どうしが接触する。な
お、第4図(a)のA部を拡大して示す第4図(b)か
らわかるように、カーボンブラックの粒61は微粒セラミ
ックの粒62のみならず、粗粒セラミックの粒63の周り、
粗粒ガラスの粒64の周りをも取り巻くが、カーボンブラ
ックの導電経路の主体を構成するのは、微粒セラミック
の粒62である。なお、65は溶融した微粒ガラスを示す。
また、微粒セラミックの存在によりカーボンブラックの
導電経路が抵抗体の内部に多く存在することになり、抵
抗体内部の残存酸素でカーボンブラックが多少焼失して
も抵抗体全体の抵抗値にはほとんど影響がない。
4図(a),(b)のごとく、抵抗体中において後述す
るカーボンブラック61の導電経路を形成するものであ
り、カーボンブラックの粒61は微粒セラミックの粒62の
周囲を取り巻き、隣接した微粒セラミックの粒62どうし
を介してカーボンブラックの粒61どうしが接触する。な
お、第4図(a)のA部を拡大して示す第4図(b)か
らわかるように、カーボンブラックの粒61は微粒セラミ
ックの粒62のみならず、粗粒セラミックの粒63の周り、
粗粒ガラスの粒64の周りをも取り巻くが、カーボンブラ
ックの導電経路の主体を構成するのは、微粒セラミック
の粒62である。なお、65は溶融した微粒ガラスを示す。
また、微粒セラミックの存在によりカーボンブラックの
導電経路が抵抗体の内部に多く存在することになり、抵
抗体内部の残存酸素でカーボンブラックが多少焼失して
も抵抗体全体の抵抗値にはほとんど影響がない。
このような作用を果たす微粒セラミックの粒径は10μ
・m以下が必要であり、望ましくは入手できる範囲の0.
1μ・m〜10μ・mがよい。
・m以下が必要であり、望ましくは入手できる範囲の0.
1μ・m〜10μ・mがよい。
ガラス粉末中に占める粗粒ガラスの重量比率、セラミ
ック粉末中に占める粗粒セラミックの重量比率、ならび
にガラス粉末とセラミック粉末との混合重量割合は前記
の式で示す範囲でありこの数値範囲とガラス粉末及びセ
ラミック粉末の各粒径範囲とが相俟って、抵抗体と導電
ガラス体との境界面の湾曲化の抑制を達成できるのであ
る。湾曲化した場合の抵抗体の実質的長さは第3図
(a)のl1であり、湾曲化を抑制した場合の抵抗体の実
質的長さは第3図(b)のl2である。
ック粉末中に占める粗粒セラミックの重量比率、ならび
にガラス粉末とセラミック粉末との混合重量割合は前記
の式で示す範囲でありこの数値範囲とガラス粉末及びセ
ラミック粉末の各粒径範囲とが相俟って、抵抗体と導電
ガラス体との境界面の湾曲化の抑制を達成できるのであ
る。湾曲化した場合の抵抗体の実質的長さは第3図
(a)のl1であり、湾曲化を抑制した場合の抵抗体の実
質的長さは第3図(b)のl2である。
なお、カーボンブラックはガラス粉末とセラミック粉
末との合計100%に対し、0.1〜2.5%であるが、これは
抵抗値として、0.1KΩ〜30KΩの値を得るのに必要な量
である。
末との合計100%に対し、0.1〜2.5%であるが、これは
抵抗値として、0.1KΩ〜30KΩの値を得るのに必要な量
である。
以上、説明した通りであって、抵抗体と導電ガラス体
との境界面の湾曲化を、抵抗体材料の選定によって抑制
でき、このため電波雑音抑制効果を向上できる。
との境界面の湾曲化を、抵抗体材料の選定によって抑制
でき、このため電波雑音抑制効果を向上できる。
以下、本発明を具体的実施例により詳細に説明する。
まず、点火プラグの全体構成につき、第1図及び第2
図により説明すると、絶縁体1の中心にはその軸方向に
貫通した内孔8を有している。この内孔8の一端の開口
部には端子電極7が挿入され、他端の開口部には中心電
極4が挿入されている。内孔8内において、端子電極7
と中心電極4との間の中心部分に抵抗体6が配置してあ
り、また、抵抗体6の一端と端子電極7との間には導電
ガラス体5bが配置してあり、更に抵抗体6の他端と中心
電極4との間には導電ガラス体5aが配置してある。これ
ら抵抗体6及び導電ガラス体5a,5bはその材料中のガラ
スを介して内孔8の内壁及び相互に結合しており、また
中心電極4、端子電極7も導電ガラス体5a,5bに結合し
ている。なお、図中2は金属ハウジング、3は接地電極
を示している。抵抗体6の組織を模式的に示すと第4図
(a),(b)のごとくであり、各符号61〜64の説明は
前述したとおりである。
図により説明すると、絶縁体1の中心にはその軸方向に
貫通した内孔8を有している。この内孔8の一端の開口
部には端子電極7が挿入され、他端の開口部には中心電
極4が挿入されている。内孔8内において、端子電極7
と中心電極4との間の中心部分に抵抗体6が配置してあ
り、また、抵抗体6の一端と端子電極7との間には導電
ガラス体5bが配置してあり、更に抵抗体6の他端と中心
電極4との間には導電ガラス体5aが配置してある。これ
ら抵抗体6及び導電ガラス体5a,5bはその材料中のガラ
スを介して内孔8の内壁及び相互に結合しており、また
中心電極4、端子電極7も導電ガラス体5a,5bに結合し
ている。なお、図中2は金属ハウジング、3は接地電極
を示している。抵抗体6の組織を模式的に示すと第4図
(a),(b)のごとくであり、各符号61〜64の説明は
前述したとおりである。
次に、下記に示す方法により点火プラグを製造した。
(抵抗体材料の調整) 74μ・m以下の微粒ガラスと平均粒径(D50)5μ・
mの微粒セラミックとカーボンブラックとを振動ミルに
より混合し、混合物を調整する。この混合物に、177μ
・m〜840μ・mまでの粒径分布にある粒径ガラスと177
μ・m〜840μ・mまでの粒径分布にある粗粒セラミッ
クと撹拌機にて均一に混合する。撹拌後、この混合物を
造粒するために、この混合物1kgに対し、0.65重量%濃
度のカルボキシメチルセルロースの水溶液を60g添加
し、再度十分に混合、撹拌する。こうして得られた抵抗
体材料を乾燥機にて十分乾燥した後、16メッシュ(1000
μ・m)のふるいに通した。
mの微粒セラミックとカーボンブラックとを振動ミルに
より混合し、混合物を調整する。この混合物に、177μ
・m〜840μ・mまでの粒径分布にある粒径ガラスと177
μ・m〜840μ・mまでの粒径分布にある粗粒セラミッ
クと撹拌機にて均一に混合する。撹拌後、この混合物を
造粒するために、この混合物1kgに対し、0.65重量%濃
度のカルボキシメチルセルロースの水溶液を60g添加
し、再度十分に混合、撹拌する。こうして得られた抵抗
体材料を乾燥機にて十分乾燥した後、16メッシュ(1000
μ・m)のふるいに通した。
なお、微粒、粗粒ガラス、粗粒セラミックの粒径分布
は次の表2〜表5のようである。
は次の表2〜表5のようである。
また、上記ガラス粉末は次の表6の組成のものを用い
た。
た。
次に、導電ガラス体材料の調整を行った。銅粉末50重
量%とホウケイ酸ガラス50重量%とを十分に混合して調
整した。
量%とホウケイ酸ガラス50重量%とを十分に混合して調
整した。
(組 立) 絶縁体の内孔(直径4.8mm)の下端に中心電極を挿入
し、上記導電ガラス体材料約0.3gを絶縁体の内孔内に入
れて約70kgのプレス圧力をこの材料に加え、その材料の
表面を平坦にした。次に、この材料上に、約181mm3の体
積相当分の重量に調整された上記抵抗体材料を充填し、
上記のプレス圧力によりこの材料の表面を平坦にした。
その後、この抵抗体材料の上に上記導電ガラス体材料を
約0.3g充填した。
し、上記導電ガラス体材料約0.3gを絶縁体の内孔内に入
れて約70kgのプレス圧力をこの材料に加え、その材料の
表面を平坦にした。次に、この材料上に、約181mm3の体
積相当分の重量に調整された上記抵抗体材料を充填し、
上記のプレス圧力によりこの材料の表面を平坦にした。
その後、この抵抗体材料の上に上記導電ガラス体材料を
約0.3g充填した。
次いで、端子電極を絶縁体の内孔内の上端に挿入後、
全体を約850℃に保持された電気炉中に約30分間放置す
る。その後、炉中より絶縁体を取り出し、約70kg/cm2の
圧力を端子電極に加えた。絶縁体を冷却後、その外周囲
に接地電極を有したハウジングを固定する。
全体を約850℃に保持された電気炉中に約30分間放置す
る。その後、炉中より絶縁体を取り出し、約70kg/cm2の
圧力を端子電極に加えた。絶縁体を冷却後、その外周囲
に接地電極を有したハウジングを固定する。
(評価試験) 第6図に示した評価装置により上記組立器の雑音電界
強度を測定した。測定周波数、30,90,180,300,500,800,
1000MHzにつき、点火プラグの火花放電時の雑音電界強
度を60sec測定し、その最大値を評価した。なお、第6
図中、9は試験プラグ、10は5KΩのプラグコード、11は
点火コイル、12は高周波電流測定用プローブ、13は電界
強度計、14は絶縁板、15は電源を示す。
強度を測定した。測定周波数、30,90,180,300,500,800,
1000MHzにつき、点火プラグの火花放電時の雑音電界強
度を60sec測定し、その最大値を評価した。なお、第6
図中、9は試験プラグ、10は5KΩのプラグコード、11は
点火コイル、12は高周波電流測定用プローブ、13は電界
強度計、14は絶縁板、15は電源を示す。
(評 価) 以上説明した材料の調整及び組立に基づいて点火プラ
グを作り、かつ上記評価試験を行った場合において、粗
粒セラミック、微粒セラミックの種類、ガラス粉末とセ
ラミック粉末との混合割合、ガラス粉末中に占める粗粒
ガラスの比率、セラミック粉末中に占める粗粒セラミッ
クの比率、及びカーボンブラックの割合によって、点火
プラグの抵抗体の抵抗値、雑音電界強度がどのように変
わるかをみた。その結果を表7の1〜表16に示す。
グを作り、かつ上記評価試験を行った場合において、粗
粒セラミック、微粒セラミックの種類、ガラス粉末とセ
ラミック粉末との混合割合、ガラス粉末中に占める粗粒
ガラスの比率、セラミック粉末中に占める粗粒セラミッ
クの比率、及びカーボンブラックの割合によって、点火
プラグの抵抗体の抵抗値、雑音電界強度がどのように変
わるかをみた。その結果を表7の1〜表16に示す。
表7の1及び表7の2を代表して説明すると、No.1〜
No.34は実施例を、No.35〜No.40は比較例を示す。ここ
で、No.15の実施例とNo.38の比較例との雑音電界強度の
測定結果を示すと第7図のごとくであり、図中AがNo.3
8、BがNo.15であって、実施例のものは測定した前述の
7周波に亘ってほぼ平行的に雑音電界強度が低減してお
り、大きな電波雑音抑制効果が認められた。なお、表7
の1及び表7の2のNo1〜No.33の実施例は、すべて測定
7周波に亘ってほぼ平行的に雑音電界強度が低減し、電
波雑音抑制効果が認められたことから、表7の1,7の2
には測定周波数90MHzの雑音電界強度を示してある。表
7の1,7の2のNo.34〜No.40も90MHzの雑音電界強度を示
してあり、また表8の1〜表16の2のNo.1〜No.40も90M
Hzの雑音電界強度を示してある。
No.34は実施例を、No.35〜No.40は比較例を示す。ここ
で、No.15の実施例とNo.38の比較例との雑音電界強度の
測定結果を示すと第7図のごとくであり、図中AがNo.3
8、BがNo.15であって、実施例のものは測定した前述の
7周波に亘ってほぼ平行的に雑音電界強度が低減してお
り、大きな電波雑音抑制効果が認められた。なお、表7
の1及び表7の2のNo1〜No.33の実施例は、すべて測定
7周波に亘ってほぼ平行的に雑音電界強度が低減し、電
波雑音抑制効果が認められたことから、表7の1,7の2
には測定周波数90MHzの雑音電界強度を示してある。表
7の1,7の2のNo.34〜No.40も90MHzの雑音電界強度を示
してあり、また表8の1〜表16の2のNo.1〜No.40も90M
Hzの雑音電界強度を示してある。
ここで、No.35は、カーボンブラックが2.5wt%以上添
加されており、No.34と比べて急激に雑音電界強度が低
下してしまった。一方、No.36〜No.40は、抵抗体と導電
ガラス体との境界面がひどく湾曲しているため実質的な
抵抗値が不足している。
加されており、No.34と比べて急激に雑音電界強度が低
下してしまった。一方、No.36〜No.40は、抵抗体と導電
ガラス体との境界面がひどく湾曲しているため実質的な
抵抗値が不足している。
そこで、No.7とNo.38との抵抗体部分の断面を模式的
に表したのが第8図である。
に表したのが第8図である。
この第8図から理解されるごとく、No.7のもの(A)
は抵抗体6と導電ガラス体5a,5bとの境界面は平坦化し
ているのに対し、No.38のもの(B)は境界面が湾曲し
ている。
は抵抗体6と導電ガラス体5a,5bとの境界面は平坦化し
ているのに対し、No.38のもの(B)は境界面が湾曲し
ている。
次に、No.11,16,26の抵抗体部分の断面をみたのが第
9図である。No.11のもの(A)は第8図のNo.7(A)
とほとんど変わらない。No.16のもの(B)は抵抗体6
とその下部の導電ガラス体5aとの境界面はほぼ平坦とな
っているが、上部の導電ガラス体5bと抵抗体6との境界
面は若干湾曲している。しかし、第8図のNo.38のもの
(B)に比べればその度合は小さい。No.26のもの
(C)はNo.16のもの(B)に比べると上部の導電ガラ
ス体5bと抵抗体6との境界面はやや湾曲しているが、第
8図のNo.38(B)に比べれば湾曲度合が小さいし、下
部の導電ガラス体5aと抵抗体6との境界面は平坦に近
い。このように、上下のいずれか一方の導電ガラス体と
抵抗体との境界面が平坦で、他方がやや湾曲していても
抵抗体の実質的長さは、両方の境界面が湾曲している場
合に比べれば長いことが理解される。
9図である。No.11のもの(A)は第8図のNo.7(A)
とほとんど変わらない。No.16のもの(B)は抵抗体6
とその下部の導電ガラス体5aとの境界面はほぼ平坦とな
っているが、上部の導電ガラス体5bと抵抗体6との境界
面は若干湾曲している。しかし、第8図のNo.38のもの
(B)に比べればその度合は小さい。No.26のもの
(C)はNo.16のもの(B)に比べると上部の導電ガラ
ス体5bと抵抗体6との境界面はやや湾曲しているが、第
8図のNo.38(B)に比べれば湾曲度合が小さいし、下
部の導電ガラス体5aと抵抗体6との境界面は平坦に近
い。このように、上下のいずれか一方の導電ガラス体と
抵抗体との境界面が平坦で、他方がやや湾曲していても
抵抗体の実質的長さは、両方の境界面が湾曲している場
合に比べれば長いことが理解される。
なお、表7の1〜表16の2においては、前記表1の抵
抗体材料のガラス粉末、及びセラミック粉末の混合割合
の上限、下限、及び粗粒ガラスの構成比率、粗粒セラミ
ックの構成比率の上限、下限が示してあり、その上限、
下限を逸脱する値は示してないが、この上限を逸脱する
と、電波雑音抑制効果は大なるものの、負荷寿命抵抗変
化率が初期抵抗値に比べて±30%を越え、実用に適しな
いし、下限を逸脱すると電波雑音抑制効果が全くない
し、上記負荷寿命抵抗変化率が著しく増大し、やはり実
用に適しないことを確認している。
抗体材料のガラス粉末、及びセラミック粉末の混合割合
の上限、下限、及び粗粒ガラスの構成比率、粗粒セラミ
ックの構成比率の上限、下限が示してあり、その上限、
下限を逸脱する値は示してないが、この上限を逸脱する
と、電波雑音抑制効果は大なるものの、負荷寿命抵抗変
化率が初期抵抗値に比べて±30%を越え、実用に適しな
いし、下限を逸脱すると電波雑音抑制効果が全くない
し、上記負荷寿命抵抗変化率が著しく増大し、やはり実
用に適しないことを確認している。
また、前記(抵抗体材料の調整)の項において、微粒
セラミックは平均粒径(D50)5μ・mのものを用いた
が、10μ・m以下の粒径のものを用いても表7の1〜表
16の2の結果はほとんど変わらないことを確認している
し、また、ガラス粉末も前記表6の組成に限らず、ホウ
酸バリウム、ホウケイ酸バリウム系ガラスでもよいこと
を確認している。
セラミックは平均粒径(D50)5μ・mのものを用いた
が、10μ・m以下の粒径のものを用いても表7の1〜表
16の2の結果はほとんど変わらないことを確認している
し、また、ガラス粉末も前記表6の組成に限らず、ホウ
酸バリウム、ホウケイ酸バリウム系ガラスでもよいこと
を確認している。
以上の結果を第10図(a)乃至(c)および第11図
(a)乃至(c)に示す。
(a)乃至(c)に示す。
第10図(a)乃至(c)は粗粒セラミックとして粗粒
溶融アルミナを採用した時であり、横軸を微粒セラミッ
クの密度(g/cm3)で示し、縦軸を第10図(a)ではガ
ラス粉末量(重量%)、第10図(b)ではガラス粗粒物
構成比率および第10図(c)ではセラミック粗粒物構成
比率としている。
溶融アルミナを採用した時であり、横軸を微粒セラミッ
クの密度(g/cm3)で示し、縦軸を第10図(a)ではガ
ラス粉末量(重量%)、第10図(b)ではガラス粗粒物
構成比率および第10図(c)ではセラミック粗粒物構成
比率としている。
第10図(a)乃至(c)より明らかなように、微粒セ
ラミックの密度をx(g/cm3)とした場合、 ガラス粉末とセラミック粉末との合計を100%とした
時のガラス粉末量は重量%で 6.57−7.5x+0.5x2((ア)の線に相当、以下同一)
〜82.2−6.1x+0.4x2(イ)(重量%) ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で、 0.53+0.03x−0.0006x2(ウ)〜0.72+0.06x−0.0030
x2(エ)、 セラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比
率で、 0.93−0.20x+0.016x2(オ)〜1.06−0.10x+0.006x2
(カ)である ことを容易に導くことができる。
ラミックの密度をx(g/cm3)とした場合、 ガラス粉末とセラミック粉末との合計を100%とした
時のガラス粉末量は重量%で 6.57−7.5x+0.5x2((ア)の線に相当、以下同一)
〜82.2−6.1x+0.4x2(イ)(重量%) ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で、 0.53+0.03x−0.0006x2(ウ)〜0.72+0.06x−0.0030
x2(エ)、 セラミック粉末中に占める粗粒溶融アルミナは重量比
率で、 0.93−0.20x+0.016x2(オ)〜1.06−0.10x+0.006x2
(カ)である ことを容易に導くことができる。
さらに、第11図(a)乃至(c)では、粗粒セラミッ
クとして粗粒溶融シリカを採用した時であり、横軸及び
縦軸は第10図(a)乃至(c)と同一とした。
クとして粗粒溶融シリカを採用した時であり、横軸及び
縦軸は第10図(a)乃至(c)と同一とした。
第11図(a)乃至(c)からでもまた明らかなよう
に、微粒セラミックの密度をxg/cm3とした時、 ガラス粉末とセラミック粉末との合計を100%とした
時のガラス粉末量は重量%で 78.5−9.7x+0.7x2(キ)〜90.7−7.0x−0.4x2(ク)
(重量%) ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で、 −0.33+0.39x−0.038x2(ケ)〜0.58+0.09x−0.005
x2(コ) セラミック粉末中に占める粗粒溶融シリカは重量比率
で、 0.75−0.18x−0.015x2(サ)〜1.10−0.16x+0.011x2
(シ)である。
に、微粒セラミックの密度をxg/cm3とした時、 ガラス粉末とセラミック粉末との合計を100%とした
時のガラス粉末量は重量%で 78.5−9.7x+0.7x2(キ)〜90.7−7.0x−0.4x2(ク)
(重量%) ガラス粉末中に占める粗粒ガラスは重量比率で、 −0.33+0.39x−0.038x2(ケ)〜0.58+0.09x−0.005
x2(コ) セラミック粉末中に占める粗粒溶融シリカは重量比率
で、 0.75−0.18x−0.015x2(サ)〜1.10−0.16x+0.011x2
(シ)である。
ことが容易に導くことができる。
(他の実施例) 先の実施例に用いた微量セラミック以外として本実施
例では、ムライト(密度x=3.1g/cm3、以下同様)、チ
タニアx=4.2g/cm3、酸化クロムx=5.2g/cm3について
評価を行った。なお、他の条件は前述の抵抗体材料の調
整と同一とし、かつガラス粉末量、粗粒ガラスの重量比
率、粗粒溶融アルミナ重量比率の最適値を求めた。
例では、ムライト(密度x=3.1g/cm3、以下同様)、チ
タニアx=4.2g/cm3、酸化クロムx=5.2g/cm3について
評価を行った。なお、他の条件は前述の抵抗体材料の調
整と同一とし、かつガラス粉末量、粗粒ガラスの重量比
率、粗粒溶融アルミナ重量比率の最適値を求めた。
その結果を第17表に示す。
第17表には、本実施例の結果とともに、前記実施例に
よって求めた(ア)〜(シ)式によって求めた数値を記
載した。
よって求めた(ア)〜(シ)式によって求めた数値を記
載した。
第17表より明らかなように、前記実施例において求め
た(ア)〜(シ)式は、本実施例のガラス粉末量等の最
適値を十分満足することがわかった。
た(ア)〜(シ)式は、本実施例のガラス粉末量等の最
適値を十分満足することがわかった。
第1図は本発明点火プラグの一実施例を示す断面図、第
2図は第1図の抵抗体及び導電ガラス体を拡大して示す
拡大図、第3図(a),(b)は抵抗体の実質的長さを
説明する抵抗体の断面図、第4図(a),(b)は第2
図の抵抗体の組織図を示し、第4図(b)は第4図
(a)のA部拡大図、第5図は本発明におけるガラス粉
末の粒径と示差熱分析軟化点との関係を示す特性図、第
6図は本発明の説明に供する評価試験装置を示す斜視
図、第7図は本発明の説明に供する特性図、第8図及び
第9図は本発明の説明に供する、抵抗体及び導電ガラス
体を示す断面図、第10図は粗粒セラミックに溶融アルミ
ナを用いた抵抗体の特性を示す特性図、第11図は粗粒セ
ラミックに溶融シリカを用いた抵抗体の特性を示す特性
図である。 1……絶縁体,4……中心電極,5a,5b……導電ガラス体,6
……抵抗体,7……端子電極,8……内孔。
2図は第1図の抵抗体及び導電ガラス体を拡大して示す
拡大図、第3図(a),(b)は抵抗体の実質的長さを
説明する抵抗体の断面図、第4図(a),(b)は第2
図の抵抗体の組織図を示し、第4図(b)は第4図
(a)のA部拡大図、第5図は本発明におけるガラス粉
末の粒径と示差熱分析軟化点との関係を示す特性図、第
6図は本発明の説明に供する評価試験装置を示す斜視
図、第7図は本発明の説明に供する特性図、第8図及び
第9図は本発明の説明に供する、抵抗体及び導電ガラス
体を示す断面図、第10図は粗粒セラミックに溶融アルミ
ナを用いた抵抗体の特性を示す特性図、第11図は粗粒セ
ラミックに溶融シリカを用いた抵抗体の特性を示す特性
図である。 1……絶縁体,4……中心電極,5a,5b……導電ガラス体,6
……抵抗体,7……端子電極,8……内孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−104580(JP,A) 特開 昭57−105988(JP,A) 特開 昭59−167984(JP,A) 特開 昭60−150602(JP,A) 特開 昭50−27984(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01T 13/20 H01C 7/00
Claims (13)
- 【請求項1】軸方向に貫通した内孔を有した絶縁体と、 該絶縁体の前記内孔の一端の開口部に挿入し、固定され
た端子電極と、前記絶縁体の前記内孔の他端の開口部に
挿入、固定された中心電極と、前記絶縁体の前記内孔内
であって、前記端子電極と前記中心電極との間に設けら
れた抵抗体と、該抵抗体の一端と前記端子電極との間、
および前記抵抗体の他端と前記中心電極との間に設けら
れた導電ガラス体とを有した点火プラグにおいて、 前記抵抗体は、 ガラス粉末と、 電気絶縁性セラミック粉末と、 および前記ガラス粉末と前記セラミック粉末との合計10
0%に対し0.1〜2.5%のカーボンブラックと、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融アルミナと、粒径10μ・m以下の粒径セラミック
とから成り、 この微粒セラミックの密度をxg/cm3とした場合、 前記ガラス粉末と前記セラミック粉末との合計を100%
とした時の前記ガラス粉末量は重量%で 65.7−7.5x+0.5x2〜82.2−6.1x+0.4x2(重量%)、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で 0.53+0.03x−0.0006x2〜0.72+0.06x−0.0030x2、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナは
重量比率で 0.93−0.20x+0.016x2〜1.06−0.10x+0.006x2である ことを特徴とする点火プラグ。 - 【請求項2】軸方向に貫通した内孔を有した絶縁体と、 該絶縁体の前記内孔の一端の開口部に挿入し、固定され
た端子電極と、前記絶縁体の前記内孔の他端の開口部に
挿入、固定された中心電極と、前記絶縁体の前記内孔内
であって、前記端子電極と前記中心電極との間に設けら
れた抵抗体と、該抵抗体の一端と前記端子電極との間、
および前記抵抗体の他端と前記中心電極との間に設けら
れた導電ガラス体とを有した点火プラグにおいて、 前記抵抗体は、 ガラス粉末46.8〜66.5%(重量%で以下同じ)、 電気絶縁性セラミック粉末53.2〜33.5%、 およびこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計10
0%に対し、0.1〜2.5%のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融アルミナと、粒径10μ・m以下の微粒窒化珪素と
から成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
0.63〜0.89であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナは
重量比率で0.43〜0.81である ことを特徴とする請求項(1)記載の点火プラグ。 - 【請求項3】前記抵抗体は、 ガラス粉末40.0〜60.0%、 電気絶縁性セラミック粉末60.0〜40.0%、およびこのガ
ラス粉末と前記電気絶縁性セラミック粉末との合計100
%に対し、0.1〜2.5%のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融アルミナと、粒径10μ・m以下の微粒ジルコニア
とから成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
0.70〜0.99であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナは
重量比率で0.30〜0.70である ことを特徴とする請求項(1)記載の点火プラグ。 - 【請求項4】前記抵抗体は、 ガラス粉末44.0〜64.0%、 電気絶縁性セラミック粉末56.0〜36.0%、 および、このガラス粉末と前記電気絶縁性セラミック粉
末との合計100%に対し、0.1〜2.5%のカーボンブラッ
ク、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融アルミナと、 粒径10μ・m以下の微粒アルミナとから成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
0.65〜0.92であり、 前記電気絶縁性セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融
アルミナは重量比率で0.38〜0.77であることを特徴とす
る請求項(1)記載の点火プラグ。 - 【請求項5】前記抵抗体は、 ガラス粉末42.8〜62.7%、 電気絶縁性セラミック粉末57.2〜37.3%、 およびこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計10
0に対し、0.1〜2.5%のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融アルミナと、粒径10μ・m以下の微粒ジルコンと
から成り、前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは
重量比率で0.67〜0.95であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナの
重量比率は0.35〜0.74である ことを特徴とする請求項(1)記載の点火プラグ。 - 【請求項6】前記抵抗体は、 ガラス粉末50.0〜69.2%、 電気絶縁性セラミック粉末50.0〜30.8%、およびこのガ
ラス粉末と前記セラミック粉末との合計100%に対し0.1
〜2.5%のカーボンブラック、の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融アルミナと、粒径10μ・m以下の微粒シリカとか
ら成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
0.61〜0.86であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融アルミナは
重量比率で0.52〜0.85である ことを特徴とする請求項(1)記載の点火プラグ。 - 【請求項7】軸方向に貫通した内孔を有した絶縁体と、 該絶縁体の前記内孔の一端の開口部に挿入、固定された
端子電極と、前記絶縁体の前記内孔の他端の開口部に挿
入、固定された中心電極と、前記絶縁体の前記内孔内で
あって、前記端子電極と前記中心電極との間に設けられ
た抵抗体と、該抵抗体の一端と前記端子電極との間、お
よび前記抵抗体の他端と前記中心電極との間に設けられ
た導電ガラス体とを有した点火プラグにおいて、 前記抵抗体は、 ガラス粉末と、 電気絶縁性セラミック粉末と、 および前記ガラス粉末と前記セラミック粉末との合計10
0%に対し、0.1〜2.5%のカーボンブラックと、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融シリカと、粒径10μ・m以下の微粒セラミックと
から成り、 この微粒セラミックの密度をxg/cm3とした場合、 前記ガラス粉末と前記セラミック粉末との合計を100%
とした時の前記ガラス粉末量は重量%で 78.5−9.7x+0.7x2〜90.7−7.0x+0.4x2(重量%)、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で −0.33+0.39x−0.038x2〜0.58+0.09x−0.005x2、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは重
量比率で 0.75−0.18x+0.015x2〜1.10−0.16x+0.11x2である ことを特徴とする点火プラグ。 - 【請求項8】前記抵抗体は、 ガラス粉末53.9〜72.6%、 電気絶縁性セラミック粉末46.1〜27.4%、 およびこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計10
0%に対し、0.1〜2.5%のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融シリカと、粒径10μ・m以下の微粒窒化珪素とか
ら成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
0.58〜0.82%であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは重
量比率で0.30〜0.71である ことを特徴とする請求項(7)記載の点火プラグ。 - 【請求項9】前記抵抗体は、 ガラス粉末45.1〜64.9%、電気絶縁性セラミック粉末5
4.9〜35.1%、 およびこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計10
0%に対し、0.1〜2.5%のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融シリカと、粒径10μ・m以下のジルコニアとから
成り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
0.65〜0.92であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは重
量比率で0.20〜0.57である ことを特徴とする請求項(7)記載の点火プラグ。 - 【請求項10】前記抵抗体は、 ガラス粉末50.4〜69.7%、 電気絶縁性セラミック粉末49.6〜30.3%、 およびこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計10
0%に対し0.1〜2.5%のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融シリカと、粒径10μ・m以下のアルミナとから成
り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
0.60〜0.85であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは重
量比率で0.23〜0.65である ことを特徴とする請求項(7)記載の点火プラグ。 - 【請求項11】前記抵抗体は、 ガラス粉末48.8〜68.2%、 電気絶縁性セラミック粉末51.2〜31.8%、 およびこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計10
0%に対し、0.1〜2.5%のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融シリカと、粒径10μ・m以下のジルコンとから成
り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
0.62〜0.87であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは重
量比率で0.24〜0.62である ことを特徴とする請求項(7)記載の点火プラグ。 - 【請求項12】前記抵抗体は、 ガラス粉末58.2〜75.8%、 電気絶縁性セラミック粉末41.8〜24.2%、 およびこのガラス粉末と前記セラミック粉末との合計10
0%に対し0.1〜2.5%のカーボンブラック、 の焼結体より成り、 前記ガラス粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗粒ガ
ラスと、粒径74μ・m以下の微粒ガラスとから成り、 前記セラミック粉末は、粒径177μ・m〜840μ・mの粗
粒溶融シリカと、粒径10μ・m以下のシリカとから成
り、 前記ガラス粉末中に占める前記粗粒ガラスは重量比率で
0.39〜0.77であり、 前記セラミック粉末中に占める前記粗粒溶融シリカは、
重量比率で0.39〜0.77である ことを特徴とする請求項(7)記載の点火プラグ。 - 【請求項13】前記ガラス粉末の前記粗粒ガラスは250
μ・m〜840μ・mの粒径に選定され、前記微粒ガラス
は10μ・m〜74μ・mの粒径に選定され、前記セラミッ
ク粉末の前記微粒セラミックは0.1μ・m〜10μ・mの
粒径に選定されていることを特徴とする請求項(1)〜
(12)のいずれか1つに記載の点火プラグ。
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