JPH02125629A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02125629A JPH02125629A JP27976488A JP27976488A JPH02125629A JP H02125629 A JPH02125629 A JP H02125629A JP 27976488 A JP27976488 A JP 27976488A JP 27976488 A JP27976488 A JP 27976488A JP H02125629 A JPH02125629 A JP H02125629A
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- thermoplastic resin
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型半導体装置
に関する。
に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は第４図に示すように、鉄
系又は銅系の合金から成るリードフレーム３１に、半導
体素子１２を銀ペースト等のろう材により固着し、次い
で、金等のボンディングワイヤー１３により半導体素子
１２の電極端子とリードフレーム３１とを電気的に接続
した後、モールド樹脂１４により封止し、外部のリード
を加工成形して製造されていた。
系又は銅系の合金から成るリードフレーム３１に、半導
体素子１２を銀ペースト等のろう材により固着し、次い
で、金等のボンディングワイヤー１３により半導体素子
１２の電極端子とリードフレーム３１とを電気的に接続
した後、モールド樹脂１４により封止し、外部のリード
を加工成形して製造されていた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、金属板をプレ
ス方式やエツチング方式で加工したリードフレームを用
いているため、リード数が増えて微細な加工を行なった
場合に、内部又は外部のリードが変形しやすくなるとい
う欠点がある。リードの変形は、組立歩留の低下やプリ
ント基板へ実装する際の半田付不良を生じやすく、超多
ピンタイプの樹脂封止型半導体装置を開発する上で大き
な支障をきたすという欠点がある。
ス方式やエツチング方式で加工したリードフレームを用
いているため、リード数が増えて微細な加工を行なった
場合に、内部又は外部のリードが変形しやすくなるとい
う欠点がある。リードの変形は、組立歩留の低下やプリ
ント基板へ実装する際の半田付不良を生じやすく、超多
ピンタイプの樹脂封止型半導体装置を開発する上で大き
な支障をきたすという欠点がある。
本発明の目的は、外部リードの変形がなく、組立歩留が
高く、プリント基板へ実装する際の半田付不良がなく、
超多ビン化へ対応できる樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
高く、プリント基板へ実装する際の半田付不良がなく、
超多ビン化へ対応できる樹脂封止型半導体装置を提供す
ることにある。
本発明は、複数の内部リードと外部リードとを有する樹
脂封止型半導体装置において、熱可塑性樹脂絶縁基板上
に金属薄膜のリードパターンを形成し、前記熱可塑性樹
脂絶縁基板上に半導体素子を載置し、前記金属薄膜のリ
ードと前記半導体素子の電極端子とが結線されている。
脂封止型半導体装置において、熱可塑性樹脂絶縁基板上
に金属薄膜のリードパターンを形成し、前記熱可塑性樹
脂絶縁基板上に半導体素子を載置し、前記金属薄膜のリ
ードと前記半導体素子の電極端子とが結線されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第１
の実施例の製造工程途中のモールド樹脂封止後の平面図
である。
の実施例の製造工程途中のモールド樹脂封止後の平面図
である。
第２図において、熱可塑性樹脂絶縁基板ｌｌ上には金属
配線層１５のパターンが形成されており、半導体素子１
２と外部との電気的接続をとる役目を果たす。外部リー
ド部の加工は熱可塑性樹脂を用いているため、軟化する
程度に加熱して曲げ加工をすれば容易に形状を変えるこ
とができ、第１図の如き形状を得ることができる。また
、外部リード部は一体構造となっている次め、変形の心
配もなく、プリント基板への半田付けの歩留を飛躍的に
向上させることができる。
配線層１５のパターンが形成されており、半導体素子１
２と外部との電気的接続をとる役目を果たす。外部リー
ド部の加工は熱可塑性樹脂を用いているため、軟化する
程度に加熱して曲げ加工をすれば容易に形状を変えるこ
とができ、第１図の如き形状を得ることができる。また
、外部リード部は一体構造となっている次め、変形の心
配もなく、プリント基板への半田付けの歩留を飛躍的に
向上させることができる。
ここで熱可塑性樹脂絶縁基板１１の材質としてはガラス
繊維等で強化したＰＰＳ （ポリフェニレンサルファイ
ド）樹月旨やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート樹脂
等が適しているが限定されるものではない。捷た金属配
線層１５は、銅等の金属をうずネート又はめっき等によ
シ熱可塑性樹脂絶縁基板ｌｌ上に形成する。その厚さは
数十μｍで充分である。その後、ホトエ、テング法等に
よりパターンを形成すればよく薄膜である九め微細加工
が容易であることから、超多ピンパッケージ用として適
している。なお、ボンディングを行なうために１予め金
や鎖環の部分めっき層を金属配線層１５上に設けておく
とよい。
繊維等で強化したＰＰＳ （ポリフェニレンサルファイ
ド）樹月旨やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート樹脂
等が適しているが限定されるものではない。捷た金属配
線層１５は、銅等の金属をうずネート又はめっき等によ
シ熱可塑性樹脂絶縁基板ｌｌ上に形成する。その厚さは
数十μｍで充分である。その後、ホトエ、テング法等に
よりパターンを形成すればよく薄膜である九め微細加工
が容易であることから、超多ピンパッケージ用として適
している。なお、ボンディングを行なうために１予め金
や鎖環の部分めっき層を金属配線層１５上に設けておく
とよい。
第３図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第２の実施例では、熱可塑性樹脂絶縁基板２１にスルー
ホール部２６を設け、金属配線層２５を表面から裏面側
に移行させている。従って、本方式を用いれば熱可塑性
樹脂絶縁基板２１の表裏両面に金属配線層２５を形成す
ることが可能となり、より多ビンのパッケージを製作す
るのに有利となる。
ホール部２６を設け、金属配線層２５を表面から裏面側
に移行させている。従って、本方式を用いれば熱可塑性
樹脂絶縁基板２１の表裏両面に金属配線層２５を形成す
ることが可能となり、より多ビンのパッケージを製作す
るのに有利となる。
以上説明したように本発明は、熱可塑性樹脂絶縁基板上
に金属配線層を設け、樹脂封止部の内部及び外部のリー
ドとすることで、微細配線加工が容易となシ、超多ピン
化への対応がとれる効果がある。
に金属配線層を設け、樹脂封止部の内部及び外部のリー
ドとすることで、微細配線加工が容易となシ、超多ピン
化への対応がとれる効果がある。
また、熱可塑性樹脂絶縁基板及びその上に形成された金
属配線層を加熱加工により一体成形し、外部リードとす
ることで、リードの変形を皆無にでき、半田付の歩留を
飛躍的に高められる効果も有する。
属配線層を加熱加工により一体成形し、外部リードとす
ることで、リードの変形を皆無にでき、半田付の歩留を
飛躍的に高められる効果も有する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第１
の実施例の製造工程途中のモールド樹脂封止後の平面図
、第３図は本発明の第２の実施例の断面図、第４図は従
来の半導体装置の一例の断面図である。 １１．２１・・・・・・熱可塑性樹脂絶縁基板、１２・
・・・・・半導体素子、１３・・・甲ボンディングワイ
ヤー１４・・・・・・モールド樹脂、１５．２５・・・
・・・金属配線層、２６°゛°°゛スル一ホール部、３
１・・・・・・リードフレーム。 矛 ｌ ■ 茅 図 茅 圀 茅 苧 図
の実施例の製造工程途中のモールド樹脂封止後の平面図
、第３図は本発明の第２の実施例の断面図、第４図は従
来の半導体装置の一例の断面図である。 １１．２１・・・・・・熱可塑性樹脂絶縁基板、１２・
・・・・・半導体素子、１３・・・甲ボンディングワイ
ヤー１４・・・・・・モールド樹脂、１５．２５・・・
・・・金属配線層、２６°゛°°゛スル一ホール部、３
１・・・・・・リードフレーム。 矛 ｌ ■ 茅 図 茅 圀 茅 苧 図
Claims (1)
- 複数の内部リードと外部リードとを有する樹脂封止型半
導体装置において、熱可塑性樹脂絶縁基板上に金属薄膜
のリードパターンを形成し、前記熱可塑性樹脂絶縁基板
上に半導体素子を載置し、前記金属薄膜のリードと前記
半導体素子の電極端子とを結線したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27976488A JPH06101488B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27976488A JPH06101488B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125629A true JPH02125629A (ja) | 1990-05-14 |
| JPH06101488B2 JPH06101488B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=17615578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27976488A Expired - Fee Related JPH06101488B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101488B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5412157A (en) * | 1992-07-17 | 1995-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP27976488A patent/JPH06101488B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5412157A (en) * | 1992-07-17 | 1995-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101488B2 (ja) | 1994-12-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |