JPH02124758A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH02124758A JPH02124758A JP63278650A JP27865088A JPH02124758A JP H02124758 A JPH02124758 A JP H02124758A JP 63278650 A JP63278650 A JP 63278650A JP 27865088 A JP27865088 A JP 27865088A JP H02124758 A JPH02124758 A JP H02124758A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、磁気浮上列車、核融合炉、単結晶弓上装置、
磁気分離装置、医療装置、磁気推進船等に用いられる超
電導マグネットコイル、電力輸送用飼料、ノヨセフソン
素子などの超電導素子、磁気シールド材等に使用される
酸化物超電導体の製造方法に関するものである。
磁気分離装置、医療装置、磁気推進船等に用いられる超
電導マグネットコイル、電力輸送用飼料、ノヨセフソン
素子などの超電導素子、磁気シールド材等に使用される
酸化物超電導体の製造方法に関するものである。
「従来の技術」
最適に至り、常電導状態から超電導状態へ遷移ずろ臨界
温度（Ｔｃ）が液体窒素温度を超える値を示す酸化物超
電導体が種々発見されている。この種の酸化物超電導体
は、一般式Ａ −Ｂ −Ｃｕ−０（たたしΔは、Ｙ、Ｓ
ｃ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｄｙ等の周期律表
ＩＩＩａ族元素の１種以上またはＢｉなどの周期率表Ｖ
ｂ族元素の１種以上またはＴｌなどの周期率表ＩＩＩｂ
族元素の１種以上を示し、Ｂは、Ｍｇ、Ｃａ。
温度（Ｔｃ）が液体窒素温度を超える値を示す酸化物超
電導体が種々発見されている。この種の酸化物超電導体
は、一般式Ａ −Ｂ −Ｃｕ−０（たたしΔは、Ｙ、Ｓ
ｃ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｄｙ等の周期律表
ＩＩＩａ族元素の１種以上またはＢｉなどの周期率表Ｖ
ｂ族元素の１種以上またはＴｌなどの周期率表ＩＩＩｂ
族元素の１種以上を示し、Ｂは、Ｍｇ、Ｃａ。
Ｓｒ、Ｂａ等の周期律表ＩＩａＩａ族元素種以上を示す
）で示される酸化物であり、液体ｌ＼ツリウム冷却４″
ることか必要であった従来の合金系あるいは金属間化合
物系の超電導体と比較して格段に有利な冷却条件で使用
できることから１．実用上極めて有望な超電導材料とし
て研究がなされている。
）で示される酸化物であり、液体ｌ＼ツリウム冷却４″
ることか必要であった従来の合金系あるいは金属間化合
物系の超電導体と比較して格段に有利な冷却条件で使用
できることから１．実用上極めて有望な超電導材料とし
て研究がなされている。
ところで従来、このような酸化物超電導体を製造するに
は、Ａ −Ｂ −Ｃｕ−０で示される酸化物超電導体を
構成する各元素を含む複数の原料粉末を混合して混合粉
末を作成し、次いでこの混合粉末を仮焼して不要成分を
除去し、この仮焼粉末を焼結して超電導体を作製してい
る。
は、Ａ −Ｂ −Ｃｕ−０で示される酸化物超電導体を
構成する各元素を含む複数の原料粉末を混合して混合粉
末を作成し、次いでこの混合粉末を仮焼して不要成分を
除去し、この仮焼粉末を焼結して超電導体を作製してい
る。
「発明か解決しようとする課題」
しかしながら、仮焼粉末あるいは超電導粉末を圧粉成形
した後に焼結を施した焼結体においては、超電導体を構
成する粒子が密な状態になっておらず、相対密度（酸化
物超電導体の理論密度に対する密度の比率であって、理
論密度を１００５とする。）がＹ系酸化物超電導体では
９０〜９３％程度、Ｂｉ系酸化物超電導体では８０％程
度、またＴｌ系酸化物超電導体では焼結段階で蒸発し抜
は易くやはり８０％程度と低く、ボア（粒子間の隙間）
が多く存在しているために、超電導体粒子どうしの接触
が点接触状部となる場合が多（なり、この点接触部分で
は電流バス面積が小さくなるために高い臨界電流密度（
Ｊｃ）か得られない問題があった。
した後に焼結を施した焼結体においては、超電導体を構
成する粒子が密な状態になっておらず、相対密度（酸化
物超電導体の理論密度に対する密度の比率であって、理
論密度を１００５とする。）がＹ系酸化物超電導体では
９０〜９３％程度、Ｂｉ系酸化物超電導体では８０％程
度、またＴｌ系酸化物超電導体では焼結段階で蒸発し抜
は易くやはり８０％程度と低く、ボア（粒子間の隙間）
が多く存在しているために、超電導体粒子どうしの接触
が点接触状部となる場合が多（なり、この点接触部分で
は電流バス面積が小さくなるために高い臨界電流密度（
Ｊｃ）か得られない問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、高い臨界
電流密度が得られる高性能の酸化物超電導体を製造する
ことのできる製造方法の提供を目的とする。
電流密度が得られる高性能の酸化物超電導体を製造する
ことのできる製造方法の提供を目的とする。
「課題を解決するための手段」
上記目的達成の手段として、本発明による酸化物超電導
体の製造方法は、酸化物超電導体の粉末を相対密度８０
％以Ｊ：（Ｙ系酸化物超電導体で９０％以上、Ｂｉ系酸
化物超電導体で８５％以上、Ｔｌ系酸化物超電導体で８
０％以上）に圧粉成形した成形体あるいは焼結体を、酸
素含有雰囲気中、温度８００〜１０００℃（Ｙ系酸化物
超電導体で８５０〜１０００℃、Ｂｉ系酸化物超電導体
で８００〜８８０℃、Ｔｌ系酸化物超電導体で８００〜
９００℃）、圧力５００〜２０００ ａｔｍの条件で熱
間静水圧加圧を施す方法である。
体の製造方法は、酸化物超電導体の粉末を相対密度８０
％以Ｊ：（Ｙ系酸化物超電導体で９０％以上、Ｂｉ系酸
化物超電導体で８５％以上、Ｔｌ系酸化物超電導体で８
０％以上）に圧粉成形した成形体あるいは焼結体を、酸
素含有雰囲気中、温度８００〜１０００℃（Ｙ系酸化物
超電導体で８５０〜１０００℃、Ｂｉ系酸化物超電導体
で８００〜８８０℃、Ｔｌ系酸化物超電導体で８００〜
９００℃）、圧力５００〜２０００ ａｔｍの条件で熱
間静水圧加圧を施す方法である。
「作用 」
酸化物超電導体の粉末を相対密度８０％以上（Ｙ系酸化
物超電導体で９０％以−ｈ、Ｂｉ系酸化物超電導体で８
５％以上、Ｔｌ系酸化物超電導体で８０％以上）に圧粉
成形した成形体あるいは焼結体を、酸素含有雰囲気中、
温度８００〜＋０００°Ｃ（Ｙ系酸化物超電導体で８５
０〜１０００℃、Ｂｉ系酸化物超電導体で８００〜８８
０℃、Ｔｌ系酸化物超電導体で８００〜９００℃）、圧
力ＳＯＯ〜２０００ ａｔｍの条件で熱間静水圧加圧を
施すことにより、酸化物超電導体の密度が上昇して、は
ぼ理論密度に近い密度となり、ボアが少なくなって電流
バス面積の大きい酸化物超電導体が得られる。
物超電導体で９０％以−ｈ、Ｂｉ系酸化物超電導体で８
５％以上、Ｔｌ系酸化物超電導体で８０％以上）に圧粉
成形した成形体あるいは焼結体を、酸素含有雰囲気中、
温度８００〜＋０００°Ｃ（Ｙ系酸化物超電導体で８５
０〜１０００℃、Ｂｉ系酸化物超電導体で８００〜８８
０℃、Ｔｌ系酸化物超電導体で８００〜９００℃）、圧
力ＳＯＯ〜２０００ ａｔｍの条件で熱間静水圧加圧を
施すことにより、酸化物超電導体の密度が上昇して、は
ぼ理論密度に近い密度となり、ボアが少なくなって電流
バス面積の大きい酸化物超電導体が得られる。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明において好適に使用される酸化物超電導体として
は、一般式 Ａ −Ｂ −Ｃｕ−０（ただしＡは、Ｙ、
Ｓｃ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｄｙ等の周期律
表Ｉａ族元素の１種以上またはＢｉなどの周期率表Ｖｂ
族元素の１種以上またはＴｌなどの周期率表ＩＩＩｂ族
元素の１種以上を示し、Ｂは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ。
は、一般式 Ａ −Ｂ −Ｃｕ−０（ただしＡは、Ｙ、
Ｓｃ、Ｌａ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｄｙ等の周期律
表Ｉａ族元素の１種以上またはＢｉなどの周期率表Ｖｂ
族元素の１種以上またはＴｌなどの周期率表ＩＩＩｂ族
元素の１種以上を示し、Ｂは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ。
Ｂａ等の周期律表Ｈａ族元素の１種以上を示す。）など
の酸化物超電導体であり、例えば、Ｙ＋ＢａｔＣｕｓＯ
ｘ、ＢｉｔＳｒ＋ＣａｔＣｕ、ＯｘＳ ＴｌｔＣａｔＲ
ａｔＣｕｚＯｘなどが好適に使用される。
の酸化物超電導体であり、例えば、Ｙ＋ＢａｔＣｕｓＯ
ｘ、ＢｉｔＳｒ＋ＣａｔＣｕ、ＯｘＳ ＴｌｔＣａｔＲ
ａｔＣｕｚＯｘなどが好適に使用される。
そして本発明方法では、まず、上記酸化物超電導体の粉
末状の材料（超電導粉末という）を作製する。この超電
導粉末製造条件は酸化物超電導体の種類によって適宜に
選択され、その−例としてＹ ＩＢａｔＣｕ＊ｏ ｘ粉
末を作成する方法を説明すると、Ｙ、０．粉末とＢａＣ
０１＋粉末とＣｕＯ粉末を Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝ Ｉ ：
２ ：３となるように均一に混合して混合粉末とし、こ
の混合粉末を酸素中あるいは大気中、６００〜９００°
Ｃ程度で数時間程度加熱して、酸化物超電導体の構成元
素以外の元素を除いて仮焼粉末とし、更に仮焼粉末ある
いはこれを圧粉成形した王粉体を酸素中あるいは大気中
、８００〜１０００°Ｃで数時間ないし数十時間加熱し
て各元素間に反応を起こさせて酸化物超電導体を生成さ
せ、この後に粉砕処理を施して超電導粉末を作成する方
法などが用いられる。
末状の材料（超電導粉末という）を作製する。この超電
導粉末製造条件は酸化物超電導体の種類によって適宜に
選択され、その−例としてＹ ＩＢａｔＣｕ＊ｏ ｘ粉
末を作成する方法を説明すると、Ｙ、０．粉末とＢａＣ
０１＋粉末とＣｕＯ粉末を Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝ Ｉ ：
２ ：３となるように均一に混合して混合粉末とし、こ
の混合粉末を酸素中あるいは大気中、６００〜９００°
Ｃ程度で数時間程度加熱して、酸化物超電導体の構成元
素以外の元素を除いて仮焼粉末とし、更に仮焼粉末ある
いはこれを圧粉成形した王粉体を酸素中あるいは大気中
、８００〜１０００°Ｃで数時間ないし数十時間加熱し
て各元素間に反応を起こさせて酸化物超電導体を生成さ
せ、この後に粉砕処理を施して超電導粉末を作成する方
法などが用いられる。
次に、先のように作製された超電導粉末に圧粉成彩処理
を施しあるいは焼結処理を施して相対密度８０％以上（
Ｙ系酸化物超電導体で９０％以上、Ｂｉ系酸化物超電導
体で８５％以上、Ｔｌ系酸化物超電導体で８０％以上）
の成形体あるいは焼結体とする。この成形体あるいは焼
結体の相対密度がＹ系酸化物超電導体で８０％以下、Ｂ
ｉ系酸化物超電導体で８５％以下、Ｔｌ系酸化物超電導
体で８０％以下であると、成形体あるいは焼結体に熱間
静水圧加圧を施した後の酸化物超電導体の相対密度が上
昇せず、理論密度に近い密度を有するものが得られない
。
を施しあるいは焼結処理を施して相対密度８０％以上（
Ｙ系酸化物超電導体で９０％以上、Ｂｉ系酸化物超電導
体で８５％以上、Ｔｌ系酸化物超電導体で８０％以上）
の成形体あるいは焼結体とする。この成形体あるいは焼
結体の相対密度がＹ系酸化物超電導体で８０％以下、Ｂ
ｉ系酸化物超電導体で８５％以下、Ｔｌ系酸化物超電導
体で８０％以下であると、成形体あるいは焼結体に熱間
静水圧加圧を施した後の酸化物超電導体の相対密度が上
昇せず、理論密度に近い密度を有するものが得られない
。
上記圧粉成形処理ではラバープレス法が好適に使用され
る。また上記焼結処理は、超電導粉末状を丁備プレスし
た後に、酸素含有雰囲気中で焼結し、焼結体とするが、
この焼結温度は使用する酸化物超電導体の種類によって
適宜に設定され、例えばＹ ＋Ｂ ａｔＣｕｚｏ ｘの
場合には８５０°Ｃ−１ｏ。
る。また上記焼結処理は、超電導粉末状を丁備プレスし
た後に、酸素含有雰囲気中で焼結し、焼結体とするが、
この焼結温度は使用する酸化物超電導体の種類によって
適宜に設定され、例えばＹ ＋Ｂ ａｔＣｕｚｏ ｘの
場合には８５０°Ｃ−１ｏ。
Ｏ℃程度、Ｂ ｉｚｓ ｒｔｃ ａｔｃ ｕ３０ ｘの
場合には８００〜９００℃程度、Ｔ １ｔｃａｔＢａｔ
ｃｕ＊ｏｘの場合には８００〜９００℃程度の温度とす
るのが望ましい。
場合には８００〜９００℃程度、Ｔ １ｔｃａｔＢａｔ
ｃｕ＊ｏｘの場合には８００〜９００℃程度の温度とす
るのが望ましい。
次に、先のように作製された成形体あるいは焼結体を、
酸素含有雰囲気中、温度８００〜１０００°Ｃ（Ｙ系酸
化物超電導体で８５０〜１０００℃、Ｂｉ系酸化物超電
導体で８００〜８８０℃、Ｔｌ系酸化物超電導体で８０
０〜９００°Ｃ）、圧力５００〜２０００ ａｔｍの条
件で熱間静水圧加圧（以下、１−１１ Ｐ処理という）
を施す。
酸素含有雰囲気中、温度８００〜１０００°Ｃ（Ｙ系酸
化物超電導体で８５０〜１０００℃、Ｂｉ系酸化物超電
導体で８００〜８８０℃、Ｔｌ系酸化物超電導体で８０
０〜９００°Ｃ）、圧力５００〜２０００ ａｔｍの条
件で熱間静水圧加圧（以下、１−１１ Ｐ処理という）
を施す。
上記温度がＹ系酸化物超電導体で８５０℃以下、Ｂｉ系
酸化物超電導体で８００°Ｃ以下、Ｔｌ系酸化物超電導
体でｓ ｏ ｏ ’ｃ以下であると、）（Ｉ Ｐ処理後
の酸化物超電導体の密度が上昇せず、高い臨界電流密度
が得られない。また上記温度がＹ系酸化物超電導体で１
０００℃以上、Ｂｉ系酸化物超電導体で８８０°Ｃ以上
、Ｔｌ系酸化物超電導体で９００°Ｃ以上であると、酸
化物超電導体の密度および臨界電流密度の上昇が頭打ち
となる。
酸化物超電導体で８００°Ｃ以下、Ｔｌ系酸化物超電導
体でｓ ｏ ｏ ’ｃ以下であると、）（Ｉ Ｐ処理後
の酸化物超電導体の密度が上昇せず、高い臨界電流密度
が得られない。また上記温度がＹ系酸化物超電導体で１
０００℃以上、Ｂｉ系酸化物超電導体で８８０°Ｃ以上
、Ｔｌ系酸化物超電導体で９００°Ｃ以上であると、酸
化物超電導体の密度および臨界電流密度の上昇が頭打ち
となる。
また、上記圧力が５００ ａｔｍ以下であると酸化物超
電導体の密度が上昇せず、高い臨界電流密度が得られな
い。またこの圧力を２０００ａｔｍ以Ｅとしでも、酸化
物超電導体の密度および臨界電流密度のＬ界が頭打ちと
なる。
電導体の密度が上昇せず、高い臨界電流密度が得られな
い。またこの圧力を２０００ａｔｍ以Ｅとしでも、酸化
物超電導体の密度および臨界電流密度のＬ界が頭打ちと
なる。
このＨＩ Ｐ処理を施すことによって、理論密度に近い
密度を有する酸化物超電導体が作製される。
密度を有する酸化物超電導体が作製される。
なお、この超電導体の形状は特に限定されることなく、
円柱状、角柱状、円板状、棒状、線状等の種々の形状と
することができ、金嘱やセラミックスの基板に酸化物超
電導体を接合させて復合化を行うことらできる。
円柱状、角柱状、円板状、棒状、線状等の種々の形状と
することができ、金嘱やセラミックスの基板に酸化物超
電導体を接合させて復合化を行うことらできる。
先のように作製された酸化物超電導体は、理論密ｊｙに
近い相対密度を有し、超電導粒子どうしが密な状態で接
触してボアが少ない状態になっており、超電導粒子どう
しの接触部分における電流パス面積が大きいために高い
臨界電流密度が得られろ。
近い相対密度を有し、超電導粒子どうしが密な状態で接
触してボアが少ない状態になっており、超電導粒子どう
しの接触部分における電流パス面積が大きいために高い
臨界電流密度が得られろ。
［一実施例」
本発明方法に基づいて、Ｙ、Ｂａｔｃ ｕ３０ ｙ、な
る組成の酸化物超電導体の製造を実施した。
る組成の酸化物超電導体の製造を実施した。
Ｙ、０３扮末とＢ ａ ＣＯ３粉末とＣｕＯ粉末を Ｙ
・Ｂａ：Ｃｕ＝ Ｉ ：２・３となるように均一に混合
し、この混合粉末を大気中、８００℃で数時間加熱して
仮焼粉末とし、更に仮焼粉末を大気中、８５０〜９３０
℃で２４時間予備焼結し、次いで予備焼結体を粉砕し、
ラバープレスを用いて板状に成形した後、酸素中、８８
０〜９５０℃で５〜２４時間加熱して焼結体を作製した
。得られた焼結体は、幅５ｍＩＩ＋１厚さ１〜２ｍｍ、
長さ２０ｍｍの角板状であった。
・Ｂａ：Ｃｕ＝ Ｉ ：２・３となるように均一に混合
し、この混合粉末を大気中、８００℃で数時間加熱して
仮焼粉末とし、更に仮焼粉末を大気中、８５０〜９３０
℃で２４時間予備焼結し、次いで予備焼結体を粉砕し、
ラバープレスを用いて板状に成形した後、酸素中、８８
０〜９５０℃で５〜２４時間加熱して焼結体を作製した
。得られた焼結体は、幅５ｍＩＩ＋１厚さ１〜２ｍｍ、
長さ２０ｍｍの角板状であった。
次に、この焼結体を、２０％の０．を含むＡｒ雰囲気中
、温度が９００°Ｃ１圧力が１０１０００ａｔ酸素分圧
２００ａｔｍ）の条件で１時間Ｅ■Ｉ Ｐ処理を行い、
ＨＩ Ｐ処理前の焼結体の相対密度とＨＩＰ処理後の相
対密度の関係を調べた。この結果、第１図に示したよう
に、ＨＩＰ処理前の焼結体の相対密度を９０％以上とす
ると、ＨＩ Ｐ処理後の相対密度が理論密度（１００％
）近くなることが判明した。
、温度が９００°Ｃ１圧力が１０１０００ａｔ酸素分圧
２００ａｔｍ）の条件で１時間Ｅ■Ｉ Ｐ処理を行い、
ＨＩ Ｐ処理前の焼結体の相対密度とＨＩＰ処理後の相
対密度の関係を調べた。この結果、第１図に示したよう
に、ＨＩＰ処理前の焼結体の相対密度を９０％以上とす
ると、ＨＩ Ｐ処理後の相対密度が理論密度（１００％
）近くなることが判明した。
また、相対密度の異なるＨＩＰ処理的の焼結体とＨＩ
Ｐ処理後の超電導体の臨界電流密度を測定した。その結
果を第２図に示した。これら各試料の臨界電流密度は、
相対密度が高くなるにしたがって高くなり、ＨＩＰ処理
後の超電導体のうち相対密度が１００％近い試料では、
臨界電流密度が１４００＾／ｃｍ’程度となった。
Ｐ処理後の超電導体の臨界電流密度を測定した。その結
果を第２図に示した。これら各試料の臨界電流密度は、
相対密度が高くなるにしたがって高くなり、ＨＩＰ処理
後の超電導体のうち相対密度が１００％近い試料では、
臨界電流密度が１４００＾／ｃｍ’程度となった。
また、先の焼結体にＨＩＰ処理を施す際に、温度条件を
７００〜１０００°Ｃの範囲で変化させて超電導体を作
成し、その相対密度および臨界電流密度を測定し、結果
を第３図および第４図に示した。ＨＩＰ処理温度と超電
導体の相対密度との関係は、第３図に示したように、Ｈ
ＩＰ処理温度を８５０℃以上とすると高い相対密度の超
電導体が得られることが判明した。また相対密度に高い
超電導体は、第４図に示したように臨界電流密度が高い
値を示している。
７００〜１０００°Ｃの範囲で変化させて超電導体を作
成し、その相対密度および臨界電流密度を測定し、結果
を第３図および第４図に示した。ＨＩＰ処理温度と超電
導体の相対密度との関係は、第３図に示したように、Ｈ
ＩＰ処理温度を８５０℃以上とすると高い相対密度の超
電導体が得られることが判明した。また相対密度に高い
超電導体は、第４図に示したように臨界電流密度が高い
値を示している。
また、先の焼結体にＨＩＰ処理を施す際に、圧力を０〜
２０００ａＬｍの範囲で変化させて超電導体を作成し、
その相対密度および臨界電流密度を測定した。結果を第
５図および第６図に示した。
２０００ａＬｍの範囲で変化させて超電導体を作成し、
その相対密度および臨界電流密度を測定した。結果を第
５図および第６図に示した。
ＨＩ Ｐ処理圧力と超電導体の相対密度との関係は、第
５図に示したように、ｌ（Ｉ Ｐ処理圧力を５００ａｒ
ｍ以上とすると高い相対密度の超電導体が得られろこと
が判明した。また相対密度の高い超電導体は、第６図に
示したように臨界電流密度が高い値を示している。
５図に示したように、ｌ（Ｉ Ｐ処理圧力を５００ａｒ
ｍ以上とすると高い相対密度の超電導体が得られろこと
が判明した。また相対密度の高い超電導体は、第６図に
示したように臨界電流密度が高い値を示している。
また、このＹ ＋Ｂ ａｔＣｕ、１０ ｘ酸化物超電導
体と同様にして、Ｂ ＋ｔＳ ｒｔＧ ａｔｃ Ｌｉ２
ＯＸ酸化物超電導体、Ｔ ｌｚｃ ａｙＢ ａｔｃ Ｌ
ｉ２ＯＸ酸化物超電導体の製造を実施し、ＨＩＰ処理圧
力と相対密度、臨界電流密度の関係を調べ、それぞれの
結果を第７図および第８１７１、第９図および第１Ｏ図
に示した。これらの図から明らかなように、Ｂ ｉｔｓ
ｒｔＣａｔＣｕ３０ Ｘ酸化物超電導体、Ｔ ｌｙ
ＣａｔＢ ａｌ Ｃｕ、ＯＸ酸化物超電導体においてら
ＨＩ Ｐ処理圧力を５００ ａｔｍ以１−とすると、高
い相対密度が得られ、高い臨界電流密度が得られること
が判明した。
体と同様にして、Ｂ ＋ｔＳ ｒｔＧ ａｔｃ Ｌｉ２
ＯＸ酸化物超電導体、Ｔ ｌｚｃ ａｙＢ ａｔｃ Ｌ
ｉ２ＯＸ酸化物超電導体の製造を実施し、ＨＩＰ処理圧
力と相対密度、臨界電流密度の関係を調べ、それぞれの
結果を第７図および第８１７１、第９図および第１Ｏ図
に示した。これらの図から明らかなように、Ｂ ｉｔｓ
ｒｔＣａｔＣｕ３０ Ｘ酸化物超電導体、Ｔ ｌｙ
ＣａｔＢ ａｌ Ｃｕ、ＯＸ酸化物超電導体においてら
ＨＩ Ｐ処理圧力を５００ ａｔｍ以１−とすると、高
い相対密度が得られ、高い臨界電流密度が得られること
が判明した。
［発明の効果 ］
以上説明したように、本発明方法では、酸化物超電導体
の粉末を相対密度８０％以上に圧粉成形した成形体ある
いは焼結体を、酸素含有雰囲気中、温度８００〜１００
０°Ｃ１圧力５００〜２０００ａｔｍの条件で熱間静水
圧加圧を施して酸化物超電導体を作製するので、はぼ理
論密度に近い相対密度の酸化物超電導体を作製すること
ができる。１゜たがって、酸化物超電導体中のボアを減
少させて電流パス面積を大きくすることができ、高い臨
界電流密度を有する高性能の酸化物超電導体を製造する
ことかできる。
の粉末を相対密度８０％以上に圧粉成形した成形体ある
いは焼結体を、酸素含有雰囲気中、温度８００〜１００
０°Ｃ１圧力５００〜２０００ａｔｍの条件で熱間静水
圧加圧を施して酸化物超電導体を作製するので、はぼ理
論密度に近い相対密度の酸化物超電導体を作製すること
ができる。１゜たがって、酸化物超電導体中のボアを減
少させて電流パス面積を大きくすることができ、高い臨
界電流密度を有する高性能の酸化物超電導体を製造する
ことかできる。
第１図ないし第６図はＹ系酸化物超電導体の製造例を説
明するための図であって、第１図はｌ−１ＩＰ処理の面
後の試料間の相対密度の関係を示すグラフ、第２図は第
１図に示す各試料のＪｃを示すグラフ、第３図は処理温
度と相対密度との関係を示すグラフ、第４図は処理温度
とＪｃの関係を示すグラフ、第５図は処理圧力と相対密
度の関係を示すグラフ、第６図は処理圧力とＪｃの関係
を示すグラフ、第７図および第８図はＢｉ系酸化物超電
導体の製造例を説明するための図であって、第７図は処
理圧力と相対密度の関係を示すグラフ、第８図は処理圧
力とＪｃの関係を示すグラフ、第９図および第１０図は
Ｔｌ系酸化物超電導体の製造例を説明するための図であ
って、第９図は処理圧力と相対密度の関係を示すグラフ
、第１Ｏ図は処理圧力とＪｃの関係を示すグラフである
。
明するための図であって、第１図はｌ−１ＩＰ処理の面
後の試料間の相対密度の関係を示すグラフ、第２図は第
１図に示す各試料のＪｃを示すグラフ、第３図は処理温
度と相対密度との関係を示すグラフ、第４図は処理温度
とＪｃの関係を示すグラフ、第５図は処理圧力と相対密
度の関係を示すグラフ、第６図は処理圧力とＪｃの関係
を示すグラフ、第７図および第８図はＢｉ系酸化物超電
導体の製造例を説明するための図であって、第７図は処
理圧力と相対密度の関係を示すグラフ、第８図は処理圧
力とＪｃの関係を示すグラフ、第９図および第１０図は
Ｔｌ系酸化物超電導体の製造例を説明するための図であ
って、第９図は処理圧力と相対密度の関係を示すグラフ
、第１Ｏ図は処理圧力とＪｃの関係を示すグラフである
。
Claims (4)
- （１）一般式 Ａ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ （ただしＡは、Ｙ，Ｓｃ，Ｌａ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｅｕ、Ｈ
ｏ，Ｄｙ等の周期律表IIIａ族元素の１種以上またはＢ
ｉなどの周期率表Ｖｂ族元素の１種以上またはＴｌなど
の周期率表IIIｂ族元素の１種以上を示し、Ｂは、Ｍｇ
，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等の周期律表IIａ族元素の１種以上
を示す。） で表される酸化物超電導体の粉末を相対密度８０％以上
に圧粉成形した成形体あるいは焼結体を、酸素含有雰囲
気中、温度８００〜１０００℃、圧力５００〜２０００
ａｔｍの条件で熱間静水圧加圧を施すことを特徴とする
酸化物超電導体の製造方法。 - （２）上記Ａ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ酸化物超電導体のＡ元素に
Ｙを用いたＹ系酸化物超電導体の粉末を相対密度９０％
以上に圧粉成形した成形体あるいは焼結体を、酸素含有
雰囲気中、温度８５０〜１０００℃、圧力５００〜２０
００ａｔｍの条件で熱間静水圧加圧を施すことを特徴と
する酸化物超電導体の製造方法。 - （３）上記Ａ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ酸化物超電導体のＡ元素に
Ｂｉを用いたＢｉ系酸化物超電導体の粉末を相対密度８
５％以上に圧粉成形した成形体あるいは焼結体を、酸素
含有雰囲気中、温度８００〜８８０℃、圧力５００〜２
０００ａｔｍの条件で熱間静水圧加圧を施すことを特徴
とする酸化物超電導体の製造方法。 - （４）上記Ａ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ酸化物超電導体のＡ元素に
Ｔｌを用いたＴｌ系酸化物超電導体の粉末を相対密度８
０％以上に圧粉成形した成形体あるいは焼結体を、酸素
含有雰囲気中、温度８００〜９００℃、圧力５００〜２
０００ａｔｍの条件で熱間静水圧加圧を施すことを特徴
とする酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278650A JPH02124758A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278650A JPH02124758A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02124758A true JPH02124758A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17600235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63278650A Pending JPH02124758A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02124758A (ja) |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63278650A patent/JPH02124758A/ja active Pending
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