JPH02123731A - パタン描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、可変成形ビームを用いた電子ビーム露光装置
により、ウェハやレチクル等の試料上に。

Ｌ　Ｓ　Ｉ　パタンなどを高速に描画するのに好適なパ
タン描画方法に関するものである。

〔従来の技術〕

可変成形ビームを用いた電子ビーム露光装置は、描画速
度が他のビーム形状の装置に較べて速いことから、ウェ
ハにＬＳＩパタンを直接描画する装置の主流になってい
る。可変成形電子ビーム露光装置の原理を、日本学術振
興会線「電子・イオンビームハンドブック（第２版）、
（日刊工業新聞社、１９８６年）４２９頁」に掲載され
ている装置を例に説明する。この装置の鏡筒部分を第３
図に示す。第３図において、３０１は電子銃、３０２は
ブランカ、３０３は照射レンズ、３０４は第１成形アパ
ーチヤ、３０５は成形偏向器、３０６は成形レンズ、３
０７は第２成形アパーチヤ、３０８は縮小レンズ、３０
９は対物レンズ、３１０は位置決め偏向器、３１１は試
料、３１２は電子ビームである。第１成形アパーチヤ３
０４、第２成形アパーチヤ３０７は４角形である。電子
銃３０１から放出された電子ビーム３１２は、第１成形
アパーチヤ３０４によってビームの断面形状が４角形に
なり、下方の第２成形アパーチヤ３０７上に照射される
。第２成形アパーチヤ３０７上に照射された第１成形ア
パーチヤ３０４の像と第２成形アパーチヤ３０７との重
なり合う部分が、縮小レンズ３０８、対物レンズ３０９
により試料３１１上に縮小投影される。このため、試料
３１１上のビーム断面形状は矩形になる。この際、第２
成形アパーチヤ３０７上に投影される第１成形アパーチ
ヤ３０４の像と第２成形アパーチヤ３０７との重なり具
合を成形偏向器３０５で変えることにより、試料３１１
上の矩形ビームの各辺の長さを制御することができる。

上記のような可変成形電子ビーム露光装置では、一般に
第２図に示すベクタ走査方式がパタン描画方式として用
いられている。図の２０１は試料３１１上に描画しよう
とするパタン、２０２〜２１０は試料３１１に照射され
る矩形ビームの照射領域である。Ｘ、Ｘ方向を図示のよ
うにとり、矩形ビームのＸ方向の辺の長さをＷ、Ｘ方向
の辺の長さをＨ，ＷおよびＨの最大値をＬとする。本例
ではパタン２０１の大きさは３ＬＸ２．５Ｌとなってい
る。ベクタ走査方式ではつぎの手順でパタン２０１を描
画する。

■ブランカ３０２で電子ビーム３１２をブランキングし
、位置決め偏向器３１０を用いてビーム３１２を領域２
０２の位置に動かす。同時に、成形偏向器３０５を用い
て矩形ビームの辺の長さＷ、Ｈを領域２０２の大きさに
合わせる。領域２０２の場合はＷ＝Ｈ＝Ｌとする。■ブ
ランキングを解除し、電子ビーム３１２をレジスト感度
とビーム電流密度とで決まる一定時間Ｔだけ領域２０２
に照射する。■ブランカ３０２で電子ビーム３１２をブ
ランキングし、位置決め偏向器３１０を用いてビーム３
１２を領域２０３の位置に動かす。同時に、成形偏向器
３０５を用いて矩形ビームの辺の長さＷ、Ｈを領域２０
３の大きさに合わせる。

■手順■と■とを繰返しながら、領域２０３〜２１０を
描画する。

〔本発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記のような従来のパタン描画方法（ベクタ走
査方式）では、電子ビーム３１２を試料上に照射する回
数だけビーム３１２をブランキングする必要があり、ブ
ランキングに要する時間が膨大になる。例えば、パタン
２０１のような一つのパタンを描画するのに９回のブラ
ンキング動作が必要になる。このため、全描画時間に占
めるブランキング時間の割合が増大し、電子ビーム露光
装置のスループットが低くなるという問題があった。

電子ビームのブランキング回数を減少させる描画方法と
しては、第４図に示すラスク走査方式が考えられる。図
における４０１〜４０３は電子ビーム３１２を走査する
領域である。可変成形ビームでラスク走査方式をとる場
合、つぎに示す手順でパタン２０１を描画する。

■ブランカ３０２で電子ビーム３１２をブランキングし
、位置決め偏向器３１０を用いてビーム３１２を領域４
０１の左端（上記領域２０２と同位置）に動かす。同時
に成形偏向器３０５を用いて、矩形ビームのＸ方向の辺
の長さＨを領域４０１のＸ方向の大きさに合わせる。領
域４０１の場合はＨ＝Ｌとする。Ｘ方向辺の長さＷは、
矩形ビームの電流値をできるだけ大きくするため、最大
値りとする。■プランキングを解除し、電子ビーム３１
２をレジスト感度とビーム電流密度とで決まる一定速度
ＶでＸ方向に走査する。この際、ビーム走査には位置決
め偏向器３１０を用いる。■電子ビーム３１２が領域４
旧の右端（領域２０４と同位置）にきたとき、ブランカ
３０２でビーム３１２をブランキングし、つぎに位置決
め偏向器３１０を用いてビーム３１２を領域４０２の左
端（領域２０５と同位置）に動かす。同時に成形偏向器
３０５を用いて、矩形ビームの辺の長さＨを領域４０２
のＸ方向の大きさに合わせる。Ｘ方向辺の長さＷは。

矩形ビームの電流値をできるだけ大きくするため、最大
値りとする。■手順■と■とを繰返しながら、領域４０
２，４０３を描画する。

上記の走査方式ではＸ方向へのビーム走査をブランキン
グなしに行うため、同一パタンを描画する際のブランキ
ング回数がベクタ走査方式に較べて減少する。例えば、
パタン２０１を描画する際のブランキング回数は、ベク
タ走査方式では９回必要なのに対して、ラスタ走査方式
では３回ですむ。

しかし、上記の従来パタン描画方法（ラスタ走査方式で
は、ビーム走査方向に沿ったパタン上の露光量分布が一
様でなくなる。例えば第４図のＡ−Ｂ直線上の露光量分
布は第５図のようになる。

第５図において、横軸は上記直線Ａ−Ｂ上の位置であり
、Ｘａは点Ａの座標、Ｘｂは点Ｂの座標である６縦軸は
露光量であり、第５図のように露光量分布は台形分布に
なる。このため、現像後のパタンのエツジにだれが生じ
、パタン品質が著しく劣化するという問題があった。

［課題を解決するための手段〕 本発明はこれらの問題点を解決するため、可変成形荷電
ビームを用いたパタン描画方法において、ビーム照射開
始時に矩形ビームの一方向（以下、Ｘ方向と呼ぶ）の幅
をＯからほぼ一定の速度（以下、速度Ｖと呼ぶ）で連続
的に増大させ、はぼ−定にすると同時に、上記成形ビー
ムをＸ方向にほぼ速度Ｖで走査し、該走査をやめると同
時に、上記Ｘ方向のビーム幅をほぼ速度ＶでＯまで減少
させるものである。

〔作用〕

電子ビーム露光装置における、第１成形アパーチヤの右
端を通過した電子を、成形偏向器を用いて第２成形アパ
ーチヤの左端に照射するようにし、上記第１成形アパー
チヤを通過した電子ビームが、第２成形アパーチヤより
下に進まずブランキングされ、上記第２成形アパーチヤ
の左端のビームが描画領域の左端に投影されるようにす
る。矩形の上記電子ビームを成形偏向器により一方向（
ｘ方向）に偏向し、矩形電子ビームの左端を固定したま
まで右端をＸ方向に動かす、上記矩形ビームのＸ方向の
辺の大きさＷを最大値りと一致させて上記ビームの成形
偏向を止め、位置決め偏向器によるＸ方向のビーム偏向
を速度Ｖで行う、つぎに、上記矩形ビームの右端が描画
領域の右端に達したときに上記偏向を止める。そして、
成形偏向器により電子ビームをＸ方向に偏向し、上記ビ
ームの右端を固定したままビーム左端を速度Ｖで動かし
、上記左端を第２成形アパーチヤの右端に一致させて描
画領域の描画を完了する。上記方法を繰返しながら他の
描画領域を描画する。上記の方法により、電子ビームの
ブランキング時間を従来のラスタ走査方式と同程度以下
にしながら、ベクタ走査方式及同程度の高品質なパタン
描画を得ることができる。

〔実施例〕

つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。

第１図（ａ）〜（ｉ）は本発明によるパタン描画方法の
第１実施例を示す図、第２図は従来のベクタ走査方式に
よる描画方法の説明図、第３図は電子ビーム露光装置を
示す図、第４図はラスタ走査方式による描画方法の説明
図、第５図は上記ラスク方式で描画したパタンの露光量
分布を示す図、第６図（ａ）〜（ｃ）および第７図（ａ
）〜（ｂ）はそれぞれ矩形ビームの幅を増減させる方法
を示す図、第８図および第９図（、）〜（ｍ）は本発明
の第２実施例のパタン描画方法をそれぞれ説明する図、
第１０図（、）〜（ｃ）および第１１図（、）〜（ｃ）
は上記第２実施例における矩形ビームの幅をそれぞれ増
減させる方法を示す図、第１２図は本発明のパタン描画
方法によるパタンの露光量分布を示す図、第１３図は描
画の開始および終了動作を上記第１０図と第７図との組
合わせにしたときのパタン分割を示す図である。

第１図において、１０１は１回のビーム走査で描画する
試料上の領域、１０２は試料上に照射された矩形ビーム
である。図示のようにｘ、Ｘ方向を定め、矩形ビーム１
０２のＸ方向の辺の長さをＷ、Ｘ方向の辺の長さをＨ，
ＷおよびＨの最大値をＬとする。つぎに第４図に示した
パタン２０１の描画を例に本方法を説明する。この場合
、領域１０１は第４図の領域４０１〜４０３に対応して
いる。パタン２０１の描画はつぎの手順で行う。

■　第６゛図（ａ）に示すように、成形偏向器３０５を
用いて第１成形アパーチヤ３０４の右端を通過した電子
が、第２成形アパーチヤ３０７の左端に照射されるよう
にする。ここで電子ビーム６０１は第１成形アパーチヤ
３０４に照射され、電子ビーム６０２は第１成形アパー
チヤ３０４を通過したのちの電子ビームである。また、
成形偏向器３０５を用いて、矩形ビーム１０２のＸ方向
の大きさＨを領域１０１（領域４０１）のＸ方向の大き
さＬに合わせる。この状態では、電子ビーム６０２が第
２成形アパーチヤ３０７より下に進まず、電子ビームが
ブランキングされている。矩形ビーム１０２の大きさは
Ｈ＝Ｌ、Ｗ＝０となっている。この動作と同時に１位置
決め偏向器３１０を用いて第２成形アパーチヤ３０７の
左側が、領域１０１（領域４０１）の左端に投影される
ようにする。

■　つぎに、第６図（ｂ）　　（ｃ）に示すように成形
偏向器３０５を用いて、電子ビーム６０２をＸ方向（正
方向）に偏向し、矩形ビーム１０２の左端を固定したま
ま右端を速度ＶでＸ方向（正方向）に動かす。ここで、
電子ビーム６０３は第２成形アパーチヤ３０７を通過し
たのちの電子ビームを示す。矩形ビームの最大寸法をＬ
、電流密度をＪ、レジスト感度をＱとすると、速度■は
つぎの式で与えられる。

ｖ　＝　Ｌ　Ｊ　／　Ｑ　　　　　　　　（１）■　矩
形ビーム１０２のＸ方向の辺の大きさＷがＬと一致した
とき（第１図（ｃ）、第６図（ｃ）に対応）、成形偏向
器３０５によるビーム６０２の偏向を止める。つぎの瞬
間から位置決め偏向器３１０により電子ビーム６０３を
Ｘ方向（正方向）に偏向しはじめ、矩形ビーム１０２が
速度ＶでＸ方向（正方向）に移動するようにする。この
様子を第１図（ｃ）〜（ｇ）に示す。

■　矩形ビーム１０２の右端が領域１０１（領域４０１
）の右端に到達したとき（第１図（ｇ）、第７図（ａ）
に対応）、位置決め偏向器３１０による電子ビーム６０
３の偏向を止める。つぎの瞬間から第７図（ｂ）、（ｃ
）に示すように、成形偏向器３０５を用いて電子ビーム
６０２をＸ方向（正方向）に偏向しはじめ、矩形ビーム
１０２の右端を固定したまま左端を速度Ｖで動かす。こ
の様子を第１図（ｇ）〜（ｉ）に示す。

■　第７図（ｃ）に示すように電子ビーム６０２の左端
が第２成形アパーチヤ３０７の右端と一致したとき、領
域１０１（領域４０１）の描画を完了する。

■　手順■〜■を繰返しながら領域４０２．４０３を描
画する。上記方法でパタンを描画すると、ビーム走査方
向の露光量分布を−様な分布にすることができる。例え
ば第４図のＡ−Ｂ直線上の露光量分布は第１２図に示す
ようになる。第１２図において、横軸は上記直線Ａ−Ｂ
上の位置であり、Ｘａは点Ａの座標、ｘｂは点Ｂの座標
であり、縦軸は露光量である。このため、現像後のパタ
ン品質をベクタ走査方式と同程度の高品質にすることが
でき、かつ、ブランキング回数をラスク走査と同じまで
減少させることができる。

本発明の第２実施例であるパタン描画方法を第８図およ
び第９図に示す。本実施例ではパタン２０１を描画する
場合について説明する。領域７０１〜７０５は１回のビ
ーム走査で描画する試料上の領域である。８０１は試料
上に照射された矩形ビームである。Ｘ、　Ｘ方向を図示
のように定め、矩形ビーム８０１のＸ方向の辺の長さを
Ｗ、Ｘ方向の辺の長さをＨ，ＷおよびＨの最大値をＬと
する。パタン２０１はつぎの手順で描画する。

■　第６図（ａ）に示すように、成形偏向器３０５を用
いて第１成形アパーチヤ３０４の右端を通過した電子が
、第２成形アパーチヤ３０７の左端に照射されるように
する。また、成形偏向器３０５を用いて、矩形ビーム８
０１のＸ方向の大きさＨを、領域７０１のＸ方向の大き
さしに合わせる。この状態では、電子ビーム６０２が第
２成形アパーチヤ３０７より下には進まず、ビームがブ
ランキングされている。

この動作と同時に、位置決め偏向器３１０を用いて第２
成形アパーチヤ３０７の左側が領域７０１の左端に投影
されるようにする。このとき、第２成形アパーチヤ３０
７の中心は第９図（ａ）の位Ｗ８０４に投影されている
。

■　つぎに、第６図（ｂ）　　（ｃ）に示すように成形
偏向器３０５を用いて電子ビーム６０２をＸ方肯（正方
向）に偏向し、矩形ビーム８０１の左端を固定したまま
、右端を速度ＶでＸ方向（正方向）に動かす。この様子
を第９図（ａ）〜（ｃ）に示す、ここで速度Ｖは式（１
）で示した値である。

■　矩形ビーム８０１のＸ方向の辺の大きさＷが、第９
図（ｃ）や第６図（ｃ）に示すようにＬと一致したとき
、成形偏向器３０５によるビーム６０２の偏向を止める
。つぎの瞬間から、位置決め偏向器３１０により電子ビ
ーム６０３をＸ方向（正方向）に偏向しはじめ、矩形ビ
ーム１０２が速度ＶでＸ方向（正方向）に移動するよう
にする。この様子を第９図（Ｑ）〜（ｅ）に示す。

■　矩形ビーム８０１の右端が領域７０１の右端に到達
したとき（第９図（ｅ）、第１１図（ａ）に対応）、第
１１図（ｂ）、（ｃ）に示すように、成形偏向器３０５
を用いて電子ビーム６０２をＸ方向（負方向）に偏向し
始める。このとき、位置決め偏向器３１０による電子ビ
ーム６０３の偏向は続ける。これにより。

第９図（ｅ）〜（ｇ）に示すように、矩形ビーム８０１
は、右端が固定されたまま左端が速度ＶでＸ方向（正方
向）に動く。

■　第１１図（Ｑ）に示すように、電子ビーム６０２の
右端が第２成形アパーチヤ３０７の左端と一致したとき
、領域７０１の描画を完了する。

■　手順■〜■において、矩形ビーム８０１の走査方向
をＸ方向に変え、同様な手順で領域７０２を描画する。

この様子を第９図（ｈ）〜（ｍ）に示す。

■　手順■〜■を繰返しながら領域７０３．７０４．７
０５の順にパタンをを描画する。

上記方法では、パタン２０１を各ビーム走査領域に分割
する際、領域７０１の辺７０６（ビーム走査方向に直交
する辺）がつぎに描画しようとうする領域７０２の辺７
０７に接するように、領域７０１と領域７０２とを配置
している。この配置関係は、領域７０２と領域７０３、
領域７０３と領域７０４にも当てはまる。それぞれの領
域を上記のように配置すると、ひとつの領域の描画を終
えてつぎの領域の描画を開始するときに、位置決め偏向
器３１０の印加量を変更する必要がなく、成形偏向器３
０５の印加量を変更するだけでよい０例えば上記手順■
の終了時、第１１図（、）に示すように第２成形アパー
チヤ３０７の中心から出る電子の軌道は第９図（ｇ）の
位置８０２に到達する。このため、領域７０２の描画を
開始するに当って、位置決め偏向器３１０の印加量を変
更する必要がない、一方、成形偏向器３０５の印加量変
更時間は、位置決め偏向器３１０の変更時間に較べてほ
とんど無視できる。上記により、一つの領域の描画を終
えつぎの領域の描画を開始する動作は、ブランキングな
しの場合とほぼ同時間で行われる。このことは、位置決
め偏向器３１０の印加量の変更が必要な領域７０４から
領域７０５へのビーム移動の場合を除いて、パタン２旧
内の全ての領域間のビーム移動に当てはまる。上記によ
り、本発明のパタン描画方法においては、ビームのブラ
ンキング時間を従来のラスク走査方式に較べて大幅に減
少させることができる。また、本方法により、ベクタ走
査方式と同様の高いパタン品質が得られることは、本発
明の上記゛第１実施例と同様である。

上記実施例では、荷電粒子が電子である場合を例にして
説明してきたが、荷電粒子がガリウムイオン等の電子以
外の場合にも、本発明が成立つのは自明である。また、
可変成形ビームの最大形状が正方形の場合を例に本発明
を説明したが、４角形であれば長方形や平行４辺形など
、正方形以外の矩形ビーム形状の場合でも本発明が成立
つのは自明であり、さらに１本発明を実施する際に必要
な成形偏向器が、第１成形アパーチヤと第２成形アパー
チヤとの中間に配置された場合を例に本発明を説明した
が、　Ｍ　、　Ｎａｋａｔｓｕｊｉ　　ａｎｄ　　Ｋ　
。

Ｋ　ｕｎｉｙｏｓｈｉ著ｒ電子ビーム描画のための簡略
化された可変成形ビーム」ジャーナル・オブ・バキュー
ム・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊ。

Ｖａｃ、　Ｓｃｉ、　Ｔｅｃｈｎｏｌ、）　　Ａ３　（
２）、　ｐ、４２４　（１９８５）に掲載されている電
子ビーム露光装置のように、成形偏向器が２つの成形ア
パーチャの上下に配置されている場合りこも、本発明が
成立つのは自明である。さらにまた１本発明を実施する
際に必要な位置決め偏向器が１個の場合を例に本発明を
説明したが、上記偏向器が光軸に沿って複数個配置され
ており、それらの偏向器の中の少なくとも１つを位置決
め偏向器として用いる場合にも１本発明が成立つことは
明らかである。また、試料上での矩形ビームの偏向速度
Ｖ、および矩形ビームの幅を増減させる速度Ｖが式（１
）で与えられる場合を例に説明したが、■近接効果補正
などを考慮し速度Ｖを式（１）と異なる値にした場合や
、■近接効果補正などを考ｔし速度Ｖの値をビーム照射
位置に応じて変化させた場合でも、本発明は成立つ。第
１図（ｃ）〜（ｇ）に示したように、ビーム走査中のビ
ーム寸法が一定の場合を例に本発明を説明したが、近接
効果補正などを考慮し、ビーム寸法をビーム照射位置に
応じて変化させる場合でも本発明が成立つのは明らかで
ある。描画を開始する動作と終了する動作との組合わせ
が、第６図と第７図との動作の組合わせ、および第６図
と第１１図との動作の組合わせについて説明したが、第
１０図と第１１図の動作の組合わせ、および第１０図と
第７図の動作の組合わせの場合にも本発明が成立つこと
は自明である。ここで第１０図の動作は描画開始時のビ
ーム動作であり、第１１図と逆の順序で描画を開始する
。特に、第１０図と第７図との動作を組合わせ、かつ、
パタン２０１を第１３図のようにビーム走査領域１３１
〜１３５に分割すれば、本発明の第２実施例と同様に、
ビームのブランキング時間を、従来のラスク走査方式に
較べて大幅に減少させることができ、また１位置決め偏
向器や成形偏向器を駆動する回路は、デジタル回路でも
アナログ回路でも本発明が成立することは自明である。

〔発明の効果〕

上記のように本発明によるパタン描画方法は。

荷電ビームを可変サイズの矩形形状に成形した成形ビー
ムを、試料上に投影してパタンを露光するパタン描画方
法において、ビーム照射開始時に。

上記成形ビームの一方向（ｘ方向）の幅を０からほぼ一
定の速度で連続的に増大させたのち、上記ビーム幅をほ
ぼ一定にすると同時に、上記成形ビームをＸ方向にほぼ
一定速度で走査し、つぎに、上記成形ビームの走査を止
めると同時に、Ｘ方向の成形ビーム幅をほぼ一定速度で
Ｏまで減少させることにより、上記ビームのブランキン
グ時間を従来のラスク走査方式と同程度かそれ以下にま
で低減させ、かつ、上記パタンの品質をベクタ走査方式
と同程度の高品質にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｉ）は本発明によるパタン描画方法の
第１実施例を示す図、第２図は従来のべり夕走査方式に
よる描画方法の説明図、第３図は電子ビ・−ム露光装置
を示す図、第４図はラスク走査方式による描画方法の説
明図、第５図は上記ラスク方式で描画したパタンの露光
量分布を示す図、第６図（ａ）〜（ｃ）および第７図（
、）〜（Ｃ）はそれぞれ矩形ビームの幅を増減させる方
法を示す図、第８図および第９図（ａ）〜（ｍ）は本発
明の第２実施例のパタン描画方法をそれぞれ説明する図
、第１０図（ａ）〜（ｃ）および第１１図（ａ）〜（ｃ
）は上記第２実施例における矩形ビームの幅をそれぞれ
増減させる方法を示す図、第１２図は本発明のパタン描
画方法によるパタンの露光量分布を示す図、第１３図は
描画のσｎ始および終了動作を上記第１０図と第７図と
の組合わせによって行ったときのパタン分割を示す図で
ある。 １０１、、１３１〜１３５，４０１〜４０３．７０１〜
７０５・・・ビーム走査領域 １０２、８０１・・・矩形ビーム　２０１・・・描画パ
タン３１１・・・試料　　　　　　６０１〜６０３・・
・荷電ビーム第１図　　　第２図 １０１．１３１〜１３５　、　　４０１〜４０３．　７
０１〜７ｏ５；ど−ム走羞Ｊｉａ＼０２．８０１：輝影
と一ム　　　　２ｏ＋＋を静画ツバ２シ　　・３］１；
書桟半す６０１〜６０３；荷電ビーム 第５図 第６ 図 第１０図 第１１図 第１３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、荷電ビームを可変サイズの矩形形状に成形した成形
   ビームを、試料上に投影してパタンを露光するパタン描
   画方法において、ビーム照射開始時に、上記成形ビーム
   の一方向（ｘ方向）の幅を０からほぼ一定の速度で連続
   的に増大させたのち、上記ビーム幅をほぼ一定にすると
   同時に、上記成形ビームをｘ方向にほぼ一定速度で走査
   し、つぎに、上記成形ビームの走査を止めると同時に、
   ｘ方向の成形ビーム幅をほぼ一定速度で０まで減少させ
   ることを特徴とするパタン描画方法。 ２、上記ビーム走査は、最初のビーム走査で描画する試
   料上の領域を第１走査領域とし、該第１走査領域におけ
   るビーム走査方向と直角方向の辺を、つぎのビーム走査
   で描画する第２走査領域の辺に接するように上記両領域
   の配置を定め、上記成形ビームの試料上での位置を制御
   する偏向器の印加量を変えることなく、上記第１走査領
   域から第２走査領域まで成形ビームを移動することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項に記載したパタン描画方
   法。 ３、上記ビーム走査は、最初のビーム走査で描画する試
   料上の領域を第１走査領域とし、つぎのビーム走査で描
   画する第２走査領域におけるビーム走査方向と直角方向
   の辺を、上記第１走査領域の辺に接するように上記両領
   域の配置を定めることにより、上記成形ビームの試料上
   の位置を制御する偏向器の印加量を変えることなく、上
   記第１走査領域から第２走査領域まで成形ビームを移動
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載した
   パタン描画方法。