JPH02122038A - 厚膜銅導体組成物 - Google Patents
厚膜銅導体組成物Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
化物またはケイ化物の添加によりはんだ濡れ性が改良さ
れた銅導体組成物に関する。
種々の電子部品構成材料として使用されている。一般に
導体としては、電気伝導性、はんだ濡れ性、耐はんだ溶
解性、基板に対する接着性などが要求されている。厚膜
導体組成物には導電性金属および無機バインダーが微粉
末状で有機媒体中に分散されて、さらに要すれば他の添
加剤と共に配合されており、これらの成分は求められる
前記諸特性に応じて選択使用されている。
、白金、パラジウムなどの高価な貴金属を導電性金属と
する厚膜導体のコストを低減させるという観点から導入
されてきたが、最近になって銅自身のもつ特性、とくに
高周波特性が着目され、種々の方法で各方面に適用され
ている。たとえば、トレブト=(Treptov)の米
国特許箱2.993,815号明細書には、5〜50重
量%の銅または酸化銅および1重口%の還元抵抗性ガラ
スフリットからなり、500〜1050℃で2段階焼成
して銅導体層を形成するプリント回路用導体組成物が開
示されている。フリートマン(Frledman)の米
国特許箱3,647,532号明細書には、酸化カドミ
ウムを含むホウケイ酸鉛ガラスをバインダーとする銅、
ガラス組成物が開示されている。ボロン(Bolon)
らは、米国特許箱3.988,647号明細書で無溶媒
の重合体バインダー中に表面の酸化物を除去した銅粒子
を分散させた導体組成物を開示している。また、ホフマ
ン(11ofTman)の米国特許箱4,070,51
8号明細書には、とくに誘電体上で使用する85〜97
重量%の銅粉末と、3〜!5重量%のCd、 B[を含
まないアルミノホウ酸ガラスフリットからなる導体組成
物か記載されている。グリエル(Grler)らは、米
国特許箱4,072,771号明細書において、表面を
予備酸化した銅粉とアルミノホウケイ酸鉛ガラスからな
り、酸化銅は固形分の1〜5重量%であり、ガラスフリ
ットは固形分の1〜10重量%である導体組成物を開示
している。
2.919号明細書には、銅86〜97重量%、酸化銅
1〜7重量%、および少なくとも75重−%の酸化ビス
マスを含むガラスフリット1〜7重量%からなる導体組
成物が開示されている。ブロバンス(Provanco
)の米国特許箱4.322,318号明細書には、ホウ
素7〜27%、ガラスフリット0〜35%、残部は酸化
銅からなる導体組成物が開示されている。また、米国特
許箱4,323,483号明細書においてレリック(R
elliek)は、銅、酸化銅、酸化鉛およびビスマス
酸化物からなり、ガラスフリットを必要としない導体組
成物を開示している。シウタ(Sluta)らの米国特
許箱4.521.329号明細書には、酸化物被覆を有
する銅粉末と300〜700℃の軟化点をもつ無機バイ
ンダーからなる導体組成物が開示されている。
おいてマコーミック(McCorm Ick)らは、銅
65〜80%、酸化銅θ〜6%、旧を含まない低軟化点
ガラス3〜8%からなる導体組成物を開示している。
に通常は1〜loppmの酸素を含有するN2雰囲気で
焼成される。しかしながら、焼成雰囲気である N2に
残留する微量酸素により銅表面が漸次酸化され、はんだ
濡れ性が劣化すると言及されている。とくに、複数回の
焼成を繰り返すと、この特性劣化は顕著となってくる。
、かつきわめて純粋なN2雰囲気中で焼成するか、また
は焼成回数を少なくする必要があるなど前述した銅導電
体の適用範囲には限界があった。
という観点から米国特許箱 4.514,321号明細書および同第4,540,6
04号明細書においてンウタは、0.2〜5重量%の金
属W 、No、 Re、それらの合金または混合物を含
をする導体組成物を開示している。この方法は、銅の表
面酸化物および炉雰囲気中の微量の酸素と、W SNo
またはReとが反応することによって実質的に酸化物の
ない銅表面をうろことが目的である。しかしながら、使
用する銅粉末は酸化銅の被覆を寡しており、この酸化銅
被覆は当然はんだ濡れ性を劣化させるはずであるから、
焼成中にVなどの添加元素により還元される必要がある
。従って、還元剤として作用する部分が多くなると、こ
れら添加元素の他方の効果である雰囲気中の酸素捕集剤
としての作用は減少することになって満足する結果はえ
難い。
,225.4G8号明細書において非酸化性雰囲気下で
焼成するLaB5とガラスからなる抵抗組成物を開示し
てい゛る。またフランス特許箱781,400号明細書
には、硼アルミン酸アルカリ土類金属系ガラスフリット
と金属ケイ化物との混合物からなる抵抗組成物が開示さ
れている。
るものであって、厚膜導体中に銅と共に金属ホウ化物を
使用してはんだ濡れ性を改良することについてはまった
く開示されていない。
、さらに酸化物よりも電気伝導度が大きいため導電性の
ある材料としての使用が可能であることなどの理由から
半導体関係のターゲットとして注目されている。しかし
銅導体組成物の従来技術において、金属ケイ化物の使用
に関する報告はない。
次のようなものがある。すなわちオーウエン(OvOn
)の米国特許箱3,341.383号明細書ニハ、Sl
、VOx 、Mo5iz 、Co、 W 、 Mgおよ
びカオリンとガラス状物質からなる無機バインダーの粉
末を含む厚膜抵抗体組成物が開示されている。また英国
特許節1.559.523号明細書はホウケイ酸ガラス
フリットと金属ケイ化物からなる抵抗体組成物を開示し
ている。
化物は導体としてよりも抵抗体として使用されている。
はんだ濡れ性を改良することについてはまったく開示さ
れていない。
の良好な導体膜を与える導体組成物を提供することを目
的とする。
の酸化に起因すると言及されているが、一方、焼成後の
銅の結晶粒粗大化すなわち銅導体膜の表面状態の相違に
よるはんだ濡れ性劣化も認められている。
機バインダーをまったく含まない銅粉末のみを通常使用
されているN2雰囲気下で複数回焼成しても、実用上問
題となるようなはんだ濡れ性の劣化は認められない。こ
のばあい、特別な酸化防止処理は行なっていないので、
銅導体膜表面はある程度酸化されているであろうし、ま
た結晶粒が粗大化しているにもかかわらずである。従っ
て、はんだ濡れ性は添加されている無機バインダーと銅
粉の焼結状態にも大きく依存している。
バインダー、典型的にはガラスが軟化し、金属粉を濡ら
し、かつ焼結を進めることが必須事項である。金属と酸
化物は相互溶解性がないので、溶融した無機バインダー
は金属粒子の形成する空隙および結晶粒界に存在してい
る。焼成が繰り返されたばあい、一般に使用される無機
バインダーでは、結晶粒粗大化を抑制することは困難で
ある。従って、この粒成長が生じるということは、焼結
体中の空隙量が減少することであり導体中に保有できな
い量の無機バインダーが導体表面に押し出され、はんだ
濡れ性が劣化してくると考えられる。
とすることが重要である。厚膜導体組成物のような金属
と無機バインダーの腹合系においては、最初に無機バイ
ンダーが液体流動を生じ、この液相が固相粒子間のすき
まに流入すると同時に金属粒子が移動再配列することに
よって焼結体の密度が急上昇する。無機バインダー量が
少ないばあい、液相を介しての焼結が充分進行しないた
め1回の焼成では空隙は完全に満たされず緻密化は不充
分であり、この膜構造では、接着強度、耐はんだ性に劣
ることになる。したがって、一般に導体組成物は1回の
焼成で緻密な膜構造を形成するように適性なメタル/無
機バインダー比を選択している。複数回の焼成を行うと
焼結が過度に進み結晶粒の粗大化、すなわち粒界密度の
減少につながり、前述のとおりはんだ濡れ性が劣化する
。従って、緻密な焼結体をうるために焼結を進行させる
のは重要であるが、金属の焼結を抑制しその粒成長をコ
ントロールすることが必要である。
、金属ホウ化物および金属ケイ化物が結晶粒成長の抑制
に効果があり、これらを有機媒体中に分散された銅粉末
および無機バインダーを含有する導体組成物に配合する
ことによりはんだ濡れ性が著しく改善されることを見出
し、本発明を完成するに至った。
上は以下の理由によるものと考えられる。結晶粒界は、
結晶粒内に比して種々の格子欠陥を内蔵しているためエ
ネルギー準位が高い状態にある。従って、粒界が安定に
存在するには全粒界のエネルギーの減少、すなわち粒界
密度が減少すればよいのであるが、これは結晶粒の粗大
化に結びつく。一方、本発明によれば、ホウ化物または
ケイ化物を添加することにより、不純物元素が粒界に存
在し、その結果単位面積当りの粒界エネルギーが減少し
て結晶粒の粗大化が防止されるため、はんだ濡れ性が向
上されると考えられる。
を添加する方法が考えられる。しかし、通常の導電組成
物においては、無機バインダーとして酸化物が使用され
ているため、さらに高融点酸化物を添加しても、無機バ
インダーと反応したり溶解したりするため、少量の添加
では効果は期待できない。また多量に添加すると無機バ
インダーの軟化点または溶融温度が上昇するため緻密化
が不充分となり、その結果導電性、接着強度が低下する
。
することも考えられる。しかしT112「、31は銅と
合金を作り融点を下げるため逆効果である。また、■は
融点をあげる方向に作用するが効果をつるには多量の添
加が必要である。
加は逆に銅導体のはんだ漏れ性を劣化させる。さらに、
If % Noのように銅とほとんど反応しない金属の
ばあい、前述のように酸素と反応して易揮発性の酸化物
となるので効果はない。
インダーを含有する系においては、これら添加物は安定
に存在しえず、結晶粒の粗大化防+hには役立たない。
される銅導体組成物であって、ホウ化物またはケイ化物
を含有することを特徴としている。
デン、ホウ化チタン、ホウ化タンタル、ホウ化ニオブ、
ホウ化クロムおよびこれらの固溶体ならびにこれらの混
合物からなる群より選ばれたものを用いることができる
。これらの金属ホウ化物は、外観も性質も金属と類似し
ており高導電率を示し、また融点が高くかつ蒸気圧が低
いといった性質を有している。また、非酸化性雰囲気中
では2000°C以上でも使用可能である。
リブデン、ケイ化チタン、ケイ化タンタル、ケイ化ニオ
ブ、ケイ化クロムおよびこれらの固溶体ならびにこれら
の混合物からなる群より選ばれたものを用いることがで
きる。金属ホウ化物およびケイ化物には種々の組成比の
ものが存在するが、いずれの組成比のものを使用しても
良好な結果かえられる。ケイ化物のばあい、ケイ素成分
の最も多いニケイ化物がとくに好ましい。
%が好ましく、とくに0.05〜0,5重量%であるの
が好ましい。ホウ化物の添加が1%をこえると、銅−銅
の界面より銅−無機バインダーの界面が安定となって、
接着強度の劣化を生じるので好ましくない。
量%が好ましく、とくに0,05〜1fflffi%で
あるのが好ましい。ケイ化物の添加が3%をこえると、
上記と同様の理由で接着強度の劣化を生じるので好まし
くない。
物は融点が高く、耐酸化性がある。
ばあい表面に緻密な酸化膜を形成しているからである。
気圧が非常に高く、直ちに昇華するが、あとに残った3
102が保護膜となって、それ以上の昇華を防止する。
える。
を有すると同時に無機バインダーとの漏れ性も金属より
優り、銅と無機バインダーの緩衝剤的役割をはたすもの
と考えられる。すなわち、緩衝剤としてのホウ化物また
はケイ化物が、銅と無機バインダー間の界面に吸着され
ることによって、銅と無機バインダー間の粒界エネルギ
ーが減少するものと思われる。
および無機バインダーを使用することができる。
である。
O3、PbOB2u3Φ5102、Zn0B203
・5i02などのガラスフリットがあげられる。ガラス
フリットはZnO、CuO5Cu20、B12O3、T
lO2、M2O3などの、なかんづ< ZnO1TI0
2などの無機金属酸化物を成分として含んでいてもよい
。
%の量で用いられる。
シスチンシーやレオロジーを該組成物に付与するために
有機媒体(ビヒクル)が配合される。従来より用いられ
ているビヒクルが適用でき、ポリマーの3〜10重量%
有機溶媒溶液が通常用いられる。導体組成物中のビヒク
ルの量は8〜20重量%程度が適当である。
とえば界面活性剤や酸化防lF剤などを含有していても
よい。
れる。すなわち、セラミック基板などの適当な基板に通
常プリント印刷によって組成物を塗布し、えられた印刷
パターンを乾燥する。
気中で焼成し、有機媒体の蒸発、銅微粉末と無機バイン
ダーの焼結を行なわしめる。
間程度行なう。
濡れ性、接着強度およびその他の性質を有しており、種
々の電気電子部品またはエレメントに適用することがで
きる。たとえば、印刷焼成回路製造においては、セラミ
ックなどの基材上に本発明の導体組成物を所望のパター
ンに塗布し、非酸化性雰囲気中で焼成して導体パターン
を形成し、ついで抵抗体組成物を所望のパターンに塗布
し非酸化性雰囲気中で焼成することにより厚膜抵抗体パ
ターンを冑する導体エレメントが形成される。
、本発明はもとよりかかる実施例にのみ限定されるもの
ではない。
203複合ガラス、軟化点390”C) 、ホウ化物お
よび有機バインダー(100cpsエチルセルロースの
5%テルピネオール溶液)を秤量し、第1表に示す割合
で混練した。3本ロールミルにて均一に分散してペース
ト状にした。えられたペーストを96%アルミナ基板上
にスクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥させた。
中で10分間焼成した。焼成温度は900℃であった。
接着性をテストした。テストの結果を第1表に示す。
ンプルを230±5℃のはんだ11(はんだ=60%5
n−40%pb)に5± 0.5秒間浸漬して引きあげ
たときの導体パッド(各パッドの寸法:211+11X
21!l11)のはんだ濡れ面積で評価した。
5± 0.5秒間浸漬し、ついで0.65φのスズメツ
キ銅線をはんだゴテにて2 am X 2 amの導体
パッド上に付けた。はんだ付された銅線を引張り試験機
を用いて10m+s/分の速度で基板に対して垂直方向
に引張り、基板から導体パッドが剥離するときの強度を
測定した。
を変化させた以外は実施例1と同様にして導体を製造し
た。えられた導体についてはんだ濡れ性および接着性を
テストした。結果を第1表に示す。
(pb。
び有機バインダー(100cpsエチルセルロースの5
%テルピネオール溶液)を秤量し、第1表に示す割合で
混練した。3本ロールミルにて均一に分散してペースト
状にした。えられたベーストを9G%アルミナ基板上に
スクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥させた。そ
ののち前記基板を02a度5 ppmのN2雰囲気中で
10分間焼成した。焼成温度は900℃であった。えら
れた導体について実施例1と同様にしてはんだ濡れ性お
よび接着性をテストした。テストの結果を第1表に示す
。
を変化させた以外は実施例9と同様にして導体を製造し
た。えられた導体についてはんだ濡れ性および接着性を
テストした。結果を第1表に示す。
と同様にして導体を製造した。比較例1の導体組成物は
銅のみでガラスは含んでおらず、比較例2の導体組成物
は銅とガラスだけからなっている。また比較例3〜7は
、金属元素を単独で添加したばあいであり、比較例8お
よび9はWとBおよびTIとBをモル比で1=1(比較
例8)または1:2(比較例9)となるように配合した
ものであり、また比較例10および11はそれぞれWと
SlおよびTIと81をモル比で1:2となるように配
合したものである。
および接着性をテストした。結果を第2表に示す。
(実施例9〜16)を添加した導体は、安定した接6性
とともに良好なはんだ濡れ性を示すことがわかる。
の劣化はほとんどなく、N2雰囲気中の02の影響は受
けていないものの、接着性は0に近かった(比較例1)
。銅とガラスのみからなる比較例2の導体は、焼成を繰
り返すとほとんどはんだ濡れ性がなくなった。
であり、融点を下げる方向のTiおよびSlは1回の焼
成でもはんだ濡れ性が劣化することがわかる。Wおよび
MOは3回の焼成までははんだ濡れ性はあまり劣化しな
いが、それ以上焼成を繰り返すとかなり劣化することが
わかる。
加(比較例6)は、はんだ濡れ性には効果はあるが、接
着性は0に近くなった。
たはSlと併用しても、満足するはんだ濡れ性、接着性
ををする導体はえられないことがわかる。
組成物中にホウ化物またはケイ化物が添加されており、
はんだ濡れ性の優れた導体をうろことができるという効
果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 非酸化性雰囲気下で加熱焼成される銅導体組成物で
あって、ホウ化物またはケイ化物を含有することを特徴
とする銅導体組成物。 2 前記ホウ化物が、ホウ化タングステン、ホウ化モリ
ブデン、ホウ化チタン、ホウ化タンタル、ホウ化ニオブ
、ホウ化クロムおよびこれらの固溶体ならびにこれらの
混合物からなる群より選ばれてなる請求項1記載の銅導
体組成物。 3 前記ケイ化物が、ケイ化タングステン、ケイ化モリ
ブデン、ケイ化チタン、ケイ化タンタル、ケイ化ニオブ
、ケイ化クロムおよびこれらの固溶体ならびにこれらの
混合物からなる群より選ばれてなる請求項1記載の組成
物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63277014A JPH0762190B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 厚膜銅導体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63277014A JPH0762190B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 厚膜銅導体組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02122038A true JPH02122038A (ja) | 1990-05-09 |
JPH0762190B2 JPH0762190B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=17577567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63277014A Expired - Fee Related JPH0762190B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 厚膜銅導体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0762190B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016528134A (ja) * | 2013-06-05 | 2016-09-15 | セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングCeramTec GmbH | セラミック基材上の金属被覆 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62158842A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | Komatsu Ltd | 摺動用材料 |
JPS62243726A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-24 | Asahi Glass Co Ltd | Cu−TiB↓2系複合焼結材 |
JPS6376838A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気接点材料およびその製造方法 |
JPS6379925A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気接点材料およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP63277014A patent/JPH0762190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62158842A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | Komatsu Ltd | 摺動用材料 |
JPS62243726A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-24 | Asahi Glass Co Ltd | Cu−TiB↓2系複合焼結材 |
JPS6376838A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気接点材料およびその製造方法 |
JPS6379925A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気接点材料およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016528134A (ja) * | 2013-06-05 | 2016-09-15 | セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングCeramTec GmbH | セラミック基材上の金属被覆 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0762190B2 (ja) | 1995-07-05 |
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