JPH02121310A

JPH02121310A - 薄膜トランス

Info

Publication number: JPH02121310A
Application number: JP63274705A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Ota; 大田　俊彦
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-10-31
Filing date: 1988-10-31
Publication date: 1990-05-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、電気回路に用いられる薄膜トランスに関する
。

（従来の技術）各種の電気回路が半導体を用いたＩＣなどの素子に小型
番薄型化されるにつれ、スイッチング電源回路などの電
気回路に用いられるトランスの小型・薄型化が要望され
ている。

従来のトランスにおいては、コイルに被覆線が用いられ
、磁気コアに磁性薄板、フェライト成形品が用いられて
いる。

そして、トランスの小型・薄型化を行う場合、コイルと
して、プリント配線コイル、シートコイル、平板コイル
などを使用し、また、磁気コアとして、シートあるいは
基板上に磁性薄膜をメツキ、スパッタリングにより形成
したものを使用して構成した薄膜トランスが提案されて
いる。

しかしながら、上述の薄膜トランスでは、コイルおよび
磁性薄膜を多層配線に構成する必要があり、また、磁性
薄膜の磁気抵抗が大きいため、効率が悪く、実用に至っ
ていない。

（発明が解決しようとする課８）上述したように従来の薄膜トランスは、磁気コアとなる
磁性薄膜の磁気抵抗が大きく、また、コイル層、磁性層
が多層配線された多層構造とされるため、トランスにお
ける変換効率が悪いという課題がある。

本発明は上述した従来の課題を解決するだめのもので、
小型化および薄型化を図ることができ、しかも変換効率
の良好な薄膜トランスを提供することを目的としている
。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明は、一対の磁性基板と、これらの磁性基板上にそ
れぞれスパイラル状に形成され一端が端子部とされたコ
イルと、こ杵らのコイルの前記端子部および他端を除い
て形成された第１の絶縁膜と、前記コイルの他端に接続
された引出し部および前記磁性基板の前記端子部側に形
成された端子部を有する引出し端子と、前記各端子部を
除く前記磁性基板上に形成された第２の絶縁膜とを備え
、これら一対の磁性基板を、前記各端子部が露出するよ
う前記コイルのスパイラル部分を対向させ接合して構成
したものである。

（作　用）本発明では、端子部を有するスパイラル状のコイル、第
１の絶縁膜、コイルに接続された引出し端子および第２
の絶縁膜を形成された一対の磁性基板を、各端子部が露
出するようコイルのスパイラル部分を対向させ接合する
ことにより薄膜トランスを構成する。

したがって、トランスの小型化および薄型化を図ること
ができるとともに、変換効率を良好とすることができ、
また、一対の同一の磁性基板を接合するので、コストも
低減することができる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第１図は、本発明の一実施例の薄膜トランスを示す斜視
図である。

同図において、１．１はたとえばフェライトなどの磁性
体により形成された一対の磁性基板を示している。磁性
基板１．１の対向する面上には、それぞれ銅などの金属
膜により形成され一端に端子部２ａを有するスパイラル
状のコイル２が形成されている。また、各コイル２上に
は、コイル２の端子部２ａおよびコイル２のスパイラル
状部分の中心である他端を除いて第１の絶縁膜（図示省
略）が形成されている。また、第１の絶縁膜上および磁
性基板１上には、それぞれコイル２のスパイラル状部分
の中心である他端に接続された引出部（図示省略）およ
び磁性基板１上の端子部２ａ近傍に形成された端子部３
ａを有する引出端子３が形成されている。さらに、端子
部２　ａ　ｓ　３　ａを除く磁性基板１上には、それぞ
れ第２の絶縁膜４が形成されている。そして、これらの
磁性基板１．１は、各コイル２のスパイラル状部分が対
向し、各端子部２ａ１３ａが露出するように対向され、
各節２の絶縁膜４．４の間に接着層５が形成されて接合
されて構成されている。

次に、上述の薄膜トランスの製造方法を第２図〜第１２
図を用いて説明する。

まず、第２図に示すように、磁性基板として、ＮｌＺｎ
フェライトウェハ１１を用意する。このチップ１１の寸
法は、直径５０φ、厚さ　０．５■、また、比抵抗は、
１０’Ω・ｃｍとほとんど絶縁体に近い。

そして、第３図に示すように、ウェハ１１上に、コイル
となる銅の金属膜１２をスパッタリングにより厚さ４μ
ｍで形成する。

この後、第４図に示すような、スパイラル形状のパター
ンが多数繰り返して配置されたガラスマスク１３を用い
て、第５図および第６図に示すように、金属膜１２上に
通常のりジグラフイー技術によりフォトレジスト１４を
形成する。

そして、第７図に示すように、ウェハ１１を過硫酸アン
モニウム水溶液でエツチングすることによりスパイラル
状のコイル１５を形成する。

次に、第８図および第９図に示すように、コイル１５の
端子部１５ａおよびコイル１５のスパイラル状部分の中
心である端部を除いて、リゾグラフィー技術によりフォ
トレジストを形成し、これを約２３０℃で熱硬化させる
ことにより第１の絶縁膜１６を形成する。

この後、第１０図に示すように、コイル１５のスパイラ
ル状部分の中心である端部に接続された引出し部１７ａ
およびコイル１５の端子部１５ａの近傍に配置された端
子部１７ｂを有する引出端子１７を上述のコイル１５の
形成方法と同様にして形成する。

次に、第１１図に示すように、コイル１５の端子部１５
ａおよび引出端子１７の端子部１７ｂを除いて、リゾグ
ラフィー技術によりフォトレジストを形成し、これを約
２３０℃で熱硬化させることにより第２の絶縁膜１８を
形成、このウニ”１１を５ｓｍ　Ｘ　　５ｍｍの寸法で
分割し、多数のチップ１９を得る。

この後、第１２図に示すように、２つのチップ１つ、１
９を、そのスパイラル状のコイル１５．１５を対向させ
、かつ各端子部１５ａ、１７ｂが露出するように配置し
て、各節２の絶縁膜１８．１８の間に接着剤２０を塗布
して接合することにより第１図に示した薄膜トランスを
得る。

そしてこのように構成された薄膜トランスの一方のチッ
プ１９の端子部１５ａ、１７ｂに１ＭＩＩｚ　。

１０Ｖを入力し、他方のチップ１９の端子部１５ａ１１
７ｂの出力を測定したところ、その出力は、はぼＩＯＶ
であった。

したがって、この実施例の薄膜トランスは、小型化およ
び薄型化を図ることができるとともに、変換効率を良好
とすることができ、また、一対の同一のチップを接合す
るだけで構成されるので、コストも低減することができ
る。

［発明の効果コ以上説明したように本発明の薄膜トランスは、端子部を
有するスパイラル状のコイル、第１の絶縁膜、コイルに
接続された引出し端子および第２の絶縁膜を形成された
一対の磁性基板を、各端子部が露出するようコイルのス
パイラル部分を対向させ接合することにより構成される
ので、トランスの小型化および薄型化を図ることができ
るとともに、変換効率を良好とすることができ、また、
一対の同一の磁性基板を接合するので、コストも低減す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の薄膜トランスを説明するた
めの斜視図、第２図〜第１２図はそれぞれ第１図の薄膜
トランスの製造方法を説明するための図である。１・・・磁性基板、２．１５・・・コイル、２　ａ　％
　３　ａ　５１５ａ、１７ｂ・・・端子部、４・・・絶
縁膜、５・・・接着層、１１・・・ウェハ、１６・・・
第１の絶縁膜、１７・・・引出端子、１７ａ・・・引出
し部、１８・・・第２の絶縁膜、１９・・・チップ。出願人　　　　　　株式会社　東芝

Claims

【特許請求の範囲】

一対の磁性基板と、これらの磁性基板上にそれぞれスパ
イラル状に形成され一端が端子部とされたコイルと、こ
れらのコイルの前記端子部および他端を除いて形成され
た第１の絶縁膜と、前記コイルの他端に接続された引出
し部および前記磁性基板の前記端子部側に形成された端
子部を有する引出し端子と、前記各端子部を除く前記磁
性基板上に形成された第２の絶縁膜とを備え、これら一
対の磁性基板を、前記各端子部が露出するよう前記コイ
ルのスパイラル部分側を対向させ接合して構成したこと
を特徴とする薄膜トランス。