JPH02120832U - - Google Patents

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JPH02120832U
JPH02120832U JP2963889U JP2963889U JPH02120832U JP H02120832 U JPH02120832 U JP H02120832U JP 2963889 U JP2963889 U JP 2963889U JP 2963889 U JP2963889 U JP 2963889U JP H02120832 U JPH02120832 U JP H02120832U
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electrostatic
substrate
electrostatic adsorption
electrode
coated
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す断面概略図、
第２図は該実施例に於ける静電吸着用電極の平面
図、第３図は第２図のＡ矢視図、第４図は該実施
例に於ける吸着力減少状態を示す線図、第５図は
従来例を示す断面概略図である。 １は真空容器、４はウエーハ、８は直流電源、
１１は静電吸着用電極、１２は熱授受手段、１５
は溝、１６はヘリウム供給装置、１７はシール溝
を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ドライエツチング及びＣＶＤ等の処理装置に用
    いられる静電吸着装置に於いて、真空容器内に配
    設され被処理基板が載置される静電吸着用電極に
    熱授受手段を埋設し、該静電吸着用電極の被処理
    基板載置面に該被処理基板によつて閉塞される溝
    を刻設すると共に少なくとも静電吸着用電極の被
    処理基板載置面に絶縁被膜をコーテイングし、前
    記溝にヘリウムガスを供給するヘリウムガス供給
    装置を連通したことを特徴とする静電吸着電極装
    置。
JP2963889U 1989-03-15 1989-03-15 Pending JPH02120832U (ja)

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JPH02120832U true JPH02120832U (ja) 1990-09-28

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08289579A (ja) * 1995-01-06 1996-11-01 Applied Materials Inc 改善された冷却システムを有する耐腐食性静電チャック
JP2006303514A (ja) * 2006-05-01 2006-11-02 Fujitsu Ltd 静電チャック、成膜方法及びエッチング方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60115226A (ja) * 1983-11-28 1985-06-21 Hitachi Ltd 試料の温度制御方法及び装置

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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