JPH02120832U - - Google Patents

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JPH02120832U
JPH02120832U JP2963889U JP2963889U JPH02120832U JP H02120832 U JPH02120832 U JP H02120832U JP 2963889 U JP2963889 U JP 2963889U JP 2963889 U JP2963889 U JP 2963889U JP H02120832 U JPH02120832 U JP H02120832U
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Japan
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electrostatic
substrate
electrostatic adsorption
electrode
coated
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JP2963889U
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す断面概略図、
第２図は該実施例に於ける静電吸着用電極の平面
図、第３図は第２図のＡ矢視図、第４図は該実施
例に於ける吸着力減少状態を示す線図、第５図は
従来例を示す断面概略図である。 １は真空容器、４はウエーハ、８は直流電源、
１１は静電吸着用電極、１２は熱授受手段、１５
は溝、１６はヘリウム供給装置、１７はシール溝
を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ドライエツチング及びＣＶＤ等の処理装置に用
    いられる静電吸着装置に於いて、真空容器内に配
    設され被処理基板が載置される静電吸着用電極に
    熱授受手段を埋設し、該静電吸着用電極の被処理
    基板載置面に該被処理基板によつて閉塞される溝
    を刻設すると共に少なくとも静電吸着用電極の被
    処理基板載置面に絶縁被膜をコーテイングし、前
    記溝にヘリウムガスを供給するヘリウムガス供給
    装置を連通したことを特徴とする静電吸着電極装
    置。
JP2963889U 1989-03-15 1989-03-15 Pending JPH02120832U (ja)

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JPH02120832U true JPH02120832U (ja) 1990-09-28

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08289579A (ja) * 1995-01-06 1996-11-01 Applied Materials Inc 改善された冷却システムを有する耐腐食性静電チャック
JP2006303514A (ja) * 2006-05-01 2006-11-02 Fujitsu Ltd 静電チャック、成膜方法及びエッチング方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60115226A (ja) * 1983-11-28 1985-06-21 Hitachi Ltd 試料の温度制御方法及び装置

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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