JPH02120624A - 検知素子の製造法 - Google Patents
検知素子の製造法Info
- Publication number
- JPH02120624A JPH02120624A JP63273907A JP27390788A JPH02120624A JP H02120624 A JPH02120624 A JP H02120624A JP 63273907 A JP63273907 A JP 63273907A JP 27390788 A JP27390788 A JP 27390788A JP H02120624 A JPH02120624 A JP H02120624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrical conductor
- heating
- leads
- glass
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 23
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 241000270728 Alligator Species 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
- G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
- G01F1/692—Thin-film arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、抵抗値の温度依存性等を利用して、流体の流
量あるいは流速を測定するための検知素子の製造法に関
するものである。
量あるいは流速を測定するための検知素子の製造法に関
するものである。
(従来の技術)
従来、この種の検知素子としては、板状あるいは円柱状
のガラス、セラミックスあるいは金属(この場合は絶縁
物を介して)の基板上に、薄膜。
のガラス、セラミックスあるいは金属(この場合は絶縁
物を介して)の基板上に、薄膜。
厚膜またはワイヤ等からなる電気的導体部を形成し、さ
らに電気的導体部と外部回路を接続するための金属リー
ドを基板に導体ペーストあるいはガラスで固定したもの
が知られている。
らに電気的導体部と外部回路を接続するための金属リー
ドを基板に導体ペーストあるいはガラスで固定したもの
が知られている。
そして、これら電気的導体部は、外部雰囲気から保護す
るための保護層形成時等に焼付処理(熱処理)を加熱炉
(電気炉)を使用して実施していた。
るための保護層形成時等に焼付処理(熱処理)を加熱炉
(電気炉)を使用して実施していた。
(発明が解決しようとする課a)
しかしながら、上述した従来の加熱炉により熱処理する
方法では、たとえば通常保護層としてガラスを使用する
が、ガラス1.lIl付のときの酸化防止のため、金属
基板あるいは金属リードとして白金等の貴金属の使用が
必要となり、高価となる問題があった。
方法では、たとえば通常保護層としてガラスを使用する
が、ガラス1.lIl付のときの酸化防止のため、金属
基板あるいは金属リードとして白金等の貴金属の使用が
必要となり、高価となる問題があった。
また、貴金属の代わりに卑金属を使用するために11元
雰囲気または極低酸1〕濃度雪間気で加熱することが考
えられるが、ガラスはjス元雰囲気または極低酸素濃度
雰囲気では発泡したり分解したりする問題、また電気的
導体部の抵抗値や抵抗温度係数が不安定となったりする
問題があり、実施はむずかしかった。
雰囲気または極低酸1〕濃度雪間気で加熱することが考
えられるが、ガラスはjス元雰囲気または極低酸素濃度
雰囲気では発泡したり分解したりする問題、また電気的
導体部の抵抗値や抵抗温度係数が不安定となったりする
問題があり、実施はむずかしかった。
本発明の目的は上述した課題を解消して、材料の組み合
わせの自由度を増し、それにより性能のすくれた検知素
子を安価に得ることができる検知素子の製造法を提供し
ようとするものである。
わせの自由度を増し、それにより性能のすくれた検知素
子を安価に得ることができる検知素子の製造法を提供し
ようとするものである。
(課題を解決するだめの手段)
本発明の検知素子の製造法の第1発明は、基板上に電気
的導体部を設け、さらに電気的導体部と外部回路を接続
するための金属リードを基板に固定した後、前記電気的
導体部に通電し、電気的導体部の自己発熱にコ、り所定
温度に力11熱して実施1゛ろ熱処理工程を有1ろこと
を特徴どするものでk)る。
的導体部を設け、さらに電気的導体部と外部回路を接続
するための金属リードを基板に固定した後、前記電気的
導体部に通電し、電気的導体部の自己発熱にコ、り所定
温度に力11熱して実施1゛ろ熱処理工程を有1ろこと
を特徴どするものでk)る。
本発明の検知素子の製造法の第2発明は、基板上に電気
的導体部を設U、さらに電気的導体部と外部回路を接続
するための金属リードを基板に固定し、さらに電解メン
キにより前記電気的導体部の厚さを3)L1整した後、
該電気的導体部に通電し、電気的導体部の自己発熱によ
り所定温度に加熱して実施する熱処理工程を有すること
を′1.’j 敬とするものである。
的導体部を設U、さらに電気的導体部と外部回路を接続
するための金属リードを基板に固定し、さらに電解メン
キにより前記電気的導体部の厚さを3)L1整した後、
該電気的導体部に通電し、電気的導体部の自己発熱によ
り所定温度に加熱して実施する熱処理工程を有すること
を′1.’j 敬とするものである。
(作 用)
上述した構成において、電気的導体部に通電することに
よる自己宛う、ハを利用して熱処理を実/ji!!する
ことにより、金属リード部が高温になることがないため
、以下のような利点がある。
よる自己宛う、ハを利用して熱処理を実/ji!!する
ことにより、金属リード部が高温になることがないため
、以下のような利点がある。
(1) 金属リードとして卑金属を使用できる。
貴金属よりも安価なステンレス、鉄、ニッケル等が使用
できる。
できる。
(2)検知素子の感度が向上する。
貴金属よりも熱伝導率の小さいものをリードとして使用
できるためである。
できるためである。
(3)金属リード接合部に低融点ガラスが使用できる。
後工程の熱処理時に金属リード接合部が従来のような高
温とならないためである。
温とならないためである。
(4)金属リード材として耐熱性の低い材料が使用でき
る。
る。
(3)と同じ理由である。
(5)保護属として高融点材料が使用できる。
高融点材料の使用により接着強度をより大きくすること
ができる。またガラスの場合その成分からPb等の有害
成分を排除できる。
ができる。またガラスの場合その成分からPb等の有害
成分を排除できる。
(6)空気中での熱処理すなわちエージングができる。
雰囲気ガスが必要ないため、製造コストが安くかつ装置
も節便となる。
も節便となる。
また検知素子の抵抗値の安定化、抵抗温度係数(T、C
,R,)の改善ができる。
,R,)の改善ができる。
(実施例)
第1図(a)〜(C)はそれぞれ本発明の検知素子の製
造法の工程の一例を示す図である。本実施例では、まず
第1図(a)に示すように、円筒上のアルミナパイプ1
からなる基体上に、白金膜2をスパッタリングで設け、
さらにレーザトリミングによりスパイラル状とする。次
に、第1図(b)に示すように、アルミナパイプ1の両
端の内径側にステンレスリード3〜1.3−2を挿入し
、アルミナパイプ1とリード3−1および3−2の間に
ガラス白金?昆合ペーストを充填し、所定の加熱炉内で
焼付けて焼付部4−1.4−2を形成する。その後、こ
の状態でステンレスリード3−1.3−2を個別に例え
ばクリップ、ワニロあるいは専用治具(クリップ、ワニ
ロ、専用治具でリードをホールドすることにより、リー
ドの温度が高くなりすぎることを防止するという効果が
ある。)ではさみ、所定の電流を流すことにより、白金
膜2のみを自己加熱させる。この自己加熱の温度を電流
の大きさを所定の値に制御することにより調節してアニ
ーリングを実施し、白金膜2の抵抗値、抵抗温度係数を
改善する。最後に、第1図(C)に示すように、白金膜
2.焼付部4−1.4−2の全体にガラス保護層5を形
成して検知素子を得ている。
造法の工程の一例を示す図である。本実施例では、まず
第1図(a)に示すように、円筒上のアルミナパイプ1
からなる基体上に、白金膜2をスパッタリングで設け、
さらにレーザトリミングによりスパイラル状とする。次
に、第1図(b)に示すように、アルミナパイプ1の両
端の内径側にステンレスリード3〜1.3−2を挿入し
、アルミナパイプ1とリード3−1および3−2の間に
ガラス白金?昆合ペーストを充填し、所定の加熱炉内で
焼付けて焼付部4−1.4−2を形成する。その後、こ
の状態でステンレスリード3−1.3−2を個別に例え
ばクリップ、ワニロあるいは専用治具(クリップ、ワニ
ロ、専用治具でリードをホールドすることにより、リー
ドの温度が高くなりすぎることを防止するという効果が
ある。)ではさみ、所定の電流を流すことにより、白金
膜2のみを自己加熱させる。この自己加熱の温度を電流
の大きさを所定の値に制御することにより調節してアニ
ーリングを実施し、白金膜2の抵抗値、抵抗温度係数を
改善する。最後に、第1図(C)に示すように、白金膜
2.焼付部4−1.4−2の全体にガラス保護層5を形
成して検知素子を得ている。
第2図(a)〜(C)はそれぞれ本発明の検知素子の製
造法における工程の他の例を示す図である。本実施例で
は、まず第2図(a)に示すように板状のベリリア板1
1からなる基体上に、白金ロジウム合金膜12をスパッ
タリングで形成後スパッタエッチして所定パターンを設
ける。次に、第2図(b)に示すように、白金ロジウム
合金膜12の両端部近傍にニッケルリード13−1 、
13−2をガラスで固定して設け、合金膜12とニッケ
ルリード13−1 、13−2との間に白金ペーストを
設け、所定の加熱炉内で焼付けて焼付膜14−1 、1
4−2を形成する。その後、この状態でニッケルリード
13−1 、13−2を個別に例えばクリップ等ではさ
み、所定の電流を流すことによ、り白金ロジウム合金膜
12のみを自己加熱させる。この自己加熱の温度を電流
の大きさを所定の値に制御することにより調節してアニ
ーリングを実施して、白金ロジウム合金膜12の抵抗値
、抵抗温度係数を改善する。最後に、第2図(C)に示
すように、ベリリア板11の表面全体にガラス保護層1
5を形成して検知素子を得ている。
造法における工程の他の例を示す図である。本実施例で
は、まず第2図(a)に示すように板状のベリリア板1
1からなる基体上に、白金ロジウム合金膜12をスパッ
タリングで形成後スパッタエッチして所定パターンを設
ける。次に、第2図(b)に示すように、白金ロジウム
合金膜12の両端部近傍にニッケルリード13−1 、
13−2をガラスで固定して設け、合金膜12とニッケ
ルリード13−1 、13−2との間に白金ペーストを
設け、所定の加熱炉内で焼付けて焼付膜14−1 、1
4−2を形成する。その後、この状態でニッケルリード
13−1 、13−2を個別に例えばクリップ等ではさ
み、所定の電流を流すことによ、り白金ロジウム合金膜
12のみを自己加熱させる。この自己加熱の温度を電流
の大きさを所定の値に制御することにより調節してアニ
ーリングを実施して、白金ロジウム合金膜12の抵抗値
、抵抗温度係数を改善する。最後に、第2図(C)に示
すように、ベリリア板11の表面全体にガラス保護層1
5を形成して検知素子を得ている。
なお第1図、第2図の例において、リード付の後に電解
メッキ法等により電気的導体膜の厚さを調整することに
より検知素子の抵抗値を所定値となるようにすることも
できる。この調整は熱処理(アニーリング)前に実施す
ればより好ましいものである。
メッキ法等により電気的導体膜の厚さを調整することに
より検知素子の抵抗値を所定値となるようにすることも
できる。この調整は熱処理(アニーリング)前に実施す
ればより好ましいものである。
第3図(a)〜(d)はそれぞれ本発明の検知素子の製
造法における工程のさらに他の例を示す図である。
造法における工程のさらに他の例を示す図である。
本実施例では、まず第3図(a)に示す円筒状のアルミ
ナボビン21からなる基体の両端の空間部に、第3図(
b)に示すようにNiFe合金リード22−1 、22
−2を挿入し、アルミナボビン21とリード22−1お
よび22−2の間にガラスペーストを設け、所定の加熱
炉内で焼付けて焼付部23−1 、23−2を形成する
。次に、第3図(C)に示すように、リード22−1.
22−2の直径よりも細い直径(例えば20μ醜φ)の
白金ワイヤ24を、リード22−1からアルミナボビン
21上をスパイラル状に巻き最終的にリード22−2に
巻き付ける。この巻き付けにおいてアルミナボビンの端
部に近いところの巻き数を多くし、アルミナボビンの中
央の巻き数をすくなくすることで次の自己加熱時のアル
ミナボビン表面の温度をその端部中央部ともほぼ等しく
することができる。このことは第1図、第2図の実施例
においては膜の幅を端部はと狭くすることで同様の効果
が得られる。この状態で、NiFe合金リード22−1
.22−2を個別に例えばクリップ等ではさみ、所定の
電流を流すことにより白金ワイヤ24のみを自己発熱さ
せる。この自己発熱の温度を電流の大きさを所定の値に
制御することにより調節してアニーリングを実施して、
白金ワイヤ24の抵抗値の安定性、抵抗温度係数を改善
する。最後に二第3図回に示すように、白金ワイヤ24
の表面にガラス保護層25を形成して検知素子を得てい
る。このガラス保護層形成時の熱処理を白金ワイヤ24
の自己発熱により実施しても良い。以下、実際の例につ
いて説明する。
ナボビン21からなる基体の両端の空間部に、第3図(
b)に示すようにNiFe合金リード22−1 、22
−2を挿入し、アルミナボビン21とリード22−1お
よび22−2の間にガラスペーストを設け、所定の加熱
炉内で焼付けて焼付部23−1 、23−2を形成する
。次に、第3図(C)に示すように、リード22−1.
22−2の直径よりも細い直径(例えば20μ醜φ)の
白金ワイヤ24を、リード22−1からアルミナボビン
21上をスパイラル状に巻き最終的にリード22−2に
巻き付ける。この巻き付けにおいてアルミナボビンの端
部に近いところの巻き数を多くし、アルミナボビンの中
央の巻き数をすくなくすることで次の自己加熱時のアル
ミナボビン表面の温度をその端部中央部ともほぼ等しく
することができる。このことは第1図、第2図の実施例
においては膜の幅を端部はと狭くすることで同様の効果
が得られる。この状態で、NiFe合金リード22−1
.22−2を個別に例えばクリップ等ではさみ、所定の
電流を流すことにより白金ワイヤ24のみを自己発熱さ
せる。この自己発熱の温度を電流の大きさを所定の値に
制御することにより調節してアニーリングを実施して、
白金ワイヤ24の抵抗値の安定性、抵抗温度係数を改善
する。最後に二第3図回に示すように、白金ワイヤ24
の表面にガラス保護層25を形成して検知素子を得てい
る。このガラス保護層形成時の熱処理を白金ワイヤ24
の自己発熱により実施しても良い。以下、実際の例につ
いて説明する。
ユ」1舛
96%アルミナ(焼結助剤4%)の外径0.5mmφ、
内径0.25mmφ、長さ4 mmのパイプの外表面に
厚さ0.7μmの白金膜をスパッタリングで形成後、レ
ーザートリミングによりスパイラル状として第1図(a
)に示す形状の基体を得た。
内径0.25mmφ、長さ4 mmのパイプの外表面に
厚さ0.7μmの白金膜をスパッタリングで形成後、レ
ーザートリミングによりスパイラル状として第1図(a
)に示す形状の基体を得た。
次に、外径0.2柵φ、長さ4 mmのステンレス(S
IIS304) リードを第1図(b)に示すように
上記パイプの両側にガラス/白金混合ペースl−(40
/60シO1%)で固定した。このペーストの焼付はN
t雰囲気中680°Cで行った。このときの電気的導体
部すなわち白金膜の抵抗は室温で350Ωであった。
IIS304) リードを第1図(b)に示すように
上記パイプの両側にガラス/白金混合ペースl−(40
/60シO1%)で固定した。このペーストの焼付はN
t雰囲気中680°Cで行った。このときの電気的導体
部すなわち白金膜の抵抗は室温で350Ωであった。
マタ、抵抗温度係数(T、C,rl、) ハO〜100
’Cテ2400ppm/にであった。
’Cテ2400ppm/にであった。
次に、第4図に示すように回路を組み、検知素子に通電
し加熱した。このときの検知素子表面温度を放射温度針
で測定し、所定表面温度となるようパワー制御した。す
なわち、表面温度750 ’C(0,9W)で3時間通
電後抵抗値は305Ωと低値で安定した。また、抵抗温
度係数(T、C,R,)は3400ppm/にとなった
。
し加熱した。このときの検知素子表面温度を放射温度針
で測定し、所定表面温度となるようパワー制御した。す
なわち、表面温度750 ’C(0,9W)で3時間通
電後抵抗値は305Ωと低値で安定した。また、抵抗温
度係数(T、C,R,)は3400ppm/にとなった
。
その後、ガラス粉末ペーストを白金膜上に塗布接着後、
250 ’C乾燥、350°C有椴バインダ等除去、8
00°C溶融という熱処理スケジュールを上記通電加熱
により実施し、第1図(C)に示すようにガラス保護層
を形成した。
250 ’C乾燥、350°C有椴バインダ等除去、8
00°C溶融という熱処理スケジュールを上記通電加熱
により実施し、第1図(C)に示すようにガラス保護層
を形成した。
なお、これらの通電加熱においてステンレスリードが酸
化したり、リード固定部がゆるむような不具合は発生し
なかった。
化したり、リード固定部がゆるむような不具合は発生し
なかった。
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく
、幾多の変形2変更が可能である。例えば、上述した実
施例では、白金膜をスパフタリングで形成しているが、
蒸着、化学メッキ、これらの組み合わせ、さらにこれら
の被膜上へ電解メンキを重ねた被膜等においても、同様
の通電加熱で同様の効果を確認した。
、幾多の変形2変更が可能である。例えば、上述した実
施例では、白金膜をスパフタリングで形成しているが、
蒸着、化学メッキ、これらの組み合わせ、さらにこれら
の被膜上へ電解メンキを重ねた被膜等においても、同様
の通電加熱で同様の効果を確認した。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明の検知素子の製
造法によれば、電気的導体部に通電することによる自己
発熱を利用して熱処理を実施することにより、材料の組
み合わせの自由度を増し、それにより性能の優れた検知
素子を安価に11)るごとができる。
造法によれば、電気的導体部に通電することによる自己
発熱を利用して熱処理を実施することにより、材料の組
み合わせの自由度を増し、それにより性能の優れた検知
素子を安価に11)るごとができる。
第1図(a)〜(C)、第2図(a)〜(C)、第3図
(a) 〜((1)はそれぞれ本発明の検知素子の製造
法における工程の一例を示す図、 第4図は本発明の検知素子に通電するときの状態を示す
図である。 1・・・アルミナパイプ 2・・・白金膜3−1.
.3−2・・・ステンレスリード4−1.4−2・・・
焼付部 5・・・ガラス保護膜11・・・へりリア板 12・・・白金ロジウム合金膜 13−1 、13−2・・・ニッケルリード14−1.
14−2・・・焼付膜 15・・・ガラス保護層21・
・・アルミナボビン 22 1 、22 2−NiFe合金リード23−1
、23−2・・・焼付部 24・・・白金ワ・イヤ25
・・・ガラス保護層 第2図 第3図
(a) 〜((1)はそれぞれ本発明の検知素子の製造
法における工程の一例を示す図、 第4図は本発明の検知素子に通電するときの状態を示す
図である。 1・・・アルミナパイプ 2・・・白金膜3−1.
.3−2・・・ステンレスリード4−1.4−2・・・
焼付部 5・・・ガラス保護膜11・・・へりリア板 12・・・白金ロジウム合金膜 13−1 、13−2・・・ニッケルリード14−1.
14−2・・・焼付膜 15・・・ガラス保護層21・
・・アルミナボビン 22 1 、22 2−NiFe合金リード23−1
、23−2・・・焼付部 24・・・白金ワ・イヤ25
・・・ガラス保護層 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に電気的導体部を設け、さらに電気的導体部
と外部回路を接続するための金属リードを基板に固定し
た後、前記電気的導体部に通電し、電気的導体部の自己
発熱により所定温度に加熱して実施する熱処理工程を有
することを特徴とする検知素子の製造法。 2、基板上に電気的導体部を設け、さらに電気的導体部
と外部回路を接続するための金属リードを基板に固定し
、さらに電解メッキにより前記電気的導体部の厚さを調
整した後、該電気的導体部に通電し、電気的導体部の自
己発熱により所定温度に加熱して実施する熱処理工程を
有することを特徴とする検知素子の製造法。 3、熱処理工程が電気的特性を安定にするための手段で
ある請求項1または2に記載の検知素子の製造法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63273907A JPH0687021B2 (ja) | 1988-10-29 | 1988-10-29 | 検出素子の製造法 |
DE3935936A DE3935936C2 (de) | 1988-10-29 | 1989-10-27 | Verfahren zum Herstellen eines Detektorelements |
US07/427,649 US5061350A (en) | 1988-10-29 | 1989-10-27 | Method for producing detecting element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63273907A JPH0687021B2 (ja) | 1988-10-29 | 1988-10-29 | 検出素子の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02120624A true JPH02120624A (ja) | 1990-05-08 |
JPH0687021B2 JPH0687021B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=17534233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63273907A Expired - Lifetime JPH0687021B2 (ja) | 1988-10-29 | 1988-10-29 | 検出素子の製造法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5061350A (ja) |
JP (1) | JPH0687021B2 (ja) |
DE (1) | DE3935936C2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012117446A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流量計 |
JP2020176991A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | 新コスモス電機株式会社 | 接触燃焼式水素ガスセンサ及び接触燃焼式水素ガスセンサの製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07118401B2 (ja) * | 1990-09-13 | 1995-12-18 | コーア株式会社 | 白金薄膜抵抗体 |
US5635894A (en) * | 1993-12-23 | 1997-06-03 | The Boeing Company | Hi reliability fault tolerant terminating resistor |
KR100499227B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2005-07-01 | 가부시키 가이샤 히다치 카 엔지니어링 | 물리량 검출장치, 물리량 검출장치의 제조방법 및 물리량검출장치를 사용한 차량제어시스템 |
DE10062293A1 (de) | 2000-12-14 | 2002-07-04 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2013008273A1 (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 流量計 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE206109C (ja) * | ||||
DE1108789B (de) * | 1955-05-12 | 1961-06-15 | Fritz Math | Verfahren zur Herstellung elektrischer Drahtwiderstaende aus einem Drahtgewebe |
DE2507731C3 (de) * | 1975-02-22 | 1978-09-07 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler, 6000 Frankfurt | Meßwiderstand für Widerstandsthermometer und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE7629727U1 (de) * | 1976-09-23 | 1976-12-30 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler, 6000 Frankfurt | Messwiderstand fuer widerstandsthermometer |
DE3034175A1 (de) * | 1980-09-11 | 1982-04-15 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung chemisch abscheidbarer, elektrisch leitfaehiger schichten |
US4476156A (en) * | 1983-03-10 | 1984-10-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Low temperature process for obtaining thin glass films |
JPS62262385A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-14 | 日本碍子株式会社 | 発熱抵抗体 |
-
1988
- 1988-10-29 JP JP63273907A patent/JPH0687021B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-10-27 DE DE3935936A patent/DE3935936C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-27 US US07/427,649 patent/US5061350A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012117446A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流量計 |
JP2020176991A (ja) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | 新コスモス電機株式会社 | 接触燃焼式水素ガスセンサ及び接触燃焼式水素ガスセンサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5061350A (en) | 1991-10-29 |
DE3935936A1 (de) | 1990-05-03 |
JPH0687021B2 (ja) | 1994-11-02 |
DE3935936C2 (de) | 1993-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4541900A (en) | Method for heating solid electrolyte | |
JPH02120624A (ja) | 検知素子の製造法 | |
JPS6110756A (ja) | ガスセンサの製造法 | |
JPH0287032A (ja) | 高温用サーミスタ | |
JPH1140403A (ja) | 温度センサ素子 | |
EP0038078B1 (en) | Gas sensor | |
JPS6124178A (ja) | 導電体を導電性帯状体又は導電性層と耐熱的に接触させる方法 | |
JP2938700B2 (ja) | 熱式流量計 | |
JP2537606B2 (ja) | セラミツクヒ−タ | |
JPH11121207A (ja) | 温度センサ | |
JPS5884405A (ja) | 薄膜サ−ミスタの製造方法 | |
JPH0235432B2 (ja) | ||
JPH01130503A (ja) | 薄膜サーミスタ | |
JPS5821801B2 (ja) | 高温用感温素子及びその製造方法 | |
JP2925420B2 (ja) | 抵抗体素子 | |
JPH047082B2 (ja) | ||
JPS60124802A (ja) | ガラス封止型サ−ミスタ | |
JPS6252924B2 (ja) | ||
JPH10312903A (ja) | 温度センサ | |
JP2567931B2 (ja) | 巻線型抵抗素子 | |
JPH01100445A (ja) | ガス検出装置 | |
JPS622683B2 (ja) | ||
JPH01100888A (ja) | セラミックスヒータ | |
JPS5897283A (ja) | 発熱素子 | |
JPH06231902A (ja) | 貴金属被膜線及び抵抗体素子 |