JPH02116664A - ムライト焼結体の製造法 - Google Patents

ムライト焼結体の製造法

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JPH02116664A
JPH02116664A JP63267586A JP26758688A JPH02116664A JP H02116664 A JPH02116664 A JP H02116664A JP 63267586 A JP63267586 A JP 63267586A JP 26758688 A JP26758688 A JP 26758688A JP H02116664 A JPH02116664 A JP H02116664A
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JP
Japan
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mullite
sintered body
powder
temp
weight
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Pending
Application number
JP63267586A
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English (en)
Inventor
Akihito Iwai
明仁 岩井
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は焼結性に優れ1機械的強度、特に高温において
も強度の良好なムライト焼結体の製造法に関する。
(従来の技術) ムライト焼結体は、高融点で、かつ低膨張であり、また
耐熱、耐クリープ性に優れるため、高温構造部材に使用
されてきた。
さらに高純度ムライト焼結体は、高温でも強度が劣化し
ないことがジャーナル、オブ、アメリカン、セラミック
、ソサイアテイ(Journal ofAmerica
n Ceramic 5ociety )の第70巻重
第1号−〇−7〜C−8,1987年発行に示されてい
る。
この様な高純度ムライト焼結体は、高純度の金属アルコ
キシド、コロイダルシリカ、アルミナゾル、水溶性塩類
等のように原料として溶液化する工程を経たものを用い
て製造する方法が多く提案されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら高純度ムライト焼結体は、焼結性が悪く、
溶液化する工程を経て作られた微細で活性な原料粉末を
用いても、高純度で高強度のムライト焼結体を製造する
には、1650℃以上の高温で焼成しなければならない
。そのため設備費。
燃料費等がかさみ、結果としてムライト焼結体のコスト
高を招くという問題がある。また溶液化する工程を経て
微細で活性な原料粉末を作るために高価になるという問
題がある。これに対し、安価な酸化物粉末、カオリン等
を用い、固相反応によりムライト焼結体を製造する方法
がある。しかしこの方法では、焼結性が悪く、高温で焼
成しても十分な強度を得ることが困難であるという問題
がある。
上記の他に特公昭61−15532号公報に示されるよ
うに、ムライト基板を製造するのに、酸化マグネシウム
を添加して焼成温度を下げ、焼結性を向上させる方法が
ある。しかし酸化マグネシウムを添加して焼成しただけ
では、酸化マグネシウム粉がムライト原料粉のアルミナ
およびシリカと反応して粒界相にガラス相を形成し、こ
のガラス相が高温にさらされるとガラス相の軟化がおこ
り1強度が劣化するという問題が生じた。
本発明は上記の問題のないムライト焼結体の製造法を提
供することを目的とするものである。
(a題を解決するための手段) 本発明は重量比でアルミナ:シリカが65 : 35乃
至80 : 20のムライト原料粉または該ムライト原
料粉を焼成後粉砕したムライト質の粉末95〜99.8
重量係および酸化マグネシウム粉0.2〜5重量%また
は酸化マグネシウムを0.2〜5重量%含む塩若しくは
有機化合物を均一に混合した後。
焼成し、この後1200〜1500℃で10分〜10時
間熱処理するムライト焼結体の製造法に関する。
本発明においてムライト原料粉は1重量比でアルミナニ
ジリカが65:35乃至80:20の範囲とされ、この
範囲から外れると高温において強度が劣化し1本発明の
目的を達成することができない。
ムライト焼結体は、ムライト原料粉となるアルミナとシ
リカとを酸化マグネシウム粉または酸化マグネシウムを
含む塩若しくは有機化合物と同時に混合し、その後焼成
してムライト焼結体としてもよく、またアルミナとシリ
カとを混合し、それを−度焼成して粉砕し、ムライト質
の粉末とした本のを酸化マグネシウム粉または酸化マグ
ネシウムを含む壇若しくは有機化合物と混合し、その後
焼成してムライト焼結体としてもよく制限はない。
なおムライト焼結体中のムライト質には80重重量幅上
のムライト結晶を含むことが好ましい。
本発明のムライト焼結体の製造法では、ムライト原料粉
またはムライト原料粉を焼成後粉砕したムライト質の粉
末が95〜99.8重量係および酸化マグネシウムが0
.2〜5重量%の範囲とされ。
ムライト原料粉またはムライト原料粉を焼成後粉砕した
ムライト質の粉末が99.8重量係を越え。
酸化マグネシウムが0.2重量幅未満であると焼結性を
向上させる効果が不十分であり、またムライト質が95
重重量幅満で、酸化マグネシウムが5重量係を越えると
焼結体が発泡するかまたは高温において強度が劣化する
という問題が生じる。
本発明において酸化マグネシウムを0.2〜5重量%含
む塩としては、酢酸マグネシウム、硫酸マグネシウム、
炭酸マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、くえん酸
マグネシウム、水酸化マグネシウム、硝酸マグネシウム
、しゆう酸マグネシウム等およびこれらの水和物が用い
られ、また酸化マグネシウムを0.2〜5重量%含む有
機化合物としては、マグネシウムメトキシド、マグネシ
ウムエトキシド等が用いられ特に制限はない。
ムライト原料粉またはムライト質の粉末と酸化マグネシ
ウムまたは酸化マグネシウムを含む塩若しくは有機化合
物との混合方法については特に制限はな〈従来公知の方
法で行なうものとする。また焼成温度は9組成または配
合割合により適宜選定するものとし、特に制限はないが
9通常は1400〜1650℃程度の温度で焼成される
熱処理の温度は、1200〜1500℃で行なうことが
必要とされ、焼成温度より高い温度で熱処理を行なうと
粒成長を起こすなどの問題が生じ。
一方1200℃未満の温度では粒界相の結晶化の速度が
遅く不具合であり、1500℃を越えると粒界の結晶化
が進行しないという問題が生じる。
また熱処理の時間は、上記に示す温度で10分〜100
時間の範囲で行なうことが必要とされ。
10分未満では粒界相の結晶化が十分に進行せず。
100時間を越えると熱処理に要する費用がかさみ、結
果としてムライト焼結体が高価となる。熱処理は降温の
途中で行なってもよく、−度室温程度まで降温した後昇
温しで行なってもよく制限はない。
(作用) 本発明に示すような組成物を焼成した後、焼成温度より
低温の1200〜1500℃で10分〜100時間熱処
理することにより2粒界相にムライト以外のエンスタタ
イト(Mg0・8i0z)t 7オルステライト(2M
gO−8iOt ) 、スピネル(MgO・Aj z 
Os ) −コーディエライト(2Mg0・2A’zO
s・5SiO2)、サファリン(4Mg0・5A/mO
s・28i0*)等の結晶相が析出する。粒界相に上記
のような結晶相が存在する場合は1粒界相の軟化が起こ
りKくくなり、高温においての強度の劣化が小さくなり
、fた焼結温度を低くすることができるものと考えられ
る。
(実施例) 以下本発明の詳細な説明する。
実施例1 酸化アルミニウム粉(昭和電工部、商品名U人−510
5,純度99.99チ)および二酸化珪素粉(小宗化学
薬品製、高純度試薬、純度99.99cII)を第1表
に示す配合割合に秤量し、ボールミルで6時間湿式混合
して解粒後噴霧乾燥した。これを1650℃で1時間焼
成し、冷却後粉砕してムライト質の粉末を得た。このム
ライト質の粉末には90重渣悌以上のムライト結晶が含
まれていた。
次に上記で得たムライト質の粉末に塩基性炭酸マグネシ
ウム粉(和光純薬工業製、試薬特級)を酸化物換算で第
1表に示す配合割合で添加し、再びボールミルで平均粒
径が約1μmになるまで湿式混合、粉砕した。得られた
泥漿100重量部に対しポリビニルアルコール(クラレ
製、商品名ポバールl 10 ) 2重量部およびワッ
クス(モーピル石油製、商品名マルレツクス209 )
2重量部を添加し、噴霧乾燥して成形用顆粒を得た。つ
いで成形用顆粒を12 ト//cm”の圧力でラバーブ
レス成形後、第2表に示す温度で3時間焼成してムライ
ト焼結体を得た。
得られたムライト焼結体を3+nnmX4aaX40の
寸法に切断し、JIS  R1601−1981に基づ
き、3点曲げ試験で室温時および1200℃時における
曲げ強度を測定した。その結果を合わせて第2表に示す
なお熱処理温度が1500℃を越えると粒界の結晶化が
進行せず、また熱処理時間が100時間を越えると熱処
理の費用がかさみコスト高となるので曲げ強度の測定は
行なわなかった。
第1表および第2表から明らかなように9本発明によっ
て得られたムライト焼結体は、焼成温度を賦香1の高純
度ムライト焼結体に比較し、150〜200℃程低下す
ることができ、しかも室温での曲げ強度に優れ、また1
200℃の高温においても劣下が小さいことがわかる。
これに対し賦香3.7および10のムライト焼結体は、
高温における曲げ強度の劣化が大きいことがわかる。
(発明の効果) 本発明によって得られるムライト焼結体は、従来の焼成
温度より150〜200℃程低い温度で焼成することが
でき、室温での強度に浸れ、tた高温においても強度劣
化が小さく、安価に製造することができ、工業的に極め
て好適なムライト焼結体である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.重量比でアルミナ:シリカが65:35乃至80:
    20のムライト原料粉または該ムライト原料粉を焼成後
    粉砕したムライト質の粉末95〜99.8重量%および
    酸化マグネシウム粉0.2〜5重量%または酸化マグネ
    シウムを0.2〜5重量%含む塩若しくは有機化合物を
    均一に混合した後,焼成し,この後1200〜1500
    ℃で10分〜100時間熱処理することを特徴とするム
    ライト焼結体の製造法。
JP63267586A 1988-10-24 1988-10-24 ムライト焼結体の製造法 Pending JPH02116664A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015504835A (ja) * 2011-12-09 2015-02-16 ニューサウス イノベイションズ ピーティーワイ リミテッド パーコレーションムライトおよびその形成方法
US11773462B2 (en) * 2016-12-22 2023-10-03 Posco Co., Ltd Annealing separator composition for grain-oriented electrical steel sheet, grain-oriented electrical steel sheet, and method for producing grain-oriented electrical steel sheet

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