JPH02113616A - 弾性波フィルタ、及びそれを用いたアンテナ分波器 - Google Patents
弾性波フィルタ、及びそれを用いたアンテナ分波器Info
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- JPH02113616A JPH02113616A JP26603488A JP26603488A JPH02113616A JP H02113616 A JPH02113616 A JP H02113616A JP 26603488 A JP26603488 A JP 26603488A JP 26603488 A JP26603488 A JP 26603488A JP H02113616 A JPH02113616 A JP H02113616A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＶＨＦ帯およびＵＨＦ帯でフィルタとして使
用できる圧電薄膜を利用した低損失、広帯域な弾性波フ
ィルタに関する。
用できる圧電薄膜を利用した低損失、広帯域な弾性波フ
ィルタに関する。
高周波帯しおけるフィルタ、発振子等として圧電体の厚
み振動を利用した圧電振動子が利用されている。厚み振
動の共振周波数は基板の厚みに反比例するため、高周波
の振動子を作るためには、厚みを薄くしなければならな
い。従来、上記圧電振動子として水晶やチタン酸鉛等の
圧電体を用いた共振子やフィルタなどの素子が実用化さ
れているが、上述したように基板の厚みにより共振周波
数が決まるため、圧電基板の加工精度および機械的強度
等の制約により、利用可能な周波数は数十ＭＨｚが限界
となっていた。
み振動を利用した圧電振動子が利用されている。厚み振
動の共振周波数は基板の厚みに反比例するため、高周波
の振動子を作るためには、厚みを薄くしなければならな
い。従来、上記圧電振動子として水晶やチタン酸鉛等の
圧電体を用いた共振子やフィルタなどの素子が実用化さ
れているが、上述したように基板の厚みにより共振周波
数が決まるため、圧電基板の加工精度および機械的強度
等の制約により、利用可能な周波数は数十ＭＨｚが限界
となっていた。
最近、−層高周波で厚み振動の基本モードで動作が可能
な圧電薄膜を用いた振動子が研究されている。このよう
な圧電薄膜素子について、例えば、電子情報通信学会技
術研究報告ＵＳ８５−２５、第１７〜２２頁に論じられ
ている。また、この種の装置は、例えば、特開昭６１−
７５６１４号公報および特開昭６ｌ−ｊ７１８２２号公
報にも開示されている。
な圧電薄膜を用いた振動子が研究されている。このよう
な圧電薄膜素子について、例えば、電子情報通信学会技
術研究報告ＵＳ８５−２５、第１７〜２２頁に論じられ
ている。また、この種の装置は、例えば、特開昭６１−
７５６１４号公報および特開昭６ｌ−ｊ７１８２２号公
報にも開示されている。
上記圧電薄膜素子は、異方性エツチング技術を用いてシ
リコン基板にダイアフラムを形成し、それに、順次、下
部電極、圧電薄膜および上部電極を形成して、振動子を
構成している。このように薄膜形成および加工技術を用
いて、振動部分の厚さを数μｍから数十μｍと非常に薄
くできるため、１００ＭＨｚ以上の高周波で動作できる
素子が実現できる。
リコン基板にダイアフラムを形成し、それに、順次、下
部電極、圧電薄膜および上部電極を形成して、振動子を
構成している。このように薄膜形成および加工技術を用
いて、振動部分の厚さを数μｍから数十μｍと非常に薄
くできるため、１００ＭＨｚ以上の高周波で動作できる
素子が実現できる。
上記従来の圧電薄膜素子では、振動部分を薄膜で形成し
、シリコンなどの基板で支持する構成となってお１バ励
振された弾性波は電極部で伝搬モト、電極の無い部分で
は非伝搬モードとなって、エネルギーの閉じ込めが行わ
れる。しかし、更に低損失の素子を実現するためには、
支持部からのエネルギーの漏れが無視できなくなる。
、シリコンなどの基板で支持する構成となってお１バ励
振された弾性波は電極部で伝搬モト、電極の無い部分で
は非伝搬モードとなって、エネルギーの閉じ込めが行わ
れる。しかし、更に低損失の素子を実現するためには、
支持部からのエネルギーの漏れが無視できなくなる。
本発明は、上記エネルギーの漏れを防止した低損失の圧
電薄膜素子による弾性波フィルタを提供することを目的
とする。
電薄膜素子による弾性波フィルタを提供することを目的
とする。
上記目的を達成するために本発明においては、振動部の
幾何学的形状によりエネルギーの閉じ込めが行われるよ
うに、即ち、複数の薄膜で形成された振動部分を、振動
モードに合わせて形成することによって、従来の無電極
部および支持部からのエネルギーの漏れを防止するよう
にした。
幾何学的形状によりエネルギーの閉じ込めが行われるよ
うに、即ち、複数の薄膜で形成された振動部分を、振動
モードに合わせて形成することによって、従来の無電極
部および支持部からのエネルギーの漏れを防止するよう
にした。
圧電薄膜を利用した弾性波フィルタでは、電極で励振さ
れた弾性波は伝搬モードとなり、薄膜中を伝搬して行く
が、本発明では、振動部は上記のような幾何学的形状に
形成されているため、弾性波は薄膜端面で反射されるこ
とになる。これにより、従来に比べて振動部と支持基板
間のエネルギーの漏れを減少させることができ、フィル
タの損失を低減することが出来る。
れた弾性波は伝搬モードとなり、薄膜中を伝搬して行く
が、本発明では、振動部は上記のような幾何学的形状に
形成されているため、弾性波は薄膜端面で反射されるこ
とになる。これにより、従来に比べて振動部と支持基板
間のエネルギーの漏れを減少させることができ、フィル
タの損失を低減することが出来る。
第１図（ａ）は本発明第１実施例の平面図、第１図（ｂ
）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図である。この弾性
波フィルタは、シリコン単結晶基板１の一方の表面に酸
化シリコン薄膜２を形成し、シリコン単結晶基板の他方
の表面から、異方性エツチングを行って酸化７リコン薄
膜のダイアフラムを形成した後、下部室＠ｐ、３、酸化
亜鉛薄膜４及び下部電極５を順次形成して構成した。酸
化シリコン薄膜および酸化亜鉛薄膜はスパッタリング法
により形成した。また、上部および下部電極は、材料に
Ｔ１Ａｕを用い、蒸着法により形成した。シリコン単結
晶基板として表面が（１ｏｏ）ｉである基板を用いた場
合、水酸化カリウム又はエチレンジアミン等のエツチン
グ液を用いると、シリコン単結晶の（１００）面のエツ
チング速度に比べて（１１１）面に対するエツチング速
度が非常に遅く、この異方性を利用して第１図に示すよ
うなダイアフラムを形成することが出来る。
）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図である。この弾性
波フィルタは、シリコン単結晶基板１の一方の表面に酸
化シリコン薄膜２を形成し、シリコン単結晶基板の他方
の表面から、異方性エツチングを行って酸化７リコン薄
膜のダイアフラムを形成した後、下部室＠ｐ、３、酸化
亜鉛薄膜４及び下部電極５を順次形成して構成した。酸
化シリコン薄膜および酸化亜鉛薄膜はスパッタリング法
により形成した。また、上部および下部電極は、材料に
Ｔ１Ａｕを用い、蒸着法により形成した。シリコン単結
晶基板として表面が（１ｏｏ）ｉである基板を用いた場
合、水酸化カリウム又はエチレンジアミン等のエツチン
グ液を用いると、シリコン単結晶の（１００）面のエツ
チング速度に比べて（１１１）面に対するエツチング速
度が非常に遅く、この異方性を利用して第１図に示すよ
うなダイアフラムを形成することが出来る。
従来の弾性波フィルタでは電極を利用してエネルギー閉
じ込めを行うだけであったが、本実施例ではエネルギー
の漏れを防止して更に効率を上げるため、上部電極の弾
性波の伝搬方向と直角な両端で電極端に合わせて、酸化
亜鉛膜をエツチング除去した構造とした。電気信号は表
面に形成された電極の一方に印加され、他方から取り出
される。
じ込めを行うだけであったが、本実施例ではエネルギー
の漏れを防止して更に効率を上げるため、上部電極の弾
性波の伝搬方向と直角な両端で電極端に合わせて、酸化
亜鉛膜をエツチング除去した構造とした。電気信号は表
面に形成された電極の一方に印加され、他方から取り出
される。
印加された電気信号は接地された下部電極との間に電界
を生じ、これにより酸化亜鉛膜の圧電効果により弾性波
が励起され、伝搬モードとなって薄膜構造からなる振動
部を伝搬するが、両端部がエツチング除去されているの
で、薄膜部分から基板への漏洩を抑えることが出来る。
を生じ、これにより酸化亜鉛膜の圧電効果により弾性波
が励起され、伝搬モードとなって薄膜構造からなる振動
部を伝搬するが、両端部がエツチング除去されているの
で、薄膜部分から基板への漏洩を抑えることが出来る。
このような振動部の幾何学的形状によりエネルギーの漏
洩防止をした８００ＭＨｚ帯の弾性波フィルタについて
調べた結果、従来に比べ、１．５ｄＢ程度の損失改善効
果が得られることが判った。
洩防止をした８００ＭＨｚ帯の弾性波フィルタについて
調べた結果、従来に比べ、１．５ｄＢ程度の損失改善効
果が得られることが判った。
なお、上記実施例では、シリコン単結晶基板に酸化シリ
コン薄膜を形成した後、異方性エツチングによりダイア
フラムを形成したが、これは圧電体として用いた酸化亜
鉛薄膜が両性酸化物であり、−巻方性”・チ７グ液で溶
解してしまうため・予めエツチングを行うのである。し
かし、ＵＨＦ帯で用いられる酸化シリコン膜は数μｍ程
度と薄いため、この上にスパッタリング法、ＣＶＤ法な
どで酸化亜鉛膜を形成した場合、膜の内部応力により、
膜面に歪が生じてしまう場合がある。そこで、上述の方
法とは別に、酸化亜鉛薄膜および電極を形成した後、ホ
トレジスト又はＣｒ−人Ｕ等の保護膜で酸化亜鉛膜を保
護した上で異方性エツチングを行うようにしても良い。
コン薄膜を形成した後、異方性エツチングによりダイア
フラムを形成したが、これは圧電体として用いた酸化亜
鉛薄膜が両性酸化物であり、−巻方性”・チ７グ液で溶
解してしまうため・予めエツチングを行うのである。し
かし、ＵＨＦ帯で用いられる酸化シリコン膜は数μｍ程
度と薄いため、この上にスパッタリング法、ＣＶＤ法な
どで酸化亜鉛膜を形成した場合、膜の内部応力により、
膜面に歪が生じてしまう場合がある。そこで、上述の方
法とは別に、酸化亜鉛薄膜および電極を形成した後、ホ
トレジスト又はＣｒ−人Ｕ等の保護膜で酸化亜鉛膜を保
護した上で異方性エツチングを行うようにしても良い。
第２図は本発明第２実施例の側断面図で、シリコン単結
晶基板１の表面に酸化シリコン薄膜２、下部電極３、酸
化亜鉛薄膜４及び上部電極５を順次形成し、またシリコ
ン単結晶の異方性エツチングによりダイアフラムを形成
し′〔あるのは第１実施例の場合と同様である。本実施
例では、酸化亜鉛膜だけでなく、下地の酸化シリコン膜
も振動部の両端でエツチングして除去した構造とした。
晶基板１の表面に酸化シリコン薄膜２、下部電極３、酸
化亜鉛薄膜４及び上部電極５を順次形成し、またシリコ
ン単結晶の異方性エツチングによりダイアフラムを形成
し′〔あるのは第１実施例の場合と同様である。本実施
例では、酸化亜鉛膜だけでなく、下地の酸化シリコン膜
も振動部の両端でエツチングして除去した構造とした。
般に酸化シリコン膜と酸化亜鉛膜の膜厚の比は温度特性
から決められる。これは、それぞれの膜の１゛虜する温
度係数が逆符号であるため、互いの温度特性を補正する
ように膜厚比を決め、素子としての温度特性を改善する
ためであり、通常、酸化シリコン膜と酸化亜鉛膜の比［
１，５が用いられる。本実施例のように酸化シリコン膜
までエツチング除去した場合、酸化亜鉛膜、酸化シリコ
ン膜および金属電極など薄膜で構成された振動部は支持
基板から弾性的に更に分離された構造となり、エネルギ
ーの漏洩による損失を低減することが出来る。
から決められる。これは、それぞれの膜の１゛虜する温
度係数が逆符号であるため、互いの温度特性を補正する
ように膜厚比を決め、素子としての温度特性を改善する
ためであり、通常、酸化シリコン膜と酸化亜鉛膜の比［
１，５が用いられる。本実施例のように酸化シリコン膜
までエツチング除去した場合、酸化亜鉛膜、酸化シリコ
ン膜および金属電極など薄膜で構成された振動部は支持
基板から弾性的に更に分離された構造となり、エネルギ
ーの漏洩による損失を低減することが出来る。
第３図（、）は本発明を厚み振動子に適用した第６実施
例の平面図、第６図（ｂ）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線
断面図である。この場合も、振動部から支持基板への弾
性エネルギーの漏洩を低減するため、不要な圧電薄膜を
エツチングして除去しである。このような構造では振動
周波数は膜厚だけでなく、振動部の幾何学的形状によっ
ても変わり、膜厚によって振動部の寸法を変えることで
振動数の微調整が出来る利点がある。
例の平面図、第６図（ｂ）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線
断面図である。この場合も、振動部から支持基板への弾
性エネルギーの漏洩を低減するため、不要な圧電薄膜を
エツチングして除去しである。このような構造では振動
周波数は膜厚だけでなく、振動部の幾何学的形状によっ
ても変わり、膜厚によって振動部の寸法を変えることで
振動数の微調整が出来る利点がある。
第４図（ａ）は本発明の第４実施例の平面図、第４図（
ｂ）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図である。本実施
例では第１実施例と同様に、シリコン単結晶基板の一方
の表面に、順次、酸化シリコン薄膜、下部電極、酸化亜
鉛薄膜および上部電極を形成する。
ｂ）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図である。本実施
例では第１実施例と同様に、シリコン単結晶基板の一方
の表面に、順次、酸化シリコン薄膜、下部電極、酸化亜
鉛薄膜および上部電極を形成する。
この実施例では、薄い振動部位の一部が、弾性波の伝搬
方向に直角な方向の上部電極端で、除去部が基板裏面か
ら表面へ貫通するように除去されている。電極等は必要
な形状に予めエツチング又はリフトオフにより形成して
おくことも可能である。
方向に直角な方向の上部電極端で、除去部が基板裏面か
ら表面へ貫通するように除去されている。電極等は必要
な形状に予めエツチング又はリフトオフにより形成して
おくことも可能である。
このようにして薄膜に必要なホトレジストによるパター
ニングを行って、最後にシリコン単結晶基板の異方性エ
ツチング及び振動部のエツチング分離を行う。この場合
、各薄膜を同時にエツチングすることが出来るため、製
造工程を簡略化できる。
ニングを行って、最後にシリコン単結晶基板の異方性エ
ツチング及び振動部のエツチング分離を行う。この場合
、各薄膜を同時にエツチングすることが出来るため、製
造工程を簡略化できる。
第５図は本発明第５実施例の平面図である。本実施例は
、基本的には第１実施例と同様な構造で、同様な製造工
程で形成されるが、浮き電極６を設けることにより、一
方の上部電極で励起された弾性波は薄膜を伝搬して行っ
て浮き電極で再励起され、他方の上部電極へもエネルギ
ーを受は渡す働きをする。このように二つの電極間での
エネルギーの受は渡しによりモード結合が生じ、フィル
タとしての周波数特性の広帯域化が図れる。
、基本的には第１実施例と同様な構造で、同様な製造工
程で形成されるが、浮き電極６を設けることにより、一
方の上部電極で励起された弾性波は薄膜を伝搬して行っ
て浮き電極で再励起され、他方の上部電極へもエネルギ
ーを受は渡す働きをする。このように二つの電極間での
エネルギーの受は渡しによりモード結合が生じ、フィル
タとしての周波数特性の広帯域化が図れる。
第６図は本発明第６実施例の概略図である。この実施例
も、基本的には第１実施例と同様な構造で、同様な製造
工程で形成されるが、弾性波の伝搬路の途中に再励起用
電極７を設けである。再励起用電極は対向する下部電極
とインダクタ及びキャパシタを介して接続されており、
インダクタ及びキャパシタの値を適当に選ぶことにより
互いの再励起波の位相を調整し、加算する働きをする。
も、基本的には第１実施例と同様な構造で、同様な製造
工程で形成されるが、弾性波の伝搬路の途中に再励起用
電極７を設けである。再励起用電極は対向する下部電極
とインダクタ及びキャパシタを介して接続されており、
インダクタ及びキャパシタの値を適当に選ぶことにより
互いの再励起波の位相を調整し、加算する働きをする。
これにより、比較的広い周波数帯域において、伝搬路内
に弾性波を励起でき、フィルタの広帯域化に効果がある
。
に弾性波を励起でき、フィルタの広帯域化に効果がある
。
第７図（ａ）は本発明第７実施例の平面図、第７図（ｂ
）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図である。第５実施
例を除き、これまでの各実施例では、何れも弾性波の伝
搬方向へのエネルギーの漏洩について述べてきたが、実
際には伝搬方向に対して直角な方向へも漏洩が起り得る
。そこで、本実施例では下部電極を伝搬路の中央付近に
のみ設け、電界が中央付近に集中するように構成した。
）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図である。第５実施
例を除き、これまでの各実施例では、何れも弾性波の伝
搬方向へのエネルギーの漏洩について述べてきたが、実
際には伝搬方向に対して直角な方向へも漏洩が起り得る
。そこで、本実施例では下部電極を伝搬路の中央付近に
のみ設け、電界が中央付近に集中するように構成した。
これにより、弾性波は横断面で中央に集中して伝搬する
ようなモードが励起され、横方向のエネルギー漏洩を抑
圧できる効果がある。
ようなモードが励起され、横方向のエネルギー漏洩を抑
圧できる効果がある。
第８図（ａ）は本発明第８実施例の平面図、第８図（ｂ
）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図である。本実施例
も第７実施例同様に横方向へのエネルギー漏洩防止を目
的としたもので、上部電極な伝搬に直角な方向に配設し
て、弾性波伝搬路の中央で最大幅となるような構造とす
ることにより、弾性波を伝搬路中央で集中して励起する
ような構成とした。
）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図である。本実施例
も第７実施例同様に横方向へのエネルギー漏洩防止を目
的としたもので、上部電極な伝搬に直角な方向に配設し
て、弾性波伝搬路の中央で最大幅となるような構造とす
ることにより、弾性波を伝搬路中央で集中して励起する
ような構成とした。
第９図（ａ）は本発明弾性波フィルタを自動車電話の送
受信系のアンテナ分波器に適用した第９実施例の要部概
略図を示し、第９図（ｂ）はこのシステムの損失・周波
数特性を示す図である。自動車電話では１本のアンテナ
で送信と受信を行うため、大電力の送信信号と微弱な受
信波を分離抽出する分波器が必要であり、この分波器に
本発明フィルタを用いることによりシステムの小形軽量
化を図ることが出来る。
受信系のアンテナ分波器に適用した第９実施例の要部概
略図を示し、第９図（ｂ）はこのシステムの損失・周波
数特性を示す図である。自動車電話では１本のアンテナ
で送信と受信を行うため、大電力の送信信号と微弱な受
信波を分離抽出する分波器が必要であり、この分波器に
本発明フィルタを用いることによりシステムの小形軽量
化を図ることが出来る。
本実施例の弾性波フィルタの構造は第１実施例以下と基
本的に同様であるが、第９図（ａ）に示すように、上部
電極を３個設け、その中の１個の電極に対し、他の２個
の電極が対向するように設けである。始めの電極にはア
ンテナ端子を接続し、他の２個の電極には、それぞれ送
信端子および受信端子を接続しである。送信系から受信
系へ通じる系については、フィルタを構成する圧電薄膜
振動子の対称モード及び反対称モードの共振周波数が送
信帯域に対応するように構成し、送信系のインピーダン
スＺＡが共振周波数の影像インピーダンスに等しくなる
ように設定した。また、受信系については、対称モード
及び反対称モードの反共振周波数が受信帯域に対応する
ように構成し、受信系のインピーダンスＺＢが反共振周
波数の影像インピーダンスに等しくなるように設定した
。この場合、送信系Ａに対しては弾性波フィルタの周波
数特性は第９図（ｂ）に実線で示すような対称モード及
び反対称モードの共振周波数間を通過域とするような周
波数特性が得られる。また、受信系Ｂについては、同図
に破線で示すように対称モードと反対称モードの反共振
周波数間を通過域とするような周波数特性が得られる。
本的に同様であるが、第９図（ａ）に示すように、上部
電極を３個設け、その中の１個の電極に対し、他の２個
の電極が対向するように設けである。始めの電極にはア
ンテナ端子を接続し、他の２個の電極には、それぞれ送
信端子および受信端子を接続しである。送信系から受信
系へ通じる系については、フィルタを構成する圧電薄膜
振動子の対称モード及び反対称モードの共振周波数が送
信帯域に対応するように構成し、送信系のインピーダン
スＺＡが共振周波数の影像インピーダンスに等しくなる
ように設定した。また、受信系については、対称モード
及び反対称モードの反共振周波数が受信帯域に対応する
ように構成し、受信系のインピーダンスＺＢが反共振周
波数の影像インピーダンスに等しくなるように設定した
。この場合、送信系Ａに対しては弾性波フィルタの周波
数特性は第９図（ｂ）に実線で示すような対称モード及
び反対称モードの共振周波数間を通過域とするような周
波数特性が得られる。また、受信系Ｂについては、同図
に破線で示すように対称モードと反対称モードの反共振
周波数間を通過域とするような周波数特性が得られる。
このように一つの弾性波フィルタで送信信号と受信信号
の分離抽出が行えるため、システムの小形化に効果があ
る。
の分離抽出が行えるため、システムの小形化に効果があ
る。
以上説明したように本発明によれば、従来の弾性波フィ
ルタでは考慮されていなかった振動部から支持基板への
エネルギーの漏洩を簡単な構造で低減できるため、従来
に比べて損失を１．５ｄＢ程度改善した弾性波フィルタ
が得られる。
ルタでは考慮されていなかった振動部から支持基板への
エネルギーの漏洩を簡単な構造で低減できるため、従来
に比べて損失を１．５ｄＢ程度改善した弾性波フィルタ
が得られる。
第１図（、）は本発明第１実施例の平面図、第１図（ｂ
）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図、第２図は本発明
第２実施例の側断面図、第３図（ａ）は本発明を厚み振
動子に適用した第３実施例の平面図、第６図（ｂ）は図
（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図、第４図（、）は本発明
の第４実施例の平面図、第４図（ｂ）は図（ａ）中に示
すＡ−Ｂ線断面図、第５図は本発明第５実施例の平面図
、第６図は本発明第６実施例の概略図、第７図（ａ）は
本発明第７実施例の平面図、第７図（ｂ）は図（ａ）中
に示すＡ−Ｂ線断面図、第８図（ａ）は本発明第８実施
例の平面図、第８図（ｂ）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線
断面図、第９図（ａ）は本発明弾性波フィルタを自動車
電話の送受信系のアンテナ分波器に適用した第９実施例
の要部概略図、第９図（ｂ）はこのシステムの損失・周
波数特性を示す図である。 １・・・シリコン単結晶基板 ２・・・シリコン酸化膜 ６・・・下部電極 ４・・・圧電薄膜 ５・・・上部電極 ６・・・浮き電極 ７・・・再励起電極。 Ｘｙ；＋、１・ ′ （Ｎ
）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図、第２図は本発明
第２実施例の側断面図、第３図（ａ）は本発明を厚み振
動子に適用した第３実施例の平面図、第６図（ｂ）は図
（ａ）中に示すＡ−Ｂ線断面図、第４図（、）は本発明
の第４実施例の平面図、第４図（ｂ）は図（ａ）中に示
すＡ−Ｂ線断面図、第５図は本発明第５実施例の平面図
、第６図は本発明第６実施例の概略図、第７図（ａ）は
本発明第７実施例の平面図、第７図（ｂ）は図（ａ）中
に示すＡ−Ｂ線断面図、第８図（ａ）は本発明第８実施
例の平面図、第８図（ｂ）は図（ａ）中に示すＡ−Ｂ線
断面図、第９図（ａ）は本発明弾性波フィルタを自動車
電話の送受信系のアンテナ分波器に適用した第９実施例
の要部概略図、第９図（ｂ）はこのシステムの損失・周
波数特性を示す図である。 １・・・シリコン単結晶基板 ２・・・シリコン酸化膜 ６・・・下部電極 ４・・・圧電薄膜 ５・・・上部電極 ６・・・浮き電極 ７・・・再励起電極。 Ｘｙ；＋、１・ ′ （Ｎ
Claims (9)
- １． 基板と、この基板の表面に順次形成した絶縁体膜
、下部電極、圧電体膜および上部電極からなる振動部位
とを備え、この振動部位を基の周辺で前記基板により支
持させた弾性波フィルタにおいて、上記圧電体膜の端部
を、弾性波の伝搬方向に直角な方向で上部電極端に合わ
せて除去したことを特徴とする弾性波フィルタ。 - ２． 請求項１記載の弾性波フィルタにおいて、圧電体
膜および絶縁体膜の端部を共に、弾性波の伝搬方向に直
角な方向で上部電極端に合わせて除去したことを特徴と
する弾性波フィルタ。 - ３． 請求項１又は２記載の弾性波フィルタにおいて、
基板と基板上に形成された薄膜からなる振動部位の一部
を、弾性波の伝搬方向に直角な方向の上部電極端で、除
去部が基板裏面から表面へ貫通するように除去したこと
を特徴とする弾性波フィルタ。 - ４． 請求項１〜３の何れか１項に記載した弾性波フィ
ルタにおいて、弾性波の伝搬方向に直角な方向で隣接し
て形成した２個の上部電極と、これら電極に弾性波伝搬
方向で対向する１個の上部浮き電極とを備えていること
を特徴とする弾性波フィルタ。 - ５． 請求項１〜５の何れか１項に記載した弾性波フィ
ルタにおいて、弾性波の伝搬方向に上部電極２個を対向
して形成し、これら電極間に弾性波の再励起用上部電極
を挿入配設し、この再励起用電極をインダクタ及びキャ
パシタを介して、対向する下部電極と接続したことを特
徴とする弾性波フィルタ。 - ６． 請求項１〜５の何れか１項に記載した弾性波フィ
ルタにおいて、下部電極の弾性波伝搬方向に直角な方向
の電極幅を、対向する上部電極の電極幅より小さく形成
したことを特徴とする弾性波フィルタ。 - ７． 請求項１，２，４，５，６の何れか１項に記載し
た弾性波フィルタにおいて、上部電極の弾性波伝搬方向
の電極幅を、連続的に変えたことを特徴とする弾性波フ
ィルタ。 - ８． 支持部材である基板と、この基板の表面に順次形
成した絶縁体膜、下部電極、圧電体膜および上部電極か
らなる振動部位とで構成した厚み振動を利用した弾性波
フィルタにおいて、上記圧電体膜の端部を、上部電極端
に合わせて除去したことを特徴とする弾性波フィルタ。 - ９． 弾性波の伝搬方向に直角な方向で隣接して形成し
た２個の上部電極と、これら電極に弾性波伝搬方向で対
向して形成した１個の上部電極とを備えた請求項１，２
，３，８の何れか１項に記載した弾性波フィルタを用い
、このフィルタの、隣接した２個の上部電極を、それぞ
れ、送信系および受信系へ接続し、これらに対向する１
個の上部電極をアンテナ端子へ接続したことを特徴とす
るアンテナ分波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266034A JP2644855B2 (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 弾性波フィルタ、及びそれを用いたアンテナ分波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63266034A JP2644855B2 (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 弾性波フィルタ、及びそれを用いたアンテナ分波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02113616A true JPH02113616A (ja) | 1990-04-25 |
| JP2644855B2 JP2644855B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17425469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63266034A Expired - Lifetime JP2644855B2 (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 弾性波フィルタ、及びそれを用いたアンテナ分波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2644855B2 (ja) |
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| US7884527B2 (en) | 2004-10-28 | 2011-02-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin-film resonator and filter using the same |
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-
1988
- 1988-10-24 JP JP63266034A patent/JP2644855B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7667558B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-02-23 | Panasonic Corporation | Thin film elastic wave resonator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2644855B2 (ja) | 1997-08-25 |
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