JPH02111614A - ＮａおよびＫ含有量の少ないクロムシリサイド粉末の製造法 - Google Patents
ＮａおよびＫ含有量の少ないクロムシリサイド粉末の製造法Info
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- JPH02111614A JPH02111614A JP26581788A JP26581788A JPH02111614A JP H02111614 A JPH02111614 A JP H02111614A JP 26581788 A JP26581788 A JP 26581788A JP 26581788 A JP26581788 A JP 26581788A JP H02111614 A JPH02111614 A JP H02111614A
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- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 5
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910021359 Chromium(II) silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- -1 ion ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
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- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、 Ｎａおよびに含有量のきわめて少ないク
ロムシリサイド粉末の製造法に関するものであシ、上記
クロムシリサイド粉末は、＄１ウエノ曳−上にメモリー
および抵抗薄膜などを同時にＪｅ成してモノリシックＩ
Ｃなどを製造するスパッタリング用ターゲットｋ［遺す
るための原料粉末となるものでるる。
ロムシリサイド粉末の製造法に関するものであシ、上記
クロムシリサイド粉末は、＄１ウエノ曳−上にメモリー
および抵抗薄膜などを同時にＪｅ成してモノリシックＩ
Ｃなどを製造するスパッタリング用ターゲットｋ［遺す
るための原料粉末となるものでるる。
通常、クロムシリサイド粉末は、 Ｃｒ粉末とＳ１扮末
とをＳｉ／Ｃｒ（モル比） −２，Ｏとなるように配合
し、ｍ合したのち、温ＦｇＬ： ９００〜１１００℃の
Ｈ２雰囲気中で焼成してＣｒ５ｘ２ （クロムシシリサ
イド）′ｆ！：侍、これ１に粉砕してクロムシリサイド
粉末ｔａ造していた。このようにして得られ九クロムシ
リサイド粉末は、ホットプレスすることＫよりターゲッ
トを作製し、上記ターゲットを用いてスパッタリング法
により１例えばモノリシックＩＣの抵抗薄膜を製造して
いた。
とをＳｉ／Ｃｒ（モル比） −２，Ｏとなるように配合
し、ｍ合したのち、温ＦｇＬ： ９００〜１１００℃の
Ｈ２雰囲気中で焼成してＣｒ５ｘ２ （クロムシシリサ
イド）′ｆ！：侍、これ１に粉砕してクロムシリサイド
粉末ｔａ造していた。このようにして得られ九クロムシ
リサイド粉末は、ホットプレスすることＫよりターゲッ
トを作製し、上記ターゲットを用いてスパッタリング法
により１例えばモノリシックＩＣの抵抗薄膜を製造して
いた。
ところが、上記従来の技術で述べた方法により製造され
たクロムシリサイド粉末には１過言ＮａおよびＫが含有
されており、このＮａおよびに含有のクロムシリサイド
粉末を用いて作製したスパッタリング用ターゲットを使
用して抵抗薄ｐｌＸを製造すると、その抵抗薄膜にもＮ
ａおよびにイオンが含まれてくる。上記抵抗薄膜にＮａ
およびにイオンが含まれるとＮａおよびにイオンは抵抗
薄膜中を容易に移動しＳ抵抗薄膜の絶縁抵抗性を劣化せ
しめるので好ましくない。
たクロムシリサイド粉末には１過言ＮａおよびＫが含有
されており、このＮａおよびに含有のクロムシリサイド
粉末を用いて作製したスパッタリング用ターゲットを使
用して抵抗薄ｐｌＸを製造すると、その抵抗薄膜にもＮ
ａおよびにイオンが含まれてくる。上記抵抗薄膜にＮａ
およびにイオンが含まれるとＮａおよびにイオンは抵抗
薄膜中を容易に移動しＳ抵抗薄膜の絶縁抵抗性を劣化せ
しめるので好ましくない。
したがって、上記スパッタリング用ターダット製造のた
めのクロムシリサイド粉末には、 ＮａおよびＫを宮ま
ないことが好ましいが、上記クロムシリサイド粉末を製
造するための市販のＣｒ粉末には。
めのクロムシリサイド粉末には、 ＮａおよびＫを宮ま
ないことが好ましいが、上記クロムシリサイド粉末を製
造するための市販のＣｒ粉末には。
通常、ＮａおよびＫがそれぞれ１０〜２０ｐｐｍ程度含
まれておＦ）、ＮａおよびＫの少ないＣｒ粉末を入手す
ることは困難であった。
まれておＦ）、ＮａおよびＫの少ないＣｒ粉末を入手す
ることは困難であった。
したがって１通常の製造法により得られたクロムシリサ
イド粉末には、 ＮａおよびＫが含まれることＦｉ珪け
られず、したがって上記クロムシリサイド粉末を原料粉
末として得られたスパッタリング用ターゲットおよびそ
のターゲットを用いて得られた抵抗薄膜にＮａおよびＫ
が含まれることは避けられず、絶縁抵抗性の劣化は避け
られないという問題点がめった。
イド粉末には、 ＮａおよびＫが含まれることＦｉ珪け
られず、したがって上記クロムシリサイド粉末を原料粉
末として得られたスパッタリング用ターゲットおよびそ
のターゲットを用いて得られた抵抗薄膜にＮａおよびＫ
が含まれることは避けられず、絶縁抵抗性の劣化は避け
られないという問題点がめった。
そこで１本発明者等は、 Ｎａおよびに含有量の少ない
クロムシリサイド粉末を侍べく研究を行った結果。
クロムシリサイド粉末を侍べく研究を行った結果。
Ｃｒ粉末とＳｉ粉末’ｉＳｉ ／Ｃｒ ＝ ２ （％
ル比）となるように配合し混合して得られた混合粉末に
、さらに５１０２扮禾とＳｉ粉末の混合粉末を添加し焼
成すると、 Ｎａおよびに含有量の少ないクロムシリサ
イド粉末を得ることができるという知見を得たのである
。
ル比）となるように配合し混合して得られた混合粉末に
、さらに５１０２扮禾とＳｉ粉末の混合粉末を添加し焼
成すると、 Ｎａおよびに含有量の少ないクロムシリサ
イド粉末を得ることができるという知見を得たのである
。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って。
って。
Ｃｒ粉末とＳｉ粉末をＳｉ／Ｃｒ−２，０（モル比）と
なるように配合し、混合して得られた混合粉末Ｋ。
なるように配合し、混合して得られた混合粉末Ｋ。
外音で、 ５ｉｎ２粉末＝０．５〜５重ｆ％添加し、さ
らに上記５１０２粉末と同モルの８ｉ扮末を添加し混合
して得られた混合粉末を、焼成したのち粉砕してＮａお
よびに含Ｍ黛の少ないクロムシリサイド粉末を製造する
方法に特徴を射するものである。
らに上記５１０２粉末と同モルの８ｉ扮末を添加し混合
して得られた混合粉末を、焼成したのち粉砕してＮａお
よびに含Ｍ黛の少ないクロムシリサイド粉末を製造する
方法に特徴を射するものである。
Ｎａおよびに不純物が焼成中に除去される損得としては
、一般に、 ５ｉ０２ ｖ′ｉＮａおよびＫを吸収し反
応易い性Ｘ１に有するため、焼成中の尚温時にＣｒ扮末
ｆｉｌｌに吸着されているＮａおよびにイオンがＳｉＯ
□中に移動し、さらに鍋温になるとＮａおよびＫを宮む
５１０２がＳｌと反応して昇華性のＳｔＯになって飛び
出し、その時ＮａおよびＫもＳｔＯと同時に糸外に除去
されるものと推定される。
、一般に、 ５ｉ０２ ｖ′ｉＮａおよびＫを吸収し反
応易い性Ｘ１に有するため、焼成中の尚温時にＣｒ扮末
ｆｉｌｌに吸着されているＮａおよびにイオンがＳｉＯ
□中に移動し、さらに鍋温になるとＮａおよびＫを宮む
５１０２がＳｌと反応して昇華性のＳｔＯになって飛び
出し、その時ＮａおよびＫもＳｔＯと同時に糸外に除去
されるものと推定される。
５ｉｎ２とＳｉとの反応は。
５ｉｏ２＋ｓｉ→２Ｓ１０
となるから、 ５ｉｏ２扮末と共に添加されるＳ１粉末
の量は、３ｉ０２粉末と四モルでなければならない。
の量は、３ｉ０２粉末と四モルでなければならない。
作置で添加する５１０２粉末の添加量は、０．５〜５重
貨慢であり、０，５重ｔチ未満ではＮａおよびに除去に
十分な効果が得られず、５重ｆＪｋチを越えると焼結体
中に残留する５１０２成分がスパッタリング時に異常放
電をおこすので好ましくない。したがってＳｉ０２ ｍ
末の添加量は０．５〜５重ｋｔｓに限定されるが、 ｓ
ｉ粉末の添加量は、５１０２扮末と同モルである必要か
らＳｉ粉末＝１．０〜１０重ｉチと定めた。
貨慢であり、０，５重ｔチ未満ではＮａおよびに除去に
十分な効果が得られず、５重ｆＪｋチを越えると焼結体
中に残留する５１０２成分がスパッタリング時に異常放
電をおこすので好ましくない。したがってＳｉ０２ ｍ
末の添加量は０．５〜５重ｋｔｓに限定されるが、 ｓ
ｉ粉末の添加量は、５１０２扮末と同モルである必要か
らＳｉ粉末＝１．０〜１０重ｉチと定めた。
つぎに、仁の発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
市販の平均粒径：１００μｍのｃｒ扮末、平均粒径：６
０μｍのＳｉ粉末および平均粒径二１０μ朧のＳｉ０□
粉末を用意した。
０μｍのＳｉ粉末および平均粒径二１０μ朧のＳｉ０□
粉末を用意した。
上記Ｃｒ粉末にｄＮａおよびＫがそれぞれ２０ ｐｐｍ
含壕れており、Ｓ１扮床にはＮａおよびＫの言市蚕ばｌ
ｐｐｍ以下であった。
含壕れており、Ｓ１扮床にはＮａおよびＫの言市蚕ばｌ
ｐｐｍ以下であった。
上記Ｃｒ粉末とＳ１粉末とを、それぞれ。
Ｃｒ粉末：４８，１恵菫チ。
ｓ１粉、ｌ＜ ： ５ ｈｌｔｋ％。
となるように配合し、さらに外足で
５１０２粉末：３重貸＊。
Ｓ１粉末：Ｌ５恵鎗％。
を加えてＶコンで混合し、温度： １１００℃、■。
気流中、１時間保持の条件で焼成したのち、温反：１４
３０℃、１０分間保持し、ついで炉冷した。
３０℃、１０分間保持し、ついで炉冷した。
上記１度：１４３０℃で１０分間保持したのは。
８ｉ０２＋ ８ｉ→２Ｓ１０の反応を促進させるためで
ある。
ある。
このようにして得られたＣｒＳｉ２焼成体を解砕および
粉砕してＣｒＳｉ２粉末を製造し、この粉末のＮａおよ
びに含鳴輩を測定したところ、Ｎａ ： ０．５ ｐｐ
ｍ。
粉砕してＣｒＳｉ２粉末を製造し、この粉末のＮａおよ
びに含鳴輩を測定したところ、Ｎａ ： ０．５ ｐｐ
ｍ。
Ｋ：Ｏ，ｌｐｐｍでめった。
このＣｒ Ｓ ｉ ２粉宋に、さらに半導体Ｓｉチツプ
を加え、 Ｃｒ５１２．７ Ｍｉ成に調整した後、ボー
ルミルにより混合、粉砕を行い、得られた粉末ｔ−温度
： １３００℃ｈ ｌ ５０ Ｋ／ｃｍ２で真菫ホッ
トプレスすることによシ…対制し９９．３ ％のターゲ
ット素材を得ることができた。
を加え、 Ｃｒ５１２．７ Ｍｉ成に調整した後、ボー
ルミルにより混合、粉砕を行い、得られた粉末ｔ−温度
： １３００℃ｈ ｌ ５０ Ｋ／ｃｍ２で真菫ホッ
トプレスすることによシ…対制し９９．３ ％のターゲ
ット素材を得ることができた。
市販のＮａおよびに含有Ｃｒ粉末を用いて＆Ｎａおよび
に含有量の極めて少ないクロムシリサイド粉末を製造す
ることができるので安価なＮａおよびに含有量の極めて
少ないクロムシリサイドターゲットを得ることができ、
このターゲットを用いて製造するモノリシックＩＣ等に
形成される抵抗薄膜もＮａおよびに含有量が極めて少な
く、絶縁抵抗性のすぐれたものが得られるという効果が
ある。
に含有量の極めて少ないクロムシリサイド粉末を製造す
ることができるので安価なＮａおよびに含有量の極めて
少ないクロムシリサイドターゲットを得ることができ、
このターゲットを用いて製造するモノリシックＩＣ等に
形成される抵抗薄膜もＮａおよびに含有量が極めて少な
く、絶縁抵抗性のすぐれたものが得られるという効果が
ある。
出−人 三菱金属株式会社
Claims (2)
- （１）Ｓｉ粉末とＣｒ粉末をモル比でＳｉ／Ｃｒ＝２と
なるように配合し混合して得られた混合粉末を焼成して
クロムシリサイド粉末を製造する方法において、 上記混合粉末に、さらにＳｉＯ＿２粉末と上記ＳｉＯ＿
２粉末と同モルのＳｉ粉末からなる混合粉末を添加混合
したのち焼成することを特徴とするＮａおよびＫ含有量
の少ないクロムシリサイド粉末の製造法。 - （２）上記ＳｉＯ＿２粉末とＳｉ粉末の添加量は、上記
Ｓｉ粉末とＣｒ粉末の混合粉末に対して、外量でＳｉＯ
＿２粉末：０．５〜５重量％、 Ｓｉ粉末：１．０〜１０重量％、 添加することを特徴とする請求項１記載のＮａおよびに
含有量の少ないクロムシリサイド粉末の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265817A JP2570404B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | ＮａおよびＫ含有量の少ないクロムシリサイド粉末の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265817A JP2570404B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | ＮａおよびＫ含有量の少ないクロムシリサイド粉末の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02111614A true JPH02111614A (ja) | 1990-04-24 |
| JP2570404B2 JP2570404B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17422469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63265817A Expired - Lifetime JP2570404B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | ＮａおよびＫ含有量の少ないクロムシリサイド粉末の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570404B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020099644A1 (en) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Kanthal Ab | New process for manufacturing a chromium alloyed molybdenum silicide portion of a heating element |
| CN112144024A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-29 | 浙江最成半导体科技有限公司 | 一种铬硅化物靶材及其制备方法 |
| CN113165984A (zh) * | 2018-11-22 | 2021-07-23 | 东曹株式会社 | Cr-Si系烧结体 |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63265817A patent/JP2570404B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020099644A1 (en) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Kanthal Ab | New process for manufacturing a chromium alloyed molybdenum silicide portion of a heating element |
| CN112996762A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-18 | 康特霍尔公司 | 制造加热元件的铬合金化硅化钼部分的新方法 |
| US20210403386A1 (en) * | 2018-11-16 | 2021-12-30 | Kanthal Ab | New process for manufacturing a chromium alloyed molybdenum silicide portion of a heating element |
| JP2022507179A (ja) * | 2018-11-16 | 2022-01-18 | カンタール・アクチボラグ | 発熱体のクロム合金化モリブデンシリサイド部分を製造するための新しい方法 |
| US11932579B2 (en) | 2018-11-16 | 2024-03-19 | Kanthal Ab | Process for manufacturing a chromium alloyed molybdenum silicide portion of a heating element |
| CN113165984A (zh) * | 2018-11-22 | 2021-07-23 | 东曹株式会社 | Cr-Si系烧结体 |
| CN113165984B (zh) * | 2018-11-22 | 2022-12-20 | 东曹株式会社 | Cr-Si系烧结体 |
| US11967493B2 (en) | 2018-11-22 | 2024-04-23 | Tosoh Corporation | Cr—Si sintered body |
| CN112144024A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-29 | 浙江最成半导体科技有限公司 | 一种铬硅化物靶材及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2570404B2 (ja) | 1997-01-08 |
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