JPH02110907A - 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 - Google Patents
積層インダクタとそのインダクタンス調整方法Info
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- JPH02110907A JPH02110907A JP26349288A JP26349288A JPH02110907A JP H02110907 A JPH02110907 A JP H02110907A JP 26349288 A JP26349288 A JP 26349288A JP 26349288 A JP26349288 A JP 26349288A JP H02110907 A JPH02110907 A JP H02110907A
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、積層インダクタ、特にバイアス電流、流によ
ってインダクタンスを可変する、電流制御型の積層イン
ダクタとそのインダクタンスの調整方法に関するもので
ある。
ってインダクタンスを可変する、電流制御型の積層イン
ダクタとそのインダクタンスの調整方法に関するもので
ある。
電子部品の小型化、薄型化等の要求に伴い、インダクタ
の分野でも磁性体セラミ、り内に導体パターンを一体に
形成した、積層インダクタが用いられるようになってい
る。
の分野でも磁性体セラミ、り内に導体パターンを一体に
形成した、積層インダクタが用いられるようになってい
る。
印刷あるいはグリーンシートを積層して焼成すると、そ
のインダクタンス値は一定となってしまうので、調整の
ために磁性体層を削ってトリミングを行うか、磁性体に
四部を形成して磁性体コアを挿入する方法等が考えられ
ている。
のインダクタンス値は一定となってしまうので、調整の
ために磁性体層を削ってトリミングを行うか、磁性体に
四部を形成して磁性体コアを挿入する方法等が考えられ
ている。
しかし、機械的な加工が必要となり、また微調整が難し
く、信頼性の面でも問題がある。
く、信頼性の面でも問題がある。
そこで、発明者等は電流制御型の積層インダクタを特願
昭６３−２３２８６７において提案した。これは第７図
に示したように、磁性体層７０内に主巻線となる成る導
体パターン７１と制御巻線となる導体パターン７２を近
接して形成し、導体パターン７２に印加する直流バイア
ス電流によって導体パターン７１の周囲の磁界を変化さ
せ、インダクタンス値を変化させるものである。通常、
直流電流を大きくすることによってインダクタンスを減
少させるように動作する。
昭６３−２３２８６７において提案した。これは第７図
に示したように、磁性体層７０内に主巻線となる成る導
体パターン７１と制御巻線となる導体パターン７２を近
接して形成し、導体パターン７２に印加する直流バイア
ス電流によって導体パターン７１の周囲の磁界を変化さ
せ、インダクタンス値を変化させるものである。通常、
直流電流を大きくすることによってインダクタンスを減
少させるように動作する。
［課題］
上記のような電流制御型の積層インダクタにおいて、直
流バイアス電流を増加させるにしたがって磁心が飽和に
近づき、実効的な透磁率が下がってインダクタンスが小
さくなる。しかし、飽和の始まる点において、大入力時
、正の半サイクルと負の半サイクルでインダクタンスの
実効値が変わるため、出力波形に歪みを生じる。
流バイアス電流を増加させるにしたがって磁心が飽和に
近づき、実効的な透磁率が下がってインダクタンスが小
さくなる。しかし、飽和の始まる点において、大入力時
、正の半サイクルと負の半サイクルでインダクタンスの
実効値が変わるため、出力波形に歪みを生じる。
本発明は、このような特性の劣化を防止し、可変範囲に
おいて安定した特性を得ようとするものである。
おいて安定した特性を得ようとするものである。
〔課題を解決するための手段］
本発明は、主磁路の飽和を利用することなく、バイアス
電流の増加に伴ってインダクタンスを上げることのでき
る構造および方法によって、上記の課題を解決するもの
である。
電流の増加に伴ってインダクタンスを上げることのでき
る構造および方法によって、上記の課題を解決するもの
である。
すなわち、磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタに
おいて、該導体パターンが、幅方向の一部分は対向する
ように、一層置きに交互に位置をずらせて形成されれた
ことに特徴を有するものである。
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタに
おいて、該導体パターンが、幅方向の一部分は対向する
ように、一層置きに交互に位置をずらせて形成されれた
ことに特徴を有するものである。
また、磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重畳し
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタのイン
ダクタンス３１方法において、該導体パターンが、幅方
向の一部分は対向するように、一層置きに交互に位置を
ずらせて形成し、該導体パターンに直流バイアス電流を
交流信号に重畳して印加 して、該導体パターン間の磁
気抵抗を増減させ、それによってインダクタンスを増減
させることに特徴を有するものである。
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタのイン
ダクタンス３１方法において、該導体パターンが、幅方
向の一部分は対向するように、一層置きに交互に位置を
ずらせて形成し、該導体パターンに直流バイアス電流を
交流信号に重畳して印加 して、該導体パターン間の磁
気抵抗を増減させ、それによってインダクタンスを増減
させることに特徴を有するものである。
更に、直流バイアス電流を重畳するものだけでなく、制
御巻線を有する積層インダクタにおいても適用可能であ
る。
御巻線を有する積層インダクタにおいても適用可能であ
る。
その上、導体パターン間を高い透磁率の磁性体で置換す
ることによって、より効率的にインダクタンスを変える
ことができる。
ることによって、より効率的にインダクタンスを変える
ことができる。
〔作用〕
導体パターンがずれているので、バイアスが印加されな
いとき、あるいは小さいときには、各扉体パターンにお
いて周囲に発生する磁束は、打ち消し合わない。そのた
め、巻線において発生ずる磁束の洩れが大きくなる。し
たがって、インダクタンス値は小さくなる。
いとき、あるいは小さいときには、各扉体パターンにお
いて周囲に発生する磁束は、打ち消し合わない。そのた
め、巻線において発生ずる磁束の洩れが大きくなる。し
たがって、インダクタンス値は小さくなる。
バイアス電流の増加に伴って導体パターン間の磁気抵抗
が増加し、それに伴って主磁路の磁束が増加する。その
結果、インダクタンス値は高くなる。
が増加し、それに伴って主磁路の磁束が増加する。その
結果、インダクタンス値は高くなる。
第６図は、その原理の説明図で、直流バイアスを印加し
ない最小値（Ｌ ＭＩＮ ）から、導体パターン間の磁
路が飽和した最大値（Ｌ ＮＡＸ ）までの範囲で可変
としたものである。従来のように主磁路が飽和した状態
で可変させるのでなく、未飽和の状態で可変させるもの
である。
ない最小値（Ｌ ＭＩＮ ）から、導体パターン間の磁
路が飽和した最大値（Ｌ ＮＡＸ ）までの範囲で可変
としたものである。従来のように主磁路が飽和した状態
で可変させるのでなく、未飽和の状態で可変させるもの
である。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は、本発明の実施例を示す正面断面図である。フ
ェライトの磁性体１０が積層されたものでその内部に銀
−パラジウム等による導体パターン１１が、磁性体層間
を接続されながら積層方向に重畳して周回するように形
成されている。これによって、磁性体層ｌＯ内に導体パ
ターン１１が形成されて、閉磁路型のインダクタとなる
。
ェライトの磁性体１０が積層されたものでその内部に銀
−パラジウム等による導体パターン１１が、磁性体層間
を接続されながら積層方向に重畳して周回するように形
成されている。これによって、磁性体層ｌＯ内に導体パ
ターン１１が形成されて、閉磁路型のインダクタとなる
。
導体パターン２１は、−層毎に位置をずらして形成しで
ある。ただし、少なくとも幅方向の一部が対向し、積層
方向に重なり合うようにする。
ある。ただし、少なくとも幅方向の一部が対向し、積層
方向に重なり合うようにする。
このように導体パターンをずらすと、隣り合う導体パタ
ーンで発生し、導体パターンの周囲を回る磁束の重なる
部分では、各方向の成分が同じにはならず、打ち消し合
うことがない。そのため、導体パターン間は実効的に磁
気抵抗が小さくなって、洩れ磁束も多くなり、インダク
タンス値は小さくなる。
ーンで発生し、導体パターンの周囲を回る磁束の重なる
部分では、各方向の成分が同じにはならず、打ち消し合
うことがない。そのため、導体パターン間は実効的に磁
気抵抗が小さくなって、洩れ磁束も多くなり、インダク
タンス値は小さくなる。
上記のような構造のインダクタに、第２図に示したよう
に、直流バイアス電流を交流信号に重畳して印加する。
に、直流バイアス電流を交流信号に重畳して印加する。
これによって、導体パターン間の磁気抵抗は次第に増加
する。すなわち、洩れ磁束が少なくなり、インダクタの
主磁路の磁束が増加する。導体パターン間の磁路が飽和
して実効的な透磁率が小さくなると、第６図のＬ ＷＡ
Ｘの状態となる。
する。すなわち、洩れ磁束が少なくなり、インダクタの
主磁路の磁束が増加する。導体パターン間の磁路が飽和
して実効的な透磁率が小さくなると、第６図のＬ ＷＡ
Ｘの状態となる。
第３図は、積層インタリタの導体パターン３１間の対向
し、積層方向に重なり合う部分を、磁性体層３０よりも
ｉ３磁率の高い磁性体３５で置換したものである。こう
すると、初期の磁気抵抗をより小さくし、磁束の洩れを
大きくして、小さいインダクタンスを得ることができる
。
し、積層方向に重なり合う部分を、磁性体層３０よりも
ｉ３磁率の高い磁性体３５で置換したものである。こう
すると、初期の磁気抵抗をより小さくし、磁束の洩れを
大きくして、小さいインダクタンスを得ることができる
。
第４図は、本発明の他の実施例を示す正面断面図であり
、主巻線と制御巻線を具えた積層インダクタの例である
。磁性体Ｎ４０内に主巻線となる導体パターン４１と、
それと交互に入り組んだ構造の制御巻線となる導体パタ
ーン４２を一体に形成しである。導体パターン４１と導
体パターン４２は前記の例と同様に一部分が重なり合う
ようにずらして形成しである。
、主巻線と制御巻線を具えた積層インダクタの例である
。磁性体Ｎ４０内に主巻線となる導体パターン４１と、
それと交互に入り組んだ構造の制御巻線となる導体パタ
ーン４２を一体に形成しである。導体パターン４１と導
体パターン４２は前記の例と同様に一部分が重なり合う
ようにずらして形成しである。
制御巻線にあたる導体パターン４２には、第５図に示し
たように、直流バイアス電流が印加され、その周囲の磁
界に変化を生じる。それによって、主巻線となる導体パ
ターン４１の磁束を変化させてインダクタンスを調整す
る。この場合にも、導体パターンがずれているので、バ
イアス電流が印加されないか、あるいは小さい状態では
、磁気抵抗が小さく、洩れ磁束が多くなって主磁路の磁
束が少なくなる。したがって、インダクタンスは小さく
なる。バイアス電流の増加に伴い、磁気抵抗が次第に大
きくなって、洩れ磁束を減少させる。これによって、主
磁路の磁束が増加し、インダクタンスは上昇する。すな
わち、第６図に示したようなインダクタンスの変化が生
じる。
たように、直流バイアス電流が印加され、その周囲の磁
界に変化を生じる。それによって、主巻線となる導体パ
ターン４１の磁束を変化させてインダクタンスを調整す
る。この場合にも、導体パターンがずれているので、バ
イアス電流が印加されないか、あるいは小さい状態では
、磁気抵抗が小さく、洩れ磁束が多くなって主磁路の磁
束が少なくなる。したがって、インダクタンスは小さく
なる。バイアス電流の増加に伴い、磁気抵抗が次第に大
きくなって、洩れ磁束を減少させる。これによって、主
磁路の磁束が増加し、インダクタンスは上昇する。すな
わち、第６図に示したようなインダクタンスの変化が生
じる。
本発明によれば、主磁路が未飽和の状態でバイアス電流
によってインダクタンスを変化させることができる。し
たがって、出力波形に歪みが生ぜず、特性の良好な積層
インダクタかえられる。
によってインダクタンスを変化させることができる。し
たがって、出力波形に歪みが生ぜず、特性の良好な積層
インダクタかえられる。
特に、微小なインダクタンスの可変が容易となり、高周
波領域等の利用に適した積層インダクタが得られる。
波領域等の利用に適した積層インダクタが得られる。
第１図、第３図および第４図は本発明の実施例の正面断
面図、第２図と第５図はそのバイアス印加状態の等価回
路図、第６図は本発明による積層インダクタの特性の説
明図、第７図は従来の電流制御型積層インダクタの正面
断面図である。 １０．３０．４０・・・・磁性体層 １１．３１．４１・・・・導体パターン（主巻線）４２
・・・・・・・・・・導体パターン（制御巻線） ３５・・・・・・・・・・磁性体層 （高透磁率）
面図、第２図と第５図はそのバイアス印加状態の等価回
路図、第６図は本発明による積層インダクタの特性の説
明図、第７図は従来の電流制御型積層インダクタの正面
断面図である。 １０．３０．４０・・・・磁性体層 １１．３１．４１・・・・導体パターン（主巻線）４２
・・・・・・・・・・導体パターン（制御巻線） ３５・・・・・・・・・・磁性体層 （高透磁率）
Claims (6)
- （１）磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重畳し
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
て、該導体パターンが、幅方向の一部分は対向するよう
に、一層置きに交互に位置をずらせて形成されれたこと
を特徴とする積層インダクタ。 - （２）該導体パターンの対向する部分の少なくとも一部
が、該磁性体層よりも透磁率の高い磁性体で置換された
請求項第１項記載の積層インダクタ。 - （３）磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重畳し
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタのイン
ダクタンス調整方法において、該導体パターンが、幅方
向の一部分は対向するように、一層置きに交互に位置を
ずらせて形成し、該導体パターンに直流バイアス電流を
重畳して印加して、該導体パターン間の磁気抵抗を増減
させ、それによってインダクタンスを増減させることを
特徴とする積層インダクタのインダクタンス調整方法。 - （４）磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重畳し
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
て、該導体パターンに幅方向の一部分は対向するように
、一層置きに交互に位置をずらせて形成された、磁性体
層を端部が接続されて積層方向に重畳して周回する、バ
イアス印加用の導体パターンを具えたことを特徴とする
積層インダクタ。 - （５）該導体パターンと該バイアス印加用の導体パター
ンの対向する部分の少なくとも一部が、該磁性体層より
も透磁率の高い磁性体で置換された請求項第４項記載の
積層インダクタ。 - （６）磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重畳し
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタのイン
ダクタンス調整方法において、該導体パターンに幅方向
の一部分は対向するように、一層置きに交互に位置をず
らせて、磁性体層を端部が接続されて積層方向に重畳し
て周回する、バイアス印加用の導体パターンを一体に形
成し、該バイアス印加用の導体パターンに直流バイアス
電流を印加して、導体パターン間の磁気抵抗を増減させ
て、該導体パターンによるインダクタンスを増減させる
ことを特徴とする積層インダクタのインダクタンス調整
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26349288A JPH02110907A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26349288A JPH02110907A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110907A true JPH02110907A (ja) | 1990-04-24 |
| JPH0515283B2 JPH0515283B2 (ja) | 1993-03-01 |
Family
ID=17390272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26349288A Granted JPH02110907A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110907A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0477213U (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-06 | ||
| WO2021015097A1 (ja) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 株式会社村田製作所 | 樹脂多層基板および樹脂多層基板の製造方法 |
| WO2021015096A1 (ja) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 株式会社村田製作所 | 樹脂多層基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6098237B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-03-22 | オムロンヘルスケア株式会社 | 血圧測定用カフおよびその装着方法 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP26349288A patent/JPH02110907A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0477213U (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-06 | ||
| WO2021015097A1 (ja) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 株式会社村田製作所 | 樹脂多層基板および樹脂多層基板の製造方法 |
| JPWO2021015097A1 (ja) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | ||
| WO2021015096A1 (ja) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 株式会社村田製作所 | 樹脂多層基板およびその製造方法 |
| JPWO2021015096A1 (ja) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0515283B2 (ja) | 1993-03-01 |
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