JPH02108947A - ホトマスク検査装置 - Google Patents
ホトマスク検査装置Info
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- JPH02108947A JPH02108947A JP63261646A JP26164688A JPH02108947A JP H02108947 A JPH02108947 A JP H02108947A JP 63261646 A JP63261646 A JP 63261646A JP 26164688 A JP26164688 A JP 26164688A JP H02108947 A JPH02108947 A JP H02108947A
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- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路の製造に用いるホトマスク検
査装置に関するものである。
査装置に関するものである。
（従来の技術）
半導体集積回路を製造する際に、半導体基板上に形成す
る所定の集積回路のパターンを露光させるため、金属１
例えばクロム（Ｃｒ）を蒸着したガラス基板上に上記の
パターンを１〜１０倍に拡大して形成したホトマスクが
使用される。
る所定の集積回路のパターンを露光させるため、金属１
例えばクロム（Ｃｒ）を蒸着したガラス基板上に上記の
パターンを１〜１０倍に拡大して形成したホトマスクが
使用される。
このホトマスクの欠陥検査には２つの方式がある。第１
の方式はパターン比較検査方式で、所定の集積回路を形
成する単位パターンが複数個配置されたホトマスクや単
個配置のｑｔ位パターンを繰り返すメモリ用のホトマス
クなどの検査に用いられ、隣り合った甲６位パターンを
電気信号に変換し両者の相異を検査する。第２の方式は
データベース照合方式で、光電変換系を介して得られた
実マスクパターンの電気的信号のデータと該マスクを製
造する際の原パターンデータを比較照合して検査する。
の方式はパターン比較検査方式で、所定の集積回路を形
成する単位パターンが複数個配置されたホトマスクや単
個配置のｑｔ位パターンを繰り返すメモリ用のホトマス
クなどの検査に用いられ、隣り合った甲６位パターンを
電気信号に変換し両者の相異を検査する。第２の方式は
データベース照合方式で、光電変換系を介して得られた
実マスクパターンの電気的信号のデータと該マスクを製
造する際の原パターンデータを比較照合して検査する。
上記の二方式の検査が行える従来のホトマスク検査装置
について、第２図により説明する。同図は、この種の従
来のホＩ・マスク検査装置の構成図で、従来のホトマス
ク検査’＆［は、外部からホトマスクのパターン情報を
入力するコンソール１と、ホトマスク２の左右同一の単
位パターン２Ｒおよび２Ｌを走査するフラッシュスイッ
チ３に接続された左右２個の光源４Ｒおよび４１４と、
左右の単位パターン２Ｒおよび２Ｌを通過した光を集束
する左右２個のレンズ５Ｒおよび５１４、集束された走
査光を電気信号に変換する光電変換部６と、原パターン
データを記録している磁気テープ７から電気信号を取り
出す原データ変換部８と、第１方式および第２方式用の
２個の比較器９ａおよび９ｂと、上記の光電変換部６か
ら出力される右側単位パターン２Ｒの電気信号を上記の
２個の比較器９ａおよび９ｂの何れかに振り分ける切換
スイッチ１０と、Ｌ記の比較器９ａおよび９ｂの欠陥情
報を一時蓄積するバッファメモリ１１と、バッファメモ
リの欠陥情報を取り出す外部出力装置１２と、上記のコ
ンソール１からの入力に従って、それぞれの働きを制御
する中央制御装置１３とから構成されている。
について、第２図により説明する。同図は、この種の従
来のホＩ・マスク検査装置の構成図で、従来のホトマス
ク検査’＆［は、外部からホトマスクのパターン情報を
入力するコンソール１と、ホトマスク２の左右同一の単
位パターン２Ｒおよび２Ｌを走査するフラッシュスイッ
チ３に接続された左右２個の光源４Ｒおよび４１４と、
左右の単位パターン２Ｒおよび２Ｌを通過した光を集束
する左右２個のレンズ５Ｒおよび５１４、集束された走
査光を電気信号に変換する光電変換部６と、原パターン
データを記録している磁気テープ７から電気信号を取り
出す原データ変換部８と、第１方式および第２方式用の
２個の比較器９ａおよび９ｂと、上記の光電変換部６か
ら出力される右側単位パターン２Ｒの電気信号を上記の
２個の比較器９ａおよび９ｂの何れかに振り分ける切換
スイッチ１０と、Ｌ記の比較器９ａおよび９ｂの欠陥情
報を一時蓄積するバッファメモリ１１と、バッファメモ
リの欠陥情報を取り出す外部出力装置１２と、上記のコ
ンソール１からの入力に従って、それぞれの働きを制御
する中央制御装置１３とから構成されている。
このように構成されたホトマスク検査装置の動作につい
て、説明する。
て、説明する。
第１方式のパターン比較検査方式では、左右２個の光源
４Ｒおよび４Ｌによりホトマスク２の左右の単位パター
ン２Ｒおよび２Ｌを走査し、レンズ５Ｒおよび５Ｌで集
束された２つの単位パターン光信号り、１およびＤＬｌ
を光電変換部６で比較信号ＤＲＺおよびＤＬｚに変換し
比較器９ａで左右２つのｍ位パターン比較信号ＤＩ＋２
およびＤＬ２を重ね合わせ、この重合せ操作により得ら
れた欠陥情報をバッファメモリ１１に逐次蓄積し、外部
出力装置１２に出力する。第２方式のデータベース照合
方式では。
４Ｒおよび４Ｌによりホトマスク２の左右の単位パター
ン２Ｒおよび２Ｌを走査し、レンズ５Ｒおよび５Ｌで集
束された２つの単位パターン光信号り、１およびＤＬｌ
を光電変換部６で比較信号ＤＲＺおよびＤＬｚに変換し
比較器９ａで左右２つのｍ位パターン比較信号ＤＩ＋２
およびＤＬ２を重ね合わせ、この重合せ操作により得ら
れた欠陥情報をバッファメモリ１１に逐次蓄積し、外部
出力装置１２に出力する。第２方式のデータベース照合
方式では。
まず、コンソール１から第２方式の情報を入力し、中央
制御装置１３によって、フラッシュスイッチ３を光源４
Ｒのみの単独走査に切り換え、同時に切換スイッチ１０
を操作して、比較信号ＤＩｌｚの入力光を比較器９ａか
ら比較器９ｂに切り換える。次に、ホトマスクを作成す
る原パターンデータＤ、を。
制御装置１３によって、フラッシュスイッチ３を光源４
Ｒのみの単独走査に切り換え、同時に切換スイッチ１０
を操作して、比較信号ＤＩｌｚの入力光を比較器９ａか
ら比較器９ｂに切り換える。次に、ホトマスクを作成す
る原パターンデータＤ、を。
これを記録した磁気テープ７から原データ変換部８で比
較信号Ｄ２に変換する。比較器９ｂは、光電変換部６の
比較信号Ｄ１１２と、原データ変換部８の比較信号Ｄ２
を重ね合わせ、この重合せ操作より得られた欠陥情報を
バッファメモリ１１に逐次蓄積し、外部出力装置１２に
出力する。
較信号Ｄ２に変換する。比較器９ｂは、光電変換部６の
比較信号Ｄ１１２と、原データ変換部８の比較信号Ｄ２
を重ね合わせ、この重合せ操作より得られた欠陥情報を
バッファメモリ１１に逐次蓄積し、外部出力装置１２に
出力する。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記の構成では、第１方式から第２方式
への切換え、又は逆の切換えを行う際に、光源４Ｒおよ
び４Ｌの切換え、比較器９ａおよび９ｂの切り換えが必
要であり第１方式の検査と第２方式の検査が並行して実
施できず、検査時間が長いという問題があった。
への切換え、又は逆の切換えを行う際に、光源４Ｒおよ
び４Ｌの切換え、比較器９ａおよび９ｂの切り換えが必
要であり第１方式の検査と第２方式の検査が並行して実
施できず、検査時間が長いという問題があった。
本発明は上記の問題を解決するもので、−回の走査で第
１および第２の方式が、同時に行えるホトマスク検査装
置を提供するものである。
１および第２の方式が、同時に行えるホトマスク検査装
置を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するために本発明は、片側の比較信号
り、２を増幅する増幅器と、この増幅器の出力を比較検
査用の比較器９ａとデータベース照合用の比較器９ｂに
分割する回路を設けるものである。
り、２を増幅する増幅器と、この増幅器の出力を比較検
査用の比較器９ａとデータベース照合用の比較器９ｂに
分割する回路を設けるものである。
（作 用）
上記の構成により片側の比較信号り、＋２は一度増幅さ
れた後１分割回路で他の側の比較信号Ｄ１．２に、ある
いは、原データ変換部８の比較信号Ｄ２の強度にそれぞ
れつりあう強度に分割調整された後、それぞれの比較器
に入る。２個の比較器に入った信号より同時に欠陥情報
が得られるので、パターン比較検査とデータ照合検査が
並行して行われる。
れた後１分割回路で他の側の比較信号Ｄ１．２に、ある
いは、原データ変換部８の比較信号Ｄ２の強度にそれぞ
れつりあう強度に分割調整された後、それぞれの比較器
に入る。２個の比較器に入った信号より同時に欠陥情報
が得られるので、パターン比較検査とデータ照合検査が
並行して行われる。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図の構成図により説明する。
第１図において１本発明によるホトマスク検査装置が、
第２図に示す従来例と異なる点は、比較信号り、２を２
個の比較器９ａおよび９ｂに振り分ける切換スイッチ１
０に替って、増幅器１・１および分割回路１５を設けた
点と、それぞれの欠陥情報を一時ｆｓ積する２個のバッ
ファメモリｌｌａおよびｌｌｂを設けた点にある。その
他は、従来例と変らないので、同じ構成部分には同一符
号を付して、その説明を省略する。
第２図に示す従来例と異なる点は、比較信号り、２を２
個の比較器９ａおよび９ｂに振り分ける切換スイッチ１
０に替って、増幅器１・１および分割回路１５を設けた
点と、それぞれの欠陥情報を一時ｆｓ積する２個のバッ
ファメモリｌｌａおよびｌｌｂを設けた点にある。その
他は、従来例と変らないので、同じ構成部分には同一符
号を付して、その説明を省略する。
このように構成されたホトマスク検査装置の動作につい
て、説明する。
て、説明する。
まず、ホトマスクを作成するために使用された原パター
ンデータＤ１を記録した磁気テープ７を装着し、検査す
るホトマスク２を取り付ける０次にコンソール１からパ
ターン構成情報を入力する。
ンデータＤ１を記録した磁気テープ７を装着し、検査す
るホトマスク２を取り付ける０次にコンソール１からパ
ターン構成情報を入力する。
中央制御装置１３が作動し、フラッシュスイッチ３によ
り光源４Ｒおよび４Ｌが入る。２個のレンズ５Ｒおよび
５Ｌで得られた左右の単位パターン２Ｒおよび２Ｌの光
信号Ｄ８□およびり３．１は、光電変換部６で比較信号
Ｄ１１！およびり、２に変換され、信号Ｄ１１２は増幅
器１４および分割回路１５で分割と強度の調整が行われ
た後、信号り、ｌｆｆおよびＤＲ４となって、２個の比
較器９ａおよび９ｂに入力される。比較器９ａでは比較
信号ＤＬ２とり、３を比較し、欠陥情報をバッファメモ
リｌｌａに、比較器９ｂでは比較信号ＤＲ４と原データ
変換部８の比較信号Ｄ２を比較し、欠陥情報をバッファ
メモリｌｌｂにそれぞれ蓄積する。コンソール１から出
力指示を入力すると、バッファメモリｌｌａおよびｌｌ
ｂにそれぞれに蓄積された欠陥情報が一度に外部出力装
置１２に出力される。
り光源４Ｒおよび４Ｌが入る。２個のレンズ５Ｒおよび
５Ｌで得られた左右の単位パターン２Ｒおよび２Ｌの光
信号Ｄ８□およびり３．１は、光電変換部６で比較信号
Ｄ１１！およびり、２に変換され、信号Ｄ１１２は増幅
器１４および分割回路１５で分割と強度の調整が行われ
た後、信号り、ｌｆｆおよびＤＲ４となって、２個の比
較器９ａおよび９ｂに入力される。比較器９ａでは比較
信号ＤＬ２とり、３を比較し、欠陥情報をバッファメモ
リｌｌａに、比較器９ｂでは比較信号ＤＲ４と原データ
変換部８の比較信号Ｄ２を比較し、欠陥情報をバッファ
メモリｌｌｂにそれぞれ蓄積する。コンソール１から出
力指示を入力すると、バッファメモリｌｌａおよびｌｌ
ｂにそれぞれに蓄積された欠陥情報が一度に外部出力装
置１２に出力される。
なお１本発明は、２チツプ構成のホトマスクに適用する
と効果が最も大きく、第１方式と第２方式を別々に行う
従来の検査方法より走査時間が１／２に、検査時間が２
７３にそれぞれ短縮される。さらに、欠陥情報を−っに
まとめることにより欠陥修正でのデータが同一座標とな
り、修正がＷＩ弔になる。
と効果が最も大きく、第１方式と第２方式を別々に行う
従来の検査方法より走査時間が１／２に、検査時間が２
７３にそれぞれ短縮される。さらに、欠陥情報を−っに
まとめることにより欠陥修正でのデータが同一座標とな
り、修正がＷＩ弔になる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、ホトマスク上の
単位パターン同士の比較検査とデータベースのパターン
の照合検査を同時に行うことができるので、検査時間が
短縮され、ホトマスク製造コスト、ひいては半導体製造
コストを大幅に低減することができる。
単位パターン同士の比較検査とデータベースのパターン
の照合検査を同時に行うことができるので、検査時間が
短縮され、ホトマスク製造コスト、ひいては半導体製造
コストを大幅に低減することができる。
第１図および第２図は、本発明による実施例および従来
例をそれぞれ示すホトマスク検査装置の構成図である。 １ ・・・コンソール、 ２・・・ホトマスク、２Ｌ、
２Ｒ・・単位パターン、 ３ ・・フラッシュスイッ
チ、４Ｒ，４Ｌ・・・光源、５Ｒ，５Ｌ・・・ レンズ
、 ６ ・・・光電変換部、７ ・・・磁気テープ、
８ ・・・原データ変換部、 ９ａ、９ｂ・・・比較器
、１０・・・切換スイッチ、１１． ｌｌａ 、 ｌｌ
ｂ ・・・バッファメモリ、１２・・ 外部出力装置
、 １３・・・中央制御装置、１４・・・増幅器、１５・・
・分割回路。 特許出願人 松下電子工業株式会社 ！Ｉ＋！＜
例をそれぞれ示すホトマスク検査装置の構成図である。 １ ・・・コンソール、 ２・・・ホトマスク、２Ｌ、
２Ｒ・・単位パターン、 ３ ・・フラッシュスイッ
チ、４Ｒ，４Ｌ・・・光源、５Ｒ，５Ｌ・・・ レンズ
、 ６ ・・・光電変換部、７ ・・・磁気テープ、
８ ・・・原データ変換部、 ９ａ、９ｂ・・・比較器
、１０・・・切換スイッチ、１１． ｌｌａ 、 ｌｌ
ｂ ・・・バッファメモリ、１２・・ 外部出力装置
、 １３・・・中央制御装置、１４・・・増幅器、１５・・
・分割回路。 特許出願人 松下電子工業株式会社 ！Ｉ＋！＜
Claims (1)
- 一枚のマスク基板上に隣接して形成された２個の薄膜パ
ターンをそれぞれ電気信号に変換し比較して、上記の薄
膜パターンの欠陥を検出する測定系と、上記の電気信号
の一方の上記の薄膜パターン形成用のパターンデータを
電気的信号に変換した該信号とを比較して上記のマスク
基板上の一方の薄膜パターンの損傷を検出する測定系と
からなるホトマスク検査装置において、上記の一方の電
気信号を上記２つの測定系で同時に使用することを特徴
とするホトマスク検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261646A JPH02108947A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | ホトマスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261646A JPH02108947A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | ホトマスク検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02108947A true JPH02108947A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17364793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63261646A Pending JPH02108947A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | ホトマスク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02108947A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002791A (en) * | 1996-08-09 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Photomask inspection apparatus |
| EP1061360A3 (en) * | 1999-06-17 | 2002-08-21 | Nec Corporation | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63261646A patent/JPH02108947A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002791A (en) * | 1996-08-09 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Photomask inspection apparatus |
| DE19734486C2 (de) * | 1996-08-09 | 1999-12-16 | Nec Corp | Photomasken-Prüfgerät und Verfahren zum Prüfen von Photomasken |
| EP1061360A3 (en) * | 1999-06-17 | 2002-08-21 | Nec Corporation | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus |
| US6674889B1 (en) | 1999-06-17 | 2004-01-06 | Nec Corporation | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus |
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