JPS596536A - 欠陥検査装置 - Google Patents

欠陥検査装置

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JPS596536A
JPS596536A JP57115429A JP11542982A JPS596536A JP S596536 A JPS596536 A JP S596536A JP 57115429 A JP57115429 A JP 57115429A JP 11542982 A JP11542982 A JP 11542982A JP S596536 A JPS596536 A JP S596536A
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JP
Japan
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chip
memory
sensor
lens
signal
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JP57115429A
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Yoshikazu Tanabe
義和 田辺
Yoshihiko Okamoto
好彦 岡本
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ホトマスク等の外観上の欠陥を検査する2チ
ツプ比幀型欠陥検査装置に関する。
一般に、集積回路(工C)、大規模集積回路(LL日1
)等のような半導体装置の製造工程においてに、ホトマ
スク(以下マスクという。)の冨ね合せ露光によってパ
ターンを形成するか、マスクに外観上の欠陥(例えは、
突起、欠損、黒点。
汚n)があると、デバイス歩積りが低下する。そこで、
半導体装置の製造工程ではマスクの欠陥検査が行なわn
1人間の目視によらない欠陥検査装置も使用されて込る
従来のこの種の欠陥検査装置として、例えは第1図に示
す工うなものかある。この装置itは、マスク90表I
ll (パターンか形成さnた面側)に配され九2組の
対物レンズ1.2と、マスクの裏側において対物レンズ
1.2にそnぞn対向した2組のセンサ3.4と?Il
″備え、図示しない光源からの検査光5會両対物レンズ
1.2に通してフライングスポットにし、異なる2位置
のチップ全スキャニングしつつ七A−pA照射し、各透
過光6tホトセル等のセンサ3,4で七nぞn受け、両
検出16号を各アンプ7.8′に弁じて比較器10に印
加し、比較器10において2つのチップの同一面Brに
おけるそn−f’fLの検量1δ号相互を比較し差異信
号を欠陥として認識するようにしたものである。
すなわち、この種の欠陥検査装置は、マスク上に同一の
チップパターンが周期的に規則正しく整列して形成さn
ることを利用し、異なる位置のチップのパターンにおけ
る四−箇firk比叔し、差がある状態を欠陥として判
別することを原理としている。
そして、パターンが微細化さnた最近の半導体装置にお
いてに、極倣絽な欠陥も半導体装置の良否にl犬な影脅
を及ぼすため、外観欠陥の許容サイズも庄々小さくなっ
ている。そこで、欠陥許容サイズケ小さくする、すなわ
ち欠陥検出性能全同上するために、第1図に示したよう
な欠陥検査装置においては、対物レンズ1.2の開口係
数(NA)等全人きく設定する傾向にめる。このように
NAt木きくした対物レンズに外径寸法が大きくなるた
め、両レンズ1.2の元軸間pIi1は大きくなってし
まう。
ところで、電子組描圓装置を用いてマスクにパターンr
描画する場合、描画効率全同上するため、第2図に示す
Lうに、マスクにはウェハ上に転写さn得る必要なチッ
プのみが描画さn1チツプが2個のみ並ぶ部分(斜線で
示す部分参照。)が発生することもある。
第2図に示すようなマスク9について、前述した両レン
ズ1.2の光軸間隔りか大きb欠陥検査装置を用すて前
記のような2チツプを比較する欠陥検査を実施すると、
第2図中斜線で示したチップについては、いずnか一方
のレンズの元軸がチップから外nるため、他方のチップ
におかて比較相手が得られなhことになり、欠陥検査が
できなくなる。
そのため、従来の欠陥検査装置にあっては、このような
場合、マスクt−90度回動させて検査不能の斜線部分
チップにつき検査し直す必JIi!、がらり、欠陥検査
の作業性か極めて悪化するという欠点がめった。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点に%決し、対物レ
ンズが大径化しても2チツプ比較による欠陥検査を全チ
ップにりいて確保することかできる欠陥検査装置を提供
するにある。
この目的を達成するため、本発明による欠陥検査装置は
、比較相手が得らnない場合、−のチップから検出した
信号をメモリに目d録し、この記録した信号と他のチッ
プから検出したイサ号とを比較し、その差異信号を欠陥
として認識するようにしたものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたかって散開する
第3図は本発明による欠陥検査装置の一実施例を示す概
略的構成図であシ、第1図と同一の構成要素には同一の
符号か付しである。第3図において、第1センサ3には
アンプ7と比較器10との間にメ七り11か書き込み側
自動切換スイッチ12および読み出し側自動切換スイッ
チ13を介して適宜介入し得るように設けらnてbる。
前記構成にかかる欠陥検査装置において、纂2図に示す
ようなマスク、9における2つのチップ(左側チップA
、右側チップBとする。)のみか並ぶ部分につ@2チッ
プ比較欠陥検査を実施する場合の作用1に:説明する。
まず、第2図に示すように、マスク9が破線矢印方向に
移動すると、レンズ、センサ寺の検出系は実線矢印方向
に相対的に移動する。この移動により、第ルンズ1およ
び第1センサ3がチップAK対向し、このチップAのパ
ターンの検出全実施する。このとき、第2レンズ2およ
び第2センサ4Kに対向するチップが存在しない。した
がって、この場合には比較相手が祷らnないので、チッ
プAについては比較検査が実施できない。そこで、自動
切換スイッチ12が作動してアンプ7の出力端をメモリ
11に接続する。こnによシ、チップAにおけるパター
ンについての検出信号はメモリ11に印加さnて記憶さ
nる。
マスク9か1ピツチ送9移動すると、第2レンズ2およ
び第2センナ4がチップBに対向するが、第ルンズ1お
よび第1センサ3には対向するチップが存在しなくなる
。したがって、この場合にも比較相手が傅らnなりので
、チップBについては比較検査が実施できな−い。そこ
で、aみ出し側切換スイッチ13が自動的に作動してメ
モリ11に比較器100入方端全接続する。こnKエリ
1メモリ11は前記第2レンズ2お工び麺2センサ4が
チップBに対して実施するパターンの検出に追従してチ
ップAのパターンにっbて配憶した検出信号全随時読み
出し、比較器loの一方の入力端に印加していく。比較
器1oに第2センサ4から人力さnてくるチップBのパ
ターンについての現在の検出信号と、メモリ11がら入
力ざnてくるチップAのパターンについての検出信号と
を互に同一箇所において比較し、その差異信号を欠陥と
して解織する。
本実施例によnば、比較相手が得らnな層ときにメモリ
に一方のパターンを配惰しておき、他方のパターンの検
出時に記憶パターン′に読み出すことによって比較相手
を作るようにしたので、2つのチップのみが並ぶ場合で
も2チツプ比較検査を実施できる。侯1丁nば、チップ
の並び方によってレンズ間隔につき規制を受けることは
な−ため、レンズ口径を大径化することができ、NAt
大きく設定でき、検査性能の同上が期待できる。また、
全チップにつき比較検査か実行できるので、マスクに9
0度回動させて再度比較検査を実行する必要がなくなり
、作業性が向上する。
なお、前記実施例でぼ、メモリ?第1センサに接続した
場合につき説明したが、メモIJ u第2センサに接続
してもよいし、両方のセンサに接続してもよい。
ちなみに、比較相手が得らnる場合には両スイッチ12
.13aaRa図の実線状態となり、メモリ11は介在
せず、通常の比較検査が実行さnる。
第4図は本発明の他の実施例を示すものであり、前記実
施例と異なる点は、第2レンズおよび第2センサ等から
なる第2検出点を省略し、第1検出系のみで2チツプ比
叡による欠陥検査全実行できるように構成した点にある
。第4図において、書き込み側自動切換スイッチ12に
おける2次側の第1接点12aは比軟器10の一方の入
力端に接続さn、同第2接点12t)はメモリ11の書
き込み端に接続されている。また、読み出し側自動切換
スイッチ13に比軟器10の他方の入力端との接続會開
閉切換するように構成されている。
前記構成にかかる欠陥検査装置の作用?説明する。
まず、対物レンズ1とセンサ3とからなる検出系に最初
のチップのパターンについて検出動作を実施し、倹tB
信号?出力する。このとき、書き込み側切換スイッチ1
2が点線の状態に自動的に切換えらnるため、この検出
信号rまメモIJ 11に印加して記憶さnる。
検出糸は2番目のチップ上に移行すると、このチップの
パターンについて検出動作′?を実施し、検出信号を検
出する。このとき、書き込み側切換スイッチ12が実軸
の状態に切換えらnるため、この検出信号に比較器10
の一方の入力端に印加する。同時に、読み出し側切換ス
イッチ13が点線の状態に切換えらnるため、メモリ1
1が比較器10の他方の入力端に接続さnl メモリ1
1に配t* サnた前ffd 1番目のチップパターン
についての検出信号を随時読み出して印加していく。比
較器10は現在の検出動作によりセンサ3から入力され
てくる2番目のチップパターンの検出信号と、メモリ1
1から入力されてくる1番目のチップパターンの検出信
号とを互に同一箇所におりて比較し、その差異1g号?
欠陥として認識する。
以後、メモリ11は各チップにつ@1個おきに記憶と読
み出しと′に繰シ返えして、マスク上の全チップにつき
比較検査を実施する。
本実施例によれば、メモリがチップパターンにつき1個
おきに配憶と読み出しとt繰り返し、比較器がメモリと
検出系とから印加さnてくる相隣り合うチップのパター
ンについての検出信号を比較して行くので、全チップに
つき2チップ比較検査?随時的に実行することができる
なお、前記実施例において、メモリおよび切換スイッチ
咎の構成につき特に限定はない。葦た、前記実施例では
、マスクに形成さnたパターンの欠陥検査につき欽明し
たか、本発明にウェハ青基板上に周期的に規則止しぐ整
列されたパターンについての欠陥検査全般に通用するこ
とかできる。
さらに、パターンの検出信号は透過元を検出する構成に
限らず、例えば反射光を検出する構成vc工って得るこ
ともできる。
以上説明したように、本発明に工nば、2つのチップの
みが並ぶ場合でも比較検査を実行することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を示す概略的構成図、 第2図はマスクの一例を示す平面図、 第3図は本発明による欠陥検査装置の一実施例?示す標
略的慣成図、 巣4図a本発明による欠陥検量装置の他の実施例を示す
概略的構成図である。 1・・・第1対物レンズ、2・・・第2対物レンズ、3
・・・、A1−by?、4・・・第2センサ、5・・・
検査光、6・・・透過光、9・・・マスク、IO・・・
比s2器、11・・・メモIJ、12.13・・・切換
スイッチ。 第  1  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 l、同一の基板上に周期的に規則正しく整列さnたパタ
    ーン群の2つのパターンにおける同一箇所からそれぞれ
    検出した信号を比較し差異1百号會欠陥として認識する
    欠陥検査装置において、一つのパターンから検出した信
    号全記録するメモリ全般け、この配録した信号と、他の
    パターンから検出した信号とを比較するようにしたこと
    1:を特徴とする欠陥検査装置。 2、メモリが、2つのパターンをそnぞ几検出する一対
    の検出系の一方に接続さnたことを特徴とする特許側、
    求の範囲第1項記載の欠陥検査装置。
JP57115429A 1982-07-05 1982-07-05 欠陥検査装置 Granted JPS596536A (ja)

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JPH0561578B2 JPH0561578B2 (ja) 1993-09-06

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05124710A (ja) * 1991-11-05 1993-05-21 Itoki Crebio Corp 物品の保管・搬送システム
JPH0624506A (ja) * 1992-01-29 1994-02-01 Murata Mach Ltd ピッキングシステム
WO2012042748A1 (ja) 2010-09-30 2012-04-05 パナソニック株式会社 無線通信機

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5480087A (en) * 1977-12-09 1979-06-26 Hitachi Ltd External appearance test unit
JPS54111774A (en) * 1978-02-22 1979-09-01 Hitachi Ltd Inspection method of mask and its unit
JPS57207335A (en) * 1981-06-15 1982-12-20 Fujitsu Ltd Pattern checking system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5480087A (en) * 1977-12-09 1979-06-26 Hitachi Ltd External appearance test unit
JPS54111774A (en) * 1978-02-22 1979-09-01 Hitachi Ltd Inspection method of mask and its unit
JPS57207335A (en) * 1981-06-15 1982-12-20 Fujitsu Ltd Pattern checking system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05124710A (ja) * 1991-11-05 1993-05-21 Itoki Crebio Corp 物品の保管・搬送システム
JPH0624506A (ja) * 1992-01-29 1994-02-01 Murata Mach Ltd ピッキングシステム
WO2012042748A1 (ja) 2010-09-30 2012-04-05 パナソニック株式会社 無線通信機

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