JPS60133724A - パタ−ンの欠陥検査装置に用いる歪み補正方法 - Google Patents

パタ−ンの欠陥検査装置に用いる歪み補正方法

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JPS60133724A
JPS60133724A JP58240831A JP24083183A JPS60133724A JP S60133724 A JPS60133724 A JP S60133724A JP 58240831 A JP58240831 A JP 58240831A JP 24083183 A JP24083183 A JP 24083183A JP S60133724 A JPS60133724 A JP S60133724A
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JP
Japan
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distortion
pattern
defect inspection
optical system
distortion correction
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JP58240831A
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English (en)
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Yasushi Uchiyama
内山 康
Daikichi Awamura
粟村 大吉
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NIPPON JIDO SEIGYO KK
NIPPON JIDOSEIGYO Ltd
Original Assignee
NIPPON JIDO SEIGYO KK
NIPPON JIDOSEIGYO Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はパターンの欠陥検査装置、特に半導体集積回路
の製造に使用するレチクルパターンの欠陥検査装置に用
いる歪み補正方法に関するものである0 従来、シリコンウエノ1−上にマスクを密着させて置き
ホトエツチングすることによって作成さnるレチクルパ
ターンの欠陥を検査するために、本願人は%願昭56−
144740号において、マスク原版を作成するときに
使用するPG (PatternGeneration
 )テープに記憶された情報と、このテープに基づいて
製作さnた実際のパターンを比較することによって信頼
度の高い欠陥検査をすることができる装置を開発してい
る。上述した装置に゛おいては、1關x1mmの単位走
査領域の縁に投影レンズ系によって25倍に拡大されイ
メージセンサ−に入射しているが、このとき第1図の下
半分に示すような中心から離nるにつれて大きくなる歪
みが投影レンズ系の影響で発生しがちであった。
この歪みは1闘x1miの単位走査領域で約±1〜21
t1′r1であシ、従来のそnはどパターン密度の大き
くない被検体に対してはこの歪みによるサンプリングデ
ータのず:nはほとんど影響しないが、最近のように検
査の対象がIC、LSI等の高密度化したパターンの場
合には上述したサンプリングデータのずnが欠陥の判定
に大きく影響して、高精度な欠陥検査を実施できない不
具合があった。
上述した不具合を解決する手段として、従来から補正レ
ンズ元学系を使用してた学的に歪みを除去する方法が提
案さnているが、レンズ部分の構成が複雑となるととも
に特別の補正レンズが必要となシコスト高となる不具合
があった。
本発明の目的は上述した不具合を解決し、画像の光学的
歪みを除去して正確な欠陥検査が可能な°パターンの欠
陥検査装置に用いる歪み補正方法を提供しようとするも
のである。
本発明の歪み補正方法は、被検体のパターンの欠陥、特
に半導体集積回路の製造に用いるマスクのパターンの欠
陥を、前記被検体のパターンに対応した基準情報を蓄積
した記録媒体から読み出した基準情報と前記被検体のパ
ターンを実際に走査して得た走査情報とを比較して自動
的に検知する欠陥検査方法をおいて、投影レンズ系によ
り生ずる光学的歪みを電気的補正によって除去すること
により、高精度のデータサンプリングを行ない得ること
を特徴とするものである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明の歪み補正方法を実施するノくターンの
欠陥検査装置の全体の一構成を示すブロック図である。
全体の構成は大きく分類してステージユニット10、ビ
デオ信号変換ユニy卜so、制御ユニツ)410の8つ
のユニットから成っている。以下上述した順に各部の動
作を簡単に説明する0 ifステージユニット10においては、被検体18のパ
ターン(例えばレチクルパターン等)に光源11よりの
元を照射し、その透過光をビットアレイよりなるイメー
ジセンサ−28に入射して1ライン分の走査データを得
た後、その走査データを制御部40へ出力している。自
動焦点機構14を具えた対物レンズ17は透過光を例え
ば25倍に拡大して、イメージセンサ−28のビットア
レイに投影するのに使用されている。本例で使用する自
動焦点の機構は、本願人による特公昭54−81848
号公報で提案されている機構と同一である。走査領域の
選択および走査はXテーブル15、Yテーブル16を駆
動機構18.12によって駆動することで実行し1いる
。、−x、Yテーブル15.16の制御は、そnらの動
きをリニアエンコーダ19.20により検知してステー
ジポジションコレクター21に供給することに、lニッ
チ行なわ几る。ここで、X、Y方向のすnが検知さnl
そのずれよシ得られる補正信号を各駆動機構18.12
に供給してX、Y方向の補正が行なわγしる。また、こ
の補正だけでは精度の面で問題があるため、特にX方向
に対しては、ステージポジションコレクター21からの
X方向のずれ量に対する補正信号をイメージセンサ−ド
ライバー22ニ供給してイメージセンサ−28中にビッ
トアレイに入射する元のうち、左端、右端の余りの12
個のビットを使用して、誤差に対してずらして1000
点での走査データを得るようにする。
イメージセンサ−28に入射する5’[対物レンズ17
を通過しているので、上述したように一走査領域の画像
として見るとその端部と中心部ですnが生ずる。このず
nはイメージセンサ−28の各画素を読み出すときにイ
メージセンサ−ドライバー22中の歪み補正用クロック
パルス発生部によって読み出しを制御して補正され、補
正後の画素データを匍]御ユニット40に出力している
。上述した歪み補正部については後で詳細に説明する。
次に第2図中のビデオ変換ユニツ)80について説明す
る。OADシステム等により作成さnたPGテープは、
本システムのフォーマットを持つ検査用レチクルテープ
31に変換さn1ビデオ変換ユニツトに供給さnる。こ
のレチクルテープ31は、テープユニット82に取り付
けられた後、制御ユニット40中のCPUの制御により
磁気テープ制御部86を介してステージ部10で検査さ
れているレチクルマスク18に対応する場所のファイル
をレチクルテープ81から読み出し、2つ設けである磁
気テープメモリーのうちの一方へ記憶する。
この磁気テープメモリーに記憶されたレチクルテープ3
1よりの点の座標群より、磁気テープ制御部86からの
同期信号のもとにビデオ信号変換器85により画像に変
換された後、2つ設けであるビデオメモリーのうちの一
方に記憶さnる0画像としてビデオメモリーに記憶され
たデータは1磁気テ一プ制御部36の制御によシステー
ジ部10のイメージセンサ−28で走査さnた部分に対
応してビデオ信号出力制御部39より読み出さn1制御
ユニツト40の比較器45に出力さnる。
上述のようにして作成されたステージユニット10、ビ
デオ変換ユニット80からの面出力は、制御ユニット4
0に供給される。制御ユニット40においては、その欠
陥部分を検知するために両川力信号を比較器45により
比較している。
比較器45を介して比較操作の終了した信号は、データ
処理部47に供給さn各種の処理が行々われる。データ
処理部417に各種I10インターフニー X 、 R
AM 、 ROM 、 CPU 、表示部から構成さn
1処理さ′nたデータはプリンター48よシ出力される
。さらに、モニター41〜44によって各画像を映出し
、その処理を確認できる。
第8図位)〜(Diは本発明の歪み補正方法を説明する
ための線図である。以下、第3図に基づいて本発明の歪
み補正方法を実施する歪み補正用クロックパルス発生部
および歪み補正部の動作を説明する。従来、イメージセ
ンサ−28からの走査データの読み出しは、上述したよ
うに1000画素に対応する時間のクロックパルスをイ
メージセンサ−ドライバー22中の歪み補正用クロック
パルス発生部↓シ発生はせ、その時間間隔T内のデータ
を第8図(B)に示すように読み出して行なっている。
本発明では光学系によるずれ量Δは予じめわかるので、
各ライン毎の読み出し時に第8図(C1に示すようにそ
のラインのずniΔに対応するτ(全体として2τ)だ
け加えたクロックパルスをイメージセンサ−ドライバー
22中の歪み補正用クロックパルス発生部より発生させ
、1000画累+ずれ量Δに対応する画素を読み出す。
このとき、光学系の歪みは画像の中心部ではほとんど発
生せず画像の周辺部へ行くに従って歪み量が増加するの
で、第8図ff)lに示すように読み出し速度をその歪
み量に対応して周辺部では遅く中心部では速く変化させ
ている。次に、このようにして読み出した画素を、基準
情報の1ラインに対応する一定のクロックパルスと同じ
時間間隔内に歪み補正部24により読み出して制御ユニ
ット40中の比較器45でアナログ的に比較すれば、光
学的な歪みを除去した状態で比較できる。上述した操作
を走査領域中の全ラインに対して行なえば、全画面に亘
って光学的々歪みのまったくない走査情報を使って比較
操作が行々える。
第4図は本発明の歪み補正方法を実施するための他の実
施例を表わすブロック図である。第4図中第2図々同一
部分には同一番号を附し、その説明を省略する。第8図
に示す実施例においては、ステージユニット10でめる
走査情報は歪みを含んだ′−!まめ、ビデオ変換ユニッ
ト80中のビデオ信号出力制御部89の後に複数の遅延
回路よりなる歪み補正部49を設け、基準情報を表わす
ビデオ信号の方を予じめめた各ライン毎のすn量に対応
して遅延させて走査情報の歪み分を基準情報中に含ませ
ることにより光学的歪みを除去している。すなわち、第
5図に示すように複数の遅延回路50−1.50−2.
・・・、50−nとスイッチ51を設け、スイッチ51
をデータ処理部47の制御のもとに走査情報中の各ライ
ン毎のずれ量に対応した時間だけビデオ信号を遅延させ
るよう切換えて歪み除去を行なっている。このとき、実
際の光学的な歪みに対応して、例えば中央近辺の遅延時
間は少なく周辺部の遅延時間は大きく設定して基準情報
を作成すると、より正確な比較操作を行なうことができ
る。なお、遅延回路の数は歪みの大きさ、補正の程度等
に応じて決めることが好ましい。
以上詳細に説明したところから明らかなように、本発明
のパターンの欠陥検査装置に用いる歪み補正方法によn
ば、投影光学系による歪みを電気的に除去することがで
きるので、簡単な構成で高精度の欠陥検査を行なうこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は光学的な歪みの状態を示す線図、第2図は本発
明の歪み補正方法を実施するパターンの欠陥検査装置の
全体の一構成を示すブロック図、 第8図(A)〜(D)は本発明の歪み補正方法を説明す
るための線図、 第4図は本発明の歪み補正方法を実施するための他の実
施例を示すブロック図、 第5図は本発明の歪み補正方法を実施する歪み補正部の
構成を示すブロック図である。 1O・・・ステージユニット 30・・・ビデオ信号変換ユニット 40・・・制御ユニット24 、 J“・・・歪み補正
部5O−1〜50− n・・・遅延回路 51・・・スイッチ。 特許出願人 日本自動制御株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 被検体のパターンの欠陥、特に半導体集積回路の製
    造に用いるマスクのパターンの欠陥を、前記被検体のパ
    ターンに対応した基準情報を蓄積した記録媒体から読み
    出した基準情報と前記被検体のパターンを実際に走査し
    て得た走査情報とを比較して自動的に検知する欠陥検査
    方法において、投影レンズ系によシ生ずる光学的歪みを
    電気的補正によって除去することにより、高精度のデー
    タサンプリングを行々い得ることを特徴とするパターン
    の欠陥検査装置に用いる歪み補正方法。 乞 前記補正を、サンプリング時のクロック周波数を光
    学系の歪みに対応して変化させることによって行なうこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパターンの
    欠陥検査装置に用いる歪み補正方法。 8、 前記補正を、前記基準情報のビデオ出力1fll
    lに複数の遅延回路を設け、光学系の歪みに対応して遅
    延時間を選択することによって行なうことを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載のパターンの欠陥検査装置に
    用いる歪み補正方法。
JP58240831A 1983-12-22 1983-12-22 パタ−ンの欠陥検査装置に用いる歪み補正方法 Pending JPS60133724A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5419664A (en) * 1977-07-15 1979-02-14 Nippon Jidoseigyo Ltd Device for inspecting fault of pattern

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5419664A (en) * 1977-07-15 1979-02-14 Nippon Jidoseigyo Ltd Device for inspecting fault of pattern

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