DE19734486C2 - Photomasken-Prüfgerät und Verfahren zum Prüfen von Photomasken - Google Patents
Photomasken-Prüfgerät und Verfahren zum Prüfen von PhotomaskenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Photomasken-
Prüfgerät, insbesondere ein Photomasken-Prüfgerät zur
Verwendung bei der Herstellung einer integrierten
Halbleiterschaltung, sowie ein Verfahren zum Prüfen
von Photomasken.
Es sind zwei Prüfverfahren zum Aufsuchen eines De
fekts auf einer Photomaske bekannt. Ein erstes Prüfver
fahren ist ein Mustervergleichsverfahren, in dem be
nachbarte Einheitsmuster miteinander verglichen wer
den, um Unterschiede zwischen diesen zu untersuchen.
Ein zweites Prüfverfahren ist ein Datenbankvergleich-
Prüfverfahren, bei welchem zum Durchführen der Prü
fung ein aktuelles Muster mit einem Entwurfsmuster
verglichen wird.
Ein Photomasken-Prüfgerät, das geeignet ist, gleich
zeitig die Prüfungen gemäß der beiden oben genannten
Verfahren durchzuführen, ist in der japanischen Patent-
Offenlegungsschrift Nr. Hei 2-108947 offenbart. Fig. 2
ist eine strukturelle Ansicht des in dem oben genannten
Bezugsdokument offenbarten Gerätes. Wie in der Figur
gezeigt, funktioniert eine zentrale Steuereinheit 12 der
art, daß ein eingelassener Schalter bzw. Durchlaßschal
ter 3 Lichtquellen 4R und 4L einschaltet, und dann opti
sche Signale DR1 und DL1 vom rechten und linken Ein
heitsmuster 2R und 2L auf einer Maske 2, die durch
Linsen 5R und 5L erhalten worden sind, mittels eines
photoelektrischen Wandlerabschnitts 6 in Vergleichssi
gnale DR2 und DL2 umgewandelt werden.
Das Vergleichssignal DR2 wird durch einen Verstär
ker 13 und eine Divisionsschaltung 14 derart in der In
tensität eingestellt und aufgeteilt, daß es in Signale DR3
und DR4 umgewandelt wird, die jeweils zwei Kompara
toren 9a und 9b eingegeben werden. Der Komparator
9a vergleicht das Vergleichssignal DL2 mit dem Signal
DR3 und speichert eine mittels des Mustervergleichsver
fahrens erhaltene Defektinformation zwischen den Ein
heitsmustern 2L und 2R auf der Photomaske 2 in eine
Pufferspeicher 10a ab.
Andererseits vergleicht der Komparator 9b das Ver
gleichssignal DR4 mit einem Vergleichssignal D2, das
mittels eines Entwurfsdaten-Wandlerabschnitts 8 aus in
einem externen Speicher 7 gespeicherten Entwurfsda
ten D1 erzeugt wird, und speichert durch das Daten
bankvergleich-Prüfverfahren erhaltene Defektinforma
tion in einem Pufferspeicher 10b ab. Wenn eine Ausga
be-Anweisung von einer Konsole 1 eingegeben wird,
wird jede in den Pufferspeichern 10a und 10b gespei
cherte Defektinformation an eine externe Ausgabeein
heit 11 ausgegeben.
Jedoch gibt es in dem oben genannten bekannten
Photomasken-Prüfgerät einige Fälle, bei denen es
schwierig ist zu bestimmen, welcher der benachbarten
Chips Defekte enthält, wie einen Fehler in der Größe
eines Kontaktloches, da die in der externen Ausgabeein
heit 11 gezeigte Defektinformation analysiert werden
muß.
Ferner tritt in dem bekannten Photomasken-Prüfge
rät ein Problem auf, daß eine lange Zeit für die Um
wandlung der Entwurfsdaten erforderlich ist, da der
Entwurfsdaten-Wandlerabschnitt 8 alle Entwurfsdaten
in der externen Ausgabeeinheit 11 umwandeln muß.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ei
ne Vorrichtung und ein Verfahren zum Prüfen von Pho
tomasken zu schaffen, die geeignet sind zu bestimmen,
welcher der benachbarten Chips einen Defekt enthält.
Die Erfindung löst diese Aufgabe mit dem Gegen
stand der Ansprüche 1 und 4. Weitere Ausführungen der
Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrie
ben.
Danach wird ein Photomasken-Prüfgerät geschaffen,
das ein Meßsystem aufweist zum Umwandeln der Licht
strahlen, die zwei benachbarte gleiche bzw. gleichartige
(identische), auf einer Photomaske ausgebildete Ein
heitsmuster separat abgetastet haben, in ein erstes und
ein zweites elektrisches Signal, zum Vergleichen des
ersten und des zweiten elektrischen Signals im Hinblick
auf eine mangelnde Übereinstimmung der Einheitsmu
ster, und zum Ausgeben einer Koordinateninformation
der mangelnden Übereinstimmung, falls keine Überein
stimmung vorliegt; erste und zweite Speicherschaltun
gen zum Speichern des ersten und des zweiten elektri
schen Signals, falls durch das Meßsystem eine mangeln
de Übereinstimmung gefunden wurde; eine dritte Spei
cherschaltung zum Speichern von Entwurfs- bzw. Vor
lagedaten eines auf der Photomaske ausgebildeten Mu
sters; und Identifiziermittel zum Identifizieren eines
Photomaskenmusters mit einem Defekt durch Ver
gleich eines Prüfsignals, das von den in der dritten Spei
cherschaltung gespeicherten Entwurfsdaten erhalten
wird, mit den Ausgangssignalen von jeweils der ersten
und der zweiten Speicherschaltung.
Mit dem oben genannten Aufbau werden die Aus
gangssignale derart mit den Entwurfsdaten verglichen,
falls ein Unterschied zwischen zwei benachbarten iden
tischen, auf der Photomaske ausgebildeten Einheitsmu
stern (benachbarte Chips) auftritt, daß es möglich wird
automatisch zu bestimmen, welcher der benachbarten
Chips den Defekt enthält.
Da ein Entwurfsdaten-Wandlerabschnitt vorgesehen
ist zum Umwandeln lediglich der Entwurfsdaten von
Umgebungskoordinaten, welche die Koordinateninfor
mation von dem Meßsystem umfassen, von den in der
dritten Speicherschaltung gespeicherten Entwurfsda
ten, falls ein Unterschied zwischen den benachbarten
Chips vorliegt, werden von den gespeicherten Entwurfs
daten ferner lediglich die Entwurfsdaten der Umgebung
der Koordinateninformation in das Prüfsignal umge
wandelt. Vorteilhaft ist damit eine Vorrichtung und ein
Verfahren zum Prüfen von Photomasken geschaffen,
bei denen die Datenumwandlungszeit verkürzt ist und
die Prüfung mit hoher Geschwindigkeit durchgeführt
wird.
Die Erfindung wird nunmehr anhand eines bevorzug
ten Ausführungsbeispiels mit Bezug auf die beigefügte
Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine strukturelle Ansicht eines Ausführungsbei
spiels der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 2 eine strukturelle Ansicht eines Ausführungsbei
spiels aus dem Stand der Technik.
Fig. 1 zeigt ein Photomasken-Prüfgerät gemäß einem
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, in
dem dieselben Bauteile wie diejenigen aus Fig. 2 mit
denselben Bezugszeichen bezeichnet sind, um deren
weitere Beschreibung zu vereinheitlichen. In Fig. 1
weist dieses Photomasken-Prüfgerät eine Konsole 1
zum Eingeben von Musterinformation einer Photomas
ke 2 auf, zwei rechte und linke optische Quellen 4L und
4R, die mit einem eingelassenen Schalter bzw. Durch
laßschalter 3 verbunden sind und zum Abtasten von
einem rechten und einem linken gleichen Einheitsmu
ster 2L und 2R auf der Photomaske 2 ausgelegt sind,
zwei rechte und linke Linsen 5L und 5R zum Focussie
ren von durch das rechte und das linke Einheitsmuster
2L und 2R gelangte Lichtstrahlen, einen photoelektri
schen Wandlerabschnitt 6 zum Wandeln der focussier
ten Abtast-Strahlen in elektrische Signale, einen Ent
wurfsdaten-Wandlerabschnitt 8 zum Lesen von in ei
nem externen Speicher 7 gespeicherten Entwurfsdaten,
um die Daten in ein elektrisches Signal umzuwandeln,
einen Komparator 9a zum Vergleichen der von dem
rechten und dem linken Einheitsmuster erhaltenen elek
trischen Signalen, Pufferspeicher 10a und 10b zum vor
übergehenden Speichern von Information über jeweils
das rechte und das linke Einheitsmuster, wenn der Kom
parator 9a einen Unterschied zwischen dem rechten und
dem linken Einheitsmuster erfaßt, eine Divisionsschal
tung 14 zum Aufteilen des elektrischen Signals von dem
Entwurfsdaten-Wandlerabschnitt 8 in zwei elektrische
Signale, Komparatoren 9b und 9c zum Vergleichen der
Information über die in den Pufferspeichern 10a und
10b gespeicherten rechten und linken Einheitsmuster
mit den elektrischen Signalen von der Divisionsschal
tung 14, einen Pufferspeicher 10c zum vorübergehenden
Speichern von von den Komparatoren 9b und 9c erhal
tener Defektinformation, und eine externe Ausgabeein
heit 11 zum Rückgewinnen der Defektinformation in
dem Pufferspeicher 10c.
In Betrieb werden zum Herstellen der Photomaske
verwendete Entwurfsdaten D1 in den externen Speicher
7 eingegeben und die Photomaske 2 an dem Gerät ange
bracht. Danach wird von der Konsole 1 eine Muster
struktur-Information eingegeben. Dies läßt eine zentra
le Steuereinheit 12 so arbeiten, daß der eingelassene
Schalter 3 die Lichtquellen 4L und 4R einschaltet.
Die Abtaststrahlen von den Lichtquellen 4L und 4R
gelangen durch das rechte und das linke Einheitsmuster
2L und 2R der Photomaske 2 um hieraus optische Si
gnale DL1 und DL2 zu erzeugen, und werden weiter von
der rechten und der linken Linse 5L und 5R auf eine
lichtempfangende Oberfläche des photoelektrischen
Wandlerabschnitts 6 focussiert, um in Vergleichssignale
DL2 und DR2 umgewandelt zu werden.
Der Komparator 9a vergleicht das dem Vergleichs
muster 2L der Photomaske 2 entsprechende Vergleichs
signal DL2 mit dem dem Einheitsmuster 2R der Photo
maske 2 entsprechenden Vergleichssignal DR2. Wenn
der Komparator 9a zwischen diesen einen Unterschied
gefunden hat, gibt er eine Koordinateninformation d als
eine durch das Mustervergleichsverfahren erhaltene
Defektinformation in den Entwurfsdaten-Wandlerab
schnitt 8 ein und gibt gleichzeitig die Vergleichssignale
DL2 und DR2 als Unterschiede aufweisende Vergleichs
signale DL3 und DR3 jeweils in entsprechende Puffer
speicher 10a und 10b derart ein, daß die Signale dort
vorübergehend gespeichert werden.
Andererseits erzeugt der Entwurfsdaten-Wandlerab
schnitt 8 ein Prüfsignal D2 für die Umgebung des defek
ten Abschnitts aus den aus dem externen Speicher 7
gelesenen Entwurfsdaten D1 auf der Basis der von dem
Komparator 9a eingegebenen Koordinateninformation
d. Das Prüfsignal D2 wird der Divisionsschaltung 14 zu
geführt und durch die Divisionsschaltung 14 in zwei
Signale D3 und D4 aufgeteilt.
Der Komparator 9b vergleicht das von dem Puffer
speicher 10a gelesene Vergleichssignal DL4 mit dem von
der Divisionsschaltung 14 erhaltenen Prüfsignal D3.
Wenn der Komparator einen Unterschied zwischen die
sen Signalen auffindet, wird eine über das Datenbank
vergleich-Prüfverfahren erhaltene Defektinformation in
dem Pufferspeicher 10c gespeichert. Ferner vergleicht
der Komparator 9c gleichzeitig das von dem Pufferspei
cher 10b gelesene Vergleichssignal DR4 mit dem von der
Divisionsschaltung 14 erhaltenen Prüfsignal D4. Wenn
der Komparator zwischen diesen Signalen einen Unter
schied auffindet, wird eine durch das Datenbankver
gleich-Prüfverfahren erhaltene Defektinformation in
dem Pufferspeicher 10c gespeichert.
In diesem Zustand wird die in dem Pufferspeicher 10c
gespeicherte Defektinformation an die externe Ausga
beeinheit 11 ausgegeben, wenn eine Ausgabeinstruktion
von der Konsole 1 eingegeben wird. Wie oben beschrie
ben, wird in diesem Ausführungsbeispiel das Prüfsignal
D2 der Umgebung des defekten Informationsabschnit
tes aus den Entwurfsdaten D1 auf der Basis der Koordi
nateninformation d erzeugt, falls ein Unterschied zwi
schen den zwei auf der Photomaske 2 ausgebildeten
benachbarten Einheitsmustern 2L und 2R (benachbarte
Chips) vorliegt, und das Prüfsignal wird mit den beiden
dem rechten und dem linken Einheitsmuster entspre
chenden Vergleichssignalen verglichen, so daß es mög
lich ist automatisch zu bestimmen, welcher der benach
barten Chips einen Defekt enthält.
Ferner wird in diesem Ausführungsbeispiel der Ent
wurfsdaten-Wandlerabschnitt 8 derart betrieben, daß
nur in dem Fall, in dem ein Unterschied zwischen den
dem rechten und dem gleichen bzw. gleichartigen linken
Einheitsmuster 2L und 2R entsprechenden Vergleichssi
gnalen vorliegt, die Koordinateninformation d erzeugt
wird und lediglich die Entwurfsdaten der Umgebung des
defekten Informationsabschnittes von den Entwurfsda
ten D1 umgewandelt werden, um das Prüfsignal D2 zu
erzeugen. Damit ist das Gerät gemäß der vorliegenden
Erfindung in der Lage, eine Datenumwandlungszeit ver
glichen mit einem konventionellen Gerät, in dem alle
Entwurfsdaten in dem externen Speicher 7 umgewan
delt werden, zu verkürzen, und das Photomasken-Prüf
ergebnis kann schneller erhalten werden.
Wie oben beschrieben, ist es gemäß der vorliegenden
Erfindung möglich automatisch zu bestimmen, welcher
der benachbarten Chips einen Defekt enthält, falls ein
Unterschied zwischen zwei auf einer Photomaske aus
gebildeten, benachbarten gleichen Einheitsmustern (be
nachbarte Chips) vorliegt, so daß es möglich ist zu be
stimmen, welcher der Chips einen Defekt enthält, selbst
wenn ein solcher Defekt ein Fehler in der Größe eines
Kontaktloches ist, wobei eine im Vergleich zu dem
Stand der Technik genauere Photomasken-Prüfung
durchgeführt werden kann.
Ferner werden gemäß der vorliegenden Erfindung
von allen Entwurfsdaten lediglich die Entwurfsdaten der
Umgebung der Koordinateninformation in ein Prüfsi
gnal umgewandelt, falls ein Unterschied zwischen den
benachbarten Chips auftritt, so daß die Datenumwand
lungszeit im Vergleich zu herkömmlichen Geräten, in
denen alle Entwurfsdaten in dem externen Speicher um
gewandelt werden, verkürzt werden kann, und das Pho
tomasken-Prüfergebnis kann schneller erhalten werden.
Es sei bemerkt, daß die vorliegende Erfindung nicht
auf das oben genannte Ausführungsbeispiel beschränkt
ist, sondern ohne den Grundgedanken der Erfindung zu
verlassen, geändert und modifiziert werden kann.
Claims (6)
1. Photomasken-Prüfgerät mit:
einem Meßsystem (1, 3, 4L, 4R, 5L, 5R, 6, 9a, 12) zum Umwandeln von Lichtstrahlen (DL1; DR1), die zwei benachbarte auf einer Photomaske (2) ausgebildete Einheitsmuster (2L, 2R) separat abgetastet haben, in ein erstes elektrisches Signal (DL2) und ein zwei tes elektrisches Signal (DR2), zum Vergleichen des ersten und zweiten elektrischen Signals (DL2; DR2) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwischen den benachbarten Einheitsmustern (2L, 2R), und zum Ausgeben von Koordinateninforma tion (d) über die mangelnde Übereinstimmung, falls keine Übereinstimmung vorliegt;
einer ersten und einer zweiten Speicherschaltung (10a; 10b) zum Speichern jeweils des ersten und zweiten elektrischen Signals (DL3; DR3), falls von dem Meßsystem (1, 3, 4L, 4R, 5L, 5R, 6, 9a, 12) keine Übereinstimmung gefunden wurde;
einer dritten Speicherschaltung (7) zum Speichern von Entwurfs- bzw. Vorlagedaten (D1) von einem auf der Photomaske (2) ausgebildeten Muster (2L, 2R); und
einer Identifizierschaltung (8, 9b, 9c, 10c, 14) zum Identifizieren eines Photomaskenmusters (2L; 2R) mit einem Defekt durch Vergleichen eines Prüfsi gnals (D2; D3; D4), das von den in der dritten Spei cherschaltung (7) gespeicherten Entwurfsdaten (D1) erhalten wird, mit den Ausgangssignalen (DL4; DR4) von jeweils der ersten und zweiten Speicher schaltung (10a; 10b).
einem Meßsystem (1, 3, 4L, 4R, 5L, 5R, 6, 9a, 12) zum Umwandeln von Lichtstrahlen (DL1; DR1), die zwei benachbarte auf einer Photomaske (2) ausgebildete Einheitsmuster (2L, 2R) separat abgetastet haben, in ein erstes elektrisches Signal (DL2) und ein zwei tes elektrisches Signal (DR2), zum Vergleichen des ersten und zweiten elektrischen Signals (DL2; DR2) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwischen den benachbarten Einheitsmustern (2L, 2R), und zum Ausgeben von Koordinateninforma tion (d) über die mangelnde Übereinstimmung, falls keine Übereinstimmung vorliegt;
einer ersten und einer zweiten Speicherschaltung (10a; 10b) zum Speichern jeweils des ersten und zweiten elektrischen Signals (DL3; DR3), falls von dem Meßsystem (1, 3, 4L, 4R, 5L, 5R, 6, 9a, 12) keine Übereinstimmung gefunden wurde;
einer dritten Speicherschaltung (7) zum Speichern von Entwurfs- bzw. Vorlagedaten (D1) von einem auf der Photomaske (2) ausgebildeten Muster (2L, 2R); und
einer Identifizierschaltung (8, 9b, 9c, 10c, 14) zum Identifizieren eines Photomaskenmusters (2L; 2R) mit einem Defekt durch Vergleichen eines Prüfsi gnals (D2; D3; D4), das von den in der dritten Spei cherschaltung (7) gespeicherten Entwurfsdaten (D1) erhalten wird, mit den Ausgangssignalen (DL4; DR4) von jeweils der ersten und zweiten Speicher schaltung (10a; 10b).
2. Photomasken-Prüfgerät nach Anspruch 1, bei
welchem die Identifizierschaltung (8, 9b, 9c, 10c, 14)
aufweist:
einen Entwurfsdaten-Wandlerabschnitt (8) zum Umwandeln der in der dritten Speicherschaltung (7) gespeicherten Entwurfsdaten (D1) in das Prüfsi gnal (D2);
eine Divisionsschaltung (14) zum Aufteilen des Prüfsignals (D2) in zwei Prüfsignale (D3; D4);
einen ersten Komparator (9b) zum Vergleichen des Ausgangssignals (DL4) aus der ersten Speicher schaltung (10a) mit dem einem von der Divisions schaltung (14) aufgeteilten Prüfsignal (D3) im Hin blick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwi schen diesen Signalen (DL4, D3)
einen zweiten Komparator (9c) zum Vergleichen des Ausgangssignals (DR4) von der zweiten Spei cherschaltung (10b) mit dem anderen von der Divi sionsschaltung (14) aufgeteilten Prüfsignal (D4) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwischen diesen Signalen (DR4, D4); und
einer vierten Speicherschaltung (10c) zum Spei chern der Ausgangsvergleichsergebnisse von den ersten und zweiten Komparatoren (9b; 9c).
einen Entwurfsdaten-Wandlerabschnitt (8) zum Umwandeln der in der dritten Speicherschaltung (7) gespeicherten Entwurfsdaten (D1) in das Prüfsi gnal (D2);
eine Divisionsschaltung (14) zum Aufteilen des Prüfsignals (D2) in zwei Prüfsignale (D3; D4);
einen ersten Komparator (9b) zum Vergleichen des Ausgangssignals (DL4) aus der ersten Speicher schaltung (10a) mit dem einem von der Divisions schaltung (14) aufgeteilten Prüfsignal (D3) im Hin blick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwi schen diesen Signalen (DL4, D3)
einen zweiten Komparator (9c) zum Vergleichen des Ausgangssignals (DR4) von der zweiten Spei cherschaltung (10b) mit dem anderen von der Divi sionsschaltung (14) aufgeteilten Prüfsignal (D4) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwischen diesen Signalen (DR4, D4); und
einer vierten Speicherschaltung (10c) zum Spei chern der Ausgangsvergleichsergebnisse von den ersten und zweiten Komparatoren (9b; 9c).
3. Photomasken-Prüfgerät nach Anspruch 2, bei
welchem der Entwurfsdaten-Wandlerabschnitt (8)
von den in der dritten Speicherschaltung (7) gespei
cherten Entwurfsdaten (D1) lediglich Entwurfsda
ten der Umgebungskoordinaten, welche die Koor
dinateninformation (d) von dem Meßsystem (1, 3,
4L, 4R, 5L, 5R, 6, 9a, 12) umfassen, in das Prüfsignal
(D2) umwandelt.
4. Verfahren zum Prüfen von Photomasken, bei
welchem:
zwei auf einer Photomaske (2) ausgebildete Ein heitsmuster (2L, 2R) mittels zweier Lichtstrahlen separat abgetastet werden, die sodann in ein erstes und ein zweites elektrisches Signal (DL2; DR2) um gewandelt werden;
das erste und das zweite elektrische Signal (DL2; DR2) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstim mung zwischen den benachbarten Einheitsmustern (2L, 2R) verglichen werden;
eine Koordinateninformation (d) über die mangeln de Übereinstimmung ausgegeben wird, falls keine Übereinstimmung vorliegt;
jeweils das erste und das zweite elektrische Signal (DL3; DR3) abgespeichert werden, falls keine Über einstimmung gefunden wurde; und
das defekte Einheitsmuster (2L; 2R) auf der Photo maske (2) dadurch identifiziert wird, daß ein aus abgespeicherten Entwurfsdaten (D1) für das auf der Photomaske (2) ausgebildete Einheitsmuster (2L, 2R) erhaltenes Prüfsignal (D2; D3; D4) mit den ab gespeicherten elektrischen Signalen (DL3 bzw. DL4; DR3 bzw. DR4) verglichen wird.
zwei auf einer Photomaske (2) ausgebildete Ein heitsmuster (2L, 2R) mittels zweier Lichtstrahlen separat abgetastet werden, die sodann in ein erstes und ein zweites elektrisches Signal (DL2; DR2) um gewandelt werden;
das erste und das zweite elektrische Signal (DL2; DR2) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstim mung zwischen den benachbarten Einheitsmustern (2L, 2R) verglichen werden;
eine Koordinateninformation (d) über die mangeln de Übereinstimmung ausgegeben wird, falls keine Übereinstimmung vorliegt;
jeweils das erste und das zweite elektrische Signal (DL3; DR3) abgespeichert werden, falls keine Über einstimmung gefunden wurde; und
das defekte Einheitsmuster (2L; 2R) auf der Photo maske (2) dadurch identifiziert wird, daß ein aus abgespeicherten Entwurfsdaten (D1) für das auf der Photomaske (2) ausgebildete Einheitsmuster (2L, 2R) erhaltenes Prüfsignal (D2; D3; D4) mit den ab gespeicherten elektrischen Signalen (DL3 bzw. DL4; DR3 bzw. DR4) verglichen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei welchem zum
Identifizieren des defekten Einheitsmusters (2L,
2R):
die abgespeicherten Entwurfsdaten (D1) in ein Prüfsignal (D2) umgewandelt werden;
das Prüfsignal (D2) in zwei Prüfsignale (D3; D4) auf geteilt wird;
das erste abgespeicherte Signal (DL4) mit dem ei nen aufgeteilten Prüfsignal (D3) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwischen diesen Signalen (DL4, D3) verglichen wird;
das zweite abgespeicherte elektrische Signal (DR4) mit dem anderen aufgeteilten Prüfsignal (D4) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwischen diesen Signalen (DR4, D4) verglichen wird; und
das Ergebnis der beiden Vergleiche abgespeichert wird.
die abgespeicherten Entwurfsdaten (D1) in ein Prüfsignal (D2) umgewandelt werden;
das Prüfsignal (D2) in zwei Prüfsignale (D3; D4) auf geteilt wird;
das erste abgespeicherte Signal (DL4) mit dem ei nen aufgeteilten Prüfsignal (D3) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwischen diesen Signalen (DL4, D3) verglichen wird;
das zweite abgespeicherte elektrische Signal (DR4) mit dem anderen aufgeteilten Prüfsignal (D4) im Hinblick auf eine mangelnde Übereinstimmung zwischen diesen Signalen (DR4, D4) verglichen wird; und
das Ergebnis der beiden Vergleiche abgespeichert wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei welchem von den
abgespeicherten Entwurfsdaten (D1) lediglich Ent
wurfsdaten der Umgebungskoordinaten, welche
die Koordinateninformation (d) umfassen, in das
Prüfsignal (D2) umgewandelt werden.
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