JPS5827323A - マスク検査方法および装置 - Google Patents
マスク検査方法および装置Info
- Publication number
- JPS5827323A JPS5827323A JP56125191A JP12519181A JPS5827323A JP S5827323 A JPS5827323 A JP S5827323A JP 56125191 A JP56125191 A JP 56125191A JP 12519181 A JP12519181 A JP 12519181A JP S5827323 A JPS5827323 A JP S5827323A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- design data
- defects
- image sensor
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスクの外観を検査するマスク検査方法および
装置に関する。
装置に関する。
従来、半導体電量の製造に用いられるマスクの外観検査
方式としては、設計データと被検査パターンとの比較を
行う方式と、２つのペレットまたはマスクどうしの比較
を行う方式とが提案されている。
方式としては、設計データと被検査パターンとの比較を
行う方式と、２つのペレットまたはマスクどうしの比較
を行う方式とが提案されている。
ところが、前記した従来方式のうち、前者の方式は検査
時間が長くなり、非能率的であり、後者の方式はパター
ンの抜けや全ペレットに共通している欠陥を検出できな
いという重大な欠点を有している。
時間が長くなり、非能率的であり、後者の方式はパター
ンの抜けや全ペレットに共通している欠陥を検出できな
いという重大な欠点を有している。
本発明は前記従来技術の欠点を解消し、どのような欠陥
でも能率良く検出できるマスク検査方法および装置を提
供することを目的とするものである。
でも能率良く検出できるマスク検査方法および装置を提
供することを目的とするものである。
この目的を達成するため、本発明のマスク検査方法は検
査用の対物レンズを２つ設け、２つのペレットまたはマ
スクを互いに比較することができ、また一方の対物レン
ズを用いて設計データとの比較を行うこともできること
を特徴とするものである。
査用の対物レンズを２つ設け、２つのペレットまたはマ
スクを互いに比較することができ、また一方の対物レン
ズを用いて設計データとの比較を行うこともできること
を特徴とするものである。
また、本発明のマスク検査装置位、２つのペレットまた
はマスクを検査するよう配置された２つの対物レンズと
、各対物レンズについて設けられたイメージセンサと、
パターンの像を光電毅換する光電変換手段と、設計デー
タ等に基づいて基準パターンを記憶する記憶手段と、記
憶された基準パターンおよび被検査パターンの特徴を抽
出して互いに比較し、欠陥を検出する比較検査手段とか
らなるものである。
はマスクを検査するよう配置された２つの対物レンズと
、各対物レンズについて設けられたイメージセンサと、
パターンの像を光電毅換する光電変換手段と、設計デー
タ等に基づいて基準パターンを記憶する記憶手段と、記
憶された基準パターンおよび被検査パターンの特徴を抽
出して互いに比較し、欠陥を検出する比較検査手段とか
らなるものである。
以下、本発明を図面に示す一実施例にしたがってさらに
説明する。
説明する。
図は本発明によるマスク検査装置の一実施例を示す概略
説明図である。
説明図である。
本実施例において、マスク１の上方には検査用の対物レ
ンズ２Ａ、２Ｂが２つ設けられており、一方の対物レン
ズ２人は固定、他方の対物レンズ２Ｂは水平方向に移動
可能である。
ンズ２Ａ、２Ｂが２つ設けられており、一方の対物レン
ズ２人は固定、他方の対物レンズ２Ｂは水平方向に移動
可能である。
前記対物レンズ２Ａ、２Ｂの上方にはそれぞれリニアイ
メージセンサ３Ａ 、３Ｂが１つずつ設置され、両リニ
アイメージセンサ３Ａ、３Ｂは１０２４ビツトで、１絵
素がマスク上で０．１６μｍＸ０．１６μｍのものであ
る。
メージセンサ３Ａ 、３Ｂが１つずつ設置され、両リニ
アイメージセンサ３Ａ、３Ｂは１０２４ビツトで、１絵
素がマスク上で０．１６μｍＸ０．１６μｍのものであ
る。
各リニアイメージセンサ３Ａ、３Ｂはマスクパターンの
像を光電変換して量子化する光電変換装置４Ａ、４Ｂに
接続されている。
像を光電変換して量子化する光電変換装置４Ａ、４Ｂに
接続されている。
前記から明らかなように、対物レンズ２人、リニアイメ
ージセンサ３Ａ、充電変換装置４人は１つの系を形成し
、一方対愉レンズ２Ｂ、リニアイメージセンサ３Ｂ、光
電変換装置４Ｂは別の系を形成している。これらの系は
それぞれ別個にマスクパターンＡまたはＢを検出できる
ので、両マスクパターンを比較することにより欠陥を検
出できるが、これについては後で説明する。
ージセンサ３Ａ、充電変換装置４人は１つの系を形成し
、一方対愉レンズ２Ｂ、リニアイメージセンサ３Ｂ、光
電変換装置４Ｂは別の系を形成している。これらの系は
それぞれ別個にマスクパターンＡまたはＢを検出できる
ので、両マスクパターンを比較することにより欠陥を検
出できるが、これについては後で説明する。
一方、本実施例においては、マスクの設計データ５はバ
ッファ用の磁気ディスク６に記憶され、この設計データ
５は基準パターンとしてマスクパターン人で示すパター
ンを提供する。
ッファ用の磁気ディスク６に記憶され、この設計データ
５は基準パターンとしてマスクパターン人で示すパター
ンを提供する。
さらに、本実施例では、マスクパターンＡ、Ｈの特徴を
抽出する特徴抽出部７が設けられている。
抽出する特徴抽出部７が設けられている。
また、特徴抽出部７から得られたマスクパターンの特徴
を比較し、不一致部分を検出した時には欠陥と判定する
比較検査装置８が設けられている。
を比較し、不一致部分を検出した時には欠陥と判定する
比較検査装置８が設けられている。
この比較検査装置８は検査結果を記録する力★ツトテー
プ９および（または］プリンタ１０に接続されている。
プ９および（または］プリンタ１０に接続されている。
次に、本実施例の作用について説明する。その場合１本
実施例は２つのマスク（またはペレット）パターンどう
しを比較する他、設計データに基づくマスクパターン（
基準パターン）と被検査マスクパターンとの比較も行う
ことができる。
実施例は２つのマスク（またはペレット）パターンどう
しを比較する他、設計データに基づくマスクパターン（
基準パターン）と被検査マスクパターンとの比較も行う
ことができる。
ｉｔ’、２つのマスク（ペレット）パターンどうしを比
較する場合、対物レンズ２Ａ、すニアイメージセンサ３
Ａ、光電変換装置４Ａの系と、対物レンズ２Ｂ、リニア
イメージセンサ３Ｂ、充電変換装置４Ｂの系とを使用し
、両方の系により得られたマスクパターンどうしを比較
する。この場合、マスク１のパターン１人には欠陥があ
り、パターンＩＢには欠陥がないものと仮定する。パタ
ーン１人の欠陥はマスクパターンＢに示すように１点状
の欠陥Ｂ、と凸状の欠陥Ｂ、である。前記のような２つ
の系により得られたマスクパターンＡとＢの特徴は特徴
抽出部７により抽出され、比較検査装置８により比較さ
れる。本例の場合、マスクパターン人には欠陥がなく、
マスクパターンＢには欠陥ＢＳとＢ、が存在するので、
両マスクパターンは不一致となり、この場合には不一致
部が欠陥として判定されることになる。この検査結果は
カセットチー１９および（または）プリンタ１゜により
記録される。
較する場合、対物レンズ２Ａ、すニアイメージセンサ３
Ａ、光電変換装置４Ａの系と、対物レンズ２Ｂ、リニア
イメージセンサ３Ｂ、充電変換装置４Ｂの系とを使用し
、両方の系により得られたマスクパターンどうしを比較
する。この場合、マスク１のパターン１人には欠陥があ
り、パターンＩＢには欠陥がないものと仮定する。パタ
ーン１人の欠陥はマスクパターンＢに示すように１点状
の欠陥Ｂ、と凸状の欠陥Ｂ、である。前記のような２つ
の系により得られたマスクパターンＡとＢの特徴は特徴
抽出部７により抽出され、比較検査装置８により比較さ
れる。本例の場合、マスクパターン人には欠陥がなく、
マスクパターンＢには欠陥ＢＳとＢ、が存在するので、
両マスクパターンは不一致となり、この場合には不一致
部が欠陥として判定されることになる。この検査結果は
カセットチー１９および（または）プリンタ１゜により
記録される。
一方、設計データ５に基づくマスクパターン（基準パタ
ーン）と被検査マスクパターンとを比較する場合には、
一方の対物レンズたとえば２人のみが使用される。この
場合、設計データ５に基づくマスクパターンは基準マス
クパターンとして。
ーン）と被検査マスクパターンとを比較する場合には、
一方の対物レンズたとえば２人のみが使用される。この
場合、設計データ５に基づくマスクパターンは基準マス
クパターンとして。
たとえばマスクパターンＡの如く、全く欠陥がないもの
である。これに対し、対物レンズ２Ａ、’）ニアイメー
ジセンサ３Ａ、充電変換装置４ｋにより検査されるパタ
ーンＩＡは前記の如Ｘ欠陥を有しており、マスクパター
ンＢにＢｌとＢ、で示スような欠陥が検出される。これ
らの両マスクパターンＡとＢは特徴抽出部７により特徴
を抽出され、比較検査装置Ｌ８により比較される。この
場合、前記の場合と同様に、不一致部が生じるので、こ
の不一致部（欠陥Ｂ、とＢ！ ）は欠陥と判定される。
である。これに対し、対物レンズ２Ａ、’）ニアイメー
ジセンサ３Ａ、充電変換装置４ｋにより検査されるパタ
ーンＩＡは前記の如Ｘ欠陥を有しており、マスクパター
ンＢにＢｌとＢ、で示スような欠陥が検出される。これ
らの両マスクパターンＡとＢは特徴抽出部７により特徴
を抽出され、比較検査装置Ｌ８により比較される。この
場合、前記の場合と同様に、不一致部が生じるので、こ
の不一致部（欠陥Ｂ、とＢ！ ）は欠陥と判定される。
この検査結果もカセットテープ９および（または）プリ
ンタ１０により記録される。
ンタ１０により記録される。
このように、本実施例によれば、設計データとの比較は
勿論、２つのマスク（ペレット）トウシの比較を高速で
行うことができ、パターンの抜けや全ペレットに共通し
ている欠陥等も確実に検出できる。
勿論、２つのマスク（ペレット）トウシの比較を高速で
行うことができ、パターンの抜けや全ペレットに共通し
ている欠陥等も確実に検出できる。
以上説明したように、本発明によれば、どのような欠陥
でも確実に検出でき、しかも能率の良いマスク検査を行
うことができる。
でも確実に検出でき、しかも能率の良いマスク検査を行
うことができる。
図は本発明によるマスク検査装置の一実施例を示す概略
説明図である。 ｌ・・・マスク、２Ａ、２Ｂ・・・対物レンズ、３Ａ。 ３Ｂ・・・リニアイメージセンサ、４Ａ、４Ｂ・・・光
電変換装置、５・・・設計データ、６・・・バッファ用
の磁気ディスク、７・・・特徴抽出部、８・・・比較検
査装置。
説明図である。 ｌ・・・マスク、２Ａ、２Ｂ・・・対物レンズ、３Ａ。 ３Ｂ・・・リニアイメージセンサ、４Ａ、４Ｂ・・・光
電変換装置、５・・・設計データ、６・・・バッファ用
の磁気ディスク、７・・・特徴抽出部、８・・・比較検
査装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、対物レンズを２つ設け、２つのペレットまたはマス
クどうしの比較および設計データとの比較を行って欠陥
を検出するマスク検査方法。 ２．２つのペレットまたはマスクを検査するよう配置さ
れた２つの対物レンズと、各対物レンズについて設けら
れたイメージセンサと、パターンの像を光電変換する充
電変換手段と、設計データ箒に基づいて基準パターンを
記憶する記憶手段と、°記憶された基準パターンおよび
被検査パターンの特徴を抽出して互いに比較し、欠陥を
検出する比較検査手段とからなるマスク検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56125191A JPS5827323A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | マスク検査方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56125191A JPS5827323A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | マスク検査方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827323A true JPS5827323A (ja) | 1983-02-18 |
Family
ID=14904164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56125191A Pending JPS5827323A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | マスク検査方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5827323A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002791A (en) * | 1996-08-09 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Photomask inspection apparatus |
| CN106229274A (zh) * | 2016-09-27 | 2016-12-14 | 上海华力微电子有限公司 | 一种用于缺陷检测机台的实时侦测光阻损伤的方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53117978A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-14 | Hitachi Ltd | Automatic mask appearance inspection apparatus |
| JPS5472975A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Mask inspecting method |
| JPS5491181A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-19 | Fujitsu Ltd | Pattern deffect discrimination |
| JPS54102837A (en) * | 1978-01-28 | 1979-08-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern check system |
| JPS5542013A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-25 | Hitachi Ltd | Automatic appearance test system |
| JPS57207335A (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-20 | Fujitsu Ltd | Pattern checking system |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP56125191A patent/JPS5827323A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53117978A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-14 | Hitachi Ltd | Automatic mask appearance inspection apparatus |
| JPS5472975A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Mask inspecting method |
| JPS5491181A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-19 | Fujitsu Ltd | Pattern deffect discrimination |
| JPS54102837A (en) * | 1978-01-28 | 1979-08-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern check system |
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| JPS57207335A (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-20 | Fujitsu Ltd | Pattern checking system |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002791A (en) * | 1996-08-09 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Photomask inspection apparatus |
| CN106229274A (zh) * | 2016-09-27 | 2016-12-14 | 上海华力微电子有限公司 | 一种用于缺陷检测机台的实时侦测光阻损伤的方法 |
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