JPS58125826A - マスクパタ−ン検査装置 - Google Patents
マスクパタ−ン検査装置Info
- Publication number
- JPS58125826A JPS58125826A JP57007524A JP752482A JPS58125826A JP S58125826 A JPS58125826 A JP S58125826A JP 57007524 A JP57007524 A JP 57007524A JP 752482 A JP752482 A JP 752482A JP S58125826 A JPS58125826 A JP S58125826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- defect
- mask pattern
- defects
- picture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分針〕
本発明はプリント板やＩＣのマスクパターンの検査装置
に関する。
に関する。
従来、マスクパターンの検査は目視により行われてきた
が、パターンの微細化に伴い目視による検査は困−にな
りつつあり、また欠陥の横出洩れは製品の歩留りや信頼
性に大きく影響するため、自動検査装着の必要性が１１
ｉ！！鐵されるようになった。
が、パターンの微細化に伴い目視による検査は困−にな
りつつあり、また欠陥の横出洩れは製品の歩留りや信頼
性に大きく影響するため、自動検査装着の必要性が１１
ｉ！！鐵されるようになった。
このような自動検査装着としては、電気学会論文誌９４
−Ｃ８４５号１）８９（１９７４）Ｋ記載されている！
うな、ノ毎ターンの特徴に層目して微小な欠陥を検出す
る方式や、マスクパターンを作成したもとのパターンデ
ータからマスク画１象を作成し、実際のマスクパターン
と比較して差異を欠陥として検出する方式唸どが知られ
ている。しかし前者の方式ではよ抄大きい欠陥やマスク
パターン類似の欠陥は検出できないと−う問題があ染、
を九後考では微小欠陥を検出するえめＫは、高ＩＩ！０
位置会せが必要とな抄、ｔえパターンデータから作成し
丸ガスター像のデータ量−ＩＩＸＩＩＩ大とな抄、そＯ
蓄積ヤ＠遥遭直に問題がある。
−Ｃ８４５号１）８９（１９７４）Ｋ記載されている！
うな、ノ毎ターンの特徴に層目して微小な欠陥を検出す
る方式や、マスクパターンを作成したもとのパターンデ
ータからマスク画１象を作成し、実際のマスクパターン
と比較して差異を欠陥として検出する方式唸どが知られ
ている。しかし前者の方式ではよ抄大きい欠陥やマスク
パターン類似の欠陥は検出できないと−う問題があ染、
を九後考では微小欠陥を検出するえめＫは、高ＩＩ！０
位置会せが必要とな抄、ｔえパターンデータから作成し
丸ガスター像のデータ量−ＩＩＸＩＩＩ大とな抄、そＯ
蓄積ヤ＠遥遭直に問題がある。
〔ｌ１１１Ｉの■的〕
し丸がって本発＊Ｏａ的はこのような欠点を除去し、徽
小麿欠陥を毫遍に検出するとともに大会な欠陥中マスク
パターン類似の欠陥會で検出で自る自−検査装置を提供
することに一番。
小麿欠陥を毫遍に検出するとともに大会な欠陥中マスク
パターン類似の欠陥會で検出で自る自−検査装置を提供
することに一番。
本働嘴においては、一定の大＊Ｓの廖に′）自、マスク
パターンの幾何学的特徴を袖出す石とと−に、その蛎内
の微小な欠陥はそＯ輻−で欠陥４１１定を行うことｋよ
り検出し、會九パターノデータから予め岡嫌ｔａ何学的
轡黴を抽出してお亀１．被検査マス戸から抽出し九幾何
学的轡徹と比較することｋより、太き一欠陥を抽出す為
もので、前者Ｏ微小欠陥検出はパターンデータと関係な
く＊＊レベルで＾遭ノ・−ドウエアで行い、後者のパタ
ーンデータとの比較は幾何学的特徴として情報量を減少
し九レベルで行うことで、微小な欠陥から大きい欠ｌｌ
Ｉ＆會でを＾連かつより少い情報量で検査する％Ｏ′ｅ
魯ゐ。
パターンの幾何学的特徴を袖出す石とと−に、その蛎内
の微小な欠陥はそＯ輻−で欠陥４１１定を行うことｋよ
り検出し、會九パターノデータから予め岡嫌ｔａ何学的
轡黴を抽出してお亀１．被検査マス戸から抽出し九幾何
学的轡徹と比較することｋより、太き一欠陥を抽出す為
もので、前者Ｏ微小欠陥検出はパターンデータと関係な
く＊＊レベルで＾遭ノ・−ドウエアで行い、後者のパタ
ーンデータとの比較は幾何学的特徴として情報量を減少
し九レベルで行うことで、微小な欠陥から大きい欠ｌｌ
Ｉ＆會でを＾連かつより少い情報量で検査する％Ｏ′ｅ
魯ゐ。
〔ｌ１ｌＩの実施例〕
嬉１１１に本発明の一実施例を示す。
１はテレビカメラのような光電変換装置でＴｏ妙、マス
タパターンを１儂信号に変換する。２は二値化−路で、
マスクｊｉｆ＆信号を白・黒の二値の信号に変換する。
タパターンを１儂信号に変換する。２は二値化−路で、
マスクｊｉｆ＆信号を白・黒の二値の信号に変換する。
３は特徴抽出回路で、たとえば３×魯鎗嵩０１ｍの領域
について、その内部のマスク画像を予め定められた特徴
に従って分類する。１１１Ｅ２■（１）−Ｊはその特徴
による分類の一例を示し丸もので、マスクパターンの幾
何学的性質によ口金白（ｅ）。
について、その内部のマスク画像を予め定められた特徴
に従って分類する。１１１Ｅ２■（１）−Ｊはその特徴
による分類の一例を示し丸もので、マスクパターンの幾
何学的性質によ口金白（ｅ）。
１墨（ｆ）、水平（ａ） 、 Ｉｔ直（ｂ）、斜め（Ｃ
）、角（ｄ）などに分類して−る。その中で第３ ｗＪ
（ａ）〜（Ｃ） Ｋ示し九ように、マスクパターンの幾
何学的特徴から、正常なマＸｌＡｌ−７ＪＩＣｕ存在し
ない３×３絵嵩のパターン（弧立Ａ（１）、細線山）、
不Ｊｉｌｌ＃Ｉｌパターン（Ｃ１＆ど）ボ奢類で龜るが
、これはすなわち欠陥と判定で會るものである。
）、角（ｄ）などに分類して−る。その中で第３ ｗＪ
（ａ）〜（Ｃ） Ｋ示し九ように、マスクパターンの幾
何学的特徴から、正常なマＸｌＡｌ−７ＪＩＣｕ存在し
ない３×３絵嵩のパターン（弧立Ａ（１）、細線山）、
不Ｊｉｌｌ＃Ｉｌパターン（Ｃ１＆ど）ボ奢類で龜るが
、これはすなわち欠陥と判定で會るものである。
第１図において％４はそのような欠陥を微小欠陥として
判定する回路である。次に５はパターンの座−で表わさ
れているパターンデータを絵素ごとの１ＩＩｉ＠データ
に変換し、３と同様な特徴抽出装置６によ？ｊｌ！２図
と同様な幾何学的特徴を抽出する。３と６の出力は７の
比較回路で比較され、その差異が８で欠陥として判定さ
れる。４と８の欠陥出力は９で合成され、微小な欠陥か
ら大きい欠陥までを検出する。ここで上記３，４は特開
昭５２−９３３８６号公ｌｉＫ紀載され記載るものと同
様のものであり、を九５は電子ビーム■光装置の一部で
も使用されて埴るように％第４図に示すようＫたとえば
矩形の大きさ１位１１．方向などで表わされているバタ
、−ンデータ（座標データ）を、第５図に示すような白
黒の絵素の１１填（絵素データ）Ｋ変換する［１で、一
般的には計算機のソフトフェアによ妙実現されているも
のである。
判定する回路である。次に５はパターンの座−で表わさ
れているパターンデータを絵素ごとの１ＩＩｉ＠データ
に変換し、３と同様な特徴抽出装置６によ？ｊｌ！２図
と同様な幾何学的特徴を抽出する。３と６の出力は７の
比較回路で比較され、その差異が８で欠陥として判定さ
れる。４と８の欠陥出力は９で合成され、微小な欠陥か
ら大きい欠陥までを検出する。ここで上記３，４は特開
昭５２−９３３８６号公ｌｉＫ紀載され記載るものと同
様のものであり、を九５は電子ビーム■光装置の一部で
も使用されて埴るように％第４図に示すようＫたとえば
矩形の大きさ１位１１．方向などで表わされているバタ
、−ンデータ（座標データ）を、第５図に示すような白
黒の絵素の１１填（絵素データ）Ｋ変換する［１で、一
般的には計算機のソフトフェアによ妙実現されているも
のである。
この方式によれば、３．４により１絵素の大きさの微小
欠陥が検出で龜ると同時に１幾何学的特黴の比較により
マスクパターンがパターンデータのとお抄にで趣ている
どうかが調べられるので、大歯な欠陥や素子欠落、マス
クパターン類似の欠陥なども検出で断る。しかも幾何学
的特徴は上例では３Ｘ３検索の組合せから１６通りに選
んでおり、９ピツトのデータが４ビツトで表現されるた
め、７の比較を従来例のように４＆素単位で比較する場
合に比し情Ｉｌ曖が少〈てすむという特徴がある。この
ため高速＠査が可能となる。
欠陥が検出で龜ると同時に１幾何学的特黴の比較により
マスクパターンがパターンデータのとお抄にで趣ている
どうかが調べられるので、大歯な欠陥や素子欠落、マス
クパターン類似の欠陥なども検出で断る。しかも幾何学
的特徴は上例では３Ｘ３検索の組合せから１６通りに選
んでおり、９ピツトのデータが４ビツトで表現されるた
め、７の比較を従来例のように４＆素単位で比較する場
合に比し情Ｉｌ曖が少〈てすむという特徴がある。この
ため高速＠査が可能となる。
なお上記の説明ではマスクパターンの特徴は３Ｘ３Ｍ票
の範囲について１６通りのものを選定したが、一般的に
ＬｘＭ絵素の範囲についてＮ通りに選ぶとき、ＬＮビッ
トのデータがｌｏｇ２Ｎビットで表現でき、九とえば５
×５ＩＩ＆素の範囲で１６通６とすれば４／２５の情報
量ですむことにな抄、さらに高精度で高速の検査がＯＴ
能となる。
の範囲について１６通りのものを選定したが、一般的に
ＬｘＭ絵素の範囲についてＮ通りに選ぶとき、ＬＮビッ
トのデータがｌｏｇ２Ｎビットで表現でき、九とえば５
×５ＩＩ＆素の範囲で１６通６とすれば４／２５の情報
量ですむことにな抄、さらに高精度で高速の検査がＯＴ
能となる。
を九第ｘ図において５と６は、パターンデータから絵素
データに変換し、次に特徴抽出を行うものとして説明し
九が、５と６をまとめ、絵素データの形式を経ずに％像
抽出を行うことも可能である。
データに変換し、次に特徴抽出を行うものとして説明し
九が、５と６をまとめ、絵素データの形式を経ずに％像
抽出を行うことも可能である。
さらに１上紀の説明ではマスク１ｊｉｉｉ儂とパターン
データについて、それぞれ１つの幾何学的特徴について
比較する例につ匹て述べ九が、一般的に対応する複数の
幾何学的Ｉ！ｌ＃１１について比較して欠陥判定を行う
ことも可能であり、処理は複雑化するがよ外為ＩＪ［の
欠陥判定が可能となる。
データについて、それぞれ１つの幾何学的特徴について
比較する例につ匹て述べ九が、一般的に対応する複数の
幾何学的Ｉ！ｌ＃１１について比較して欠陥判定を行う
ことも可能であり、処理は複雑化するがよ外為ＩＪ［の
欠陥判定が可能となる。
以上説明し九ように１本発明では嶺小欠ｉｌ！は特徴抽
出手段単独で、を九大きい欠陥は幾何学的特徴のレベル
でパターンデータと比較して検査を行うので、欠陥構出
能力が高く、かつ＾Ｒ横嚢が可能なマスクパターン検１
１装置が提供できる。
出手段単独で、を九大きい欠陥は幾何学的特徴のレベル
でパターンデータと比較して検査を行うので、欠陥構出
能力が高く、かつ＾Ｒ横嚢が可能なマスクパターン検１
１装置が提供できる。
第１図は本発明に係るマスクパターン検査装置の一実施
例を示す図、＠２図は本発＠に係るマスクパターン横１
装置で用いるマスクパターンの幾何学的ｖＩ砿の分類例
を示す図、第３図は、同じく微小欠陥として判定する絵
素の組合せの例を示す１・・・光電変換装置 ２・・・二値化回路 ３・・・特徴抽出回路 ４・・・微小欠陥判定回路 ５・・・データ変換装置 ６・・・特徴抽出回路 ７・・・比較回路 ８・・・大欠陥判定回路 ９・・・論理和回路 代理人 弁理士 １４１ｊ 近 Ｉ！１ 佑（ほ
か１名）
例を示す図、＠２図は本発＠に係るマスクパターン横１
装置で用いるマスクパターンの幾何学的ｖＩ砿の分類例
を示す図、第３図は、同じく微小欠陥として判定する絵
素の組合せの例を示す１・・・光電変換装置 ２・・・二値化回路 ３・・・特徴抽出回路 ４・・・微小欠陥判定回路 ５・・・データ変換装置 ６・・・特徴抽出回路 ７・・・比較回路 ８・・・大欠陥判定回路 ９・・・論理和回路 代理人 弁理士 １４１ｊ 近 Ｉ！１ 佑（ほ
か１名）
Claims (2)
- （１）パターンデータにもとづいて描画されたマスクパ
ターンの欠陥の有無を検査する装置であって、予め定め
られ走一定の大きさの窓の中における前記マスクパター
ンの第１の幾何学的特徴を抽出する手段と、前記窓内の
微小な欠陥を検出する第１の欠陥検出手段と、前記パタ
ーンデータから対応するマスクパターンの対応する窓内
の第２の幾何学的ｑｌｉｌｌを抽出する手段と、対応す
る少くとも１組の前記第１と第２の幾何学的特徴とを比
較して差異を欠陥として検出する８ｇ２の欠陥検出手段
とを備え、前記マスクパターンの微小な欠陥を前記第１
の欠陥検出手段により、それ以外の欠陥を前記第２の欠
陥検出手段によシ、それぞれ検出することを特徴とする
１スクパターン検査装置。 - （２）第２の欠陥検出手段は、前記少くとも１組の第２
の幾何学的特徴に対し、少くとも１種類の少くとも１組
の＠ｌの幾何学的特徴については欠陥なしと判定するも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
マスクパターン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007524A JPS58125826A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | マスクパタ−ン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007524A JPS58125826A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | マスクパタ−ン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125826A true JPS58125826A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11668158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007524A Pending JPS58125826A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | マスクパタ−ン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160131A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Ushio Inc | 光照射加熱方法 |
| US4908871A (en) * | 1986-04-21 | 1990-03-13 | Hitachi, Ltd. | Pattern inspection system |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57007524A patent/JPS58125826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160131A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Ushio Inc | 光照射加熱方法 |
| US4908871A (en) * | 1986-04-21 | 1990-03-13 | Hitachi, Ltd. | Pattern inspection system |
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