TWI567485B - 用於混合式十字線檢視之方法及系統 - Google Patents

Description

用於混合式十字線檢視之方法及系統

本發明一般而言係關於半導體處理中之檢視，且更特定而言係關於一種混合式檢視程序。

本申請案根據35 U.S.C.§ 119(e)主張在2011年4月26日提出申請之序列號為61/478,998之美國臨時申請案及在2012年3月15日提出申請之序列號為61/611,236之美國臨時申請案之權益，該兩個申請案皆以引用方式併入本文中。

傳統上，檢視及度量技術用於半導體晶圓設施中用於材料監視、安置、良率預測及良率管理。在各個時間檢視十字線以隨著時間識別一個十字線之改變。隨時間改變之十字線缺陷係關於晶圓製作重新鑑定，其中檢視十字線以確保其在儲存或使用期間尚未被污染。稱為晶粒與標準晶粒間檢視(die-to-golden inspection)之一種特別記憶體密集檢視程序涉及將一已知乾淨基板之相關部分成像。該乾淨影像稱作十字線之一「標準影像(golden image)」。通常在已清潔十字線且藉助一晶粒與資料庫間檢視驗證之後立即取該標準影像。該晶粒與資料庫間檢視係十字線(或十字線之部分)與用以形成該十字線之設計資料庫之一電腦標繪影像(computer rendered image)之一光學比較。

一旦標準影像經儲存，則比較基板之後續影像與標準影像。將任何變化識別為十字線之改變或對十字線之污染。

標準影像係每十字線大約8兆位元組。一半導體產生製 程可包括1000個十字線。一單個半導體晶圓之標準影像之總儲存可超過8000兆位元組。8000兆位元組之標準影像資料儲存起來係昂貴的且利用起來係昂貴的。除維持充足儲存媒體之成本外，不可在發生檢視程序之處儲存標準影像，因此標準影像在用以將標準影像傳輸至檢視地點之資料頻寬方面亦係昂貴的。此外，標準影像可包括取的經反射光及經透射光兩者之影像，因此實際上使資料量加倍。

資料壓縮可減少所必需之儲存之總量，但優點係有限的。減少五分之四至十分之九係期望的，但不能經由壓縮單獨獲得。

另一選擇係，可參考用以產生一個十字線之半導體設計資料庫來檢視該十字線。半導體設計資料庫係可用以標繪所得十字線之一影像之一完全準確之參考。雖然一半導體設計資料庫可不像一系列標準影像消耗那樣多的儲存空間，但儲存需要仍係實質性的。一半導體設計資料庫可針對一單個十字線係1兆位元組或以上；因此，需要1000個十字線之一半導體晶圓仍需要1000兆位元組之儲存及對應頻寬以將資料庫自其儲存位置傳送至檢視地點。此外，標繪一半導體設計資料庫係極為計算密集的，因此通常需要一超級電腦。

另一類型之檢視程序--單元間檢視係其中將位置上重複之結構彼此比較且將任何所注意到的差異宣告為一缺陷之一模式。單元間檢視已在晶圓及十字線檢視兩者中長期使用。此模態具有優點，在於參考資料與測試區極靠近地間 隔開，使得檢視工具不需要特別穩定以成功地採用此方法，且並非必需所儲存參考影像。類似於單元間檢視，晶粒間檢視係其中比較同一基板上之相同晶粒之一檢視模式。

因此，若存在適於執行混合式檢視以減少在一晶粒與標準晶粒間檢視及晶粒與資料庫間檢視期間所必需之資料量之一設備將係有利的。

因此，本發明係關於一種用於執行混合式檢視以減少在一晶粒與標準晶粒間檢視及晶粒與資料庫間檢視期間所必需之資料量之新穎方法及設備。

本發明之一項實施例係一種用於確定一個十字線之哪些部分需要一標準影像之方法。該方法可包括識別適當單元間檢視候選者及晶粒間檢視候選者。該方法可包括僅獲取並儲存不適於單元至單元及晶粒間檢視之一個十字線之彼等部分之一標準影像。

本發明之另一項實施例係一種用於藉由在一個十字線中識別單元間檢視候選者及晶粒間檢視候選者且僅儲存該十字線之其他部分之標準影像來減少一晶粒與標準晶粒間檢視所需之資料量之方法。該方法可包括應用一資料壓縮演算法。

本發明之另一項實施例係一種確定適於單元間或晶粒間檢視之十字線之部分且對剩餘部分執行一晶粒與標準晶粒間檢視之晶粒與標準晶粒間檢視設備。該設備亦可利用 「空中成像」技術。可以多個焦點值執行空中成像技術。

應理解，前述一般說明及以下詳細說明兩者皆僅為例示性及解釋性且並不限制所主張的本發明。併入於本說明書中並構成本說明書之一部分之附圖圖解說明本發明之一實施例，並與該一般說明一起用於解釋原理。

熟習此項技術者參考附圖可更好地理解本發明之眾多目的及優點。

現在將詳細參考所揭示之標的物，該標的物圖解說明於附圖中。本發明之範疇僅由申請專利範圍限制；涵蓋眾多替代形式、修改形式及等效形式。為清楚起見，未詳細闡述與實施例相關之技術領域中已知之技術材料以免不必要地使本說明模糊。

參考圖1，其展示一個十字線100之一方塊圖表示。在微影製作期間，經由此項技術中已知之方法使用一或多個十字線100將電子組件構造至一半導體晶圓上。十字線100上之界定彼等電子組件之特徵可組織成稱為單元102、104、106之群組。某些單元102、104、106可包含呈相同定向之相同組件，使得兩個此類單元(舉例而言，一第一單元102與一第二單元104)之一經恰當對準之比較將顯露十字線100之第一單元102或第二單元104中之一缺陷或污染。此外，一個十字線100亦可含有極類似但不相同之單元102、104、106。一半導體製作製程可需要某些單元(舉例而言，一第三單元106)相較於其他單元(舉例而言，第一單元 102及第二單元104)稍微不同，即使所有三個單元102、104、106可含有呈實質上相同定向之實質上相同組件。諸如光學接近性校正等程序可更改某些單元之設計以校正製作製程中之可能不規則性。第一單元102與第三單元106之一比較可指示一缺陷，即使單元102、106兩者皆根據既定設計(假缺陷)經恰當製作。

一個十字線100亦可組織成晶粒108、110、114、112；每一晶粒108、110、114、112實質上類似於十字線100上之一或多個其他晶粒108、110、114、112。在兩個或兩個以上晶粒108、110、114、112相同之情形下，可執行晶粒間檢視以識別用以產生該等晶粒之十字線之改變。

參考圖2，其展示用於產生用於一混合式檢視之一個十字線100之一經減小半導體設計資料庫或資料庫影像且用於執行一個十字線100之一混合式檢視之一設備。該設備可包括一處理器204、連接至處理器204之記憶體206及連接至處理器204之一資料儲存器件208。處理器204可分析半導體設計資料庫以識別根據設計既定具有相同結構之單元，其因此適於單元間檢視。另外，處理器204可識別一個十字線100中之重複晶粒。重複晶粒可適於晶粒間檢視。處理器204然後可在單元間檢視及晶粒間檢視不可用之十字線100之區執行一晶粒與資料庫間檢視。處理器204可產生需要晶粒與資料庫間檢視之區之一映射圖，或處理器204可自半導體設計資料庫產生彼等區之一經標繪影像。處理器204然後可將所得影像或映射圖儲存至資料儲 存器件208。在另一項實施例中，處理器204可產生並儲存僅含有其中不可用單元間檢視及晶粒間檢視之彼等部分之半導體設計資料庫之一變體(經減小之資料庫)。在一後續檢視程序期間，一處理器204可僅需要擷取並傳送儲存於資料儲存器件208中之經減小映射圖或影像或者經減小資料庫。處理器204可對其中單元間檢視係適當之十字線之彼等區執行一單元間檢視。該處理器亦可對其中晶粒間檢視係適當之十字線之彼等區執行一晶粒間檢視。

在處理器204連接至半導體設計資料庫且進一步連接至一成像裝置202之情形下，處理器204可讀取半導體設計資料庫且標繪在映射圖中被識別為需要晶粒與資料庫間檢視之彼等區。此設備可減小一晶粒與資料庫間檢視之儲存及頻寬負擔。

半導體晶圓製作設施通常具有眾多檢視工具以支援在產生期間所需之檢視容量。連接至彼等眾多檢視工具之一單個半導體設計資料庫儲存庫減小複製半導體設計資料庫之後勤負擔且降低艦隊級成本(fleet level cost)。藉由利用本發明，每一檢視僅需要完全半導體設計資料庫之一小部分。因此，經設計以支援一完全半導體設計資料庫之高速傳送之一系統應能夠處置多個經減小資料庫之傳送。此一系統可需要針對每一檢視工具添加一電腦「提取器」伺服器。

另一選擇係，圖2之設備可產生一或多個經減小標準影像供用於一混合式檢視程序中。該設備可包括一處理器 204、連接至處理器204之記憶體206、連接至處理器204之一成像裝置202及連接至處理器204之一資料儲存器件208。處理器204可擷取一個十字線100之一標準影像且分析該影像以識別根據設計既定具有相同結構之單元，其因此適於單元間檢視。此分析可包括自相關分析(autocorrelation analysis)或適於識別單元間檢視候選者之任何其他程序。另外，處理器204可識別一個十字線100中之重複晶粒。重複晶粒可適於晶粒間檢視。處理器204然後可執行其中單元間檢視及晶粒間檢視不可用之十字線100之區之一晶粒與標準晶粒間檢視。處理器204可在資料儲存器件208上儲存關於其中單元間檢視或晶粒間檢視不可用之十字線100之區之標準影像(經減小之標準影像)之部分。在一後續檢視程序器件，一處理器204可僅需要自資料儲存器件208擷取並傳送經減小標準影像。僅對於其中其他檢視程序不可用之十字線100之區必需一晶粒與標準晶粒間檢視。此設備可減小一晶粒與標準晶粒間檢視之儲存及頻寬負擔。處理器204可對其中單元間檢視係適當之十字線100之彼等區執行一單元間檢視。該處理器亦可對其中晶粒間檢視係適當之十字線100之彼等區執行一晶粒間檢視。

在後續混合式晶粒與資料庫間或混合式晶粒與標準晶粒間檢視期間，可在一單元間檢視、一晶粒間檢視或一晶粒與資料庫間/晶粒與標準晶粒間檢視期間將十字線100中之缺陷或污染識別為變化。可記錄任何缺陷或污染之位置以隨著時間追蹤十字線100之改變。

利用單元間檢視之一個可能問題係原本相同之單元之結構中之有意細微變化之可能性。舉例而言，十字線之基於模型之光學接近性校正(OPC)及極紫外(EUV)十字線之光斑校正可導致幾乎重複之型樣之設計之極細小差異。此等改變可包括(舉例而言)不具有明顯用途的一長直線中之一極小割階(jog)。確定一區是否足夠重複以用於應用單元間檢視之現有方法使用影像本身。此意味著可容易地將單元之間的一細小設計差異宣告為一缺陷而非一有意設計特徵(假缺陷)。

藉由經由對單元之半導體設計資料庫之一分析識別單元間檢視候選者來減小或消除假缺陷之可能性。處理器204可對設計資料庫之一經標繪影像執行諸如一自相關分析之一分析以識別單元間檢視候選者。自相關中之峰值可指示各種保真度及大小之重複型樣。藉助一經標繪半導體設計資料庫，根本不存在量測雜訊。另一選擇係，半導體設計資料庫可包括識別相同特徵之位置之一階層。處理器204然後可產生指示被識別為適於單元間檢視之單元之一區映射圖。處理器204亦可自半導體設計資料庫208識別參考點且在區映射圖中包括彼等參考點，使得區映射圖可與一實際所製作十字線100恰當對準。區映射圖可儲存於記憶體206中或資料儲存器件208中。在後續檢視程序期間，區映射圖可識別適於單元間檢視之區。

可藉助資料壓縮進一步減小用於標準影像之儲存空間。基本無損資料壓縮可將儲存需要減小大約20%至30%，但 熟習此項技術者可瞭解實際壓縮取決於諸多因素。資料壓縮可導致資料保真度之某些損失(量化雜訊)，但可具有次要益處。舉例而言，若一處理器204移除一8位元資料串流中之2個最低有效位元，則儲存需要存在25%之一立即減小。然而，亦可使資料更粗略地量化。粗略量化可使雜訊均勻場上之資料壓縮更有效。來自資料損失之量化雜訊造成資料保真度損失。量化雜訊係給其他雜訊源加上九十度相移之均勻不相關雜訊。若仍可達成所需檢視敏感度，則粗略量化可係資源壓縮中之一有用步驟。

可藉由僅儲存經反射光影像而非經反射及經透射光兩者來進一步減小資料儲存需要。不包括經透射光影像將資料儲存需要減半。類似地，可採用具有較大像素大小之影像以減小像素比之平方所需之儲存量。對於十字線特定而言，類似於在一步進器中產生之空中影像之一空中影像可使用一相對大(125 nm)像素。一大像素可指示一改變是否將對晶圓具有一印刷影響。為執行一空中影像檢視，成像裝置202應匹配步進器之照射及成像光瞳輪廓。較大像素大小可使「早偵測」更困難，但亦可降低對焦點改變之敏感度。儲存節省可係五倍。此外，可以多個焦點值執行空中成像，從而導致可找到在步進器之焦點程序窗中任何地方具有一印刷影響之缺陷之一完全程序窗檢視。主要具有一相位影響而非透射率影響之某些缺陷相較於最佳焦點可具有一較大離焦印刷影響。

圖2之設備亦可執行一混合式晶粒與標準晶粒間檢視。 在基於一半導體設計資料庫之一區映射圖儲存於一資料儲存器件208中之情形下，處理器204可讀取該區映射圖。區映射圖可指示適於單元間檢視之十字線100之區。處理器204然後可使用成像裝置202將十字線100成像。處理器204然後可基於對應參考點而定向區映射圖及十字線100之影像。處理器204然後可對由區映射圖識別為適於單元間檢視之十字線100之區執行單元間檢視。在處理器204基於單元間檢視而識別出缺陷或污染之情形下，處理器204可將缺陷或污染之位置記錄於資料儲存器件208中。處理器204亦可對在其中晶粒間檢視係適當之區中之十字線100之影像執行一晶粒間檢視。在處理器204基於晶粒間檢視而識別出缺陷或污染之情形下，處理器204可將缺陷或污染之位置記錄於資料儲存器件208中。

在其中單元間檢視及晶粒間檢視係不適當之十字線100之區中，處理器204可自資料儲存器件208擷取一經減小標準影像。該經減小標準影像可僅包括十字線100之不適於單元間檢視或晶粒間檢視之彼等部分。處理器204然後可利用該經減小標準影像執行一晶粒與標準晶粒間檢視。在處理器204基於晶粒與標準晶粒間檢視而識別出缺陷或污染之情形下，處理器204可將缺陷或污染之位置記錄於資料儲存器件208中。

熟習此項技術者可瞭解，雖然前述論述聚焦於十字線100檢視，但所有相同原理、程序及結構可適用於半導體晶圓檢視。熟習此項技術者可進一步瞭解，相同原理及程 序可應用於針對一既定半導體檢視所有十字線100所必需之任何數目個影像。

參考圖3，其展示用於準備供用於一個十字線之一混合式檢視程序中之一經減小資料庫之一流程圖。一處理器可分析300單元以識別有效單元間檢視區。分析單元可包括對一個十字線之一影像之自相關分析或此項技術中已知之其他程序。分析單元亦可包括讀取一半導體設計資料庫及以高保真度標繪該半導體設計資料庫。在此實施例中，高保真度係指所得影像相較於通常在檢視時由檢視硬體產生之影像之雜訊位準。

在一處理器標繪半導體設計資料庫之情形下，該處理器然後可執行一自相關分析以基於該自相關分析之一臨限值而確定半導體設計資料庫之真正重複之區且摒棄單元間匹配區。在某些實施例中，諸如當處理器當前未在進行一檢視時，該處理器可輸出有效單元間檢視區之一區映射圖。另一選擇係，在處理器當前正在執行一檢視之情形下，該處理器可直接利用所識別之區以執行單元間檢視而不產生一區映射圖，或產生該區映射圖作為一暫時資料結構。

另一選擇係，在一半導體設計資料庫中，可存在指示半導體設計資料庫中之精確重複之型樣之一「階層」。該型樣可僅被詳細描述一次，且然後可存在該型樣所位於之所有地方之一指示。階層用作壓縮半導體設計資料庫之一手段。一處理器可針對用以確定真正重複且因此適於單元間檢視之彼等區之階層分析一半導體設計資料庫。

一處理器亦可分析302晶粒以識別有效晶粒間檢視區。該處理器然後可基於半導體設計資料庫而產生304一經減小資料庫，其中適於單元間檢視或晶粒間檢視之區被移除。該處理器然後可將經減小資料庫儲存306於一資料儲存器件中。

參考圖4，其展示用於在一混合式檢視程序中利用一經減小資料庫之一流程圖。檢視設備中之一處理器可讀取400識別適於單元間檢視及晶粒間檢視之一個十字線中之區之一經減小資料庫。該處理器然後可執行402其中經減小資料庫指示單元間檢視係適當之區之一單元間檢視。該處理器然後可執行404其中經減小資料庫指示晶粒間檢視係適當之區之一晶粒間檢視。該處理器然後可利用經減小資料庫執行406一晶粒與資料庫間檢視。該處理器可記錄408基於單元間檢視、晶粒間檢視或晶粒與資料庫間檢視而識別為已隨著時間改變之任何區域。

參考圖5，其展示用於準備供用於一個十字線之一混合式檢視程序中之一經減小標準影像之一流程圖。一處理器可分析500單元以識別有效單元間檢視區。分析單元可包括對一個十字線之一影像之自相關分析或此項技術中已知之其他程序。分析單元亦可包括讀取一半導體設計資料庫及以高保真度標繪該半導體設計資料庫。在此實施例中，高保真度係指所得影像相較於通常在檢視時由檢視硬體產生之影像之雜訊位準。

另一選擇係，在一半導體設計資料庫中，可存在指示半 導體設計資料庫中之精確重複之型樣之一「階層」。該型樣可僅被詳細描述一次，且然後可存在該型樣所位於之所有地方之一指示。階層用作壓縮半導體設計資料庫之一手段。一處理器可針對用以確定真正重複且因此適於單元間檢視之彼等區之階層分析一半導體設計資料庫。

一處理器亦可分析502晶粒以識別有效晶粒間檢視區。該處理器然後可獲取一個十字線之一標準影像504且基於該標準影像而產生506一經減小標準影像，其中適於單元間檢視或晶粒間檢視之區被移除。熟習此項技術者可瞭解，在基於一個十字線影像分析單元間檢視及晶粒間檢視候選者之情形下，可使用標準影像；在彼情形中可在分析之前獲取標準影像。標準影像及經減小標準影像可包含一經反射光影像或一經透射光影像。該處理器然後可壓縮508經減小標準影像。該處理器然後可將經減小標準影像儲存510於一資料儲存器件中。

參考圖6，其展示用於在一混合式檢視程序中利用一經減小標準影像之一流程圖。檢視設備中之一處理器可擷取600不適於單元間檢視及晶粒間檢視之一個十字線中之區之一經減小標準影像，且該經減小標準影像指示在何處此檢視係適當的。該處理器然後可執行602其中經減小標準影像指示單元間檢視係適當之區之一單元間檢視。該處理器然後可執行604其中經減小標準影像指示晶粒間檢視係適當之區之一晶粒間檢視。該處理器然後可利用經減小標準影像執行606一晶粒與標準晶粒間檢視。該處理器可記 錄608基於單元間檢視、晶粒間檢視或晶粒與標準晶粒間檢視而識別為已隨著時間改變之任何區域。

本文中所闡述之方法及裝置相較於先前技術提供資料儲存方面之優點。所儲存資料之一較小數量亦可減小與將該資料推送至連接至一檢視站之一成像電腦相關聯之頻寬使用。經減小之頻寬使用可幫助檢視更快速地進行且降低用以構造此一檢視站之成本。

據信，根據前述說明將理解本發明及其附屬優點中之諸多優點，且將顯而易見，可在不背離本發明之範疇及精神之情形下或在不犧牲所有其材料優點之情形下在其組件之形式、構造及配置方面做出各種改變。前文所闡述之形式僅係其一解釋性實施例，以下申請專利範圍之意圖係涵蓋並包括此等改變。

100‧‧‧十字線

102‧‧‧單元/第一單元

104‧‧‧單元/第二單元

106‧‧‧單元/第三單元

108‧‧‧晶粒

110‧‧‧晶粒

112‧‧‧晶粒

114‧‧‧晶粒

202‧‧‧成像裝置

204‧‧‧處理器

206‧‧‧記憶體

208‧‧‧資料儲存器件/半導體設計資料庫

圖1展示一個十字線之一方塊圖；圖2展示適於執行一個十字線之一混合式檢視之一系統之一方塊圖；圖3展示用於產生一混合式晶粒與資料庫間檢視之一經減小資料庫之一方法之一流程圖；及圖4展示用於藉助一經減小資料庫執行一個十字線之一混合式晶粒與資料庫間檢視之一方法之一流程圖。

圖5展示用於產生一混合式晶粒與標準晶粒間檢視之一經減小標準影像之一方法之一流程圖；及圖6展示用於藉助一經減小標準影像執行一個十字線之 一混合式晶粒與標準晶粒間檢視之一方法之一流程圖。

100‧‧‧十字線

202‧‧‧成像裝置

204‧‧‧處理器

206‧‧‧記憶體

208‧‧‧資料儲存器件/半導體設計資料庫

Claims (27)

1. 一種檢視設備，其包含：一處理器；記憶體，其連接至該處理器；電腦可執行程式碼，其經組態以在該處理器上執行，其中該電腦可執行程式碼經組態以：產生一經減小資料庫，該經減小資料庫含有不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之一半導體設計資料庫之部分且不包含適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該半導體設計資料庫之部分，不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該半導體設計資料庫之該等部分包含在一即時檢視程序期間足夠相似而展現為相同之部分，但具有會在此即時檢視程序期間導致一假缺陷識別之特徵；及儲存該經減小資料庫以供在一晶圓檢視程序期間參考。
2. 如請求項1之設備，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以分析該半導體設計資料庫以識別適於單元間檢視之一或多個區。
3. 如請求項2之設備，其中分析該半導體設計資料庫包含執行一自相關分析(autocorrelation analysis)。
4. 如請求項2之設備，其中分析該半導體設計資料庫包含執行一階層分析。
5. 如請求項1之設備，其進一步包含連接至該處理器之一 成像裝置，該成像裝置經組態以用於將一個十字線成像，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以獲取一個十字線之一影像。
6. 如請求項5之設備，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以基於對一個十字線之該影像之一自相關分析而識別適於單元間檢視之一或多個區。
7. 如請求項1之設備，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以：產生一經標繪影像(rendered image)，該經標繪影像取得自(derived form)不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視之一半導體設計資料庫之部分；儲存與該經減小資料庫相關之該經標繪影像以供在一晶圓檢視程序期間參考。
8. 一種檢視設備，其包含：一處理器；記憶體，其連接至該處理器；一成像裝置，其連接至該處理器，經組態以將一個十字線成像；及電腦可執行程式碼，其經組態以在該處理器上執行，其中該電腦可執行程式碼經組態以：產生一經減小標準影像，該經減小標準影像包含不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之一十字線之部分且不包含適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之部分，不適於一單元 間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之該等部分包含在一即時檢視程序期間足夠相似而展現為相同之部分，但具有會在此即時檢視程序期間導致一假缺陷識別之特徵；及儲存該經減小標準影像以供在一晶圓檢視程序期間參考。
9. 如請求項8之設備，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以獲取該十字線之一標準影像。
10. 如請求項9之設備，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以分析該標準影像以識別適於單元間檢視或晶粒間檢視中之一者之一或多個區。
11. 如請求項10之設備，其中分析該標準影像包含執行一自相關分析。
12. 如請求項10之設備，其中產生該經減小標準影像包含移除被識別為適於單元間檢視或晶粒間檢視中之一者之該標準影像之區。
13. 一種檢視設備，其包含：一處理器；記憶體，其連接至該處理器；一成像裝置，其連接至該處理器，經組態以將一個十字線成像；及電腦可執行程式碼，其經組態以在該處理器上執行，其中該電腦可執行程式碼經組態以擷取一參考，此參考經組態以： 參考一經減小之設計資料庫識別一十字線之至少一個區，該經減小之設計資料庫包含不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之部分且不包含適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之部分，不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之該等部分包含在一即時檢視程序期間足夠相似而展現為相同之部分，但具有會在此即時檢視程序期間導致一假缺陷識別之特徵，適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者之此區取得自(derived from)一設計資料庫；及提供合適資料以執行一個十字線之一或多個額外區之一檢視，此一或多個額外區不適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者。
14. 如請求項13之設備，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以執行在該參考中識別之適於單元間檢視之至少一個區之一單元間檢視。
15. 如請求項14之設備，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以記錄由該單元間檢視識別之一缺陷或一污染之一位置。
16. 如請求項13之設備，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以執行在該參考中識別之適於晶粒間檢視之至少一個區之一晶粒間檢視。
17. 如請求項16之設備，其中該電腦可執行程式碼進一步經組態以記錄由該晶粒間檢視識別之一缺陷或一污染之一 位置。
18. 如請求項13之設備，其中該參考係一經減小資料庫。
19. 如請求項13之設備，其中該參考係一經減小標準影像。
20. 一種用於產生用於一混合式檢視之一參考之方法，此方法包含：藉由參考一經減小之設計資料庫識別適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者之一十字線之至少一個區，該經減小之設計資料庫包含不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之部分且不包含適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之部分，不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之該等部分包含在一即時檢視程序期間足夠相似而展現為相同之部分，但具有將在此即時檢視程序期間導致一假缺陷識別之特徵；識別不適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之一或多個額外區；及產生一參考，其中該參考：識別適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之該至少一個區；且含有足以執行不適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之該一或多個額外區之一檢視之資料。
21. 如請求項20之方法，其中識別適於單元間檢視或晶粒間 檢視中之至少一者之該至少一個區包含對一半導體設計資料庫執行一自相關分析或一階層分析中之一者。
22. 如請求項20之方法，其進一步包含壓縮該參考。
23. 如請求項20之方法，其中識別適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者之該至少一個區包含對一標準影像執行一自相關分析。
24. 如請求項20之方法，其中該參考包含取得自(derived from)不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視之一半導體設計資料庫之部分之一標繪影像。
25. 一種用於產生用於一混合式檢視之一參考之方法，此方法包含：自一資料儲存元件擷取一參考，該參考包含不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之一十字線之部分且不包含適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之部分，不適於一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之該等部分包含在一即時檢視程序期間足夠相似而展現為相同之部分，但具有會在此即時檢視程序期間導致一假缺陷識別之特徵；基於該參考而識別適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者之一個十字線之至少一個區；執行該所識別區之一單元間檢視或一晶粒間檢視中之至少一者；及執行藉由比較該十字線之一影像與該參考中所含有之資料而識別為不適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少 一者之該十字線之一或多個額外區之一缺陷/污染檢視，其中該參考：識別適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者之一個十字線之該至少一個區；且含有足以執行不適於單元間檢視或晶粒間檢視中之至少一者之該十字線之該一或多個額外區之一檢視之資料。
26. 如請求項25之方法，其中該參考係一經減小資料庫。
27. 如請求項25之方法，其中該參考係一經減小標準影像。