JPH02116740A - レチクル検査方法 - Google Patents
レチクル検査方法Info
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- JPH02116740A JPH02116740A JP26945988A JP26945988A JPH02116740A JP H02116740 A JPH02116740 A JP H02116740A JP 26945988 A JP26945988 A JP 26945988A JP 26945988 A JP26945988 A JP 26945988A JP H02116740 A JPH02116740 A JP H02116740A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路の製造に用いるレチクルの検
査方法に関するものである。
査方法に関するものである。
（従来の技術）
半導体集積回路の製造に際して、マスク基板上や半導体
基板上に所定の素子構成パターンを露光するために、該
パターンを金属、例えばクロム（Ｃｒ）が蒸着されたガ
ラス基板上に５〜１０倍に拡大して形成したマスク、い
わゆるレチクルが使用される。従来法におけるレチクル
検査の一方法に、光電変換系を介して得られた該レチク
ルパターンの電気信号データと該レチクルを製造する際
の原パターンデータとを比較照合する方法、いわゆるデ
ータベースによる検査法がある。
基板上に所定の素子構成パターンを露光するために、該
パターンを金属、例えばクロム（Ｃｒ）が蒸着されたガ
ラス基板上に５〜１０倍に拡大して形成したマスク、い
わゆるレチクルが使用される。従来法におけるレチクル
検査の一方法に、光電変換系を介して得られた該レチク
ルパターンの電気信号データと該レチクルを製造する際
の原パターンデータとを比較照合する方法、いわゆるデ
ータベースによる検査法がある。
第２図に、上述したデータベース法によるレチクル検査
方式の概要図を示す。レチクルを作成するために使用さ
れたデータと同等の原パターンデータ（設計データ）Ｄ
４が磁気テープ１３に蓄積されている。原パターンデー
タは、変換部１１において比較信号り、に変換される。
方式の概要図を示す。レチクルを作成するために使用さ
れたデータと同等の原パターンデータ（設計データ）Ｄ
４が磁気テープ１３に蓄積されている。原パターンデー
タは、変換部１１において比較信号り、に変換される。
被検査レチクル１の載ったステージ２を、ステージコン
トローラ４によりｘ、Ｙ方向に等速で移動させながら、
一定時間毎に光源５からレンズ６により実レチクルパタ
ーンの光信号Ｄ１を得る。光信号Ｄ１は、光電変換部７
で比較信号Ｄ２に変換されて、原パターンデータの比較
信号り、と比較部８で比較され、外部出力１２へ出力さ
れる。
トローラ４によりｘ、Ｙ方向に等速で移動させながら、
一定時間毎に光源５からレンズ６により実レチクルパタ
ーンの光信号Ｄ１を得る。光信号Ｄ１は、光電変換部７
で比較信号Ｄ２に変換されて、原パターンデータの比較
信号り、と比較部８で比較され、外部出力１２へ出力さ
れる。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、開発段階での素子の場合、レチクルパターン
の部分修正をされることが多く、データベース方式の設
計データを比較信号に変換する時間がレチクル１枚分す
べての処理時間になるため。
の部分修正をされることが多く、データベース方式の設
計データを比較信号に変換する時間がレチクル１枚分す
べての処理時間になるため。
検査工程の時間がかかった。
本発明は上記の問題を解決するもので、部分修正前のレ
チクルと部分修正後のレチクルとのお互いの比較検査と
修正箇所部分のデータベースとの照合検査を実施せんと
するものである。
チクルと部分修正後のレチクルとのお互いの比較検査と
修正箇所部分のデータベースとの照合検査を実施せんと
するものである。
（課題を解決するための手段）
この目的を達成するために１本発明によるレチクル検査
方法は、修正前と修正後のレチクル同士の比較検査後の
欠陥メモリからの欠陥メモリデータと修正部分のみの設
計データとを比較する工程を有している。
方法は、修正前と修正後のレチクル同士の比較検査後の
欠陥メモリからの欠陥メモリデータと修正部分のみの設
計データとを比較する工程を有している。
（作 用）
以上のような構成の検査方法により、部分修正前と修正
後のレチクル同士の比較検査で、レチクルの欠陥と修正
部分の情報がレチクル比較の欠陥メモリに蓄積され１部
分修正部分の設計データとレチクル比較の欠陥メモリデ
ータを比較することにより、レチクルの欠陥のみデータ
ベース欠陥メモリにＭ積される。このようにして、レチ
クル同士のパターン比較検査のデータとそれに対応する
修正部分のデータ照合検査が行なわれる。
後のレチクル同士の比較検査で、レチクルの欠陥と修正
部分の情報がレチクル比較の欠陥メモリに蓄積され１部
分修正部分の設計データとレチクル比較の欠陥メモリデ
ータを比較することにより、レチクルの欠陥のみデータ
ベース欠陥メモリにＭ積される。このようにして、レチ
クル同士のパターン比較検査のデータとそれに対応する
修正部分のデータ照合検査が行なわれる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示すものであり、以下、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図において、Ｘ−Ｙステージ２上にパターン部分修
正前のレチクル１ａと修正後のレチクル１ｂが載せられ
ており、コンソール３より検査領域などの情報を入力し
、ステージコントローラ４により被検査レチクル１を載
せたＸ−Ｙステージ２を等速に移動させる。光源５によ
り被検査レチクル１を照射し、レンズ６を通して得られ
た実レチクルパターンの光信号り、、、Ｄ、、は、光電
変換部７により比較信号Ｄ ２− ａ ！ Ｄ ２−
ｂに変換され、比較部８ａにより修正前後のレチクルパ
ターンが比較され、レチクル欠陥情報がバッファメモリ
９ａに？Ｂ積される。レチクル欠陥データＤ、は、レチ
クルｌａ、ｌｂの欠陥情報と修正部分の情報である。磁
気テープ１０には修正部分だけのレチクル原パターンデ
ータＤ、が蓄積されている。修正部分の原パターンデー
タＤ４は、変換部１１において比較信号Ｄ５に変換され
、比較部８ｂにおいてレチクル比較による欠陥データＤ
１と比較され、レチクル欠陥情報がバッファメモリ９ｂ
に蓄積され、外部出力１２に出力される。本実施例の場
合、修正部分のデータ量がレチクル全体のデータ量の１
／１０にあたる時、データ変換時間も１／１０になり、
メモリのようなデータ量の多いレチクルの場合、変換時
間がレチクル１枚あたり１〜２時間かかるものが数十分
になる。
正前のレチクル１ａと修正後のレチクル１ｂが載せられ
ており、コンソール３より検査領域などの情報を入力し
、ステージコントローラ４により被検査レチクル１を載
せたＸ−Ｙステージ２を等速に移動させる。光源５によ
り被検査レチクル１を照射し、レンズ６を通して得られ
た実レチクルパターンの光信号り、、、Ｄ、、は、光電
変換部７により比較信号Ｄ ２− ａ ！ Ｄ ２−
ｂに変換され、比較部８ａにより修正前後のレチクルパ
ターンが比較され、レチクル欠陥情報がバッファメモリ
９ａに？Ｂ積される。レチクル欠陥データＤ、は、レチ
クルｌａ、ｌｂの欠陥情報と修正部分の情報である。磁
気テープ１０には修正部分だけのレチクル原パターンデ
ータＤ、が蓄積されている。修正部分の原パターンデー
タＤ４は、変換部１１において比較信号Ｄ５に変換され
、比較部８ｂにおいてレチクル比較による欠陥データＤ
１と比較され、レチクル欠陥情報がバッファメモリ９ｂ
に蓄積され、外部出力１２に出力される。本実施例の場
合、修正部分のデータ量がレチクル全体のデータ量の１
／１０にあたる時、データ変換時間も１／１０になり、
メモリのようなデータ量の多いレチクルの場合、変換時
間がレチクル１枚あたり１〜２時間かかるものが数十分
になる。
（発明の効果）
以上のように、本発明のレチクル検査方法は、レチクル
欠陥検査時間を大幅に短縮できるので、レチクル製造工
程ひいては半導体製造期間の短縮に大いに役立ち、工業
上有用である。
欠陥検査時間を大幅に短縮できるので、レチクル製造工
程ひいては半導体製造期間の短縮に大いに役立ち、工業
上有用である。
第１図は本発明の一実施例における部分修正前および修
正後のレチクル比較と部分修正部のデータベース比較に
よるレチクル検査法の構成を示すブロック図、第２図は
従来のデータベースによるレチクル検査法の構成を示す
ブロック図である。 １・・被検査レチクル、Ｌａ・・・部分修正前のレチク
ル、 １ｂ・・・部分修正後のレチクル、 ２・・・
Ｘ−Ｙステージ、 ３・・・検査領域情報を入力する
コンソール、 ４・・ステージコントローラ、 ５・・
・被検査レチクルを照射する光源、 ６・・・レンズ、
７・・・光電変換部、 ８・・・信号比較部、 ９・
・・欠陥情報を蓄積するバッファメモリ、 １０・・・
部分修正部の原パターンデータを蓄積した磁気テープ、
１１・・・原パターンデータ変換部、１２・・・外部
出力、 １３・・・レチクル製作時と同等の原パターン
データを蓄積した磁気テープ。
正後のレチクル比較と部分修正部のデータベース比較に
よるレチクル検査法の構成を示すブロック図、第２図は
従来のデータベースによるレチクル検査法の構成を示す
ブロック図である。 １・・被検査レチクル、Ｌａ・・・部分修正前のレチク
ル、 １ｂ・・・部分修正後のレチクル、 ２・・・
Ｘ−Ｙステージ、 ３・・・検査領域情報を入力する
コンソール、 ４・・ステージコントローラ、 ５・・
・被検査レチクルを照射する光源、 ６・・・レンズ、
７・・・光電変換部、 ８・・・信号比較部、 ９・
・・欠陥情報を蓄積するバッファメモリ、 １０・・・
部分修正部の原パターンデータを蓄積した磁気テープ、
１１・・・原パターンデータ変換部、１２・・・外部
出力、 １３・・・レチクル製作時と同等の原パターン
データを蓄積した磁気テープ。
Claims (1)
- 基体上に形成された修正前の薄膜パターンレチクルと、
修正後の薄膜パターンレチクルを光学的手段により走査
し、それぞれのパターンに対応した信号を比較してレチ
クル同士のパターン比較検査を行ない、このパターン比
較検査で得た欠陥データと修正部分に対応する部分のみ
の設計データとを比較することにより修正部分のデータ
照合検査を行なうことを特徴とするレチクル検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26945988A JPH02116740A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | レチクル検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26945988A JPH02116740A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | レチクル検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116740A true JPH02116740A (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=17472732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26945988A Pending JPH02116740A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | レチクル検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116740A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002791A (en) * | 1996-08-09 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Photomask inspection apparatus |
| US6800189B2 (en) | 1999-08-18 | 2004-10-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming insulating film of conductive cap by anodizing or electrodeposition |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP26945988A patent/JPH02116740A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002791A (en) * | 1996-08-09 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Photomask inspection apparatus |
| US6800189B2 (en) | 1999-08-18 | 2004-10-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming insulating film of conductive cap by anodizing or electrodeposition |
| US6866893B2 (en) | 1999-08-18 | 2005-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive cap, electronic component, and method of forming insulating film of conductive cap |
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