JPH05107741A - 位相シフトレチクルの検査方法 - Google Patents
位相シフトレチクルの検査方法Info
- Publication number
- JPH05107741A JPH05107741A JP27150391A JP27150391A JPH05107741A JP H05107741 A JPH05107741 A JP H05107741A JP 27150391 A JP27150391 A JP 27150391A JP 27150391 A JP27150391 A JP 27150391A JP H05107741 A JPH05107741 A JP H05107741A
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- JP
- Japan
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- reticle
- phase shift
- image
- inspection
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトレチクルの検査方法に関し，位相
シフトレチクルのデータベースによる欠陥検査を可能と
することを目的とする。 【構成】 位相シフトレチクルのパターンエッジ部の透
過光量変化を予想した画像処理を行って作成した検査デ
ータを展開した画像と，被検査レチクルの画像とを比較
して欠陥検査を行うように構成する。
シフトレチクルのデータベースによる欠陥検査を可能と
することを目的とする。 【構成】 位相シフトレチクルのパターンエッジ部の透
過光量変化を予想した画像処理を行って作成した検査デ
ータを展開した画像と，被検査レチクルの画像とを比較
して欠陥検査を行うように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフトレチクルのデ
ータベースによる検査方法に関する。近年のLSI の大規
模化, 微細化に伴い, フォトリソグラフィ技術として位
相シフトレチクルが用いられている。
ータベースによる検査方法に関する。近年のLSI の大規
模化, 微細化に伴い, フォトリソグラフィ技術として位
相シフトレチクルが用いられている。
【０００２】無欠陥のレチクルを製作するために, 検査
用データを展開した画像と検査プレート（被検査レチク
ル）の画像とを比較する欠陥検査が行われる。
用データを展開した画像と検査プレート（被検査レチク
ル）の画像とを比較する欠陥検査が行われる。
【０００３】
【従来の技術】図３(A),(B) はレチクルパターンの一例
を示す平面図である。図３(A) は通常のレチクル，図３
(B) は位相シフトレチクルを示す。
を示す平面図である。図３(A) は通常のレチクル，図３
(B) は位相シフトレチクルを示す。
【０００４】図において，１は透明基板，２は遮光パタ
ーン，３はシフタパターンである。従来のレチクルは透
明ガラス基板１上に形成されたクロム(Cr)の遮光パター
ン２からなるが, パターンエッジを強調する位相シフト
レチクルでは, 遮光パターンとガラス基板との間にシフ
タパターン３があるため, 検査時にシフタパターンによ
る遮光パターンエッジの透過光量変化に対応することが
できなかった。
ーン，３はシフタパターンである。従来のレチクルは透
明ガラス基板１上に形成されたクロム(Cr)の遮光パター
ン２からなるが, パターンエッジを強調する位相シフト
レチクルでは, 遮光パターンとガラス基板との間にシフ
タパターン３があるため, 検査時にシフタパターンによ
る遮光パターンエッジの透過光量変化に対応することが
できなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】現状の検査装置では,
位相シフトレチクルのパターンエッジ部の透過光量変化
が通常のレチクルと異なるため，位相シフトレチクルの
全パターンの周囲が欠陥となってしまい，欠陥検査がで
きなかった。
位相シフトレチクルのパターンエッジ部の透過光量変化
が通常のレチクルと異なるため，位相シフトレチクルの
全パターンの周囲が欠陥となってしまい，欠陥検査がで
きなかった。
【０００６】本発明は位相シフトレチクルのデータベー
スによる欠陥検査を可能とすることを目的とする。
スによる欠陥検査を可能とすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，位相
シフトレチクルのパターンエッジ部の透過光量変化を予
想した画像処理を行って作成した検査データを展開した
画像と，被検査レチクルの画像とを比較して欠陥検査を
行う位相シフトレチクルの検査方法により達成される。
シフトレチクルのパターンエッジ部の透過光量変化を予
想した画像処理を行って作成した検査データを展開した
画像と，被検査レチクルの画像とを比較して欠陥検査を
行う位相シフトレチクルの検査方法により達成される。
【０００８】
【作用】本発明では位相シフトレチクルのパターンエッ
ジ部の透過光量変化を装置側で予想した画像処理を行っ
て作成した検査データを用いて，位相シフトレチクルの
検査を可能にしたものである。
ジ部の透過光量変化を装置側で予想した画像処理を行っ
て作成した検査データを用いて，位相シフトレチクルの
検査を可能にしたものである。
【０００９】図１ (A)〜(C) は本発明の原理説明図であ
る。図において，(1) はシフタなしの通常のレチクル,
(2) はシフタありの位相シフトレチクルを示す。
る。図において，(1) はシフタなしの通常のレチクル,
(2) はシフタありの位相シフトレチクルを示す。
【００１０】図１(A) は両方のレチクルの断面図で，そ
れぞれに露光用の光が照射される。図１(B) は透過光強
度のアナログ値を示す。図１(C) は検査装置の受光素子
の出力（単位面積当たりの光量）を示す。
れぞれに露光用の光が照射される。図１(B) は透過光強
度のアナログ値を示す。図１(C) は検査装置の受光素子
の出力（単位面積当たりの光量）を示す。
【００１１】本発明は上記のデータベースから画像化す
るときに図１(C) に示されるパターンエッジの光強度変
化を持たせることができるため，位相シフトレチクルの
パターンエッジが欠陥と判定されることがなく，欠陥検
査が可能となる。
るときに図１(C) に示されるパターンエッジの光強度変
化を持たせることができるため，位相シフトレチクルの
パターンエッジが欠陥と判定されることがなく，欠陥検
査が可能となる。
【００１２】
【実施例】図２は本発明の実施例を説明する検査装置の
構成図である。図において，11は光源, 12は検査プレー
ト, 13は対物レンズ,14はフォトセンサ（リニアイメー
ジセンサ），15は検査プレート側のビットマップ, 16は
検査データ, 17はデータベース側のビットマップ, 18は
比較器, 19は記録器である。
構成図である。図において，11は光源, 12は検査プレー
ト, 13は対物レンズ,14はフォトセンサ（リニアイメー
ジセンサ），15は検査プレート側のビットマップ, 16は
検査データ, 17はデータベース側のビットマップ, 18は
比較器, 19は記録器である。
【００１３】検査プレート12を透過した光は対物レンズ
13を経てフォトセンサ14に入り, ここで電気的な出力信
号に変換される。この信号がメモリに蓄えられて画像の
イメージとして検査プレート側のビットマップ15が出力
される。
13を経てフォトセンサ14に入り, ここで電気的な出力信
号に変換される。この信号がメモリに蓄えられて画像の
イメージとして検査プレート側のビットマップ15が出力
される。
【００１４】上記ビットマップは光の強度による階調を
表現している。検査データは図形の始点と形状と大きさ
が表現され，図形データに合わせて,装置の画素１個に
対応する碁盤目のイメージに，その位置の光の透過を
１，０で表現している。
表現している。検査データは図形の始点と形状と大きさ
が表現され，図形データに合わせて,装置の画素１個に
対応する碁盤目のイメージに，その位置の光の透過を
１，０で表現している。
【００１５】一方, 検査用データベース16から画像化す
る際に, 位相シフトレチクルの場合は, パターンエッジ
部のシフタによる光の強度変化を加えた画像化が行わ
れ, データベース側のビットマップ17が出力される。
る際に, 位相シフトレチクルの場合は, パターンエッジ
部のシフタによる光の強度変化を加えた画像化が行わ
れ, データベース側のビットマップ17が出力される。
【００１６】検査プレート側のビットマップ15とデータ
ベース側のビットマップ17の画像を比較器18で比較し，
その差があらかじめ定められた値を越えた場合に欠陥と
して記録器19に記録する。
ベース側のビットマップ17の画像を比較器18で比較し，
その差があらかじめ定められた値を越えた場合に欠陥と
して記録器19に記録する。
【００１７】シフタによるパターンエッジの光量変化
は, 装置の光学系やフォトセンサの画素サイズ（図１
(C) の矩形の幅に相当）に合わせて最適化した処理を行
う。次に，パターンエッジ部の透過光強度変化に合うよ
うにデータベースを作成する具体的な過程（画像処理）
について説明する。
は, 装置の光学系やフォトセンサの画素サイズ（図１
(C) の矩形の幅に相当）に合わせて最適化した処理を行
う。次に，パターンエッジ部の透過光強度変化に合うよ
うにデータベースを作成する具体的な過程（画像処理）
について説明する。
【００１８】まず, 設計CAD データを計算機処理して検
査装置用データを作成する。この場合のパターンサイズ
は露光後にできあがるCrパターンのサイズである。これ
は位相シフタ作成のためのガラスエッチング処理前のサ
イズである。
査装置用データを作成する。この場合のパターンサイズ
は露光後にできあがるCrパターンのサイズである。これ
は位相シフタ作成のためのガラスエッチング処理前のサ
イズである。
【００１９】次に, この検査装置用データをパターン展
開する際に以下の検査装置内のデータ処理を行う。検査
装置の入力機能により実パターンからパターンエッジの
データを取得し，これを装置内でパターンエッジの画像
処理を行い，前記検査装置用データにこのパラメータを
付加してパターン展開してパターンのビットマップを作
成し，このビットマップを比較回路に入力する。
開する際に以下の検査装置内のデータ処理を行う。検査
装置の入力機能により実パターンからパターンエッジの
データを取得し，これを装置内でパターンエッジの画像
処理を行い，前記検査装置用データにこのパラメータを
付加してパターン展開してパターンのビットマップを作
成し，このビットマップを比較回路に入力する。
【００２０】比較器は，検査パターンのビットマップと
レチクルパターンのビットマップとを重ね合わせて，最
も差が少ないようにアライメントし，重ね合わせた差を
とり，あらかじめ設定した規格値を越えた場合に欠陥と
して記録する。記録器に不一致の位置と大きさを記録す
る。
レチクルパターンのビットマップとを重ね合わせて，最
も差が少ないようにアライメントし，重ね合わせた差を
とり，あらかじめ設定した規格値を越えた場合に欠陥と
して記録する。記録器に不一致の位置と大きさを記録す
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれぱ，位相シフトレチクルの
データベースによる欠陥検査が可能となった。
データベースによる欠陥検査が可能となった。
【００２２】この結果，デバイスの微細化プロセスに対
応できるようになった。
応できるようになった。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例を説明する検査装置の構成図
【図３】 レチクルパターンの一例を示す平面図
１ 透明基板 ２ 遮光パターン ３ シフタパターン 11 光源 12 検査プレート 13 対物レンズ 14 フォトセンサ 15 検査プレート側のビットマップ 16 検査データ 17 データベース側のビットマップ 18 比較器 19 記録器
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 位相シフトレチクルのパターンエッジ部
の透過光量変化を予想した画像処理を行って作成した検
査データを展開した画像と，被検査レチクルの画像とを
比較して欠陥検査を行うことを特徴とする位相シフトレ
チクルの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27150391A JPH05107741A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 位相シフトレチクルの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27150391A JPH05107741A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 位相シフトレチクルの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05107741A true JPH05107741A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17500969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27150391A Withdrawn JPH05107741A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 位相シフトレチクルの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05107741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021056293A (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-08 | Hoya株式会社 | パターン検査方法、フォトマスクの検査装置、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP27150391A patent/JPH05107741A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021056293A (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-08 | Hoya株式会社 | パターン検査方法、フォトマスクの検査装置、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |