JPH02104013A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH02104013A JPH02104013A JP25578688A JP25578688A JPH02104013A JP H02104013 A JPH02104013 A JP H02104013A JP 25578688 A JP25578688 A JP 25578688A JP 25578688 A JP25578688 A JP 25578688A JP H02104013 A JPH02104013 A JP H02104013A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 10
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の目的)
(産業上の利用分野)
本発明は、入力トランスデューサと出力トランスデュー
サとの間に生じる電磁誘導を抑圧し、非通過帯域での高
減衰量を得る多電極トランスデユーサ形弾性表面波装置
に関するものである。
サとの間に生じる電磁誘導を抑圧し、非通過帯域での高
減衰量を得る多電極トランスデユーサ形弾性表面波装置
に関するものである。
(従来の技術)
以下、従来の多電極トランスデユーサ形弾性表面波装置
について説明する。なお、に1明に必たり、弾性表面波
フィルタを例にとり上げ説明する。
について説明する。なお、に1明に必たり、弾性表面波
フィルタを例にとり上げ説明する。
第6図において、多電極トランスデユーサ形弾性表面波
フィルタは、圧電性基板Aの一主面上に電気−音響トラ
ンスデューサ1−1.1−2.2が構成されてなる。次
に、例えば、1−1.1−2を八カトランスデューサ、
2を出力トランスデューサとした場合の動作原理につい
て説明する。すなわち、電気信号源7より入力トランス
デューサ1−1.1−2に分割して入力された電気信号
は弾性表面波Bに変換され、出力トランスデューサ2に
伝播され、このトランスデユーサ2で再び電気信号に変
換され、負荷9に出力信号が伝送される。
フィルタは、圧電性基板Aの一主面上に電気−音響トラ
ンスデューサ1−1.1−2.2が構成されてなる。次
に、例えば、1−1.1−2を八カトランスデューサ、
2を出力トランスデューサとした場合の動作原理につい
て説明する。すなわち、電気信号源7より入力トランス
デューサ1−1.1−2に分割して入力された電気信号
は弾性表面波Bに変換され、出力トランスデューサ2に
伝播され、このトランスデユーサ2で再び電気信号に変
換され、負荷9に出力信号が伝送される。
ところで、主に通信工業分野に用いられるバンドパスフ
ィルタには、UHFHF上の高い周波数非通過帯域の減
衰量を劣化させる原因として、入力トランスデユーサと
出力トランスデユーサとの間の電磁誘導によって生じる
電磁波が結合し、非通過帯域でのレベルを上げているこ
とが上げられる。
ィルタには、UHFHF上の高い周波数非通過帯域の減
衰量を劣化させる原因として、入力トランスデユーサと
出力トランスデユーサとの間の電磁誘導によって生じる
電磁波が結合し、非通過帯域でのレベルを上げているこ
とが上げられる。
この電磁波の結合を抑圧する方法としては、第スデュー
サ間に設け、電極波の結合を弱める方法が必る。また第
7図に示したものは、シールド電極3−1.3−2を入
・出力トランスデューサ1−1.1−22のアース電位
電極指と電気的に連結し、アース引出し線の数を減少さ
せることにより、弾性表面波フィルタの製造作業性を簡
素化したものである。
サ間に設け、電極波の結合を弱める方法が必る。また第
7図に示したものは、シールド電極3−1.3−2を入
・出力トランスデューサ1−1.1−22のアース電位
電極指と電気的に連結し、アース引出し線の数を減少さ
せることにより、弾性表面波フィルタの製造作業性を簡
素化したものである。
しかしながら、本発明者らは、上述のシールド電極を配
置する方法では、入・出力1〜ランスデユ一サ間の電磁
的結合を弱める効果が小さく、弾性表面波フィルタの非
通過帯域での高減衰量をl1if保することができない
ことを確ルクした。
置する方法では、入・出力1〜ランスデユ一サ間の電磁
的結合を弱める効果が小さく、弾性表面波フィルタの非
通過帯域での高減衰量をl1if保することができない
ことを確ルクした。
(発明が解決しようとする課題〉
一般に、弾性表面波フィルタにおいては、第6図、第7
図に示す如く入・出力1・・ランスデューザの電気信号
引出し線4−1.4−2.4−3およびアース電位引出
し線5−1.5−2.5−3は金属ワイヤを用い外囲器
を介して電気信号源7、負荷9に電気的に接続されてい
る。従来の弾性表面波フィルタの描込では、入力トラン
スデューサの電気信号引出し線4−1.4−2は出力ト
ランスデューサのアース電位引出し線5−3と、また、
出力1〜ランスデユーサの電気信号引出し線4−3は入
力トランスデユーサのアース電位引出し線5−1.5−
2と、弾性表面波Bの伝播路を挾み同じ側に位置してい
る。このため、入力トランスデューサの電気信号引出し
線4−1.4−2は出力1〜ランスデユーサのアース電
位引出し線5−3と、また出力1〜ランスデユーサの電
気信号引出し線4〜3は入力トランスデューサのアース
電位引出し線5−1.5−2と電磁的に結合する位置関
係にある。
図に示す如く入・出力1・・ランスデューザの電気信号
引出し線4−1.4−2.4−3およびアース電位引出
し線5−1.5−2.5−3は金属ワイヤを用い外囲器
を介して電気信号源7、負荷9に電気的に接続されてい
る。従来の弾性表面波フィルタの描込では、入力トラン
スデューサの電気信号引出し線4−1.4−2は出力ト
ランスデューサのアース電位引出し線5−3と、また、
出力1〜ランスデユーサの電気信号引出し線4−3は入
力トランスデユーサのアース電位引出し線5−1.5−
2と、弾性表面波Bの伝播路を挾み同じ側に位置してい
る。このため、入力トランスデューサの電気信号引出し
線4−1.4−2は出力1〜ランスデユーサのアース電
位引出し線5−3と、また出力1〜ランスデユーサの電
気信号引出し線4〜3は入力トランスデューサのアース
電位引出し線5−1.5−2と電磁的に結合する位置関
係にある。
本発明は上述の課題を鑑みてなされたものであり、入・
出力トランスデューサの引出し線間に生じる電磁的な結
合を回避せしめ、非通過帯域での高減衰量を実現する弾
性表面波装置によるバンドパスフィルタを提供すること
を目的とする。
出力トランスデューサの引出し線間に生じる電磁的な結
合を回避せしめ、非通過帯域での高減衰量を実現する弾
性表面波装置によるバンドパスフィルタを提供すること
を目的とする。
(発明の溝成〕
(課題を解決するための手段)
上述の課題を解決するため、本発明の弾性表面波装置は
、入力トランスデューサと出力トランスデューサとの間
には、少なくとも2つに分割されたシールド電極が配置
され、かつこのシールド電極は隣接するこの入力トラン
スデューサとこの出力トランスデューサとのいずれか一
方のアース電位電極指と電気的に接続し、更に、この人
ツノ1〜ランスデューサの信号用引出し線とこの入力ト
ランスデューサのアース電位引出し線とは同一側に配置
され、かつこの出力トランスデューサの信号用引出し線
とこの出力トランスデユーサのアース電位引出し線は他
の同一側に配置されていることを特徴とするものである
。
、入力トランスデューサと出力トランスデューサとの間
には、少なくとも2つに分割されたシールド電極が配置
され、かつこのシールド電極は隣接するこの入力トラン
スデューサとこの出力トランスデューサとのいずれか一
方のアース電位電極指と電気的に接続し、更に、この人
ツノ1〜ランスデューサの信号用引出し線とこの入力ト
ランスデューサのアース電位引出し線とは同一側に配置
され、かつこの出力トランスデューサの信号用引出し線
とこの出力トランスデユーサのアース電位引出し線は他
の同一側に配置されていることを特徴とするものである
。
(作 用)
本発明の弾性表面波装置は、表面波伝播路を挾んで、入
力トランスデューサの信号引出し線およびアース電位引
出し線と、出力トランスデューサの信号引出し線および
アース電位引出し線とを分離することにより、入出力ト
ランスデューサの引出し線間に生じる電磁的結合を抑圧
することができる。
力トランスデューサの信号引出し線およびアース電位引
出し線と、出力トランスデューサの信号引出し線および
アース電位引出し線とを分離することにより、入出力ト
ランスデューサの引出し線間に生じる電磁的結合を抑圧
することができる。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の一実施例を述べる。第1
図は、本発明の電極構造を示したものである。第1図に
おいて圧電性基板Aの−1面上に入力トランスデューサ
1−1.1−2と出力トランスデューサ2とを交互に配
置せしめ、入・出力トランスデューサ1−1.1.−2
.2間に2つに分割されたシールド電極3−1 、3−
2.3−3.3−4を配置している。各シールド電極3
−1.3−2.3−3.3−4は隣りに位置する入力、
あるいは、出力トランスデューサ1−1.1−2.2の
アース電位電極指12−1.12−2.12−3に電気
的に接続されている。かつ、入・出力トランスデューサ
1−1.1−2.2の一アース電位電極は、圧電基板上
で電気的に分離されている。そして、各トランスデユー
サのアース電位引出し線5−1.・・・、5−6は弾性
表面波伝播路を挾み電気信号引出し線4−1.4−2.
4−3側へ引出されている。すなわち、入力トランスデ
ューサ1−1についていえば、アース電位、引出し線5
−3.5−4は電気信号引出し線4−2と同一側にあり
、かつ、引出し位置CI、C2,C3も同一側に存在す
る。
図は、本発明の電極構造を示したものである。第1図に
おいて圧電性基板Aの−1面上に入力トランスデューサ
1−1.1−2と出力トランスデューサ2とを交互に配
置せしめ、入・出力トランスデューサ1−1.1.−2
.2間に2つに分割されたシールド電極3−1 、3−
2.3−3.3−4を配置している。各シールド電極3
−1.3−2.3−3.3−4は隣りに位置する入力、
あるいは、出力トランスデューサ1−1.1−2.2の
アース電位電極指12−1.12−2.12−3に電気
的に接続されている。かつ、入・出力トランスデューサ
1−1.1−2.2の一アース電位電極は、圧電基板上
で電気的に分離されている。そして、各トランスデユー
サのアース電位引出し線5−1.・・・、5−6は弾性
表面波伝播路を挾み電気信号引出し線4−1.4−2.
4−3側へ引出されている。すなわち、入力トランスデ
ューサ1−1についていえば、アース電位、引出し線5
−3.5−4は電気信号引出し線4−2と同一側にあり
、かつ、引出し位置CI、C2,C3も同一側に存在す
る。
同様にトランスデユーサ1−2、および2についても上
記の関係を満足している。
記の関係を満足している。
この構成より、トランスデユーサからの電気信号引出し
線およびアース電位引出し線は、入力トランスデューサ
i−i、i−2と出力トランスデューサ2間で弾性表面
波伝播路を挾み、完全に分離されており、入・出力トラ
ンスデユーサ1−1.1−2.2の引出し線間での電磁
的結合を回避することができる。第2図は本発明の他の
実施例を示し、入力トランスデューサ1−1.1−2の
アース電位電極指と接続されたシールド電極3−1.3
−3を接続し、アース引出し線本数を削減したものであ
る。この様に、複数の入力トランスデューサ1−1.1
−2を部分的、あるいは全て接続しても本発明の効果を
認めることができる。同様なことが複数の出力1−ラン
スデューサの場合にも適用できる。
線およびアース電位引出し線は、入力トランスデューサ
i−i、i−2と出力トランスデューサ2間で弾性表面
波伝播路を挾み、完全に分離されており、入・出力トラ
ンスデユーサ1−1.1−2.2の引出し線間での電磁
的結合を回避することができる。第2図は本発明の他の
実施例を示し、入力トランスデューサ1−1.1−2の
アース電位電極指と接続されたシールド電極3−1.3
−3を接続し、アース引出し線本数を削減したものであ
る。この様に、複数の入力トランスデューサ1−1.1
−2を部分的、あるいは全て接続しても本発明の効果を
認めることができる。同様なことが複数の出力1−ラン
スデューサの場合にも適用できる。
次に、第3図を参照して他の実施例を説明する。
なお、説明にあたり従来例と比較して述べることとする
。
。
カドランスデユー1ノー1−1.・・・、1−5と出力
トランスデューサ2−1.・・・、2−4とを交互に配
置してなる9電極トランスデユーザ構造である。この入
力トランスデューサ1−1.・・・、1−5は共通の信
号線4−aで、出力トランスデューサ2−1.・・・、
2−4は、共通の信@線4−bで並列に接続されており
、それぞれ信号源および負荷に接続されている。この信
号源および負荷から弾性表面波フィルタを見たアドミタ
ンスは、そのコンダクタンス分が50Ωに設定されてい
る。
トランスデューサ2−1.・・・、2−4とを交互に配
置してなる9電極トランスデユーザ構造である。この入
力トランスデューサ1−1.・・・、1−5は共通の信
号線4−aで、出力トランスデューサ2−1.・・・、
2−4は、共通の信@線4−bで並列に接続されており
、それぞれ信号源および負荷に接続されている。この信
号源および負荷から弾性表面波フィルタを見たアドミタ
ンスは、そのコンダクタンス分が50Ωに設定されてい
る。
シールド電極は、入力トランスデューサ1−1.・・・
1−5と出力トランスデューサ2−1.・・・22−4
との間で、3−a、 3−bと2つに分割されている。
1−5と出力トランスデューサ2−1.・・・22−4
との間で、3−a、 3−bと2つに分割されている。
第1のシールド電極3−aは入カドランスデユー1す1
−1.・・・、1−5のアース電位電極指と電気的に接
続している。第2のシールド電極3−bは出力トランス
デューサ2−1゜・・・、2−4のアース電位電極指に
電気的に接続している。
−1.・・・、1−5のアース電位電極指と電気的に接
続している。第2のシールド電極3−bは出力トランス
デューサ2−1゜・・・、2−4のアース電位電極指に
電気的に接続している。
他方、アース電位は、入力トランスデューサ1−1.・
・・、1−5の場合、ボンディング部位Bから引出し線
5−aを介して、また出力トランスデューサ2−1、・
・・、2−4の場合には、ボンディング部位りから引出
し線5−bを介して接地されてなる。上)本の如く、第
3図に示す弾性表面波フィルタは、弾性表面波伝播路を
挾み、入力トランスデューサ1−1.・・・11−5用
の引出し線と出力トランスデューサ2−1.・・・、?
−4の引出し線が完全に分離されている。
・・、1−5の場合、ボンディング部位Bから引出し線
5−aを介して、また出力トランスデューサ2−1、・
・・、2−4の場合には、ボンディング部位りから引出
し線5−bを介して接地されてなる。上)本の如く、第
3図に示す弾性表面波フィルタは、弾性表面波伝播路を
挾み、入力トランスデューサ1−1.・・・11−5用
の引出し線と出力トランスデューサ2−1.・・・、?
−4の引出し線が完全に分離されている。
ところで、第8図に示した弾性表面波フィルタは、第3
図に示したシールド電極を分割せず、入力トランスデュ
ーサ1−1.・・・、1−5と出力トランスデューサ2
−1.・・・、2−4とのアース電位電極指と電気的に
接続した従来の弾性表面波フィルタである。この第8図
に示す如く、入力トランスデューサ1−1゜・・・、1
−5の信号線4−aと出力トランスデューサ2−1゜・
・・2−4のアース電位引出し線5−bとは、弾性表面
波伝播路を挾んで同じ側に位置している。同様に、入力
トランスデューサ1−1.・・・、1−5のアース電位
引出し線5aと出力トランスデューサ2−1.・・・、
?−4の信号線4−bとは、弾性表面波伝播路を挾んで
同じ側に位置している。
図に示したシールド電極を分割せず、入力トランスデュ
ーサ1−1.・・・、1−5と出力トランスデューサ2
−1.・・・、2−4とのアース電位電極指と電気的に
接続した従来の弾性表面波フィルタである。この第8図
に示す如く、入力トランスデューサ1−1゜・・・、1
−5の信号線4−aと出力トランスデューサ2−1゜・
・・2−4のアース電位引出し線5−bとは、弾性表面
波伝播路を挾んで同じ側に位置している。同様に、入力
トランスデューサ1−1.・・・、1−5のアース電位
引出し線5aと出力トランスデューサ2−1.・・・、
?−4の信号線4−bとは、弾性表面波伝播路を挾んで
同じ側に位置している。
次に、第3図に示す他の実施例のフィルタ特性と第8図
に示す従来技術のフィルタ特性とについて、その周波数
特性を比較する。従来の弾性表面波フィルタにおいては
、第5図に示される如く、特に通過帯域より高周波側で
の非通過帯域レベルが上っているのに対し、第4図に示
す他の実施例の弾性表面波フィルタの周波数特性では、
非通過帯域でのレベルが充分抑圧されており、約10d
Bの改善が見られる。したがって、第3図に示す他の実
施例においては、入・出力トランスデューサの引出し線
間に生じる電磁的結合を抑圧し、周波数特性での非通過
帯域レベルを充分抑圧した良好なフィルタ特性が得られ
る。
に示す従来技術のフィルタ特性とについて、その周波数
特性を比較する。従来の弾性表面波フィルタにおいては
、第5図に示される如く、特に通過帯域より高周波側で
の非通過帯域レベルが上っているのに対し、第4図に示
す他の実施例の弾性表面波フィルタの周波数特性では、
非通過帯域でのレベルが充分抑圧されており、約10d
Bの改善が見られる。したがって、第3図に示す他の実
施例においては、入・出力トランスデューサの引出し線
間に生じる電磁的結合を抑圧し、周波数特性での非通過
帯域レベルを充分抑圧した良好なフィルタ特性が得られ
る。
(発明の効果〕
本発明の弾性表面波装置は、弾性表面波伝播路を挾んで
、入力トランスデュー−リ゛の信号引出し線およびアー
ス電位引出し線と、出力トランスデューリーの信号引出
しFAおよびアース電位引出し線とを分離することを基
本構成としている。これにより、本発明では、入力トラ
ンスデューサの引出し線と出力トランスデューサとの引
出し線との間に生じる電極的結合を抑圧しており、周波
数特性での非通過帯域レベルを充分抑圧した良好なフィ
ルタ特性が得られる。
、入力トランスデュー−リ゛の信号引出し線およびアー
ス電位引出し線と、出力トランスデューリーの信号引出
しFAおよびアース電位引出し線とを分離することを基
本構成としている。これにより、本発明では、入力トラ
ンスデューサの引出し線と出力トランスデューサとの引
出し線との間に生じる電極的結合を抑圧しており、周波
数特性での非通過帯域レベルを充分抑圧した良好なフィ
ルタ特性が得られる。
第1図は本発明の実施例を示す模式図、第2図および第
3図は本発明の他の実施例を示ず模式図、第4図は第3
図の伯の実施例の周波数特性を示す特性曲線図、第5図
は従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を示す特性曲
線図、第6図乃至第8図は従来の弾性表面波フィルタの
模式図である。 1−1.1−2.1−3.1−4.1−5・・・入力ト
ランスデユーサ2.2−1.2−2.2−3.2−4・
・・出力トランスデューサ3.3−1.3−2.3−3
.3−4.3−a、3−b −・・シールド電極代理人
弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第 図 第 図 第 図 第 図
3図は本発明の他の実施例を示ず模式図、第4図は第3
図の伯の実施例の周波数特性を示す特性曲線図、第5図
は従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を示す特性曲
線図、第6図乃至第8図は従来の弾性表面波フィルタの
模式図である。 1−1.1−2.1−3.1−4.1−5・・・入力ト
ランスデユーサ2.2−1.2−2.2−3.2−4・
・・出力トランスデューサ3.3−1.3−2.3−3
.3−4.3−a、3−b −・・シールド電極代理人
弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- (1) 圧電基板と、 この圧電基板の一主面上に配置された入力端子を同一に
する入力トランスデューサと、 前記圧電基板の一主面上に配置された出力端子を同一に
する出力トランスデューサとを備え、前記入力トランス
デューサと前記出力トランスデューサとを交互に構成し
てなる弾性表面波装置において、 前記入力トランスデューサと前記出力トランスデューサ
との間には、少なくとも2つに分割されたシールド電極
が配置され、かつこのシールド電極は隣接する前記入力
トランスデューサと前記出力トランスデューサとのいず
れか一方のアース電位電極指と電気的に接続され、 更に、前記入力トランスデューサの信号用引出し線と前
記入力トランスデューサのアース電位引出し線とは同一
側に配置され、かつ前記出力トランスデューサの信号用
引出し線と前記出力トランスデューサのアース電位引出
し線は他の同一側に配置されていることを特徴とする弾
性表面波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25578688A JPH02104013A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25578688A JPH02104013A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02104013A true JPH02104013A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17283613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25578688A Pending JPH02104013A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02104013A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0319415A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Hitachi Ltd | 多電極型弾性表面波装置 |
JPH0730362A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波装置 |
US7292122B2 (en) * | 2003-11-21 | 2007-11-06 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter and wireless device that employs the same |
WO2011101314A1 (de) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Epcos Ag | Mikroakustisches filter mit kompensiertem übersprechen und verfahren zur kompensation |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25578688A patent/JPH02104013A/ja active Pending
Cited By (5)
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