JPH02104013A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

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JPH02104013A
JPH02104013A JP25578688A JP25578688A JPH02104013A JP H02104013 A JPH02104013 A JP H02104013A JP 25578688 A JP25578688 A JP 25578688A JP 25578688 A JP25578688 A JP 25578688A JP H02104013 A JPH02104013 A JP H02104013A
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JP
Japan
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transducer
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JP25578688A
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English (en)
Inventor
Motoyoshi Takase
高瀬 素義
Naoyuki Mishima
直之 三島
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Engineering Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の目的) (産業上の利用分野) 本発明は、入力トランスデューサと出力トランスデュー
サとの間に生じる電磁誘導を抑圧し、非通過帯域での高
減衰量を得る多電極トランスデユーサ形弾性表面波装置
に関するものである。
(従来の技術) 以下、従来の多電極トランスデユーサ形弾性表面波装置
について説明する。なお、に1明に必たり、弾性表面波
フィルタを例にとり上げ説明する。
第6図において、多電極トランスデユーサ形弾性表面波
フィルタは、圧電性基板Aの一主面上に電気−音響トラ
ンスデューサ1−1.1−2.2が構成されてなる。次
に、例えば、1−1.1−2を八カトランスデューサ、
2を出力トランスデューサとした場合の動作原理につい
て説明する。すなわち、電気信号源7より入力トランス
デューサ1−1.1−2に分割して入力された電気信号
は弾性表面波Bに変換され、出力トランスデューサ2に
伝播され、このトランスデユーサ2で再び電気信号に変
換され、負荷9に出力信号が伝送される。
ところで、主に通信工業分野に用いられるバンドパスフ
ィルタには、UHFHF上の高い周波数非通過帯域の減
衰量を劣化させる原因として、入力トランスデユーサと
出力トランスデユーサとの間の電磁誘導によって生じる
電磁波が結合し、非通過帯域でのレベルを上げているこ
とが上げられる。
この電磁波の結合を抑圧する方法としては、第スデュー
サ間に設け、電極波の結合を弱める方法が必る。また第
7図に示したものは、シールド電極3−1.3−2を入
・出力トランスデューサ1−1.1−22のアース電位
電極指と電気的に連結し、アース引出し線の数を減少さ
せることにより、弾性表面波フィルタの製造作業性を簡
素化したものである。
しかしながら、本発明者らは、上述のシールド電極を配
置する方法では、入・出力1〜ランスデユ一サ間の電磁
的結合を弱める効果が小さく、弾性表面波フィルタの非
通過帯域での高減衰量をl1if保することができない
ことを確ルクした。
(発明が解決しようとする課題〉 一般に、弾性表面波フィルタにおいては、第6図、第7
図に示す如く入・出力1・・ランスデューザの電気信号
引出し線4−1.4−2.4−3およびアース電位引出
し線5−1.5−2.5−3は金属ワイヤを用い外囲器
を介して電気信号源7、負荷9に電気的に接続されてい
る。従来の弾性表面波フィルタの描込では、入力トラン
スデューサの電気信号引出し線4−1.4−2は出力ト
ランスデューサのアース電位引出し線5−3と、また、
出力1〜ランスデユーサの電気信号引出し線4−3は入
力トランスデユーサのアース電位引出し線5−1.5−
2と、弾性表面波Bの伝播路を挾み同じ側に位置してい
る。このため、入力トランスデューサの電気信号引出し
線4−1.4−2は出力1〜ランスデユーサのアース電
位引出し線5−3と、また出力1〜ランスデユーサの電
気信号引出し線4〜3は入力トランスデューサのアース
電位引出し線5−1.5−2と電磁的に結合する位置関
係にある。
本発明は上述の課題を鑑みてなされたものであり、入・
出力トランスデューサの引出し線間に生じる電磁的な結
合を回避せしめ、非通過帯域での高減衰量を実現する弾
性表面波装置によるバンドパスフィルタを提供すること
を目的とする。
(発明の溝成〕 (課題を解決するための手段) 上述の課題を解決するため、本発明の弾性表面波装置は
、入力トランスデューサと出力トランスデューサとの間
には、少なくとも2つに分割されたシールド電極が配置
され、かつこのシールド電極は隣接するこの入力トラン
スデューサとこの出力トランスデューサとのいずれか一
方のアース電位電極指と電気的に接続し、更に、この人
ツノ1〜ランスデューサの信号用引出し線とこの入力ト
ランスデューサのアース電位引出し線とは同一側に配置
され、かつこの出力トランスデューサの信号用引出し線
とこの出力トランスデユーサのアース電位引出し線は他
の同一側に配置されていることを特徴とするものである
(作 用) 本発明の弾性表面波装置は、表面波伝播路を挾んで、入
力トランスデューサの信号引出し線およびアース電位引
出し線と、出力トランスデューサの信号引出し線および
アース電位引出し線とを分離することにより、入出力ト
ランスデューサの引出し線間に生じる電磁的結合を抑圧
することができる。
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の一実施例を述べる。第1
図は、本発明の電極構造を示したものである。第1図に
おいて圧電性基板Aの−1面上に入力トランスデューサ
1−1.1−2と出力トランスデューサ2とを交互に配
置せしめ、入・出力トランスデューサ1−1.1.−2
.2間に2つに分割されたシールド電極3−1 、3−
2.3−3.3−4を配置している。各シールド電極3
−1.3−2.3−3.3−4は隣りに位置する入力、
あるいは、出力トランスデューサ1−1.1−2.2の
アース電位電極指12−1.12−2.12−3に電気
的に接続されている。かつ、入・出力トランスデューサ
1−1.1−2.2の一アース電位電極は、圧電基板上
で電気的に分離されている。そして、各トランスデユー
サのアース電位引出し線5−1.・・・、5−6は弾性
表面波伝播路を挾み電気信号引出し線4−1.4−2.
4−3側へ引出されている。すなわち、入力トランスデ
ューサ1−1についていえば、アース電位、引出し線5
−3.5−4は電気信号引出し線4−2と同一側にあり
、かつ、引出し位置CI、C2,C3も同一側に存在す
る。
同様にトランスデユーサ1−2、および2についても上
記の関係を満足している。
この構成より、トランスデユーサからの電気信号引出し
線およびアース電位引出し線は、入力トランスデューサ
i−i、i−2と出力トランスデューサ2間で弾性表面
波伝播路を挾み、完全に分離されており、入・出力トラ
ンスデユーサ1−1.1−2.2の引出し線間での電磁
的結合を回避することができる。第2図は本発明の他の
実施例を示し、入力トランスデューサ1−1.1−2の
アース電位電極指と接続されたシールド電極3−1.3
−3を接続し、アース引出し線本数を削減したものであ
る。この様に、複数の入力トランスデューサ1−1.1
−2を部分的、あるいは全て接続しても本発明の効果を
認めることができる。同様なことが複数の出力1−ラン
スデューサの場合にも適用できる。
次に、第3図を参照して他の実施例を説明する。
なお、説明にあたり従来例と比較して述べることとする
カドランスデユー1ノー1−1.・・・、1−5と出力
トランスデューサ2−1.・・・、2−4とを交互に配
置してなる9電極トランスデユーザ構造である。この入
力トランスデューサ1−1.・・・、1−5は共通の信
号線4−aで、出力トランスデューサ2−1.・・・、
2−4は、共通の信@線4−bで並列に接続されており
、それぞれ信号源および負荷に接続されている。この信
号源および負荷から弾性表面波フィルタを見たアドミタ
ンスは、そのコンダクタンス分が50Ωに設定されてい
る。
シールド電極は、入力トランスデューサ1−1.・・・
1−5と出力トランスデューサ2−1.・・・22−4
との間で、3−a、 3−bと2つに分割されている。
第1のシールド電極3−aは入カドランスデユー1す1
−1.・・・、1−5のアース電位電極指と電気的に接
続している。第2のシールド電極3−bは出力トランス
デューサ2−1゜・・・、2−4のアース電位電極指に
電気的に接続している。
他方、アース電位は、入力トランスデューサ1−1.・
・・、1−5の場合、ボンディング部位Bから引出し線
5−aを介して、また出力トランスデューサ2−1、・
・・、2−4の場合には、ボンディング部位りから引出
し線5−bを介して接地されてなる。上)本の如く、第
3図に示す弾性表面波フィルタは、弾性表面波伝播路を
挾み、入力トランスデューサ1−1.・・・11−5用
の引出し線と出力トランスデューサ2−1.・・・、?
−4の引出し線が完全に分離されている。
ところで、第8図に示した弾性表面波フィルタは、第3
図に示したシールド電極を分割せず、入力トランスデュ
ーサ1−1.・・・、1−5と出力トランスデューサ2
−1.・・・、2−4とのアース電位電極指と電気的に
接続した従来の弾性表面波フィルタである。この第8図
に示す如く、入力トランスデューサ1−1゜・・・、1
−5の信号線4−aと出力トランスデューサ2−1゜・
・・2−4のアース電位引出し線5−bとは、弾性表面
波伝播路を挾んで同じ側に位置している。同様に、入力
トランスデューサ1−1.・・・、1−5のアース電位
引出し線5aと出力トランスデューサ2−1.・・・、
?−4の信号線4−bとは、弾性表面波伝播路を挾んで
同じ側に位置している。
次に、第3図に示す他の実施例のフィルタ特性と第8図
に示す従来技術のフィルタ特性とについて、その周波数
特性を比較する。従来の弾性表面波フィルタにおいては
、第5図に示される如く、特に通過帯域より高周波側で
の非通過帯域レベルが上っているのに対し、第4図に示
す他の実施例の弾性表面波フィルタの周波数特性では、
非通過帯域でのレベルが充分抑圧されており、約10d
Bの改善が見られる。したがって、第3図に示す他の実
施例においては、入・出力トランスデューサの引出し線
間に生じる電磁的結合を抑圧し、周波数特性での非通過
帯域レベルを充分抑圧した良好なフィルタ特性が得られ
る。
(発明の効果〕 本発明の弾性表面波装置は、弾性表面波伝播路を挾んで
、入力トランスデュー−リ゛の信号引出し線およびアー
ス電位引出し線と、出力トランスデューリーの信号引出
しFAおよびアース電位引出し線とを分離することを基
本構成としている。これにより、本発明では、入力トラ
ンスデューサの引出し線と出力トランスデューサとの引
出し線との間に生じる電極的結合を抑圧しており、周波
数特性での非通過帯域レベルを充分抑圧した良好なフィ
ルタ特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す模式図、第2図および第
3図は本発明の他の実施例を示ず模式図、第4図は第3
図の伯の実施例の周波数特性を示す特性曲線図、第5図
は従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を示す特性曲
線図、第6図乃至第8図は従来の弾性表面波フィルタの
模式図である。 1−1.1−2.1−3.1−4.1−5・・・入力ト
ランスデユーサ2.2−1.2−2.2−3.2−4・
・・出力トランスデューサ3.3−1.3−2.3−3
.3−4.3−a、3−b −・・シールド電極代理人
 弁理士 則 近 憲 佑 同    竹 花 喜久男 第 図 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 圧電基板と、 この圧電基板の一主面上に配置された入力端子を同一に
    する入力トランスデューサと、 前記圧電基板の一主面上に配置された出力端子を同一に
    する出力トランスデューサとを備え、前記入力トランス
    デューサと前記出力トランスデューサとを交互に構成し
    てなる弾性表面波装置において、 前記入力トランスデューサと前記出力トランスデューサ
    との間には、少なくとも2つに分割されたシールド電極
    が配置され、かつこのシールド電極は隣接する前記入力
    トランスデューサと前記出力トランスデューサとのいず
    れか一方のアース電位電極指と電気的に接続され、 更に、前記入力トランスデューサの信号用引出し線と前
    記入力トランスデューサのアース電位引出し線とは同一
    側に配置され、かつ前記出力トランスデューサの信号用
    引出し線と前記出力トランスデューサのアース電位引出
    し線は他の同一側に配置されていることを特徴とする弾
    性表面波装置。
JP25578688A 1988-10-13 1988-10-13 弾性表面波装置 Pending JPH02104013A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0319415A (ja) * 1989-06-16 1991-01-28 Hitachi Ltd 多電極型弾性表面波装置
JPH0730362A (ja) * 1993-07-13 1995-01-31 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波装置
US7292122B2 (en) * 2003-11-21 2007-11-06 Fujitsu Media Devices Limited Surface acoustic wave filter and wireless device that employs the same
WO2011101314A1 (de) * 2010-02-22 2011-08-25 Epcos Ag Mikroakustisches filter mit kompensiertem übersprechen und verfahren zur kompensation

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US9362884B2 (en) 2010-02-22 2016-06-07 Epcos Ag Micro-acoustic filter having compensated cross-talk and method for compensation

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