JPH02102589A - レーザーダイオード駆動回路 - Google Patents

レーザーダイオード駆動回路

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JPH02102589A
JPH02102589A JP25495388A JP25495388A JPH02102589A JP H02102589 A JPH02102589 A JP H02102589A JP 25495388 A JP25495388 A JP 25495388A JP 25495388 A JP25495388 A JP 25495388A JP H02102589 A JPH02102589 A JP H02102589A
Authority
JP
Japan
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laser diode
circuit
drive circuit
temperature
bias current
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Pending
Application number
JP25495388A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroto Iguchi
浩人 井口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザーダイオ−トポ動回路に関する。
〔従来の技術〕
一般に、レーザーダイオード駆動回路では第３図に示す
ようにレーザーダイオードからの出力光を自動的に調整
するための自動光出力制御回路（ＡＰＣ回路）２を備え
ている。レーザーダイオードモジュール１はレーザーダ
イオード１２とモニタ電流検出用のＰＩＮダイオード１
１とを有しており、レーザーダイオード１２はバイアス
電流、堅動回路３からの直流バイアス電流（ＩＤＣ）２
９と交流成分駆動回路４からのレーザーをオンオフさせ
るための交流成分（工Ａｃ）２８とが合成された駆動電
流２７で駆動される。従来ＩＡｏｋ一定とし、　ＰＩＮ
ダイオード１１からのモニタ電流に基づいてＡＰＣ回路
２によってよりｃ全制御して光出方しベルヲー定に保っ
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述したレーザーダイオード駆動回路のＡＰＣ回路では
■□、を一定にしてＩＤＣを変化させて光出力レベルの
制御を行っている。
２方レーザーダイオードの駆動電流対光出力レベルの特
性は周囲温度に対してその特性が著しく変ｆヒする。こ
のため従来のレーザーダイオード駆動回路は温度変化に
対して光出力レベルのピーク値が変化してしまうという
間履点がある。
〔課題全解決するための手段〕
本発明のレーザーダイオード駆動回路はレーザーダイオ
−ドラ駆動するバイアス電流駆動回路と。
該バイアス電流駆動回路と共にレーザーダイオード？駆
動する交流成分駆動回路と、レーザーダイオードのモニ
タ電流を監視してバイアス電流駆動回路全制御する自動
光出力制御回路と、レーザーダイオードの周囲温度を検
出する温度センサーと。
該温度センサーからの検出温度に対応して予め定められ
た制御値が記憶され、この検出温度に応答して制御値全
出力する記憶回路とを有し、交流成分駆動回路はこの制
御値に基づいてバイアス電流駆動回路全制御するように
したことを特徴としている。
〔実施例〕
次に本発明について実施例によって説明する。
第１図を参照して、レーザーダイオード駆動回路はレー
ザーダイオードモジュール１．ＡＰＣ回路２、バイアス
電流回路３．交流成分駆動回路４゜記憶回路５．及び温
度センサー６を備えており。
レーザーダイオードモジュール１はモニタ電流検出用Ｐ
ＩＮダイオード１１とレーザーダイオード１２とを有し
ている。
温度センサー６によってレーザーダイオード１１の周囲
温度が検出され、温度センサー６はこの検出温度を電圧
に変換して記憶回路５に与える。記憶回路５には入力電
圧値に対応して所定の関係を有する値が記憶されており
、上記の入力電圧値に応答して対応する償金出力する。
例えば、記憶回路５は第２図に示すようにＡ／Ｄ変換回
路７゜ＲＯＭ８．及びＤ／Ａ変換回路９で構成されてお
シ。
温度センサー６からの電圧値２１はＡ／Ｄ変換回路７で
Ａ　／　Ｄ変換される。ＲＯＭ　８では、Ａ／Ｄ変換回
路７からのディジタル出力に応じて番地が指定される。
ＲＯＭ　８には検出温度に対応してディジタルデータが
記憶されている。このｆ４ジタルデ＝夕は交流成分駆動
回路４の制御値に対応し、交流成分２動回路４はこの制
御値に基づいて工ＡＣヲ駆動する。上記の制御値は、交
流成分駆動回路４がレーザーダイオード１１の温度特性
全考慮して検出温度に対応する■Ａｃ′ｆ、駆動するよ
うに設定される。従って、　ＲＯＭ　８からは、指定番
地に応じて異なる制御値が出力される。ＲＯＭ　８から
のディジタル制御値（ディジタル出力２３）はＤ／Ａ変
換回路９によってアナログ変換され、アナログ値２４と
して出力される。このようにして、記憶回路５は温度セ
ンサー６の出力（検出温度）に対応して交流成分駆動回
路４を制御するための制御信号２４を送出する。
交流成分駆動回路４はレーザーダイオード１１の駆動電
流の交流成分を駆動する。この際、この駆動電流値は制
御信号２４によって制御される。
一方、　ＡＰＣ回路２はモニタ電流検出用ＰＩＮダイオ
ード１２からのモニタ電流２５を監視して、光出力レベ
ルを一定に保つようにバイアス電流翼動回路３の駆動電
流を制御する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明では、レーザーダイオードの
温度特性に対応したデータを記憶回路に記憶しておき、
温度セン て温度レーデ−ダイオード交流成分駆動回路の駆動電流
を変化させるようにしたから、光出力レベルのピーク値
を温度変化に対して一定にできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるレーザーダイオード駆動回路の一
実施例を示すブロック図、第２図は第１図に示す記憶回
路の一例を示すブロック図、第３図は従来のレーザーダ
イオード駆動回路を示すブロック図である。 エ・・・Ｌ／　−ｆ　−／イオードモジュール、２・・
・ＡＰＣ回路、３・・・バイアス電流駆動回路、４・・
・交流成分原動回路、５・・・記憶回路、６・・・温度
センサー、７・・・Ａ／Ｄ変換回路、８・・・ＲＯＭ　
、　９・・・Ｄ　／　Ａ変換回路、１１・・・ＰＩＮダ
イオード、１２・・・レーザーダイオード。 第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、レーザーダイオードを駆動する際に用いられるレー
    ザーダイオード駆動回路において、前記レーザーダイオ
    ードを駆動するバイアス電流駆動回路と、該バイアス電
    流駆動回路と共に前記レーザーダイオードを駆動する交
    流成分駆動回路と、前記レーザーダイオードのモニタ電
    流を監視して、該モニタ電流に基づいて前記バイアス電
    流駆動回路を制御する自動光出力制御回路と、前記レー
    ザーダイオードの周囲温度を検出するための温度センサ
    ーと、該温度センサーによる検出温度に対応して予め定
    められた制御値が記憶され、該検出温度に応答して前記
    制御値を出力する記憶回路とを有し、前記交流成分駆動
    回路は該制御値に基づいて前記バイアス電流駆動回路を
    制御するようにしたことを特徴とするレーザーダイオー
    ド駆動回路。
JP25495388A 1988-10-12 1988-10-12 レーザーダイオード駆動回路 Pending JPH02102589A (ja)

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