JPH02100374A - 透明樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
透明樹脂封止形半導体装置Info
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- JPH02100374A JPH02100374A JP63252807A JP25280788A JPH02100374A JP H02100374 A JPH02100374 A JP H02100374A JP 63252807 A JP63252807 A JP 63252807A JP 25280788 A JP25280788 A JP 25280788A JP H02100374 A JPH02100374 A JP H02100374A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、測光用受光素子などを対象に、半導体チップ
を透明樹脂パッケージ、特にトランスファ成形法でモー
ルドした樹脂パッケージに封止して成る透明樹脂封止形
半導体装置に関する。
を透明樹脂パッケージ、特にトランスファ成形法でモー
ルドした樹脂パッケージに封止して成る透明樹脂封止形
半導体装置に関する。
〔従来の技術］
頭記した透明樹脂封止形半導体装置として、樹脂パッケ
ージの表面一部に、樹脂パッケージの内部に封止した受
光素子の受光面と対面する鏡面の透光窓部を形成すると
ともに、核透光窓部を除くパンケージ表面を全て梨地面
と成したものが特願昭６２−３２９１３４として同じ出
願人より既に提寓されている。
ージの表面一部に、樹脂パッケージの内部に封止した受
光素子の受光面と対面する鏡面の透光窓部を形成すると
ともに、核透光窓部を除くパンケージ表面を全て梨地面
と成したものが特願昭６２−３２９１３４として同じ出
願人より既に提寓されている。
次に、上記した従来の透明樹脂封止形半導体装置の構成
を第５図に示す０図において、１は受光素子としての半
導体チップ、２は半導体チップ１をマウントしたダイパ
ッド、３は外部リード、４はボンディングワイヤ、５が
込明樹脂パンケージである。ここで樹脂パッケージ５は
、半導体チップｌの受光面と対面する透光窓部５ａの領
域Ａが境面であり、該透光窓部５ａを除く外表面（上、
下、側面）が全て梨地面５ｂとして形成されている。
を第５図に示す０図において、１は受光素子としての半
導体チップ、２は半導体チップ１をマウントしたダイパ
ッド、３は外部リード、４はボンディングワイヤ、５が
込明樹脂パンケージである。ここで樹脂パッケージ５は
、半導体チップｌの受光面と対面する透光窓部５ａの領
域Ａが境面であり、該透光窓部５ａを除く外表面（上、
下、側面）が全て梨地面５ｂとして形成されている。
また、前記の樹脂パッケージ５は、′Ｍ４６図で示すト
ランスファ成形金型６を用いてモールドされる。ここで
金型６は上型６ａ、 下型６ｂから成り、キャビティ６
ｃを画成する金型の内周壁面は、前記樹脂パッケージ５
の鏡面を成す透光、８部５ａ ＋梨地面５ｂに対応する
領域がそれぞれ平滑面、粗面加工されている、そして、
金型６に対し図示のように半導体チップなどをキャビテ
ィ内にセットし、この状態で透明樹脂を注入することに
より、第５図のように半導体チップ１などの部品を封止
した樹脂パッケージ５がモールドされる。
ランスファ成形金型６を用いてモールドされる。ここで
金型６は上型６ａ、 下型６ｂから成り、キャビティ６
ｃを画成する金型の内周壁面は、前記樹脂パッケージ５
の鏡面を成す透光、８部５ａ ＋梨地面５ｂに対応する
領域がそれぞれ平滑面、粗面加工されている、そして、
金型６に対し図示のように半導体チップなどをキャビテ
ィ内にセットし、この状態で透明樹脂を注入することに
より、第５図のように半導体チップ１などの部品を封止
した樹脂パッケージ５がモールドされる。
このようにして作られた透明樹脂封止形半導体装置では
、鏡面である透光窓部５ａに入射する正規の測光光線は
そのまま透明樹脂５の層内を透過して半導体チップｌの
受光面に入射されるのに対し、透光窓部５ａ以外のパッ
ケージ表面に入射した周囲からの迷光は梨地面５ｂで殆
どが乱反射して散乱して導体チップ１に殆ど到達するこ
とがなく、これにより半導体装置の動作特性の偉績性向
上が図れる。
、鏡面である透光窓部５ａに入射する正規の測光光線は
そのまま透明樹脂５の層内を透過して半導体チップｌの
受光面に入射されるのに対し、透光窓部５ａ以外のパッ
ケージ表面に入射した周囲からの迷光は梨地面５ｂで殆
どが乱反射して散乱して導体チップ１に殆ど到達するこ
とがなく、これにより半導体装置の動作特性の偉績性向
上が図れる。
ところで、前記した透明樹脂封止形半導体装置の樹脂パ
ッケージをトランスファ成形する場合には、製作面、特
に成形品を金型から離型する際に次記のような問題点が
発生する。
ッケージをトランスファ成形する場合には、製作面、特
に成形品を金型から離型する際に次記のような問題点が
発生する。
すなわち、第５図で述べたように従来の樹脂パッケージ
５はパッケージ側面が梨地面であり、これに対応して第
６図に示したトランスファ成形金型６のキャビティ周壁
面も粗面加工されている。
５はパッケージ側面が梨地面であり、これに対応して第
６図に示したトランスファ成形金型６のキャビティ周壁
面も粗面加工されている。
ここで、離型状態を表す第７図で樹脂パッケージ５の外
形コーナ一部、およびこれに対応する金型６の断面形状
を拡大して示すと、図示から明らかなように梨地面であ
る樹脂パンケージ５の側面は、凹凸状に成るアンダーカ
ットの形状を呈している。
形コーナ一部、およびこれに対応する金型６の断面形状
を拡大して示すと、図示から明らかなように梨地面であ
る樹脂パンケージ５の側面は、凹凸状に成るアンダーカ
ットの形状を呈している。
このために、金型６へ樹脂を注入して樹脂パッケージ５
をモールドした後、離型工程で金型６を矢印方向に開く
と、成形品である樹脂パッケージ側面の表面に形成され
た凸部Ｐと金型側の壁面凸部Ｑとが干渉し合って両者の
間にかじりが生じる。
をモールドした後、離型工程で金型６を矢印方向に開く
と、成形品である樹脂パッケージ側面の表面に形成され
た凸部Ｐと金型側の壁面凸部Ｑとが干渉し合って両者の
間にかじりが生じる。
一方、透明な樹脂バンケ〜ジ５の成形材料であるエポキ
シ樹脂は、樹脂パッケージとしての透明度の維持を図る
ために通常は補強材を添加しないまま使用している。し
かしながら補強材を添加しないエポキシ樹脂は高温（８
０“Ｃ以上）状態になると強度が低下する。このために
前述のように離型の過程で財脂パッケージ５に金型６側
からかじりによる外部応力が加わると、樹脂パッケージ
５にクランク（割れ）１反りが生じたり、半導体チップ
などの封止部品と樹脂との間が剥離するなどのトラブル
が発生し、これが品賀９歩留りの低下を招く大きな原因
となる。
シ樹脂は、樹脂パッケージとしての透明度の維持を図る
ために通常は補強材を添加しないまま使用している。し
かしながら補強材を添加しないエポキシ樹脂は高温（８
０“Ｃ以上）状態になると強度が低下する。このために
前述のように離型の過程で財脂パッケージ５に金型６側
からかじりによる外部応力が加わると、樹脂パッケージ
５にクランク（割れ）１反りが生じたり、半導体チップ
などの封止部品と樹脂との間が剥離するなどのトラブル
が発生し、これが品賀９歩留りの低下を招く大きな原因
となる。
なお、前記のような梨地面のアンダーカットに対応して
金型側のキャビティ側面部にルーズコアなども設けて対
処することも考えられるが、この方式では金型構造が複
雑となり、特に多数個取りのトランスファ成形金型で殆
ど実用に供しえない。
金型側のキャビティ側面部にルーズコアなども設けて対
処することも考えられるが、この方式では金型構造が複
雑となり、特に多数個取りのトランスファ成形金型で殆
ど実用に供しえない。
本発明は上記の点にかんがみ成されたものであり、樹脂
パッケージに改良の手を加えることにより、半導体装置
としての動作特性面でいさささかの悪影響を与えること
な（、しかもトランスファ成形の離型過程で樹脂パッケ
ージに不当な外部応力が加わるのを回避して品質８歩留
りの向上が図れるようにした透明樹脂封止形半導体装置
を提供することを目的とする。
パッケージに改良の手を加えることにより、半導体装置
としての動作特性面でいさささかの悪影響を与えること
な（、しかもトランスファ成形の離型過程で樹脂パッケ
ージに不当な外部応力が加わるのを回避して品質８歩留
りの向上が図れるようにした透明樹脂封止形半導体装置
を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するために、本発明による透明封止形半
導体装置は、樹脂パッケージにおける半導体チップと対
面する透光窓部を鏡面、該透光窓部を除くパッケージ上
下面を梨地面とするとともに、パッケージ側面を抜き勾
配のテーパをつけた鏡面と成して構成するものとする。
導体装置は、樹脂パッケージにおける半導体チップと対
面する透光窓部を鏡面、該透光窓部を除くパッケージ上
下面を梨地面とするとともに、パッケージ側面を抜き勾
配のテーパをつけた鏡面と成して構成するものとする。
上記のように樹脂パッケージの側面を鏡面と成すことに
よりこの部分にアンダーカットの形成がなく、かつ抜き
勾配のテーパを付けることにより、樹脂パッケージをモ
ールドするトランスフ１成形の離型工程では成形品であ
る樹脂パッケージと金型との間でかじりなどの干渉なし
に金型を開くことができ、これにより樹脂パッケージに
不当な外部応力の加わることがなくなる。
よりこの部分にアンダーカットの形成がなく、かつ抜き
勾配のテーパを付けることにより、樹脂パッケージをモ
ールドするトランスフ１成形の離型工程では成形品であ
る樹脂パッケージと金型との間でかじりなどの干渉なし
に金型を開くことができ、これにより樹脂パッケージに
不当な外部応力の加わることがなくなる。
一方、当該半導体装置を測光システムの製品に組込む場
合には、設計面で半導体装置に対し側方から余分な迷光
が入光するのを阻止するような遮光構造とするの一般的
である。しかも、受光素子の動作特性として、受光面に
対し正規な投光角度と直角に近い角度で側方から透光し
た迷光で受光素子が誤動作することは殆どない、したが
って半導体チップを封止した樹脂パッケージの側面を鏡
面と成しても、この側面に入射する迷光で半導体装置が
誤動作するなどの動作性能面での悪影響を及ぼすおそれ
はない。
合には、設計面で半導体装置に対し側方から余分な迷光
が入光するのを阻止するような遮光構造とするの一般的
である。しかも、受光素子の動作特性として、受光面に
対し正規な投光角度と直角に近い角度で側方から透光し
た迷光で受光素子が誤動作することは殆どない、したが
って半導体チップを封止した樹脂パッケージの側面を鏡
面と成しても、この側面に入射する迷光で半導体装置が
誤動作するなどの動作性能面での悪影響を及ぼすおそれ
はない。
（実施例）
第１図１第２図は本発明実施例の構成図、第３図は第１
図の半導体装置に対応するトランスファ成形金型の構成
断面図、第４図は離型状態を表した要部の部分拡大図で
あり、第５図、第７図に対応する同一部材には同じ符号
が付しである。
図の半導体装置に対応するトランスファ成形金型の構成
断面図、第４図は離型状態を表した要部の部分拡大図で
あり、第５図、第７図に対応する同一部材には同じ符号
が付しである。
すなわち、本発明により半導体チップ１などを封止した
樹脂パッケージ５について、半導体チップ１の受光面と
対面するパッケージの透光窓部５ａを鏡面、該透光窓部
５ａの領域を除くパッケージの上下面を梨地面５ｂとす
るとともに、パッケージ周側面５ｃを抜き勾配のテーパ
（テーパ角度θ）をつけた鏡面と成して構成されている
。また、かかる樹脂パッケージ５をモールドするトラン
スファ成形金型６は、第３図のように樹脂パッケージ５
の周側面５ｃと対応するキャビティ６Ｃの周側面が平滑
に仕上げ加工されている。
樹脂パッケージ５について、半導体チップ１の受光面と
対面するパッケージの透光窓部５ａを鏡面、該透光窓部
５ａの領域を除くパッケージの上下面を梨地面５ｂとす
るとともに、パッケージ周側面５ｃを抜き勾配のテーパ
（テーパ角度θ）をつけた鏡面と成して構成されている
。また、かかる樹脂パッケージ５をモールドするトラン
スファ成形金型６は、第３図のように樹脂パッケージ５
の周側面５ｃと対応するキャビティ６Ｃの周側面が平滑
に仕上げ加工されている。
なお、実際の製品では、樹脂パッケージ５における透光
窓部５ａの鏡面の粗さを０．０５μ−８以下、梨地面５
ｂの粗さを２〜１５μｍＳ程度、側面５Ｃの粗さを０．
１〜０．３μｍＳ程度、また抜き勾配の角度θを５〜１
５°程度に設定し、この仕撞の条件に合わせてトランス
ファ成形金型６のキャビティ６Ｃの壁面が平滑、粗面加
工されている。
窓部５ａの鏡面の粗さを０．０５μ−８以下、梨地面５
ｂの粗さを２〜１５μｍＳ程度、側面５Ｃの粗さを０．
１〜０．３μｍＳ程度、また抜き勾配の角度θを５〜１
５°程度に設定し、この仕撞の条件に合わせてトランス
ファ成形金型６のキャビティ６Ｃの壁面が平滑、粗面加
工されている。
ここで、第３図の金型６を用いて樹脂パッケージ５をモ
ールドすると、トランスファ成形の離型工程で金型６を
開く際の状態は第４図で表すようになる。つまり樹脂パ
ッケージ５の周側面は鏡面を成していてアンダーカット
となる部分がないので、第７図で述べたような樹脂パッ
ケージ５と金型６との間のかじり干渉の発生がなく、こ
れにより梼脂パッケージ５に不当な外部応力を加えるこ
となく離型させて金型６より取出すことができるきる。
ールドすると、トランスファ成形の離型工程で金型６を
開く際の状態は第４図で表すようになる。つまり樹脂パ
ッケージ５の周側面は鏡面を成していてアンダーカット
となる部分がないので、第７図で述べたような樹脂パッ
ケージ５と金型６との間のかじり干渉の発生がなく、こ
れにより梼脂パッケージ５に不当な外部応力を加えるこ
となく離型させて金型６より取出すことができるきる。
なお、樹脂パッケージ５で封止された受光素子としての
半導体チップ１に対し、鏡面を成す樹脂パッケージ５の
周側面５Ｃへ向けて側方より迷光を投光しても、受光素
子が誤動作するおそれのないことがテスト結果からも十
分＆１ｉＷされている。
半導体チップ１に対し、鏡面を成す樹脂パッケージ５の
周側面５Ｃへ向けて側方より迷光を投光しても、受光素
子が誤動作するおそれのないことがテスト結果からも十
分＆１ｉＷされている。
〔発明の効果］
本発明による樹脂封止形半導体装置は、以上説明したよ
うに構成されているので、次記の効果を奏する。
うに構成されているので、次記の効果を奏する。
（１）樹脂パッケージの周側面を抜き勾配のテーパを付
けた鏡面と成したことにより、トランスファ成形の離型
工程で金型を開く際に、成形品である樹脂パッケージに
不当な外部応力を加わることがなく、これにより樹脂パ
ンケージにクランク、反り、ないし封止部品と樹脂との
間が剥離するなどと言ったトラブルを確実に回避して製
品の品質。
けた鏡面と成したことにより、トランスファ成形の離型
工程で金型を開く際に、成形品である樹脂パッケージに
不当な外部応力を加わることがなく、これにより樹脂パ
ンケージにクランク、反り、ないし封止部品と樹脂との
間が剥離するなどと言ったトラブルを確実に回避して製
品の品質。
歩留りを大幅に向上できる。
（２）樹脂パッケージの側面を鏡面としたことにより半
導体装置の動作性能面に悪影響を及ぼすことなく、しか
も透光窓部を除く樹脂バ・ンケージの上下面を梨地面と
したことにより、周囲からの入射迷光による誤動作を防
止して半導体装置としての高信頼性が得られる。
導体装置の動作性能面に悪影響を及ぼすことなく、しか
も透光窓部を除く樹脂バ・ンケージの上下面を梨地面と
したことにより、周囲からの入射迷光による誤動作を防
止して半導体装置としての高信頼性が得られる。
第１図は本発明実施例による樹脂封止形半導体装置の構
成断面図、第２図は第１図の上面図、第３図は第１図に
対応するトランスファ成形金型の構成図、第４図は第３
図の金型による離型状態を表した部分拡大図、第５図は
従来における樹脂封止形半導体装置の構成断面図、第６
図は第５図に対応するトランスファ成形金型の構成図、
第７図は第５図の金型による離型状態を表した部分拡大
図である０図において、 １：半導体チップ、５：ｉ３明樹脂パンケージ、５ａ；
透光窓部（鏡面）、５ｂ：梨地面、５Ｃ：側面＜ｍ面）
、６：）ランスファ成形金型、θ：抜き勾配のテーパ角
度。 代ノ！人りノ！上 山 口 激
成断面図、第２図は第１図の上面図、第３図は第１図に
対応するトランスファ成形金型の構成図、第４図は第３
図の金型による離型状態を表した部分拡大図、第５図は
従来における樹脂封止形半導体装置の構成断面図、第６
図は第５図に対応するトランスファ成形金型の構成図、
第７図は第５図の金型による離型状態を表した部分拡大
図である０図において、 １：半導体チップ、５：ｉ３明樹脂パンケージ、５ａ；
透光窓部（鏡面）、５ｂ：梨地面、５Ｃ：側面＜ｍ面）
、６：）ランスファ成形金型、θ：抜き勾配のテーパ角
度。 代ノ！人りノ！上 山 口 激
Claims (1)
- １）受光素子などの半導体チップをトランスファ成形法
でモールドした透明樹脂パッケージに封止して成る半導
体装置であって、樹脂パッケージにおける半導体チップ
と対面する透光窓部を鏡面、該透光窓部を除くパッケー
ジ上下面を梨地面とするとともに、パッケージ側面を抜
き勾配のテーパをつけた鏡面と成したことを特徴とする
透明樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63252807A JPH07109898B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 透明樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63252807A JPH07109898B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 透明樹脂封止形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100374A true JPH02100374A (ja) | 1990-04-12 |
| JPH07109898B2 JPH07109898B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=17242493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63252807A Expired - Lifetime JPH07109898B2 (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 透明樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109898B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340257A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 透明樹脂封止光半導体装置 |
| US9458982B2 (en) | 2009-09-11 | 2016-10-04 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2018190861A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | ローム株式会社 | 光学装置 |
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| JPS5160769U (ja) * | 1974-11-07 | 1976-05-13 | ||
| JPS6321878A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-29 | Canon Inc | 光半導体装置 |
| JPS63153869A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-27 | Nec Corp | 光半導体装置のトランスフア−モ−ルド装置 |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP63252807A patent/JPH07109898B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US10084117B2 (en) | 2009-09-11 | 2018-09-25 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2018190861A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | ローム株式会社 | 光学装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109898B2 (ja) | 1995-11-22 |
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